JP2003240990A - 平面光導波路装置 - Google Patents
平面光導波路装置Info
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- JP2003240990A JP2003240990A JP2002036905A JP2002036905A JP2003240990A JP 2003240990 A JP2003240990 A JP 2003240990A JP 2002036905 A JP2002036905 A JP 2002036905A JP 2002036905 A JP2002036905 A JP 2002036905A JP 2003240990 A JP2003240990 A JP 2003240990A
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
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- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 コアにかかる圧縮応力又は引っ張り応力をキ
ャンセル又は低減可能な平面光導波路装置を提供するこ
とである。 【解決手段】 平面光導波路装置であって、第１の熱膨
張係数を有する基板と、該基板上に形成された第１の熱
膨張係数より小さな第２の熱膨張係数を有する下部クラ
ッド層と、該下部クラッド層上に形成されたコアと、コ
アを覆うように下部クラッド層上に形成された第２の熱
膨張係数を有する上部クラッド層と、コアに沿ってコア
の両側の上部及び下部クラッド層に形成された複数の溝
とを含んでいる。平面光導波路装置は更に、各溝中に充
填され上部及び下部クラッド層に固着された熱硬化性樹
脂等からなる複数の収縮材料を含んでいる。
ャンセル又は低減可能な平面光導波路装置を提供するこ
とである。 【解決手段】 平面光導波路装置であって、第１の熱膨
張係数を有する基板と、該基板上に形成された第１の熱
膨張係数より小さな第２の熱膨張係数を有する下部クラ
ッド層と、該下部クラッド層上に形成されたコアと、コ
アを覆うように下部クラッド層上に形成された第２の熱
膨張係数を有する上部クラッド層と、コアに沿ってコア
の両側の上部及び下部クラッド層に形成された複数の溝
とを含んでいる。平面光導波路装置は更に、各溝中に充
填され上部及び下部クラッド層に固着された熱硬化性樹
脂等からなる複数の収縮材料を含んでいる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信分野等にお
いて使用される、光の分岐、波長多重化／波長分離、レ
ベル調整、スイッチング等の機能を有する平面光導波路
装置に関する。
いて使用される、光の分岐、波長多重化／波長分離、レ
ベル調整、スイッチング等の機能を有する平面光導波路
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】平面光導波路は基板と、基板上に形成さ
れた下部クラッド層と、下部クラッド層上に形成された
コアと、コアを覆うように下部クラッド層上に形成され
た上部クラッド層から構成される。コアは上部及び下部
クラッド層の屈折率より高い屈折率を有しており、コア
中に光が閉じ込められて伝搬される。
れた下部クラッド層と、下部クラッド層上に形成された
コアと、コアを覆うように下部クラッド層上に形成され
た上部クラッド層から構成される。コアは上部及び下部
クラッド層の屈折率より高い屈折率を有しており、コア
中に光が閉じ込められて伝搬される。
【０００３】平面光導波路を製造する際のクラッド層及
びコア層を形成するときのプロセス温度は３００℃（Ｃ
ＶＤ法）〜１６００℃（火焔堆積法）であり、室温との
温度差が非常に大きい。
びコア層を形成するときのプロセス温度は３００℃（Ｃ
ＶＤ法）〜１６００℃（火焔堆積法）であり、室温との
温度差が非常に大きい。
【０００４】基板には一般的にシリコン（Ｓｉ）や石英
が使用され、クラッド層には例えばリン（Ｐ）のドープ
されたシリカガラス又はホウ素（Ｂ）及びリン（Ｐ）の
ドープされたシリカガラスが使用され、コアには例えば
ゲルマニウム（Ｇｅ）及びリン（Ｐ）のドープされたシ
リカガラスが使用される。
が使用され、クラッド層には例えばリン（Ｐ）のドープ
されたシリカガラス又はホウ素（Ｂ）及びリン（Ｐ）の
ドープされたシリカガラスが使用され、コアには例えば
ゲルマニウム（Ｇｅ）及びリン（Ｐ）のドープされたシ
リカガラスが使用される。
【０００５】基板とクラッド層は材料が異なることから
その熱膨張係数も相違する。よって、平面光導波路製造
プロセスが完了して室温付近まで冷却されると、基板と
クラッド層の熱膨張係数の差に基づく応力がクラッド層
に発生する。
その熱膨張係数も相違する。よって、平面光導波路製造
プロセスが完了して室温付近まで冷却されると、基板と
クラッド層の熱膨張係数の差に基づく応力がクラッド層
に発生する。
【０００６】例えば、Ｓｉ基板を使用して、このＳｉ基
板上にクラッド層としてリン（Ｐ）のドープされたシリ
カガラスを形成する場合には、Ｓｉ基板の方がクラッド
層よりも熱膨張係数が大きいので、クラッド層に圧縮応
力が発生する。
板上にクラッド層としてリン（Ｐ）のドープされたシリ
カガラスを形成する場合には、Ｓｉ基板の方がクラッド
層よりも熱膨張係数が大きいので、クラッド層に圧縮応
力が発生する。
【０００７】一方、石英基板上にクラッド層としてリン
（Ｐ）のドープされたシリカガラスを形成する場合に
は、石英基板の方がクラッド層より熱膨張係数が小さい
ので、クラッド層に引っ張り応力が発生する。
（Ｐ）のドープされたシリカガラスを形成する場合に
は、石英基板の方がクラッド層より熱膨張係数が小さい
ので、クラッド層に引っ張り応力が発生する。
【０００８】光導波路のクラッド層に応力が発生する
と、この応力によってコアに複屈折性が生じる。即ち、
光導波路のコアを伝搬する光の偏波方向によってコアの
屈折率が異なってくる。その結果、光導波路の伝搬定
数、管内波長が偏波方向によって異なることになる。
と、この応力によってコアに複屈折性が生じる。即ち、
光導波路のコアを伝搬する光の偏波方向によってコアの
屈折率が異なってくる。その結果、光導波路の伝搬定
数、管内波長が偏波方向によって異なることになる。
【０００９】この光導波路デバイスに、通常のシングル
モード光ファイバを接続して使用すると、光ファイバ内
の偏波方向は一定でないので、偏波方向によって挿入損
失などの光デバイスの基本特性が変動する。
モード光ファイバを接続して使用すると、光ファイバ内
の偏波方向は一定でないので、偏波方向によって挿入損
失などの光デバイスの基本特性が変動する。
【００１０】この偏波方向に依存した損失を偏波依存損
失（ＰＤＬ）と呼び、通常のシングルモード光ファイバ
を使用したＷＤＭ光通信システムでは、ＰＤＬを低減す
ることが強く要求されている。
失（ＰＤＬ）と呼び、通常のシングルモード光ファイバ
を使用したＷＤＭ光通信システムでは、ＰＤＬを低減す
ることが強く要求されている。
【００１１】クラッド層に生じた応力を緩和するため
に、特開昭６３−４３１０５号公報には、応力開放溝を
コアの両側にコアに沿って形成する技術が開示されてい
る。これらの応力開放溝によってクラッド層に生じた応
力は緩和できるが、クラッド層の組成や寸法に対する制
限が多く、この応力開放溝によりコアを圧縮していた応
力を完全にキャンセルすることは困難である。
に、特開昭６３−４３１０５号公報には、応力開放溝を
コアの両側にコアに沿って形成する技術が開示されてい
る。これらの応力開放溝によってクラッド層に生じた応
力は緩和できるが、クラッド層の組成や寸法に対する制
限が多く、この応力開放溝によりコアを圧縮していた応
力を完全にキャンセルすることは困難である。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上述した公開公報に記
載された応力開放溝を有する光導波路では、導波路コア
にかかる応力を完全に解放することは困難である。その
結果、クラッド層の応力に起因する複屈折性がコアに残
って、導波路の偏波依存性が大きくなるために、偏波依
存損失（ＰＤＬ）が発生し、デバイスの挿入損失とな
る。
載された応力開放溝を有する光導波路では、導波路コア
にかかる応力を完全に解放することは困難である。その
結果、クラッド層の応力に起因する複屈折性がコアに残
って、導波路の偏波依存性が大きくなるために、偏波依
存損失（ＰＤＬ）が発生し、デバイスの挿入損失とな
る。
【００１３】導波路コアが応力に起因する複屈折を有す
る従来の光導波路装置（デバイス）では、入射光の偏波
方向が変わると出力レベルが変化するため、この光導波
路デバイスを通常のシングルモード光ファイバを使用し
た光通信システムに適用できないという問題があった。
る従来の光導波路装置（デバイス）では、入射光の偏波
方向が変わると出力レベルが変化するため、この光導波
路デバイスを通常のシングルモード光ファイバを使用し
た光通信システムに適用できないという問題があった。
【００１４】よって、本発明の目的は、光導波路のコア
にかかる応力を低減することにより光導波路の偏波依存
性を低減可能な平面光導波路装置を提供することであ
る。
にかかる応力を低減することにより光導波路の偏波依存
性を低減可能な平面光導波路装置を提供することであ
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の一つの側面によ
ると、第１の熱膨張係数を有する基板と、該基板上に形
成された前記第１の熱膨張係数より小さな第２の熱膨張
係数を有する下部クラッド層と、該下部クラッド層上に
形成されたコアと、前記コアを覆うように前記下部クラ
ッド層上に形成された前記第２の熱膨張係数を有する上
部クラッド層と、前記コアに沿って該コアの両側の前記
上部及び下部クラッド層に形成された複数の溝と、前記
各溝中に充填され前記上部及び下部クラッド層に固着さ
れた複数の収縮材料と、を具備したことを特徴とする平
面光導波路装置が提供される。
ると、第１の熱膨張係数を有する基板と、該基板上に形
成された前記第１の熱膨張係数より小さな第２の熱膨張
係数を有する下部クラッド層と、該下部クラッド層上に
形成されたコアと、前記コアを覆うように前記下部クラ
ッド層上に形成された前記第２の熱膨張係数を有する上
部クラッド層と、前記コアに沿って該コアの両側の前記
上部及び下部クラッド層に形成された複数の溝と、前記
各溝中に充填され前記上部及び下部クラッド層に固着さ
れた複数の収縮材料と、を具備したことを特徴とする平
面光導波路装置が提供される。
【００１６】好ましくは、収縮材料は熱硬化性樹脂又は
紫外線硬化型樹脂から構成される。例えば、基板はシリ
コン基板から構成され、上部及び下部クラッド層はそれ
ぞれリンがドープされたシリカガラスから構成される。
各収縮材料上にヒータ又はペルチェ素子等の温度制御器
を搭載し、収縮材料の収縮量を制御するようにしても良
い。
紫外線硬化型樹脂から構成される。例えば、基板はシリ
コン基板から構成され、上部及び下部クラッド層はそれ
ぞれリンがドープされたシリカガラスから構成される。
各収縮材料上にヒータ又はペルチェ素子等の温度制御器
を搭載し、収縮材料の収縮量を制御するようにしても良
い。
【００１７】本発明の他の側面によると、第１の熱膨張
係数を有する基板と、該基板上に形成された前記第１の
熱膨張係数より小さな第２の熱膨張係数を有する下部ク
ラッド層と、該下部クラッド層上に形成されたコアと、
前記コアの両側の前記下部クラッド層上に形成された複
数のダミーコアと、前記コア及び前記ダミーコアを覆う
ように前記下部クラッド層上に形成され、前記第２の熱
膨張係数と前記コア及び前記ダミーコアに対応する部分
にそれぞれ突起を有する上部クラッド層と、前記コアの
両側でそれぞれ隣接する前記ダミーコアに対応する突起
を覆うように前記上部クラッド層に固着された複数の収
縮材料と、を具備したことを特徴とする平面光導波路装
置が提供される。
係数を有する基板と、該基板上に形成された前記第１の
熱膨張係数より小さな第２の熱膨張係数を有する下部ク
ラッド層と、該下部クラッド層上に形成されたコアと、
前記コアの両側の前記下部クラッド層上に形成された複
数のダミーコアと、前記コア及び前記ダミーコアを覆う
ように前記下部クラッド層上に形成され、前記第２の熱
膨張係数と前記コア及び前記ダミーコアに対応する部分
にそれぞれ突起を有する上部クラッド層と、前記コアの
両側でそれぞれ隣接する前記ダミーコアに対応する突起
を覆うように前記上部クラッド層に固着された複数の収
縮材料と、を具備したことを特徴とする平面光導波路装
置が提供される。
【００１８】本発明の更に他の側面によると、第１の熱
膨張係数を有する基板と、該基板上に形成された前記第
１の熱膨張係数より小さな第２の熱膨張係数を有する下
部クラッド層と、該下部クラッド層上に形成されたコア
と、前記コアを覆うように前記下部クラッド層上に形成
された前記第２の熱膨張係数を有する上部クラッド層
と、前記コアに沿って該コアの両側の前記上部及び下部
クラッド層に形成された複数の溝と、前記各溝中に充填
され前記上部及び下部クラッド層に固着された複数の圧
電材料と、前記各圧電材料に電圧を印加する手段と、を
具備したことを特徴とする平面光導波路装置が提供され
る。
膨張係数を有する基板と、該基板上に形成された前記第
１の熱膨張係数より小さな第２の熱膨張係数を有する下
部クラッド層と、該下部クラッド層上に形成されたコア
と、前記コアを覆うように前記下部クラッド層上に形成
された前記第２の熱膨張係数を有する上部クラッド層
と、前記コアに沿って該コアの両側の前記上部及び下部
クラッド層に形成された複数の溝と、前記各溝中に充填
され前記上部及び下部クラッド層に固着された複数の圧
電材料と、前記各圧電材料に電圧を印加する手段と、を
具備したことを特徴とする平面光導波路装置が提供され
る。
【００１９】本発明の更に他の側面によると、第１の熱
膨張係数を有する基板と、該基板上に形成された前記第
１の熱膨張係数より大きな第２の熱膨張係数を有する下
部クラッド層と、該下部クラッド層上に形成されたコア
と、前記コアを覆うように前記下部クラッド層上に形成
された前記第２の熱膨張係数を有する上部クラッド層
と、前記コアに沿って該コアの両側の前記上部及び下部
クラッド層に形成された複数の溝と、前記各溝中に充填
された熱膨張材料と、前記各熱膨張材料上に搭載された
複数の温度制御器と、を具備したことを特徴とする平面
光導波路装置が提供される。
膨張係数を有する基板と、該基板上に形成された前記第
１の熱膨張係数より大きな第２の熱膨張係数を有する下
部クラッド層と、該下部クラッド層上に形成されたコア
と、前記コアを覆うように前記下部クラッド層上に形成
された前記第２の熱膨張係数を有する上部クラッド層
と、前記コアに沿って該コアの両側の前記上部及び下部
クラッド層に形成された複数の溝と、前記各溝中に充填
された熱膨張材料と、前記各熱膨張材料上に搭載された
複数の温度制御器と、を具備したことを特徴とする平面
光導波路装置が提供される。
【００２０】本発明の更に他の側面によると、第１の熱
膨張係数を有する基板と、該基板上に形成された前記第
１の熱膨張係数より大きな第２の熱膨張係数を有する下
部クラッド層と、該下部クラッド層上に形成されたコア
と、前記コアを覆うように前記下部クラッド層上に形成
された前記第２の熱膨張係数を有する上部クラッド層
と、前記コアに沿って該コアの両側の前記上部及び下部
クラッド層に形成された複数の溝と、前記各溝中に充填
された複数の圧電材料と、前記各圧電材料に電圧を印加
する手段と、を具備したことを特徴とする平面光導波路
装置が提供される。
膨張係数を有する基板と、該基板上に形成された前記第
１の熱膨張係数より大きな第２の熱膨張係数を有する下
部クラッド層と、該下部クラッド層上に形成されたコア
と、前記コアを覆うように前記下部クラッド層上に形成
された前記第２の熱膨張係数を有する上部クラッド層
と、前記コアに沿って該コアの両側の前記上部及び下部
クラッド層に形成された複数の溝と、前記各溝中に充填
された複数の圧電材料と、前記各圧電材料に電圧を印加
する手段と、を具備したことを特徴とする平面光導波路
装置が提供される。
【００２１】
【発明の実施の形態】図１を参照すると、本発明第１実
施形態の平面光導波路装置１０Ａの断面図が示されてい
る。Ｓｉ基板１２上に、テトラ・エチル・オルソ・シリ
ケート（テトラ・エトキシ・シラン、ＴＥＯＳ）、トリ
・メチル・フォスフェイト（ＴＭＯＰ）、オゾン
（Ｏ3）を原料ガスとして、常圧ＣＶＤ法により下部ク
ラッド層１４を２０μｍの厚さのに成膜する。次いで、
ＴＥＯＳ、テトラ・メトキシ・ゲルマン（ＴＭＧ）、Ｔ
ＭＯＰ、オゾンを原料ガスとして、常圧ＣＶＤ法により
コア層を７μｍの厚さに成膜する。
施形態の平面光導波路装置１０Ａの断面図が示されてい
る。Ｓｉ基板１２上に、テトラ・エチル・オルソ・シリ
ケート（テトラ・エトキシ・シラン、ＴＥＯＳ）、トリ
・メチル・フォスフェイト（ＴＭＯＰ）、オゾン
（Ｏ3）を原料ガスとして、常圧ＣＶＤ法により下部ク
ラッド層１４を２０μｍの厚さのに成膜する。次いで、
ＴＥＯＳ、テトラ・メトキシ・ゲルマン（ＴＭＧ）、Ｔ
ＭＯＰ、オゾンを原料ガスとして、常圧ＣＶＤ法により
コア層を７μｍの厚さに成膜する。
【００２２】続いて、フォトリソグラフィとエッチング
技術を用いて、幅７μｍを除いてコア層の一部を除去
し、コア１６を得る。次に、コア１６を覆うように下部
クラッド層１４上に上部クラッド層１８を２０μｍの厚
さに成膜する。
技術を用いて、幅７μｍを除いてコア層の一部を除去
し、コア１６を得る。次に、コア１６を覆うように下部
クラッド層１４上に上部クラッド層１８を２０μｍの厚
さに成膜する。
【００２３】下部クラッド層１４と上部クラッド層１８
はリン（Ｐ）をドープしたシリカガラス（以下ＰＳＧと
略称する）から構成され、コア１６はゲルマニウム（Ｇ
ｅ）及びリン（Ｐ）をドープしたシリカガラス（以下Ｇ
ＰＳＧと略称する）から構成される。
はリン（Ｐ）をドープしたシリカガラス（以下ＰＳＧと
略称する）から構成され、コア１６はゲルマニウム（Ｇ
ｅ）及びリン（Ｐ）をドープしたシリカガラス（以下Ｇ
ＰＳＧと略称する）から構成される。
【００２４】勿論、下部クラッド層１４、コア層及び上
部クラッド層１８の成膜には、常圧ＣＶＤ法に変わりプ
ラズマＣＶＤ法や火焔堆積法（ＦＨＤ法）などを用いる
こともできる。
部クラッド層１８の成膜には、常圧ＣＶＤ法に変わりプ
ラズマＣＶＤ法や火焔堆積法（ＦＨＤ法）などを用いる
こともできる。
【００２５】次に、コア１６の両側にコア１６から３０
μｍのところから幅３０μｍ深さ４０μｍの溝２０を、
フォトリソグラフィとエッチング技術で作成する。これ
らの溝２０はコア１６に沿って設けられ、コア１６の長
手方向全体に渡って形成されていても良いし、偏波依存
性を低減したい程度に応じてコア１６の長手方向全体の
一部に沿って形成されていても良い。
μｍのところから幅３０μｍ深さ４０μｍの溝２０を、
フォトリソグラフィとエッチング技術で作成する。これ
らの溝２０はコア１６に沿って設けられ、コア１６の長
手方向全体に渡って形成されていても良いし、偏波依存
性を低減したい程度に応じてコア１６の長手方向全体の
一部に沿って形成されていても良い。
【００２６】溝２０の中に収縮材料としての例えばエポ
キシ系接着剤等の熱硬化性樹脂２２を注入し、例えば１
５０℃で１分間の加熱処理を行ない、熱硬化性樹脂２２
を硬化させた。その結果、熱硬化性樹脂２２が収縮さ
れ、矢印２８で示すようにクラッド層１４，１８の側面
に引っ張り応力が発生された。
キシ系接着剤等の熱硬化性樹脂２２を注入し、例えば１
５０℃で１分間の加熱処理を行ない、熱硬化性樹脂２２
を硬化させた。その結果、熱硬化性樹脂２２が収縮さ
れ、矢印２８で示すようにクラッド層１４，１８の側面
に引っ張り応力が発生された。
【００２７】エポキシ系接着剤としては、エポキシ・テ
クノロジ・インクのエポテック（ＥＰＯ−ＴＥＫ）３５
３ＮＤ、或いは日本エイブルスティック株式会社のＳＴ
ＡＹＣＡＳＴ１２０６等を使用可能である。
クノロジ・インクのエポテック（ＥＰＯ−ＴＥＫ）３５
３ＮＤ、或いは日本エイブルスティック株式会社のＳＴ
ＡＹＣＡＳＴ１２０６等を使用可能である。
【００２８】Ｓｉ基板１２の熱膨張係数は３５×１０-7
／Ｋであり、下部クラッド層１４及び上部クラッド層１
８を構成するＰＳＧの熱膨張係数は２０×１０-7／Ｋで
あるため、常圧ＣＶＤ法のプロセス温度である約４００
℃から室温まで冷却されると、Ｓｉ基板１２と下部クラ
ッド層１４との界面に矢印２４で示す圧縮応力が印加さ
れる。
／Ｋであり、下部クラッド層１４及び上部クラッド層１
８を構成するＰＳＧの熱膨張係数は２０×１０-7／Ｋで
あるため、常圧ＣＶＤ法のプロセス温度である約４００
℃から室温まで冷却されると、Ｓｉ基板１２と下部クラ
ッド層１４との界面に矢印２４で示す圧縮応力が印加さ
れる。
【００２９】よって、コア１６に矢印２６で示す圧縮応
力が印加されるが、この圧縮応力２６は硬化された熱硬
化性樹脂２２によりクラッド層１４，１８に発生した引
っ張り応力３０によりキャンセルされるか或いは緩和さ
れる。
力が印加されるが、この圧縮応力２６は硬化された熱硬
化性樹脂２２によりクラッド層１４，１８に発生した引
っ張り応力３０によりキャンセルされるか或いは緩和さ
れる。
【００３０】本実施形態のように、Ｓｉ基板１２等の基
板の熱膨張係数がクラッド層１４，１８の熱膨張係数よ
りも大きい場合には、成膜温度から室温に冷却されたと
きに、クラッド層１４，１８に圧縮応力が発生する。
板の熱膨張係数がクラッド層１４，１８の熱膨張係数よ
りも大きい場合には、成膜温度から室温に冷却されたと
きに、クラッド層１４，１８に圧縮応力が発生する。
【００３１】よって、溝２０中にエポキシ系接着剤等の
熱硬化性樹脂２２を充填し、所定温度に加熱してこれを
硬化させると、熱硬化性樹脂２２は例えば５％程度収縮
する。その結果、矢印２８，３０で示すようにクラッド
層１４，１８に引っ張り応力が発生し、基板１２とクラ
ッド層１４，１８の熱膨張係数差に基づいてコア１６に
印加されている圧縮応力２６を相殺又は緩和することが
できる。
熱硬化性樹脂２２を充填し、所定温度に加熱してこれを
硬化させると、熱硬化性樹脂２２は例えば５％程度収縮
する。その結果、矢印２８，３０で示すようにクラッド
層１４，１８に引っ張り応力が発生し、基板１２とクラ
ッド層１４，１８の熱膨張係数差に基づいてコア１６に
印加されている圧縮応力２６を相殺又は緩和することが
できる。
【００３２】本実施形態によれば、光導波路のコア１６
にかかる圧縮応力を低減することによって、平面光導波
路装置１０Ａの偏波依存性を低減することができ、平面
光導波路装置１０Ａの高性能化に寄与することができ
る。
にかかる圧縮応力を低減することによって、平面光導波
路装置１０Ａの偏波依存性を低減することができ、平面
光導波路装置１０Ａの高性能化に寄与することができ
る。
【００３３】上述した実施形態では、溝２０中に充填す
る収縮材料として熱硬化性樹脂を採用したが、溝２０中
に紫外線硬化型樹脂を注入し、紫外線の照射によりこれ
を硬化させても同様な効果を得ることができる。
る収縮材料として熱硬化性樹脂を採用したが、溝２０中
に紫外線硬化型樹脂を注入し、紫外線の照射によりこれ
を硬化させても同様な効果を得ることができる。
【００３４】紫外線硬化型樹脂としては、共立化学産業
株式会社製のワールドロック（Ｗｏｒｌｄ Ｒｏｃｋ）
Ｘ８７２０等のエポキシ系紫外線硬化型樹脂を使用可能
である。ワールドロックＸ８７２０の場合には、紫外線
硬化時間は約３０秒程度である。
株式会社製のワールドロック（Ｗｏｒｌｄ Ｒｏｃｋ）
Ｘ８７２０等のエポキシ系紫外線硬化型樹脂を使用可能
である。ワールドロックＸ８７２０の場合には、紫外線
硬化時間は約３０秒程度である。
【００３５】上記の実施形態では、下部クラッド及び上
部クラッドとしてＰＳＧを用いたが、その代わりに、ホ
ウ素及びリンをドープしたりシリカガラス（ＢＳＰＧ）
を用いても構わない。
部クラッドとしてＰＳＧを用いたが、その代わりに、ホ
ウ素及びリンをドープしたりシリカガラス（ＢＳＰＧ）
を用いても構わない。
【００３６】図２を参照すると、本発明第２実施形態の
平面光導波路装置１０Ｂの断面図が示されている。本実
施形態は、図１に示した第１実施形態に比較して、溝２
０´の幅を広くした点に特徴がある。
平面光導波路装置１０Ｂの断面図が示されている。本実
施形態は、図１に示した第１実施形態に比較して、溝２
０´の幅を広くした点に特徴がある。
【００３７】例えば、導波路間隔（コア間隔）は２５０
μｍ、コア幅７μｍ、コア１６側方の残すクラッド１
４，１８の幅はそれぞれコア１６側面から３０μｍ、溝
２０´の幅は１８３μｍである。
μｍ、コア幅７μｍ、コア１６側方の残すクラッド１
４，１８の幅はそれぞれコア１６側面から３０μｍ、溝
２０´の幅は１８３μｍである。
【００３８】本実施形態の他の構成は、上述した第１実
施形態１０Ａと同様である。本実施形態は溝２０´の幅
が広いため、熱硬化性樹脂又は紫外線硬化型樹脂等の収
縮材料２２の収縮量が大きくなり、第１実施形態に比較
してより大きな引っ張り応力をクラッド層１４，１８に
発生させることができる。よって、基板１２とクラッド
層１４，１８の熱膨張係数差に基づいてクラッド層１
４，１８に発生するより大きな圧縮応力をキャンセルす
ることができる。
施形態１０Ａと同様である。本実施形態は溝２０´の幅
が広いため、熱硬化性樹脂又は紫外線硬化型樹脂等の収
縮材料２２の収縮量が大きくなり、第１実施形態に比較
してより大きな引っ張り応力をクラッド層１４，１８に
発生させることができる。よって、基板１２とクラッド
層１４，１８の熱膨張係数差に基づいてクラッド層１
４，１８に発生するより大きな圧縮応力をキャンセルす
ることができる。
【００３９】図３は本発明第３実施形態の平面光導波路
装置１０Ｃの断面図を示している。本実施形態は図２に
示した第２実施形態の平面光導波路装置１０Ｂに類似し
ているが、熱硬化性樹脂又は紫外線硬化型樹脂等の収縮
材料２２のクラッド層１４，１８への接着面積を増やす
目的で、収縮材料２２を溝２０´の中だけでなく上に盛
上がるように塗布している。
装置１０Ｃの断面図を示している。本実施形態は図２に
示した第２実施形態の平面光導波路装置１０Ｂに類似し
ているが、熱硬化性樹脂又は紫外線硬化型樹脂等の収縮
材料２２のクラッド層１４，１８への接着面積を増やす
目的で、収縮材料２２を溝２０´の中だけでなく上に盛
上がるように塗布している。
【００４０】収縮材料２２はクラッド層１４，１８の側
面及びクラッド層１８の上面に接着されているので、よ
り大きな引っ張り応力をクラッド層１４，１８に印加す
ることができる。
面及びクラッド層１８の上面に接着されているので、よ
り大きな引っ張り応力をクラッド層１４，１８に印加す
ることができる。
【００４１】図４は本発明第４実施形態の平面光導波路
装置１０Ｄの断面図を示している。本実施形態では、熱
硬化性樹脂又は紫外線硬化型樹脂等の収縮材料２２が収
縮する力をより強くクラッド層１４，１８に伝えるため
に、上部クラッド層１８に溝３２を形成するとともに、
この溝３２中に第２の溝（窪み）３４を形成する。
装置１０Ｄの断面図を示している。本実施形態では、熱
硬化性樹脂又は紫外線硬化型樹脂等の収縮材料２２が収
縮する力をより強くクラッド層１４，１８に伝えるため
に、上部クラッド層１８に溝３２を形成するとともに、
この溝３２中に第２の溝（窪み）３４を形成する。
【００４２】熱硬化性樹脂又は紫外線硬化型樹脂等の収
縮材料２２の接着面積をより増やすことができるため、
基板１２とクラッド層１４，１８の熱膨張係数差に基づ
いてクラッド層１４，１８に発生するより大きな圧縮応
力をキャンセル乃至緩和することができる。
縮材料２２の接着面積をより増やすことができるため、
基板１２とクラッド層１４，１８の熱膨張係数差に基づ
いてクラッド層１４，１８に発生するより大きな圧縮応
力をキャンセル乃至緩和することができる。
【００４３】上部クラッド層１８成膜後に、幅１８３μ
ｍ、深さ２０μｍの溝３２をフォトリソグラフィとエッ
チング技術で作成する。さらに、フォトグラフィとエッ
チング技術で溝３２中に幅１０μｍ、深さ１０μｍの一
対の溝３４を作成し、熱硬化性樹脂又は紫外線硬化型樹
脂等の収縮材料２２を溝３２中に流し込み、硬化させる
と本実施形態の平面光導波路装置１０Ｄを得ることがで
きる。
ｍ、深さ２０μｍの溝３２をフォトリソグラフィとエッ
チング技術で作成する。さらに、フォトグラフィとエッ
チング技術で溝３２中に幅１０μｍ、深さ１０μｍの一
対の溝３４を作成し、熱硬化性樹脂又は紫外線硬化型樹
脂等の収縮材料２２を溝３２中に流し込み、硬化させる
と本実施形態の平面光導波路装置１０Ｄを得ることがで
きる。
【００４４】図５を参照すると、本発明第５実施形態の
平面光導波路装置１０Ｅの断面図が示されている。本実
施形態では、光導波路コア１６の両側に複数のダミーコ
ア３６を形成する。これらのダミーコア３６上に上部コ
ア層１８を所定厚さ成膜すると、ダミーコア３６に対応
する位置に突起３８が形成される。
平面光導波路装置１０Ｅの断面図が示されている。本実
施形態では、光導波路コア１６の両側に複数のダミーコ
ア３６を形成する。これらのダミーコア３６上に上部コ
ア層１８を所定厚さ成膜すると、ダミーコア３６に対応
する位置に突起３８が形成される。
【００４５】隣接する一対の突起３８を覆うように熱硬
化性樹脂又は紫外線硬化型樹脂等の収縮材料２２を滴下
してこれを硬化させると、矢印２８で示すように収縮材
料２２が収縮し、これによりクラッド層１４，１８に矢
印３０で示す引っ張り応力を発生させることができる。
化性樹脂又は紫外線硬化型樹脂等の収縮材料２２を滴下
してこれを硬化させると、矢印２８で示すように収縮材
料２２が収縮し、これによりクラッド層１４，１８に矢
印３０で示す引っ張り応力を発生させることができる。
【００４６】複数の突起３８が設けられているために、
収縮材料２２の上部クラッド層１８に対する接着力を増
加することができ、クラッド層１４，１８に比較的大き
な引っ張り応力３０を発生させることができる。
収縮材料２２の上部クラッド層１８に対する接着力を増
加することができ、クラッド層１４，１８に比較的大き
な引っ張り応力３０を発生させることができる。
【００４７】ダミーコア３６を形成するには、コア層を
エッチングする際に、コア１６と同様にダミーコア３６
が残るようにコア層をエッチングする。なお、上部クラ
ッド層１８成膜後に膜質改善などの趣旨で熱処理する温
度には上限があり、ダミーコア３６上の突起３８が流動
化して平坦にならない温度で熱処理するのが好ましい。
例えば、クラッド層１４，１８がＰＳＧで形成されてい
る場合には、約１０００℃程度で熱処理するのが好まし
い。
エッチングする際に、コア１６と同様にダミーコア３６
が残るようにコア層をエッチングする。なお、上部クラ
ッド層１８成膜後に膜質改善などの趣旨で熱処理する温
度には上限があり、ダミーコア３６上の突起３８が流動
化して平坦にならない温度で熱処理するのが好ましい。
例えば、クラッド層１４，１８がＰＳＧで形成されてい
る場合には、約１０００℃程度で熱処理するのが好まし
い。
【００４８】図６は本発明第６実施形態の平面光導波路
装置１０Ｆの断面図を示している。本実施形態では、溝
２０´中にＰＳＧからなるクラッド層１４，１８の熱膨
張係数より大きな熱膨張係数を有するホウ素（Ｂ）とリ
ン（Ｐ）をドープしたシリカガラス（ＢＰＳＧ）４０を
充填している。
装置１０Ｆの断面図を示している。本実施形態では、溝
２０´中にＰＳＧからなるクラッド層１４，１８の熱膨
張係数より大きな熱膨張係数を有するホウ素（Ｂ）とリ
ン（Ｐ）をドープしたシリカガラス（ＢＰＳＧ）４０を
充填している。
【００４９】溝２０´内へのＢＰＳＧ４０の充填は、溝
２０´形成後にＢＰＳＧ層をＣＶＤ法で一様に形成した
後、不要部分をフォトリソグラフィとエッチングにより
除去することにより行うことができる。
２０´形成後にＢＰＳＧ層をＣＶＤ法で一様に形成した
後、不要部分をフォトリソグラフィとエッチングにより
除去することにより行うことができる。
【００５０】溝２０´内に充填されたＢＰＳＧ４０の熱
膨張係数がクラッド層１４，１８より大きいので、クラ
ッド層１４，１８に引っ張り応力を発生させることがで
きる。この引っ張り応力により、Ｓｉ基板１２とクラッ
ド層１４，１８の熱膨張係数差に基づいてクラッド層１
４，１８に発生する圧縮応力をキャンセル乃至は低減す
ることができ、これにより平面光導波路装置１０Ｆの偏
波依存性を解消乃至は低減することができる。
膨張係数がクラッド層１４，１８より大きいので、クラ
ッド層１４，１８に引っ張り応力を発生させることがで
きる。この引っ張り応力により、Ｓｉ基板１２とクラッ
ド層１４，１８の熱膨張係数差に基づいてクラッド層１
４，１８に発生する圧縮応力をキャンセル乃至は低減す
ることができ、これにより平面光導波路装置１０Ｆの偏
波依存性を解消乃至は低減することができる。
【００５１】図７を参照すると、本発明第７実施形態の
平面光導波路装置１０Ｇの断面図が示されている。本実
施形態は、溝２０内に充填された収縮材料としてのＢＰ
ＳＧ４０の上にヒータ又はペルチェ素子等の温度制御器
４２を搭載したものである。
平面光導波路装置１０Ｇの断面図が示されている。本実
施形態は、溝２０内に充填された収縮材料としてのＢＰ
ＳＧ４０の上にヒータ又はペルチェ素子等の温度制御器
４２を搭載したものである。
【００５２】温度制御器４２としてヒータを採用する場
合には、例えばクロムを約２００ｎｍ蒸着法によってＢ
ＰＳＧ４０上に作成する。ヒータ４２に電流を流して温
度を変え、その下部のＢＰＳＧ４０を熱膨張或いは収縮
させて、Ｓｉ基板１２とクラッド層１４，１８の熱膨張
係数差に基づいてクラッド層１４，１８に発生する圧縮
応力を完全にキャンセルすることができる。
合には、例えばクロムを約２００ｎｍ蒸着法によってＢ
ＰＳＧ４０上に作成する。ヒータ４２に電流を流して温
度を変え、その下部のＢＰＳＧ４０を熱膨張或いは収縮
させて、Ｓｉ基板１２とクラッド層１４，１８の熱膨張
係数差に基づいてクラッド層１４，１８に発生する圧縮
応力を完全にキャンセルすることができる。
【００５３】なお、温度制御器４２としてヒータを採用
する場合には、ＢＰＳＧ４０の収縮力２８によりクラッ
ド層１４，１８に発生する引っ張り応力３０を圧縮応力
２６より大きくなるように作成しておき、ヒータに通電
することにより、ＢＰＳＧ４０を膨張させて、引っ張り
応力３０と圧縮応力２６を釣り合わせるように制御する
のが好ましい。
する場合には、ＢＰＳＧ４０の収縮力２８によりクラッ
ド層１４，１８に発生する引っ張り応力３０を圧縮応力
２６より大きくなるように作成しておき、ヒータに通電
することにより、ＢＰＳＧ４０を膨張させて、引っ張り
応力３０と圧縮応力２６を釣り合わせるように制御する
のが好ましい。
【００５４】温度制御器４２としてペルチェ素子を用い
た場合には、収縮材料としてのＢＰＳＧ４０を自由に膨
張又は収縮させることができるので、コア１６にかかる
圧縮応力を完全にキャンセルするように制御することが
でき、平面光導波路装置１０Ｇの偏波依存性を解消する
ことができる。
た場合には、収縮材料としてのＢＰＳＧ４０を自由に膨
張又は収縮させることができるので、コア１６にかかる
圧縮応力を完全にキャンセルするように制御することが
でき、平面光導波路装置１０Ｇの偏波依存性を解消する
ことができる。
【００５５】図８は本発明第８実施形態の平面光導波路
装置１０Ｈの断面図を示している。本実施形態は、溝２
０内にＺｎＯ等の圧電材料４４を充填して、クラッド層
１４，１８の側面に接着する。
装置１０Ｈの断面図を示している。本実施形態は、溝２
０内にＺｎＯ等の圧電材料４４を充填して、クラッド層
１４，１８の側面に接着する。
【００５６】圧電材料４４上に一対の電極４６を搭載し
て、これらの電極４６に所定方向所定の電圧を印加する
ことにより、圧電材料４４を矢印２８に示すように収縮
させ、Ｓｉ基板１２とクラッド層１４，１８の熱膨張係
数差に基づいてクラッド層１４，１８内に発生する圧縮
応力２６をキャンセルする引っ張り応力３０をクラッド
層１４，１８内に発生させる。
て、これらの電極４６に所定方向所定の電圧を印加する
ことにより、圧電材料４４を矢印２８に示すように収縮
させ、Ｓｉ基板１２とクラッド層１４，１８の熱膨張係
数差に基づいてクラッド層１４，１８内に発生する圧縮
応力２６をキャンセルする引っ張り応力３０をクラッド
層１４，１８内に発生させる。
【００５７】圧電材料４４の溝２０内への充填は、例え
ばリフトオフとスパッタ法の組み合わせにより行うこと
ができる。電極４０は例えば蒸着法により形成された金
電極を採用可能である。
ばリフトオフとスパッタ法の組み合わせにより行うこと
ができる。電極４０は例えば蒸着法により形成された金
電極を採用可能である。
【００５８】以上説明した第１乃至第８実施形態はクラ
ッド層１４，１８の熱膨張係数よりもＳｉ基板１２の熱
膨張係数が大きいので、クラッド層１４，１８内に圧縮
応力が発生する。
ッド層１４，１８の熱膨張係数よりもＳｉ基板１２の熱
膨張係数が大きいので、クラッド層１４，１８内に圧縮
応力が発生する。
【００５９】逆に、図９に示す第９実施形態のように、
基板として熱膨張係数の小さい石英基板１２´を採用
し、この石英基板１２´上にＢＰＳＧからなる下部クラ
ッド層１４´及び上部クラッド層１８´を成膜すると、
ＢＰＳＧの熱膨張係数３４×１０-7／Ｋは石英の熱膨張
係数５×１０-7／Ｋより大きいので、石英基板１２´と
下部クラッド層１４´との界面に矢印４８で示すような
引っ張り応力が発生する。
基板として熱膨張係数の小さい石英基板１２´を採用
し、この石英基板１２´上にＢＰＳＧからなる下部クラ
ッド層１４´及び上部クラッド層１８´を成膜すると、
ＢＰＳＧの熱膨張係数３４×１０-7／Ｋは石英の熱膨張
係数５×１０-7／Ｋより大きいので、石英基板１２´と
下部クラッド層１４´との界面に矢印４８で示すような
引っ張り応力が発生する。
【００６０】よって、コア１６には矢印５０で示すよう
な引っ張り応力が印加される。この引っ張り応力をキャ
ンセル又は緩和するために、本実施形態では溝２０内に
ＰＳＧ４１を充填する。
な引っ張り応力が印加される。この引っ張り応力をキャ
ンセル又は緩和するために、本実施形態では溝２０内に
ＰＳＧ４１を充填する。
【００６１】ＰＳＧ４１の熱膨張係数は２０×１０-7／
Ｋであり、クラッド層１４´，１８´を構成するＢＰＳ
Ｇの熱膨張係数３４×１０-7／Ｋより小さいので、矢印
５２で示すようにＰＳＧ４１によりクラッド層１４，１
８の側面に押圧力が働き、クラッド層１４´，１８´内
に圧縮応力５４が発生する。
Ｋであり、クラッド層１４´，１８´を構成するＢＰＳ
Ｇの熱膨張係数３４×１０-7／Ｋより小さいので、矢印
５２で示すようにＰＳＧ４１によりクラッド層１４，１
８の側面に押圧力が働き、クラッド層１４´，１８´内
に圧縮応力５４が発生する。
【００６２】この圧縮応力５４により石英基板１２´と
クラッド層１４´，１８´の熱膨張係数差に基づいてク
ラッド層１４´，１８´に発生する引っ張り応力５０を
キャンセル乃至は抑制することができる。
クラッド層１４´，１８´の熱膨張係数差に基づいてク
ラッド層１４´，１８´に発生する引っ張り応力５０を
キャンセル乃至は抑制することができる。
【００６３】図１０を参照すると、本発明第１０実施形
態の平面光導波路装置１０Ｊの断面図が示されている。
本実施形態では、溝２０内に熱膨張材料５６を充填し、
熱膨張材料５６上にヒータ又はペルチェ素子等の温度制
御器４２を搭載する。
態の平面光導波路装置１０Ｊの断面図が示されている。
本実施形態では、溝２０内に熱膨張材料５６を充填し、
熱膨張材料５６上にヒータ又はペルチェ素子等の温度制
御器４２を搭載する。
【００６４】熱膨張材料５６としては、アルミニウム
（Ａｌ），銅（Ｃｕ），金（Ａｕ）等の金属を採用する
ことができる。或いは、クラッド層１４，１８をＢＰＳ
Ｇで構成し、熱膨張材料５６としてクラッド層１４，１
８を構成するＢＰＳＧよりその熱膨張係数が小さいＰＳ
Ｇを採用することもできる。
（Ａｌ），銅（Ｃｕ），金（Ａｕ）等の金属を採用する
ことができる。或いは、クラッド層１４，１８をＢＰＳ
Ｇで構成し、熱膨張材料５６としてクラッド層１４，１
８を構成するＢＰＳＧよりその熱膨張係数が小さいＰＳ
Ｇを採用することもできる。
【００６５】本実施形態では、ヒータ等の温度制御器４
２で熱膨張材料５６を加熱してこれを膨張させ、クラッ
ド層１４，１８の側面に押圧力を付与して、クラッド層
１４，１８内に圧縮応力５４を発生させて、石英基板１
２´とクラッド層１４，１８の熱膨張係数差に基づいて
クラッド層１４，１８内に発生した引っ張り応力５０を
キャンセルすることができる。
２で熱膨張材料５６を加熱してこれを膨張させ、クラッ
ド層１４，１８の側面に押圧力を付与して、クラッド層
１４，１８内に圧縮応力５４を発生させて、石英基板１
２´とクラッド層１４，１８の熱膨張係数差に基づいて
クラッド層１４，１８内に発生した引っ張り応力５０を
キャンセルすることができる。
【００６６】クラッド層１４，１８内に発生する引っ張
り応力をキャンセルする方法として、図８に示した第８
実施形態の圧電材料４４を使用することもできる。この
場合には、電極４６に印加する電圧の方向を第８実施形
態の場合と逆にして、圧電材料４４を横方向に伸長させ
る。
り応力をキャンセルする方法として、図８に示した第８
実施形態の圧電材料４４を使用することもできる。この
場合には、電極４６に印加する電圧の方向を第８実施形
態の場合と逆にして、圧電材料４４を横方向に伸長させ
る。
【００６７】これにより、クラッド層１４，１８の側面
に押圧力を付与することができ、石英基板１２´とクラ
ッド層１４，１８の熱膨張係数差に基づいてクラッド層
１４，１８に発生する引っ張り応力５０をキャンセルす
る圧縮応力５４をクラッド層１４，１８内に発生させる
ことができる。
に押圧力を付与することができ、石英基板１２´とクラ
ッド層１４，１８の熱膨張係数差に基づいてクラッド層
１４，１８に発生する引っ張り応力５０をキャンセルす
る圧縮応力５４をクラッド層１４，１８内に発生させる
ことができる。
【００６８】以上の実施形態では、下部クラッド及び上
部クラッドの熱膨張係数は同じとしたが、下部クラッド
及び上部クラッドの熱膨張係数が異なっていても、上部
クラッド層と基板の間に応力が働いている場合、あるい
は、下部クラッド層と同じ基板の間に応力が働いている
場合には、上述の実施形態と同様の効果が実現できるこ
とは、いうまでもない。
部クラッドの熱膨張係数は同じとしたが、下部クラッド
及び上部クラッドの熱膨張係数が異なっていても、上部
クラッド層と基板の間に応力が働いている場合、あるい
は、下部クラッド層と同じ基板の間に応力が働いている
場合には、上述の実施形態と同様の効果が実現できるこ
とは、いうまでもない。
【００６９】本発明は以下の付記を含むものである。
【００７０】（付記１） 第１の熱膨張係数を有する基
板と、該基板上に形成された前記第１の熱膨張係数より
小さな第２の熱膨張係数を有する下部クラッド層と、該
下部クラッド層上に形成されたコアと、前記コアを覆う
ように前記下部クラッド層上に形成された前記第２の熱
膨張係数を有する上部クラッド層と、前記コアに沿って
該コアの両側の前記上部及び下部クラッド層に形成され
た複数の溝と、前記各溝中に充填され前記上部及び下部
クラッド層に固着された複数の収縮材料と、を具備した
ことを特徴とする平面光導波路装置。
板と、該基板上に形成された前記第１の熱膨張係数より
小さな第２の熱膨張係数を有する下部クラッド層と、該
下部クラッド層上に形成されたコアと、前記コアを覆う
ように前記下部クラッド層上に形成された前記第２の熱
膨張係数を有する上部クラッド層と、前記コアに沿って
該コアの両側の前記上部及び下部クラッド層に形成され
た複数の溝と、前記各溝中に充填され前記上部及び下部
クラッド層に固着された複数の収縮材料と、を具備した
ことを特徴とする平面光導波路装置。
【００７１】（付記２） 前記収縮材料は熱硬化性樹脂
から構成される付記１記載の平面光導波路装置。
から構成される付記１記載の平面光導波路装置。
【００７２】（付記３） 前記収縮材料は紫外線硬化型
樹脂から構成される付記１記載の平面光導波路装置。
樹脂から構成される付記１記載の平面光導波路装置。
【００７３】（付記４） 前記基板はシリコン基板から
構成され、前記上部及び下部クラッド層はそれぞれリン
がドープされたシリカガラスから構成される付記１記載
の平面光導波路装置。
構成され、前記上部及び下部クラッド層はそれぞれリン
がドープされたシリカガラスから構成される付記１記載
の平面光導波路装置。
【００７４】（付記５） 前記収縮材料は前記上部及び
下部クラッド層の側面及び前記上部クラッド層の上面に
固着されている付記１記載の平面光導波路装置。
下部クラッド層の側面及び前記上部クラッド層の上面に
固着されている付記１記載の平面光導波路装置。
【００７５】（付記６） 前記各溝中で前記下部クラッ
ド層に形成された第２の溝を更に具備し、前記収縮材料
は前記溝及び前記第２の溝中に充填されている付記５記
載の平面光導波路装置。
ド層に形成された第２の溝を更に具備し、前記収縮材料
は前記溝及び前記第２の溝中に充填されている付記５記
載の平面光導波路装置。
【００７６】（付記７） 前記各収縮材料上に搭載され
た複数の温度制御器を更に具備した付記１記載の平面光
導波路装置。
た複数の温度制御器を更に具備した付記１記載の平面光
導波路装置。
【００７７】（付記８） 前記温度制御器はヒータから
構成される付記７記載の平面光導波路装置。
構成される付記７記載の平面光導波路装置。
【００７８】（付記９） 前記温度制御器はペルチェ素
子から構成される付記７記載の平面光導波路装置。
子から構成される付記７記載の平面光導波路装置。
【００７９】（付記１０） 第１の熱膨張係数を有する
基板と、該基板上に形成された前記第１の熱膨張係数よ
り小さな第２の熱膨張係数を有する下部クラッド層と、
該下部クラッド層上に形成されたコアと、前記コアの両
側の前記下部クラッド層上に形成された複数のダミーコ
アと、前記コア及び前記ダミーコアを覆うように前記下
部クラッド層上に形成され、前記第２の熱膨張係数と前
記コア及び前記ダミーコアに対応する部分にそれぞれ突
起を有する上部クラッド層と、前記コアの両側でそれぞ
れ隣接する前記ダミーコアに対応する突起を覆うように
前記上部クラッド層に固着された複数の収縮材料と、を
具備したことを特徴とする平面光導波路装置。
基板と、該基板上に形成された前記第１の熱膨張係数よ
り小さな第２の熱膨張係数を有する下部クラッド層と、
該下部クラッド層上に形成されたコアと、前記コアの両
側の前記下部クラッド層上に形成された複数のダミーコ
アと、前記コア及び前記ダミーコアを覆うように前記下
部クラッド層上に形成され、前記第２の熱膨張係数と前
記コア及び前記ダミーコアに対応する部分にそれぞれ突
起を有する上部クラッド層と、前記コアの両側でそれぞ
れ隣接する前記ダミーコアに対応する突起を覆うように
前記上部クラッド層に固着された複数の収縮材料と、を
具備したことを特徴とする平面光導波路装置。
【００８０】（付記１１） 前記収縮材料は熱硬化性樹
脂から構成される付記１０記載の平面光導波路装置。
脂から構成される付記１０記載の平面光導波路装置。
【００８１】（付記１２） 前記収縮材料は紫外線硬化
型樹脂から構成される付記１０記載の平面光導波路装
置。
型樹脂から構成される付記１０記載の平面光導波路装
置。
【００８２】（付記１３） 第１の熱膨張係数を有する
基板と、該基板上に形成された前記第１の熱膨張係数よ
り小さな第２の熱膨張係数を有する下部クラッド層と、
該下部クラッド層上に形成されたコアと、前記コアを覆
うように前記下部クラッド層上に形成された前記第２の
熱膨張係数を有する上部クラッド層と、前記コアに沿っ
て該コアの両側の前記上部及び下部クラッド層に形成さ
れた複数の溝と、前記各溝中に充填され前記上部及び下
部クラッド層に固着された複数の圧電材料と、前記各圧
電材料に電圧を印加する手段と、を具備したことを特徴
とする平面光導波路装置。
基板と、該基板上に形成された前記第１の熱膨張係数よ
り小さな第２の熱膨張係数を有する下部クラッド層と、
該下部クラッド層上に形成されたコアと、前記コアを覆
うように前記下部クラッド層上に形成された前記第２の
熱膨張係数を有する上部クラッド層と、前記コアに沿っ
て該コアの両側の前記上部及び下部クラッド層に形成さ
れた複数の溝と、前記各溝中に充填され前記上部及び下
部クラッド層に固着された複数の圧電材料と、前記各圧
電材料に電圧を印加する手段と、を具備したことを特徴
とする平面光導波路装置。
【００８３】（付記１４） 第１の熱膨張係数を有する
基板と、該基板上に形成された前記第１の熱膨張係数よ
り大きな第２の熱膨張係数を有する下部クラッド層と、
該下部クラッド層上に形成されたコアと、前記コアを覆
うように前記下部クラッド層上に形成された前記第２の
熱膨張係数を有する上部クラッド層と、前記コアに沿っ
て該コアの両側の前記上部及び下部クラッド層に形成さ
れた複数の溝と、前記各溝中に充填された熱膨張材料
と、前記各熱膨張材料上に搭載された複数の温度制御器
と、を具備したことを特徴とする平面光導波路装置。
基板と、該基板上に形成された前記第１の熱膨張係数よ
り大きな第２の熱膨張係数を有する下部クラッド層と、
該下部クラッド層上に形成されたコアと、前記コアを覆
うように前記下部クラッド層上に形成された前記第２の
熱膨張係数を有する上部クラッド層と、前記コアに沿っ
て該コアの両側の前記上部及び下部クラッド層に形成さ
れた複数の溝と、前記各溝中に充填された熱膨張材料
と、前記各熱膨張材料上に搭載された複数の温度制御器
と、を具備したことを特徴とする平面光導波路装置。
【００８４】（付記１５） 第１の熱膨張係数を有する
基板と、該基板上に形成された前記第１の熱膨張係数よ
り大きな第２の熱膨張係数を有する下部クラッド層と、
該下部クラッド層上に形成されたコアと、前記コアを覆
うように前記下部クラッド層上に形成された前記第２の
熱膨張係数を有する上部クラッド層と、前記コアに沿っ
て該コアの両側の前記上部及び下部クラッド層に形成さ
れた複数の溝と、前記各溝中に充填された前記第２の熱
膨張係数より小さな第３の熱膨張係数を有する熱膨張材
料と、を具備したことを特徴とする平面光導波路装置。
基板と、該基板上に形成された前記第１の熱膨張係数よ
り大きな第２の熱膨張係数を有する下部クラッド層と、
該下部クラッド層上に形成されたコアと、前記コアを覆
うように前記下部クラッド層上に形成された前記第２の
熱膨張係数を有する上部クラッド層と、前記コアに沿っ
て該コアの両側の前記上部及び下部クラッド層に形成さ
れた複数の溝と、前記各溝中に充填された前記第２の熱
膨張係数より小さな第３の熱膨張係数を有する熱膨張材
料と、を具備したことを特徴とする平面光導波路装置。
【００８５】（付記１６） 第１の熱膨張係数を有する
基板と、該基板上に形成された前記第１の熱膨張係数よ
り大きな第２の熱膨張係数を有する下部クラッド層と、
該下部クラッド層上に形成されたコアと、前記コアを覆
うように前記下部クラッド層上に形成された前記第２の
熱膨張係数を有する上部クラッド層と、前記コアに沿っ
て該コアの両側の前記上部及び下部クラッド層に形成さ
れた複数の溝と、前記各溝中に充填された複数の圧電材
料と、前記各圧電材料に電圧を印加する手段と、を具備
したことを特徴とする平面光導波路装置。
基板と、該基板上に形成された前記第１の熱膨張係数よ
り大きな第２の熱膨張係数を有する下部クラッド層と、
該下部クラッド層上に形成されたコアと、前記コアを覆
うように前記下部クラッド層上に形成された前記第２の
熱膨張係数を有する上部クラッド層と、前記コアに沿っ
て該コアの両側の前記上部及び下部クラッド層に形成さ
れた複数の溝と、前記各溝中に充填された複数の圧電材
料と、前記各圧電材料に電圧を印加する手段と、を具備
したことを特徴とする平面光導波路装置。
【００８６】
【発明の効果】本発明は以上詳述したように構成したの
で、光導波路のコアにかかる応力をキャンセル乃至は低
減することができる。その結果、平面光導波路装置の偏
波依存性をキャンセル乃至は低減することができる。本
発明のいくつかの実施形態では光導波路のコアにかかる
応力を制御することによって、平面光導波路装置の偏波
依存性を必要に応じて制御することができる。
で、光導波路のコアにかかる応力をキャンセル乃至は低
減することができる。その結果、平面光導波路装置の偏
波依存性をキャンセル乃至は低減することができる。本
発明のいくつかの実施形態では光導波路のコアにかかる
応力を制御することによって、平面光導波路装置の偏波
依存性を必要に応じて制御することができる。
【図１】本発明第１実施形態の平面光導波路装置の断面
図である。
図である。
【図２】本発明第２実施形態の平面光導波路装置の断面
図である。
図である。
【図３】本発明第３実施形態の平面光導波路装置の断面
図である。
図である。
【図４】本発明第４実施形態の平面光導波路装置の断面
図である。
図である。
【図５】本発明第５実施形態の平面光導波路装置の断面
図である。
図である。
【図６】本発明第６実施形態の平面光導波路装置断面図
である。
である。
【図７】本発明第７実施形態の平面光導波路装置の断面
図である。
図である。
【図８】本発明第８実施形態の平面光導波路装置の断面
図である。
図である。
【図９】本発明第９実施形態の平面光導波路装置の断面
図である。
図である。
【図１０】本発明第１０実施形態の平面光導波路装置の
断面図である。
断面図である。
１２ Ｓｉ基板
１２´ 石英基板
１４ 下部クラッド層
１６ コア
１８ 上部クラッド層
２０，２０´ 溝
２２ 収縮材料
３２ 溝
３４ 第２の溝
３６ ダミーコア
３８ 突起
４０ ＢＰＳＧ
４２ 温度制御器
４４ 圧電材料
４６ 電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 鈴木 浩二
神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番
１号 富士通株式会社内
Ｆターム(参考） 2H041 AA22 AB38 AC07 AC08 AZ02
AZ06 AZ08
2H047 KA04 NA01 NA10 PA05 PA21
PA24 QA04 QA05 TA11
2H079 AA06 AA07 AA12 BA02 CA04
CA24 DA22 EA03 EB24 EB27
FA01
Claims (5)
- 【請求項１】 第１の熱膨張係数を有する基板と、 該基板上に形成された前記第１の熱膨張係数より小さな
第２の熱膨張係数を有する下部クラッド層と、 該下部クラッド層上に形成されたコアと、 前記コアを覆うように前記下部クラッド層上に形成され
た前記第２の熱膨張係数を有する上部クラッド層と、 前記コアに沿って該コアの両側の前記上部及び下部クラ
ッド層に形成された複数の溝と、 前記各溝中に充填され前記上部及び下部クラッド層に固
着された複数の収縮材料と、 を具備したことを特徴とする平面光導波路装置。 - 【請求項２】 第１の熱膨張係数を有する基板と、 該基板上に形成された前記第１の熱膨張係数より小さな
第２の熱膨張係数を有する下部クラッド層と、 該下部クラッド層上に形成されたコアと、 前記コアの両側の前記下部クラッド層上に形成された複
数のダミーコアと、 前記コア及び前記ダミーコアを覆うように前記下部クラ
ッド層上に形成され、前記第２の熱膨張係数と前記コア
及び前記ダミーコアに対応する部分にそれぞれ突起を有
する上部クラッド層と、 前記コアの両側でそれぞれ隣接する前記ダミーコアに対
応する突起を覆うように前記上部クラッド層に固着され
た複数の収縮材料と、 を具備したことを特徴とする平面光導波路装置。 - 【請求項３】 前記収縮材料は熱硬化性樹脂又は紫外線
硬化型樹脂から構成される請求項１又は２記載の平面光
導波路装置。 - 【請求項４】 第１の熱膨張係数を有する基板と、 該基板上に形成された前記第１の熱膨張係数より小さな
第２の熱膨張係数を有する下部クラッド層と、 該下部クラッド層上に形成されたコアと、 前記コアを覆うように前記下部クラッド層上に形成され
た前記第２の熱膨張係数を有する上部クラッド層と、 前記コアに沿って該コアの両側の前記上部及び下部クラ
ッド層に形成された複数の溝と、 前記各溝中に充填され前記上部及び下部クラッド層に固
着された複数の圧電材料と、 前記各圧電材料に電圧を印加する手段と、 を具備したことを特徴とする平面光導波路装置。 - 【請求項５】 第１の熱膨張係数を有する基板と、 該基板上に形成された前記第１の熱膨張係数より大きな
第２の熱膨張係数を有する下部クラッド層と、 該下部クラッド層上に形成されたコアと、 前記コアを覆うように前記下部クラッド層上に形成され
た前記第２の熱膨張係数を有する上部クラッド層と、 前記コアに沿って該コアの両側の前記上部及び下部クラ
ッド層に形成された複数の溝と、 前記各溝中に充填された複数の圧電材料と、 前記各圧電材料に電圧を印加する手段と、 を具備したことを特徴とする平面光導波路装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002036905A JP2003240990A (ja) | 2002-02-14 | 2002-02-14 | 平面光導波路装置 |
| US10/273,995 US6847772B2 (en) | 2002-02-14 | 2002-10-21 | Planar optical waveguide device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002036905A JP2003240990A (ja) | 2002-02-14 | 2002-02-14 | 平面光導波路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003240990A true JP2003240990A (ja) | 2003-08-27 |
Family
ID=27655059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002036905A Withdrawn JP2003240990A (ja) | 2002-02-14 | 2002-02-14 | 平面光導波路装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6847772B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003240990A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006133300A (ja) * | 2004-11-02 | 2006-05-25 | Mitsumi Electric Co Ltd | 光学装置及びその製造方法 |
| CN100356215C (zh) * | 2004-03-17 | 2007-12-19 | 欧姆龙株式会社 | 光波导装置和光波导装置的制造方法以及光波导装置的中间体 |
| JPWO2007094057A1 (ja) * | 2006-02-15 | 2009-07-02 | 富士通株式会社 | 光デバイス |
| WO2023189638A1 (ja) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | ミツミ電機株式会社 | 光学式ガスセンサ装置 |
| WO2024034641A1 (ja) * | 2022-08-10 | 2024-02-15 | 古河電気工業株式会社 | 光導波路構造 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7062141B2 (en) * | 2002-12-12 | 2006-06-13 | Applied Materials, Inc. | Deposition of thick BPSG layers as upper and lower cladding for optoelectronics applications |
| JP2005128419A (ja) * | 2003-10-27 | 2005-05-19 | Nec Corp | 光導波路構造およびその作製方法 |
| US7187818B2 (en) * | 2004-01-16 | 2007-03-06 | Her Majesty The Queen In Right Of Canada, As Represented By The Minister Of Industry, Through The Communications Research Centre Canada | Packaging for planar lightwave circuits |
| JP3911271B2 (ja) * | 2004-01-27 | 2007-05-09 | Ｔｄｋ株式会社 | 光導波路及びその製造方法 |
| JP2005338467A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Nhk Spring Co Ltd | 光分岐器及びその製造方法 |
| KR100679229B1 (ko) * | 2004-12-09 | 2007-02-05 | 한국전자통신연구원 | 평면형 광도파로 및 그의 제조 방법 |
| US20070096107A1 (en) * | 2005-11-03 | 2007-05-03 | Brown Dale M | Semiconductor devices with dielectric layers and methods of fabricating same |
| US20080305255A1 (en) * | 2007-06-07 | 2008-12-11 | Fujifilm Manufacturing U.S.A. Inc. | Optical waveguide coating |
| US7496263B2 (en) * | 2007-06-07 | 2009-02-24 | Fujifilm Manfacturing U.S.A. Inc. | Thermosetting optical waveguide coating |
| WO2018013505A1 (en) * | 2016-07-15 | 2018-01-18 | Corning Incorporated | Optical waveguide article with laminate structure and method for forming the same |
Family Cites Families (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0660982B2 (ja) | 1986-12-11 | 1994-08-10 | 日本電信電話株式会社 | 導波形マツハ・ツエンダ光干渉計 |
| JPH0677087B2 (ja) | 1986-12-11 | 1994-09-28 | 日本電信電話株式会社 | 導波形光位相板 |
| JPH0646245B2 (ja) | 1986-08-11 | 1994-06-15 | 日本電信電話株式会社 | 応力解放用溝付単一モード光導波路 |
| JPS6333710A (ja) | 1986-07-28 | 1988-02-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 応力付与部付石英系光導波路 |
| JPH0738043B2 (ja) | 1986-09-16 | 1995-04-26 | 日本電信電話株式会社 | シリコン基板上の石英系光導波路 |
| DE3641285A1 (de) * | 1986-12-03 | 1988-06-09 | Schott Glaswerke | Verfahren zur messung von (alpha) und ss-strahlen geringer intensitaet |
| JPH0782132B2 (ja) | 1987-01-24 | 1995-09-06 | 日本電信電話株式会社 | 導波形偏光分離素子 |
| JPH0718964B2 (ja) | 1987-06-29 | 1995-03-06 | 日本電信電話株式会社 | 集積光デバイスおよびその製造方法 |
| JP3266632B2 (ja) | 1991-12-03 | 2002-03-18 | 日本電信電話株式会社 | 導波路回折格子 |
| JP3061083B2 (ja) | 1992-04-13 | 2000-07-10 | 日本電信電話株式会社 | 光周波数分岐素子 |
| JPH06247733A (ja) | 1993-02-22 | 1994-09-06 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 定偏波光ファイバ用母材の製造方法 |
| JP3415267B2 (ja) | 1993-06-21 | 2003-06-09 | 日本電信電話株式会社 | 光信号処理器の設計方法および製造方法 |
| US5467415A (en) | 1994-04-22 | 1995-11-14 | At&T Corp. | Method for making polarization independent silica optical circuits |
| JPH08136753A (ja) | 1994-11-11 | 1996-05-31 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光導波路型偏光子 |
| JPH0943558A (ja) | 1995-07-27 | 1997-02-14 | Hitachi Cable Ltd | 導波路型偏光コンペンセータ並びにそれを用いた導波路型リング共振器および導波路型マッハツェンダ干渉計 |
| US5629991A (en) | 1995-08-11 | 1997-05-13 | Lucent Technologies Inc. | Method for reducing birefringence in optical gratings |
| JP3204493B2 (ja) | 1996-01-31 | 2001-09-04 | 日本電信電話株式会社 | 位相調整機能付光導波路の作製方法 |
| JP3214544B2 (ja) | 1996-08-02 | 2001-10-02 | 日本電信電話株式会社 | 平面型光導波路 |
| JPH1048438A (ja) | 1996-08-07 | 1998-02-20 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 石英光導波路 |
| JPH10105915A (ja) | 1996-09-26 | 1998-04-24 | Hitachi Ltd | ガラス封着体及びその製造方法 |
| JPH10142439A (ja) | 1996-11-14 | 1998-05-29 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 石英光導波路 |
| JPH1195054A (ja) | 1997-09-25 | 1999-04-09 | Fujitsu Ltd | 光デバイス |
| US5905824A (en) | 1997-12-09 | 1999-05-18 | Delisle; Vincent | Temperature compensated insensitive optical multiplexor/demultiplexor |
| JP3639109B2 (ja) | 1998-04-02 | 2005-04-20 | 富士通株式会社 | 光伝送装置、光伝送システム及び光端局 |
| JP3165106B2 (ja) | 1998-05-19 | 2001-05-14 | 日本電気株式会社 | 光可変波長フィルタ |
| JP3759841B2 (ja) | 1998-08-31 | 2006-03-29 | 富士通株式会社 | 薄膜積層型光学部品及び要素部品の被覆構造 |
| JP2000162453A (ja) | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Nec Corp | アレイ導波路回折格子の製造方法 |
| JP2001194541A (ja) | 1999-05-31 | 2001-07-19 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光導波回路 |
| US6442311B1 (en) | 1999-07-09 | 2002-08-27 | Agere Systems Guardian Corp. | Optical device having modified transmission characteristics by localized thermal treatment |
| JP2001051139A (ja) | 1999-08-12 | 2001-02-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光導波路装置 |
| JP3950588B2 (ja) | 1999-08-13 | 2007-08-01 | 日本電気株式会社 | 光導波路デバイスの製造方法 |
| JP3767262B2 (ja) | 1999-08-13 | 2006-04-19 | 日本電気株式会社 | 光導波路デバイスおよびその製造方法 |
| JP2001066451A (ja) | 1999-08-31 | 2001-03-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光導波路モジュール及びその製造方法 |
| US6389209B1 (en) | 1999-09-07 | 2002-05-14 | Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. | Strain free planar optical waveguides |
| JP2001194549A (ja) | 1999-11-04 | 2001-07-19 | Mitsubishi Electric Corp | 光導波路装置の複屈折制御方法、光導波路装置及びグレーティングデバイス |
| JP2001221923A (ja) | 2000-02-08 | 2001-08-17 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光導波回路 |
| JP2001255426A (ja) | 2000-03-08 | 2001-09-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光導波路 |
| AUPR368201A0 (en) * | 2001-03-13 | 2001-04-12 | Redfern Integrated Optics Pty Ltd | Silica-based optical device fabrication |
| US6704487B2 (en) * | 2001-08-10 | 2004-03-09 | Lightwave Microsystems Corporation | Method and system for reducing dn/dt birefringence in a thermo-optic PLC device |
| US6553170B2 (en) * | 2001-08-31 | 2003-04-22 | Lightwave Microsystems Corporation | Method and system for a combination of high boron and low boron BPSG top clad fabrication process for a planar lightwave circuit |
| US6947653B2 (en) * | 2001-10-12 | 2005-09-20 | Jds Uniphase Corporation | Waveguide stress engineering and compatible passivation in planar lightwave circuits |
-
2002
- 2002-02-14 JP JP2002036905A patent/JP2003240990A/ja not_active Withdrawn
- 2002-10-21 US US10/273,995 patent/US6847772B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100356215C (zh) * | 2004-03-17 | 2007-12-19 | 欧姆龙株式会社 | 光波导装置和光波导装置的制造方法以及光波导装置的中间体 |
| JP2006133300A (ja) * | 2004-11-02 | 2006-05-25 | Mitsumi Electric Co Ltd | 光学装置及びその製造方法 |
| JPWO2007094057A1 (ja) * | 2006-02-15 | 2009-07-02 | 富士通株式会社 | 光デバイス |
| JP4649511B2 (ja) * | 2006-02-15 | 2011-03-09 | 富士通株式会社 | 光導波路デバイス |
| WO2023189638A1 (ja) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | ミツミ電機株式会社 | 光学式ガスセンサ装置 |
| WO2024034641A1 (ja) * | 2022-08-10 | 2024-02-15 | 古河電気工業株式会社 | 光導波路構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6847772B2 (en) | 2005-01-25 |
| US20030152353A1 (en) | 2003-08-14 |
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