JP4649511B2 - 光導波路デバイス - Google Patents
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Description
【0001】
本発明は、光導波路デバイスに関し、特に光通信及び光信号処理等の技術分野において用いて好適の、光導波路デバイスに関するものである。
【0002】
誘電体結晶又は強誘電体結晶は、電場を印加すると電気光学効果により屈折率が変化することが知られている。従来より、この効果を利用して、光変調器、光偏向素子、光スイッチなど様々な光学素子が開発されている。ここで、電気光学効果による屈折率変化Δnは以下の式(1)で表される。
【0003】
【数1】
【0004】
ここで、nは強誘電体の屈折率、Eは加える電圧、rは電気光学係数である。光変調器を例にとると、一般的に材料としてLiNbO3がよく用いられる。このLiNbO3の電気光学係数は30pm/Vであり、電気光学材料の中ではそれほど大きな値ではない。SBN(Sr0.75Ba0.25Nb2O6)や、PLZT(Pb1-xLax(ZryTi1-y)1-x/4O3)などは、電気光学係数の大きな誘電体材料として知られている。
【0005】
図8に代表的な誘電体材料と電気光学係数との関係を示す。尚、図8中において、BNNはBa2NaNbO5であり、BSTNはBa1-xSrxTiyNb2-yO6である。より電気光学係数の大きな材料で光導波路を構成できれば、低電圧な光デバイスを構成することができ、光デバイスとしての消費電力削減を期待できる。
ここで、上述のごときSBNなどの高い電気光学効果を示す材料で光デバイスを作るためには、光導波路の形成が大きな課題となる。即ち、LiNbO3では、Tiなどの金属を熱拡散することで低損失な光導波路が形成できることが知られているが、SBNやPLZTなどの材料では金属が拡散しづらく、この方法では伝搬損失が大きくなり、低損失な光導波路を形成することは容易ではない。
【0006】
これに対し、下記の非特許文献1には、光導波路形成方法として、応力印加型の導波路が記されている。この非特許文献1に記載された導波路は、次のように形成される。まず、光弾性効果を有する強誘電体基板上に熱膨張係数の異なる応力膜を高温で成膜する。このとき、基板には基板と応力膜の熱膨張係数の差により一様に応力が発生する。次に、応力膜をエッチングによりパターニングすることで、応力膜のエッジに応力が発生し、基板に歪が加わる。強誘電体のもつ光弾性効果により屈折率が変化し光導波路が形成される。
【0007】
すなわち、上述の非特許文献1に記載された技術においては、例えば図9に示すように、基板101上に膜としてパターニングされた応力層102が形成されてなる光デバイス100について記載されている。この光デバイス100においては、応力層102のエッジに生じた応力σtにより、基板101における応力層102間の領域103に歪みが生じる。そして、この歪みが生じた領域103は光弾性効果により屈折率が変化するので、この領域103を、光弾性効果による光導波路(応力光導波路)103Aとして構成することができるのである。
【0008】
その他、本願発明に関連する公知技術としては、特許文献1〜3に記載されたものもある。特許文献1においては、応力印加用のAuパターンについて記載され、特許文献2には、基板と光導波路層をなすコアおよびクラッドの層との間に、熱膨張率差による歪みを緩和するための中間層を設ける技術について記載されている。更に、特許文献3には、素子分離パターンの伸び縮みを相殺するために、シリコン基板の両面に応力付与膜を形成する技術について記載されている。
【非特許文献1】
O. Eknoyan. et al.,"Strain induced optical waveguides in lithium niobate, lithium tantalate, and barium titanate", Appl.Phys.Lett., vol60, No.4, 27 January 1992, p407-409
【特許文献1】
特開平2−5028号公報
【特許文献2】
特開2003−248130号公報
【特許文献3】
特開平6−53312号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
上述の非特許文献1に記載されている応力印加型導波路では、拡散のように不純物を加えているわけではないので、透明であれば結晶構造によらず伝搬損失が小さくなる反面、基板101に与えられる応力を強めることが困難である。即ち、上述の図9の応力膜102の構成では、通信波長帯である1300-1600nmにおいて、伝搬光を十分に閉じ込めることができるような屈折率差を持つ(High-Δな)光導波路を形成するために必要な応力を基板101に与えることが困難であるという課題がある。
【0010】
たとえば、応力層102の膜厚tを厚くしたり、応力層102の成膜温度を高く設定したりすることで、基板101に与えられる応力を強めることが考えられるが、応力層102の膜厚tを厚くする場合には、応力層102自身が基板101からはがれやすくなるため、光デバイスとしての構成の安定性を確保することが困難である。又、応力層102の成膜温度を高く設定する場合、この成膜温度の設定は高いほど、与えられる応力が大きくなるが、光デバイスとしての構成の安定性を確保するための成膜温度においては、基板に十分な応力を与えられるようにすることは困難である。
【0011】
このような光の閉じ込めが弱い導波路は、光のモードフィールドを大きくするため入出力端において光ファイバとの結合損も大きくなる。又、電気光学効果を利用しようとした場合には電界の印加効率が減少するという課題も招来することになる。
本発明は、このような課題に鑑み創案されたもので、基板に生じさせる応力を従来技術よりも大きくすることができるようにすることを目的とする。
【0012】
また、光弾性効果を用いた応力光導波路の低損失化を図ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0013】
このため、本発明の光導波路デバイスは、光弾性効果を有する基板と、該基板における第1面に形成されて、該基板内の一部領域に該光弾性効果による屈折率変化を誘起する応力を生じさせるパターンを有する第1応力層と、該第1応力層によって生じた応力によって該基板内の該一部領域に形成された光導波路と、該基板における該第1面を表面とする場合に該基板の裏面である第2面に形成されて、該光導波路の屈折率変化を誘起する応力を強める第2応力層と、をそなえて構成されたことを特徴としている。
【0014】
この場合においては、好ましくは、該光導波路は、該基板における他の領域よりも屈折率が高くなるように屈折率変化が誘起されるように構成してもよい。
さらに、該基板を、光弾性係数が正の値を持つ材質で構成するとともに、該第1応力層および該第2応力層を、該基板に対して伸張応力を生じさせるように構成することもできる。この場合においては、該第1応力層および該第2応力層を、該基板よりも熱膨張係数が小さい材質で構成してもよい。
【0015】
また、該基板を、光弾性係数が負の値を持つ材質で構成するとともに、該第1応力層および該第2応力層を、該基板に対して収縮応力を生じさせるように構成することができる。この場合においては、該第1応力層および該第2応力層を、該基板よりも熱膨張係数が大きい材質で構成してもよい。
さらに、該基板は電気光学効果を有する強誘電体とすることができる。
【0016】
また、好ましくは、該第1応力膜の熱膨張係数および該基板の熱膨張係数の大小関係と、該第2応力膜の熱膨張係数および該基板の熱膨張係数の大小関係と、を同じ大小関係にあることとする。
【発明の効果】
【0017】
このように、本発明によれば、基板における一部領域での屈折率変化を大きくさせることができる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【0018】
【図1】本発明の一実施形態にかかる光導波路デバイスを示す模式的正視図である。
【図2】(a)〜(c)はともに本発明の一実施形態にかかる光導波路デバイスの製造工程を説明するための図である。
【図3】本発明の一実施形態の変形例にかかる光導波路デバイスを示す模式的正視図である。
【図4】基板として適用される各材料の電気光学定数,光弾性係数および熱膨張係数について示す図である。
【図5】第1,第2応力層として適用される各材料の熱膨張係数値について示す図である。
【図6】(a),(b)はともに本実施形態の作用効果について従来技術と対比して説明するための図である。
【図7】(a),(b)はともに本実施形態の作用効果について従来技術と対比して説明するための図である。
【図8】代表的な誘電体材料と電気光学係数との関係を示す図である。
【図9】従来技術を示す図である。
【符号の説明】
【0019】
1,101 基板
2 第1応力層
3 第2応力層
4 基板領域(一部領域)
4A 光導波路
10 光導波路デバイス
100 光デバイス
102 応力層
103 領域
103A 光導波路
【0020】
以下、図面を参照することにより、本発明の実施の形態を説明する。なお、実施の形態は以下に示す実施例の形態に限るものではない。又、上述の本願発明の目的のほか、他の技術的課題,その技術的課題を解決する手段及びその作用効果についても、以下の実施の形態による開示によって明らかとなるものである。
〔a〕本発明の一実施形態の説明
図1は本発明の一実施形態にかかる光導波路デバイス10を示す模式的正視図である。この図1に示す光導波路デバイス10は、光弾性効果を有する強誘電体基板1をそなえるとともに、基板1における第1面(図1中の符号A参照)に形成された第1応力層2と、基板1における第1面Aの裏面である第2面(図1中の符号B参照)に形成された第2応力層3と、をそなえて構成されている。
【0021】
ここで、第1応力層2は、前述の図9に示すものと同様に、基板1内の一部領域4に光弾性効果による屈折率変化を誘起する応力σ1を生じさせるためのパターンを有して形成されている。即ち、この図1中における第1面A上の左右端に形成された第1応力層2によって、この左右端の第1応力層2に挟まれた箇所における基板領域4に応力σ1が与えられて、歪みが生じるようになっている。そして、この歪みが生じた領域4は、光弾性効果により屈折率変化が誘起されて、他の基板領域に比べて高い屈折率を有するようになっている。
【0022】
これにより、この高屈折率分布を有する領域4に光が入射されると、入射した光はこの領域4内に閉じ込められて伝搬されるようになっている。従って、光導波路デバイス10においては、第1応力層2から与えられた応力σ1により歪みが生じた一部の基板領域(一部領域)4を光導波路4Aとして構成することができる。換言すれば、第1応力層2のパターンによって挟まれる基板領域をもとに光導波路4Aのパターンを構成することができるようになっている。
【0023】
また、第2面Bに形成される第2応力層3は、第1応力層2とは異なり基板1の第2面Bに一様に形成されたものであり、第1応力層2によって基板1に生じる応力に起因した形状変形をもとに戻すような応力を基板1に生じさせるものである。即ち、第1応力層2が基板1に生じさせる応力と同じ向きの応力を基板1に発生させるように構成される。具体的には、第1応力層2が伸張層であり、伸張応力を基板1に生じさせている場合には、第2応力層3についても伸張層とし、伸張応力を基板1に生じさせるように構成され、第1応力層2が収縮層であり、収縮応力を基板1に生じさせている場合には、第2応力層3についても収縮層とし、収縮応力を基板1に生じさせるように構成される。
【0024】
すなわち、この第2応力層3によって基板1に生じさせている応力によって、第1応力層2により生じている応力によって歪んだ基板1の形状変化を元の状態となるようにすることができる。これにより、第1応力層2のみを形成している場合よりも、光導波路4Aを構成する基板領域4に与えられる応力を増大させることができるようになっている。
すなわち、第1応力層2によって基板1に生じる応力により基板1に歪みが生じると、たわみ等による形状変化が発生する。この形状変化によって、第1応力層2によって基板1で生じる応力も形状変化が生じていない状態に比べれば減少することになる。これに対し、第2面Bに第2応力層3を形成することで、第1応力層2からの応力による基板1の形状変化分を元に戻すようになっている。これにより、基板1の形状変化がなければ第1応力層2から本来与えることができる大きさの応力を基板1に与えることができるので、結果として光導波路4Aを構成する基板領域4に与えられる応力を増大させることができるのである。
【0025】
そして、基板1自身の形状を原形に戻しながらも、基板領域4が受ける応力を増大させているので、基板領域4に生じる歪みも増大し、屈折率変化についても大きくなる。これにより、光導波路4Aとしての光を伝搬する際の光の閉じ込め効果を高めることができる。
ここで、上述の光導波路デバイス10は、例えば図2(a)〜図2(c)に示すように、基板1に第1,第2応力層2,3が形成されることで製造されるようになっている。
【0026】
まず、図2(a)に示すように、基板1の第1面Aに一様な表面応力層2′を高温で成層する。次に、図2(b)に示すように、成層した表面応力層2′を、形成すべき光導波路4Aのパターンに従ってエッチング等のプロセスによって除去する。これにより、基板1には第1応力層2が形成されるとともに、この第1応力層2によって(第1応力層2のエッジ部分から)基板1で生じる応力σ1によって、応力導波路4Aが形成される。図2(b)においては、上述の応力σ1によって、光導波路4Aの部分には収縮力が作用している。
【0027】
そして、図2(c)に示すように、基板1の第1面Aの裏面である第2面Bに、一様な第2応力層3を高温で成層する。ここで、第2応力層3は、基板1の第2面Bを伸張し、表面を収縮するような作用を持つ応力を基板1に生じさせる。従って第1面Aの第1応力層2のある部分は応力が打ち消しあうことになるが、第1応力層2が形成されていない光導波路4Aの部分で受けている収縮力は強くなるため、基板領域4での屈折率変化を大きくすることができる。
【0028】
また、第1,第2応力層2,3はともに、基板1自身が持つ光弾性係数の極性によって定まる同じ向きの応力が生じるように構成される。基板1が正の光弾性係数値を有する材質からなる場合においては、図1,図2(c)に示すように、第1,第2応力層2,3として基板1に伸張応力が生じるようにするため、第1,第2応力層2,3として基板1よりも熱膨張係数値が小さい値の材質を適用する。
【0029】
これにより、第1,第2応力層2,3を成層する時の高温状態から常温状態へ冷却される過程において、第1,第2応力層2,3が自己収縮する力よりも基板1が自己収縮する力が大きくなる。従って、基板1における第1応力層2の内側エッジの箇所から光導波路4Aの形成箇所に相当する箇所に向かう応力σ1(第1応力層2から見れば基板1が伸張する応力:伸張応力)が作用して、基板領域4に屈折率変化を生じさせる歪みを起こさせる。
【0030】
ここで、基板1の熱膨張係数をαs、第1応力層2の熱膨張係数をαfとする。第1応力層2を温度T (℃)で、t (μm)の厚みで基板1上に形成する。室温(常温)T0に戻すと、基板1には熱膨張係数差により応力σthが発生する。ここでσthは以下の式(2)で表される。
【0031】
【数2】
【0032】
ここで、ΔT=(T-T0)、Efは応力層のヤング率、νfは応力層のポアソン比である。尚、Ef、νfの値については、第1応力層2の材質によって定まる値である。また、一般的に応力層として薄膜を形成した時に基板に働く応力σ(図中においてはσ1)は、σ=σint+σthで表される。ここでσintは真性応力と呼ばれ、熱によらない成膜時の応力であり、σthは上述のごとき熱膨張係数差により生じる応力である。
【0033】
そして、第1応力層2を、図2(b)に示すように形成領域が分かれるようにパターニングすると、第1応力層2の各形成領域にはさまれた、即ち応力層2が形成されていない領域3に歪みSが発生する。歪みSと応力σとの関係は、基板の弾性定数から弾性方程式を解くことにより導出することができる。ここで、σが正のときには発生する歪みSは負となり、σが負のときには発生する歪みは正となる。
【0034】
そして、光弾性効果を持つ基板1に歪Sが加わると屈折率変化が起きるが、光弾性効果による屈折率変化Δnは次の式(3)で表される。
【0035】
【数3】
【0036】
ここでSは基板に加わる歪、pは光弾性係数である。例えば、基板1が正の光弾性定数値を有する材質からなる場合には、第1,第2応力層2,3として、基板1の熱膨張係数値αsよりも小さい熱膨張係数値αfとなる材質を選択し(αs>αf)、基板1に伸張応力σ1(正の値を有する応力)が生じるようにする(図1参照)。これにより、基板領域4に生じる歪Sを負の値とすることで、式(3)における屈折率を上昇させ(Δnが正となって)、光導波路4が形成できることになる。
【0037】
これに対し、基板1が負の光弾性係数値(p<0)を有する材質からなる場合には、第1,第2応力層2,3として、基板1の熱膨張係数値αsよりも大きい熱膨張係数値αfとなる材質を選択し(αs<αf)、基板1に収縮応力(負の符号を有する応力)σ11が生じるようにする。これにより、歪Sを正とすることで、式(3)における屈折率が上昇して(Δnが正となって)光導波路4が形成できることになる。
【0038】
この場合においては、第1,第2応力層2,3を成層する時の高温状態から常温状態へ冷却される過程において、基板1が自己収縮する力よりも第1,第2応力層2,3が自己収縮する力が大きくなる。従って、基板1における第1応力層2の内側エッジの箇所から基板1の外側箇所に向かう応力σ11(第1応力層2から見れば基板1が収縮する応力:収縮応力)が作用して、基板領域4に屈折率変化を生じさせる歪みを起こさせる。
【0039】
また、この図3の場合においては、上述の応力σ11によって、光導波路4Aの部分には伸張力が作用している。そして、この場合においても、第2応力層3によって、第1面Aの第1応力層2のある部分は応力が打ち消しあうことになるが、第1応力層2が形成されていない光導波路4Aの部分で受けている伸張力は強くなるため、基板領域4での屈折率変化を大きくすることができる。
【0040】
図4は、基板1として適用される各材料の電気光学定数r(pm/V),光弾性係数pおよび熱膨張係数(1/℃)について示す図であり、図5は、第1,第2応力層2,3として適用される各材料の熱膨張係数値について示す図である。
たとえば、基板1にZ-cut LiNbO3を用いる場合には、図4に示すように、このLiNbO3は熱膨張係数αが〜15 ppmであり、光弾性係数が正(プラス)の極性を有している。このような特性を持つ基板1においては、第1,第2応力層2,3の材質としては、例えば図5に示すように、SiO2やSiN等の、熱膨張係数が基板1よりも小さい値(それぞれ0.55ppm、2.5ppm)を持つものを選択して、成層時の高温状態から常温となった際に、正の応力(伸張応力)σ1が基板1に生じるようにする(図1参照)。
【0041】
また、基板1にGaAsを用いる場合には、図4に示すように、このGaAsは熱膨張係数αが〜6.9ppmであり、光弾性係数が負(マイナス)の極性を有している。このような特性を持つ基板1においては、第1,第2応力層2,3の材質としては、例えばAlやポリイミド等の、熱膨張係数が基板1よりも大きい値(それぞれ27ppm、50ppm)を持つものを選択して、成層時の高温状態から常温となった際に、負の応力(収縮応力)σ11が基板1に生じるようにする。
【0042】
上述のごとく構成された光導波路デバイス10においては、基板1の第1面Aに第1応力層2が形成されるとともに、第1面Aの裏面である第2面Bに、第1応力層2と同様の線膨張係数の特性を有する第2応力層3が一様に形成されているので、第1応力層2の形成に起因して基板1に生じる応力(図1のσ1または図3のσ11参照)を大きくすることができ、基板1内における第1応力層2が形成されていない第1面A側の基板領域4での屈折率変化を大きくさせている。これにより、基板領域4を光導波路4Aとして光を入射させた場合に、伝搬する光の閉じ込め効果を高めることができるようになる。
【0043】
本願発明にかかる光の閉じ込め効果についての検証のため、図6(a)に示すような、本実施形態にかかる光導波路デバイス10を作製するとともに、図7(a)に示すような、第2応力層3を形成しない光デバイス100を作製した。これらの図6(a),図7(a)に示す光導波路デバイス10,光デバイス100は、それぞれ前述の図1,図9と同様の構成を有しており、図中、同一の符号は同様の部分を示している。
【0044】
ここで、図6(a),図7(a)に示す光導波路デバイス10,光デバイス100において、基板1,101としては、ともに1mm厚のZ-cut LiNbO3を用い、応力層2,102として、それぞれ5μmのSiO2層を300℃の条件で成層した。尚、パターンの開口部径はともに10μmとしている(図中においては、「μm」を「um」と表記している)。
このようにして作製された光導波路デバイス10,光デバイス100における光導波路4A,103Aに、波長1310nmの光を伝搬させた場合の光のNFP(ニアフィールドパターン)を、それぞれ図6(b),図7(b)に示す。ここで、図7(a)に示す従来技術にかかる光デバイス100においては、図7(b)に示すように、縦27μm×横27μm程度の径で光が拡がっているのに対し、図6(a)に示す本実施形態にかかる光導波路デバイス10においては、光の拡がりは、図6(b)に示すように縦15μm×横20μm程度の径に抑えられている。
【0045】
すなわち、図6(a)に示すように、第2応力層3を形成することで、基板領域4の応力が増加し、光のNFPが小さくなっていることが分かる。NFPの径より応力を逆算すると、本発明適用により応力がおよそ1.5倍程度強くなっていることが分かる。これは10μmの光ファイバとの結合損失で損失が半減 (3dBダウン) したことになる。高いEO係数を持つ材料においても、同様の光弾性効果が存在するため、今回のLiNbO3での試作と同様の効果を得ることができるものである。
【0046】
このように、本実施形態にかかる光導波路デバイス10によれば、基板1における第1面Aの裏面である第2面Bに形成された第2応力層3により、第1応力層2によって基板1に生じる応力に起因した形状変形をもとに戻すような応力を基板1に生じさせているので、第1応力層2の形成に起因して基板1に生じる応力(図1のσ1または図3のσ11参照)を大きくすることができ、基板1内における第1応力層2が形成されていない第1面A側の基板領域4での屈折率変化を大きくさせることができる利点があり、ひいては、基板領域4を光導波路4Aとして光を入射させた場合に、伝搬する光の閉じ込め効果を高め、低損失化を図ることができる利点もある。
【0047】
そして、本発明によれば、前述の図8に示すようなSBN等の電気光学定数の高い材質の基板にも低損失の光導波路を形成することができるようになり、光導波路デバイスとしての消費電力を大いに低減させることが可能になる。
なお、前述の実施の形態において、第1応力層およびまたは第2応力層にさらに別な層を成層することも可能である。
【0048】
〔b〕その他
なお、上述した実施形態にかかわらず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々変形して実施することが可能である。
また、上述した実施形態の開示により、本発明の光導波路デバイスを製造することは可能である。
Claims (8)
- 光弾性効果を有する基板と、
該基板における第1面に形成されて、該基板内の一部領域に該光弾性効果による屈折率変化を誘起する応力を生じさせるパターンを有する第1応力層と、
該第1応力層によって生じた応力によって該基板内の該一部領域に形成された光導波路と、
該基板における該第1面を表面とする場合に該基板の裏面である第2面に形成されて、該光導波路の屈折率変化を誘起する応力を強める第2応力層と、
をそなえて構成されたことを特徴とする、光導波路デバイス。 - 該光導波路は、該基板における他の領域よりも屈折率が高くなるように屈折率変化が誘起されていることを特徴とする、請求項1記載の光導波路デバイス。
- 該基板が、光弾性係数が正の値を持つ材質で構成されるとともに、
該第1応力層および該第2応力層が、該基板に対して伸張応力を生じさせるように構成されたことを特徴とする、請求項1または2に記載の光導波路デバイス。 - 該第1応力層および該第2応力層が、該基板よりも熱膨張係数が小さい材質で構成されていることを特徴とする、請求項3記載の光導波路デバイス。
- 該基板が、光弾性係数が負の値を持つ材質で構成されるとともに、
該第1応力層および該第2応力層が、該基板に対して収縮応力を生じさせるように構成されたことを特徴とする、請求項1または2に記載の光導波路デバイス。 - 該第1応力層および該第2応力層が、該基板よりも熱膨張係数が大きい材質で構成されていることを特徴とする、請求項5記載の光導波路デバイス。
- 該基板は電気光学効果を有する強誘電体であることを特徴とする、請求項1または2に記載の光導波路デバイス。
- 該第1応力膜の熱膨張係数および該基板の熱膨張係数の大小関係と、該第2応力膜の熱膨張係数および該基板の熱膨張係数の大小関係とは、同じ大小関係にあることを特徴とする、請求項1または2に記載の光導波路デバイス。
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