JPH10105915A - ガラス封着体及びその製造方法 - Google Patents

ガラス封着体及びその製造方法

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JPH10105915A
JPH10105915A JP8254239A JP25423996A JPH10105915A JP H10105915 A JPH10105915 A JP H10105915A JP 8254239 A JP8254239 A JP 8254239A JP 25423996 A JP25423996 A JP 25423996A JP H10105915 A JPH10105915 A JP H10105915A
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Japan
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glass
temperature
sealing
cooling
retardation
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JP8254239A
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Hirotaka Yamamoto
浩貴 山本
Takashi Naito
内藤　　孝
Takashi Namekawa
滑川　　孝
Yasutaka Suzuki
康隆 鈴木
Narihisa Motowaki
成久 元脇
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】残留応力が少なく、かつ応力が高精度に制御さ
れたガラス封着体を提供し、高歩留まり，高信頼性，高
性能な磁気ヘッド，プラズマディスプレイパネル，半導
体センサー，光デバイスを得る。 【解決手段】封着用ガラスと、基体とからなり、ガラス
部分のレターデーションＲ１と、再加熱して２０℃／分
の平均冷却速度で冷却した後のレターデーションＲ２と
の間に Ｒ１＜Ｒ２ が成り立つガラス封着体。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はガラス封着体及びそ
の製造方法に係り、特に残留応力が小さく、かつ応力が
高精度に制御されたガラス封着体，高性能な磁気ヘッ
ド，高い封着強度を有するプラズマディスプレイパネ
ル，特性のばらつきの小さい半導体センサー，損失の少
ない光デバイス及びそれらの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ヘッド，半導体，電子管等の電子部
品の封着には、各部品の耐熱温度以下で封着可能な封着
ガラスが用いられている。この封着ガラスとして被封着
体の熱膨張係数と適合したものを用いることにより、冷
却後の残留応力の小さいガラス封着体を得ることが可能
である。しかし、昨今、ガラスによる応力が電子部品材
料の特性に及ぼす影響が無視できなくなってきている。
また、ガラスを用いた光デバイス等の光部品において
も、異種のガラスを接合する際に生じる応力によって損
失等が大きくなるといった影響が生じている。この問題
を解決するため、応力を高精度に制御することによっ
て、部品の特性を制御するという必要性が生じてきてい
る。
【０００３】ガラス封着体の応力を高精度に制御する技
術として、特開平8−91950号記載のように、ガラスと被
封着体との間に生じる反応層の厚さを変化させることに
より応力を制御している。
【０００４】また、特開昭63−69009 号公報には、基材
をガラス封止し、一度室温まで冷却してから、再加熱，
徐冷することによりガラス接合部の応力を緩和する方法
が開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記特開平8
−91950号による方法では、反応層が必要であり、さら
に反応層の成分元素を所望の特性を満たすように制御す
る必要があるため、材料系によらない一般的な技術とす
ることが難しい。従って、材料系によらず、一般的なガ
ラス封着体においてガラス材料と被接合体との材料を一
定にしたまま両者間にかかる応力を変化させ、圧縮から
引張りまで、広範囲な応力を高精度に制御することが難
しい。また、特開昭63−69009 号記載の方法では、一度
室温まで冷却するために再加熱しても残留応力がとりき
れなかったり、一度室温に冷却することで、基材または
封着用ガラスにクラックが入る恐れがあった。更に、室
温に冷却してから再加熱するため、製造プロセスに時間
がかかっていた。
【０００６】本発明の目的は、従来のものに比べ、ガラ
ス封着体の接合部の応力を、短時間で最も効率よく除去
する方法、及びガラス接合部の応力が小さいガラス封着
体を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第１の発明によれば、少なくともガラス
と、それにより封着された基体とからなるガラス封着体
であって、該ガラスの室温でのレターデーションをＲ１
とし、前記ガラス封着体を該ガラスの変形温度以上まで
再加熱した後、平均冷却速度２０℃／分以下で室温まで
冷却した後のレターデーションをＲ２としたときに、Ｒ
１＜Ｒ２なる関係を有することを特徴とするガラス封着
体が提供される。レターデーションとは、応力がかかっ
ているガラスでは、応力軸方向に光の屈折率が変化する
ために生じる位相差のことである。単色光源による複屈
折法を用いてレターデーションを測定する。この値が大
きい方が応力が大きいことを示している。
【０００８】Ｒ１＜Ｒ２なる関係とは、別言すれば、基
材を封着用ガラスで接合した後、単純に徐冷（平均冷却
速度２０℃／分以下）した場合にガラスにかかっている
応力よりも、小さい応力で接合されているガラス封着体
であることを特徴とするという意味である。レターデー
ションは接合体のまま、すなわち封着用ガラスと基材を
分離しない状態で、例えば波長６５０ｎｍのＨｅ−Ｎｅ
レーザを光源として、測定を行う。
【０００９】上記構成により、長期間使用しても封着用
ガラスにクラックなどが入らず、信頼性の高いガラス封
着体が提供できる。また、封着体が光デバイスの場合、
光エネルギーの損失が少ない光デバイスが提供できる。
【００１０】また、上記目的を達成するため、本発明の
第２の発明によれば、封着用ガラスと基体とを接触させ
る工程と、該封着用ガラスを、該ガラスの変形温度以上
に加熱する工程と、該ガラスを平均冷却速度２０℃／分
以下で、該変形温度以下、かつ室温以上の温度まで冷却
する工程と、その後、該ガラスを該ガラスのガラス転移
温度±１０℃の範囲内の温度で一定時間保持する工程
と、該ガラスを、前記一定時間保持した温度から平均冷
却速度２０℃／分以下で室温まで冷却する工程と、を含
むことを特徴とするガラス封着体の製造方法が提供され
る。
【００１１】上記構成により、従来より短い時間で接合
部の残留応力がより低減できる封着体の製造方法が提供
できる。
【００１２】上記第２の発明において、前記封着ガラス
の熱膨張係数が、前記基体の熱膨張係数の６５〜１０５
％であることが好ましい。ガラスとの接合部の応力低減
が最も期待できる組み合わせである。
【００１３】本発明の第３の発明によれば、少なくとも
二つの磁気コアを突合せ、該コアをガラスで封着されて
なる磁気ヘッドにおいて、該ガラスの室温でのレターデ
ーションをＲ１とし、前記磁気ヘッドを該ガラスの変形
温度以上まで再加熱した後、平均冷却速度２０℃／分以
下で室温まで冷却した後のレターデーションをＲ２とし
た時に、Ｒ１＜Ｒ２なる関係を有することを特徴とする
磁気ヘッドが提供される。上記構成により、接合部にク
ラックの発生が少ない磁気ヘッドが提供される。またガ
ラスの接合強度も大きい。
【００１４】本発明の第４の発明によれば、少なくとも
二つの磁気コアを突合せ、該コアに封着用ガラスを接触
させる工程と、該封着用ガラスを該ガラスの変形温度以
上に加熱する工程と、該ガラスを平均冷却速度２０℃／
分以下で、該変形温度以下、かつ室温以上の温度まで冷
却する工程と、その後、該ガラスを該ガラスのガラス転
移温度±１０℃の範囲内の温度で一定時間保持する工程
と、該ガラスを、前記一定時間保持した温度から平均冷
却速度２０℃／分以下で室温まで冷却する工程と、を含
むことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法が提供され
る。上記構成によれば、接合部の歪みが少ない磁気ヘッ
ドが短時間に得られる。
【００１５】第４の発明において封着ガラスの熱膨張係
数が前記磁気コアの熱膨張係数の７０〜９５％であるこ
とが好ましい。
【００１６】本発明の第５の発明によれば、隔壁によっ
て仕切られ、蛍光体が塗布された放電セルと、該放電セ
ルを挟む、内壁に電極，誘電体膜の形成された二枚のガ
ラス板と、を有し、該二枚のガラス板が該放電セルに封
着用ガラスで封着されてなるプラズマディスプレイパネ
ルにおいて、該ガラス板の封着後のレターデーションを
Ｒ１とし、封着後のプラズマディスプレイパネルを、該
封着用ガラスの変形温度以上まで再加熱したのち２０℃
／分以下の平均冷却速度で室温まで冷却した場合の該ガ
ラス板のレターデーションをＲ２とした時に、Ｒ２＜Ｒ
１なる関係を有することを特徴とするプラズマディスプ
レイパネルが提供される。ここで、Ｒ２とＲ１の関係が
逆転しているのは、プラズマディスプレイの封着ガラス
はフィラー材を含み、透光性が悪いため、パネルガラス
部の応力を評価しているからである。すなわち、測定対
象が上記第１の発明と逆転しているため、レターデーシ
ョンの関係も逆転している。
【００１７】上記構成により、接合部に欠陥が少ないの
で、不良な放電セルの数が少なく、かつ大画面化が容易
なプラズマディスプレイが提供できる。
【００１８】本発明の第６の発明によれば、隔壁を形成
する工程と、該隔壁によって仕切られた放電空間に蛍光
体を塗布する工程と、ガラス板に電極膜と誘電体膜を形
成する工程と、該隔壁板を二枚の該ガラス板で挾み、周
囲に該ガラス板の熱膨張係数の７０〜９５％の熱膨張係
数を有する封着用ガラスを配する工程と、該封着用ガラ
スの変形温度以上の温度に全体を加熱し、全体を封着す
る工程と、平均冷却速度２０℃／分以下で該封着用ガラ
スのガラス転移温度±１０℃の範囲内の温度まで冷却す
る工程と、該ガラス転移温度±１０℃の範囲内の温度で
一定時間保持する工程と、平均冷却速度２０℃／分以下
で室温まで冷却する工程と、を含むことを特徴とするプ
ラズマディスプレイパネルの製造方法が提供される。上
記構成によれば、短時間の製造プロセスで、歩留まりの
高いプラズマディスプレイの製造工程が提供できる。
【００１９】本発明の第７の発明によれば、少なくと
も、金属ポストと、センサーの形成された半導体基板
と、この半導体基板裏面に接合されたガラス板と、この
金属ポストとガラス板とを封着する封着ガラスとからな
る半導体センサーにおいて、前記ガラス板の封着後のレ
ターデーションをＲ１とし、前記半導体センサーを前記
封着用ガラスの変形温度以上まで再加熱した後、２０℃
／分以下の平均冷却速度で室温まで冷却した場合の該ガ
ラス板のレターデーションをＲ２としたときに、Ｒ２＜
Ｒ１なる関係を満たすことを特徴とする半導体センサー
が提供できる。上記構成によれば、使用時にガラス板の
剥離，クラックの発生等が少なく、信頼性の高い半導体
センサーが提供できる。
【００２０】本発明の第８の発明によれば、センサーの
形成された半導体基板とガラス板を接合する工程と、金
属ポストとこのガラス板との間に封着用ガラスを配する
工程と、該封着用ガラスの変形温度以上の温度に全体を
加熱し、全体を封着する工程と、２０℃／分以下の平均
冷却速度で、該封着用ガラスのガラス転移温度±１０℃
の範囲内の温度まで冷却する工程と、該ガラス転移温度
±１０℃の範囲内の温度で一定時間保持する工程と、２
０℃／分以下の平均冷却速度で室温まで冷却する工程
と、を含むことを特徴とする半導体センサーの製造方法
が提供される。上記構成により、高い信頼性を有する半
導体センサーを、短時間で製造可能となる。
【００２１】本発明の第９の発明によれば、少なくとも
ガラス基板とその上面に形成されたガラス導波路膜と、
そのガラス導波路膜を覆うカバーガラス膜とからなる光
デバイスにおいて、該ガラス導波路膜の室温でのレター
デーションをＲ１とし、前記光デバイスを該ガラス導波
路膜の変形温度以上まで再加熱した後、２０℃／分以下
の平均冷却速度で冷却した場合の該ガラス導波路膜のレ
ターデーションをＲ２としたとき、Ｒ１＜Ｒ２なる関係
を有することを特徴とする光デバイスが提供される。上
記構成により、ガラス導波路膜に歪みが少なく、従って
光エネルギーの損失の少ない光デバイスが提供される。
【００２２】本発明の第１０の発明によれば、ガラス基
板上にガラス導波路膜を形成する工程と、該ガラス導波
路膜の変形温度以上に加熱してガラス導波路膜を緻密化
する工程と、２０℃／分以下の平均冷却速度で該ガラス
導波路膜のガラス転移温度±１０℃の範囲内の温度まで
冷却する工程と、該ガラス転移温度±１０℃の範囲内の
温度で一定時間保持する工程と、さらに２０℃／分以下
の平均冷却速度で室温まで冷却する工程と、該ガラス導
波路膜を導波路形状に加工する工程と、上面にカバーガ
ラス膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする光デ
バイスの製造方法が提供される。上記構成によれば、光
デバイスの製造時の歩留まりが高く、かつ光エネルギー
の損失が少ない光デバイスが、短時間に製造可能とな
る。
【００２３】
【発明の実施の形態】本発明を、実施例を用いて詳細に
説明する。熱処理によるガラス封着体の残留応力を、図
５に示すガラス封着体を用いて基板の反りにより評価し
た。図５において、１は封着用ガラス、２は基板であ
る。本実施例では、基板としてａ＝１５mm,ｂ＝７.０m
m,ｃ＝１.０mmのＭｎ−Ｚｎフェライト基板（熱膨張係
数；１１５×１０~7／℃）を用いた。
【００２４】図６に、図５のガラス封着体の作製手順を
示す。Ｍｎ−Ｚｎフェライト基板２の上面にｄ，ｅがと
もに０.３mm の溝を多数加工した。その面に、フェライ
ト基板と同サイズに加工した封着用ガラス板１を載せ
た。所定の熱処理を行い、ガラスを溶融させ、封着用ガ
ラスを基板１上の溝に流し込むことによって図５のガラ
ス封着体を得た。
【００２５】図７に、基板の反りの方向とガラスにかか
る応力状態の対応を示す。（ａ）のように基板が凸に反
る場合、ガラスの収縮量がフェライトの収縮量よりも大
きいことがわかる。従って、この場合ガラスの接合界面
にはフェライトによる引張り応力が生じている。この状
態を正で表す。逆に（ｂ）の様に、フェライトが凹に反
る場合、ガラスの接合界面に圧縮応力が働いており、負
で表す。反り量は、基板の中心線を０として±６.８mm
の位置の基板の変形量で表す。
【００２６】表１に本発明で用いた封着用ガラスの組成
を、またそれらのガラスの熱膨張係数（α×１０~7／
℃），ガラス転移温度（Ｔｇ／℃），変形温度（Ｔｄ／
℃），作業点（Ｔｗ／℃；logη＝４；η；ガラスの粘
度／poise）を表２に示す。表１において、１〜７は鉛
酸化物を主成分とするガラスである。またＮo.８は硼珪
酸ガラス、Ｎo.９，１０はバナジウム酸化物を主成分と
するガラスである。
【００２７】
【表１】
【００２８】
【表２】
【００２９】ガラスの熱膨張係数は、示差熱膨張計を用
いて測定した。ガラスのガラス転移温度（Ｔｇ），変形
温度（Ｔｄ）は得られた熱膨張曲線より求め、Ｔｇは曲
線の勾配が変化する変曲点、Ｔｄは昇温による測定にお
いて伸びが初めて収縮に転じる点とした。昇温速度は、
５℃／分とした。また、Ｔｗは、ガラスの示差熱分析曲
線より求めた。
【００３０】図８に、本実施例で行ったガラス封着体の
付着工程の温度プロファイルを示す。昇温速度は５℃／
分とし、最高温度Ｔ１で３０分間保持した。最高温度は
各ガラスのＴｗとした。平均冷却速度Ｖは２℃／分と固
定し、冷却中、温度Ｔ２で一定時間ｔ２だけ保持し、こ
のＴ２，ｔ２を変化させて応力の変化を解析した。この
Ｔ２を冷却保持温度、ｔ２を冷却保持時間とよぶ。熱処
理中、フェライトの酸化を抑制するため、窒素雰囲気で
加熱を行った。また、Ｔ１では、ガラスに発生する気泡
を脱泡するため、ロータリーポンプにて真空に引いた。
【００３１】ｔ２を３０分と固定し、冷却保持温度Ｔ２
を変化させたときの室温での基板の反り量を図１〜図４
に示す。あわせて、冷却保持を行わず、同じ冷却速度で
冷却した場合の反り量も示す。どのガラスにおいても、
冷却保持を行うことにより冷却保持しない場合よりも反
り量が小さくなった。さらに冷却保持温度を変化させる
と、反り量は各ガラス固有の温度で反りの値が極小値を
示し、その温度前後ではその極小値を交点とする二本の
直線上に乗るＶ字型となった。
【００３２】極小値となる冷却保持温度を各ガラスで比
較すると、それぞれのガラス転移温度Ｔｇ付近であるこ
とが分かった。さらに、全体の曲線の位置は、熱膨張係
数の大きいガラスほど上部にあり、ガラス界面に生じる
引張り応力が大きいことを示していた。特に、ガラスＮ
o.４，８では、冷却保持することにより反り量が負にな
っており、ガラスにかかる応力が圧縮に転じていること
がわかった。またＮo.９，１０のバナジウム系ガラスで
は、二本の直線の傾きの絶対値が非常に大きく、狭い温
度範囲で大きく反り量が変化することが分かった。
【００３３】以上のように、ガラスを各ガラスに適切な
温度において冷却保持することにより、ガラスにかかる
引張り応力を低減できることが分かった。また基板とガ
ラスとの組合せによっては引張り応力から圧縮応力まで
応力状態を変化させることができることが分かった。
【００３４】以上に述べた冷却保持による応力の低減
は、どのガラスの場合でも、各ガラスのガラス転移温度
の±１０℃の範囲内の温度での冷却保持において顕著な
効果があった。ガラス転移温度−１０℃未満の温度で
は、残留応力の低減に非常に長い時間を要したり、また
十分に長い時間保持しても応力が低減できない場合があ
った。またガラス転移温度＋１０℃を超える温度ではガ
ラスと封着体が固着後、さらに低温の冷却過程で新たな
応力が生じるため、応力緩和の効果が少なかった。本実
施例では、ガラスの熱膨張係数はフェライトの熱膨張係
数の６５〜１０５％の範囲のガラスを用いたが、この範
囲以外の熱膨張係数を有するガラスでは、好ましくない
結果となった。すなわち、１０５％を超える熱膨張係数
を有するガラスでは、適正な冷却保持を行うことにより
応力を緩和することができた。しかし、最小値でも反り
量が大きく、ガラス部にクラックが生じるガラス封着体
も認められた。このことから、封着ガラスの熱膨張係数
は、基体の熱膨張係数の105％以下であることが好まし
い。
【００３５】また、熱膨張係数が基体のそれの６５％未
満の封着用ガラスでは、冷却保持を行わなくても応力が
小さく、逆に冷却保持を行うことにより大きな圧縮応力
がガラスに生じた。このことから、熱膨張係数は基体の
熱膨張係数の６５％以上であることが好ましい。
【００３６】次に以上の検討を行ったガラス封着体を、
再度Ｔ１まで加熱し、冷却保持を行わずに２℃／分の冷
却速度で冷却して反り量を測定したところ、一度目に測
定した冷却保持なしでの反り量とほぼ同じ値を示した。
このことから、一度ガラスの粘度を十分に下げて応力を
緩和させた後、炉冷を行うことにより、冷却保持の効果
は打ち消され、最終的な炉冷による応力が残留すること
がわかった。
【００３７】また、各ガラスに適当な冷却保持温度で保
持することにより、ガラス封着体の反り量は冷却保持を
行わなかった場合に比べて小さくなることから、一度冷
却保持したガラス封着体を再加熱して適当な冷却速度で
徐冷したとき、再加熱前の反り量よりも大きくなった場
合には、そのガラス封着体は冷却保持を行われていたこ
とを見い出すことができることが分かった。
【００３８】次に、冷却速度による反り量の変化を検討
した。図９に、冷却速度に対する反り量を示す。ガラス
は、Ｎo.７を用いた。冷却保持は行わなかった。冷却速
度が小さくなるにつれて、反り量も小さくなっていっ
た。しかしながら、その割合は小さく、図１に示したよ
うに大きな反り量の低減は見られなかった。冷却速度が
２０℃／分を超えると、ガラス封着体の表面部と内部に
温度差が生じ、ガラス部にクラックが生じた。従って、
冷却速度は、２０℃／分以下であることが好ましい。
【００３９】以上のように、本発明のガラス封着体の製
法を用いれば、ガラスの種類を変えずにガラス封着体の
応力を引張りから圧縮まで、幅広い応力範囲で制御可能
となる。
【００４０】次に、一度２℃／分の冷却速度で冷却した
ガラス接合体を、これまで述べた冷却保持温度と同一温
度まで再加熱し、更に２℃／分で室温まで冷却してガラ
ス接合体の応力を評価した。ガラスには、Ｎo.７を用
い、図５に示した反り測定用試料を作製し、その反り量
で評価した。図１０に、冷却時に３０分冷却保持した場
合と一旦室温まで冷却した後、冷却保持温度まで加熱し
て同一時間保持して室温まで冷却した時の反り量を示
す。
【００４１】再加熱した場合には、反りの低減が見られ
たものの、冷却保持した場合に比べ、応力緩和の効果が
小さいことがわかった。このことを、図１１を用いて詳
細に説明する。図１１は、ガラスと被接合体との接合
を、それぞれの熱膨張曲線を用いて模式的に表した図で
ある。ガラスと被接合体との接合は、ガラスの転移温度
（Ｔｇ）から変形温度（Ｔｄ）までの転移域と呼ばれる
領域内で起こると考えられている。この接合点を、固着
点（Ｔset）で表す。Ｔsetは、お互いに応力を及ぼしあ
う点であるので、この点を２つの曲線の交点とすること
により、その後の冷却過程におけるのびの差からはたら
く応力を見積もることができる。
【００４２】冷却保持しない場合を考えると、このＴse
t で固着した後、室温でののびの差ｓに対応する応力が
はたらく。これを冷却保持する場合、例えばＴ２で保持
した場合、転移域中ではガラスは内部応力を除去できる
ほどの粘度を持っているので、応力緩和が起こり、Ｔ２
において内部応力０の状態にまで達する。ここから徐々
に冷却すると、この冷却過程に対応したのびの差ｓが生
じ、ｓ′に対応する応力が加わる。この時、ｓ′＜ｓで
あり、室温において残留する応力は小さい。
【００４３】次に冷却プロセスにおいて冷却保持せずに
室温まで冷却した接合体をＴ２まで再加熱する場合を考
える。室温時においてはｓに対応する応力を有してい
る。従って再度Ｔset 以上まで加熱されれば、その温度
では応力０となるが、また室温におろすとｓがかかって
しまう。一方、Ｔ２で保持する場合には、応力ｓを緩和
しなければならないが、温度が低いため、応力は緩和し
きれずに残留する。従って、Ｔ２からさらに室温に冷却
した際にはｓ″（ｓ′＜ｓ″＜ｓ）の応力が残存する。
【００４４】このことから、図１０に示したように、冷
却保持した場合の方が、再加熱する場合よりも応力緩和
の効果が高いといえる。
【００４５】次に、単色光源による複屈折法を用いてガ
ラス封着体のレターデーションを測定することにより応
力を評価した。レターデーションは、応力が働いている
ガラスに入射した光が応力軸方向の屈折率が変化するた
めに生じる位相差であり、この量を評価することにより
ガラスにかかる応力を見積もることができる。
【００４６】図１２に、測定に用いたガラス封着体の模
式図を示す。厚さ１mmの基板１を約５mm角に切断した。
さらにその中央部に２mmφの丸貫通穴を加工し、ガラス
充填溝とした。ここに２mm角のガラスキュービックを一
ついれ、アルミニウム薄上で図８に示した接合プロファ
イルを用いてガラスを充填した。充填後、両面を鏡面研
磨し、複屈折測定用の試料とした。光源には波長６５０
ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザーを用いた。ビームのスポット
径は約０．３mmとし、ビームをガラス充填部の直径方向
に約０.１mm の間隔でスキャンさせて測定を行った。
【００４７】本実施例では、基板としてＭｎ−Ｚｎフェ
ライト基板を用い、ガラスにはＮo.６及び７を用いた。
また、冷却は、冷却速度が２０℃／分の急冷と、２℃／
分で冷却し、各ガラスの反りの最小値を与える温度で冷
却保持した場合の二つの条件で行った。
【００４８】図１３に、複屈折法による応力の測定結果
を示す。横軸は、図１２に示した試料の直径方向にビー
ムをスキャンさせたときのスキャン距離であり、１.０m
m が試料の中心位置になる。縦軸は、レターデーション
（Ｒ／ｎｍ）とした。どの条件の場合も、ガラス中央部
でのレターデーションは小さかった。しかし、ガラスと
フェライトとの界面で大きなレターデーションを有して
いた。
【００４９】接合界面でのレターデーションを比較する
と、熱膨張係数の小さいＮo.６ではＮo.５より小さく、
生じている応力が小さかった。また急冷却試料と冷却保
持試料を比較すると、急冷試料の方が界面でのレターデ
ーションが大きく、大きな応力が働いていた。これらの
結果は、図１に示した反りによる応力の評価結果と一致
した結果となった。
【００５０】次に、レターデーションとガラスにかかる
応力について検討した。ガラスにかかる応力と、レター
デーションとの関係は、次式で与えられる。
【００５１】 Ｒ＝ＦＣＬ …（１） （１）式で、Ｒはレターデーション（ｎｍ）、Ｆはガラ
スに加わっている応力（kg／cm2)、Ｌは試料の長さ（c
m）である。また、Ｃはガラスの光弾性定数で、ガラス
固有の比例定数である。Ｎo.５，６ガラスのＣは、約
０.５８(ｎｍ／cm）／（kg／cm2）であった。また、Ｌ
は実測により０.９９cmであった。Ｎo.５急冷試料の場
合、界面に生じているレターデーションは約５.８ｎｍ
であった。これらの値を（１）式に代入してＦを求める
と、９.１ＭＰａであった。一方、Ｎo.６冷却保持試料
では、界面のレターデーションは、０.８ｎｍであり、
加わる応力は１.５ＭＰａと求められた。
【００５２】界面の曲率半径ρが小さい部分に応力の集
中が起こると考えると、 Ｆ∝１／√ρ …（２） である。本実験では、ρ＝１.０mm であるが、本発明で
検討した小型の電子部品ではガラス封着部の曲率半径
は、約１０μｍであった。従って、こうした部位には本
実験の約１０倍の応力が生じていると考えられる。従っ
て、Ｎo.５急冷試料の場合、９１ＭＰａ、Ｎo.６冷却保
持試料の場合、１５ＭＰａの応力がかかることになる。
【００５３】図１４に、Ｎo.５，６ガラスの三点曲げ強
度のワイブルプロットを示す。図１４のように、Ｎo.５
ガラスでは、９１ＭＰａの応力では約４０％の試料が破
壊してしまうことが予想される。一方、Ｎo.６ガラスで
は１５ＭＰａで破壊する確率はほぼ０％である。このこ
とから、このような部品を用いれば、ガラスの破壊を大
きく減少させることができる。
【００５４】さらにＮo.６のガラスを用いたガラス封着
体（図１２）を４３５℃に再加熱し、２℃／分の平均冷
却速度で室温まで冷却した。この時、冷却保持は行わな
かった。再加熱前のレターデーションは０.８ｎｍ であ
ったが、冷却後のガラス部分のレターデーションは１.
７ｎｍ で、再加熱前のレターデーションよりも大きく
なっていた。また、Ｎo.５ガラスを用いて急冷したガラ
ス封着体のレターデーションは５.８ｎｍ であったが、
このガラス封着体を同様に再加熱処理し、再度急冷した
場合には、レターデーションは５.６ｎｍ と、再加熱前
とほぼ同じ値であった。
【００５５】以上のように、室温でのレターデーション
Ｒ１と、ガラス封着体をその封着ガラスの変形温度以上
まで加熱し、炉冷した場合のレターデーションＲ２の間
に、 Ｒ１＜Ｒ２ が成り立つ場合、再加熱前のガラス封着体にかかってい
る応力は小さかった。また上記のようなガラス封着体を
得るためには、炉冷時に、そのガラスのガラス転移温度
付近の温度で保持することが好ましかった。保持時間
は、ガラス転移温度付近では３０分以上保持することが
好ましかった。
【００５６】次に、Ｎｏ５，６のガラスを用いて、磁気
ヘッドを作製した。図１５に、磁気ヘッドの外観の模式
図を示す。図１５において、１は封着用ガラス、１１は
磁性膜、２，２′はＭｎ−Ｚｎフェライト単結晶基板、
１３はギャップ部或はギャップ材である。また１４は反
応防止膜、１５はコイル巻線窓である。また２５，２
５′はコイル、ｕは摺動面である。図１５に示すよう
に、本発明の磁気ヘッドでは、基板に形成された磁性膜
上にギャップ材１３，反応防止膜１４を順次形成し、こ
の一対を突き合わせてガラスで接合した構造になってい
る。
【００５７】図１６及び図１７に、磁気ヘッドの作製手
順を示す。図１６及び図１７を参照しながら図１５の磁
気ヘッドの作製方法を述べる。まず、Ｍｎ−Ｚｎフェラ
イト基板２にガラス充填溝１６，コイル巻線窓１５等を
加工した（ａ）。その後、加工面側に磁性膜１１をスパ
ッタリング法で形成し、その上部にＳｉＯ2 ギャップ材
１３，金属Ｃｒ反応防止膜１４をこれもスパッタリング
法で順次形成した(ｂ)。次に、コイル巻線窓６よりも摺
動面側の部分を簡単なマスク１０で覆って、コイル巻線
窓よりも下部（リヤ部）に接合用ガラス膜９をスパッタ
リング法により形成した（ｃ）。
【００５８】続いてコイル巻線窓１５を形成したＣコア
２と形成しないＩコア２′を互いに突合せ、接合用ガラ
ス棒１７を摺動面となる面上に設置し、加熱してガラス
を軟化させ、ガラス接合する（ｄ）。接合後、テープ摺
動面ｕを円筒研磨し（ｅ），（ｄ）のａ−ａ，ｂ−ｂに
添って切断し、図１５に示す磁気ヘッドを得た。
【００５９】表３に、作製した磁気ヘッドのクラック発
生率，ヘッドチップ強度、及び磁気特性を示す。
【００６０】
【表３】
【００６１】クラック発生率は、作製した磁気ヘッドの
うち、クラックの見られたヘッド数より算出した。ヘッ
ドチップ強度はクラックの生じなかったヘッドチップを
摺動面と垂直な方向から圧力を加え、破壊した荷重を求
めた。磁気特性は、良好な場合には○、良好でない場合
には△を記した。
【００６２】Ｎo.６ガラスを用いた場合では、３８０℃
で３０分冷却保持を行い、Ｎo.５のガラスでは急冷し
た。クラック発生率は、Ｎo.６ガラスでは０％と、クラ
ックは生じなかった。一方、Ｎo.５ガラスを用いて急冷
した場合には、約４０％のヘッドにクラックが発生し
た。ヘッドチップ強度も、Ｎo.６ガラスでは５４ｇｆと
高い値となったが、Ｎo.５ガラスではその約１／２の強
度であった。磁気特性もＮo.５を用いた場合には良好な
結果が得られなかった。
【００６３】次に、作製した磁気ヘッドのガラス接合部
のコイル巻線窓から上部を切りだし、透過法によりガラ
スのレターデーションを測定した。Ｎo.６ガラスを用い
冷却保持を行った磁気ヘッドのレターデーションは、
０.１ｎｍ 以下で、検出することが困難であった。これ
は、ガラスに加わる応力が小さく、さらにガラス充填量
が少ないためである。また、Ｎo.５ガラスを用いて急冷
した磁気ヘッドでは、レターデーションは０.６５ｎｍ
であり、大きな応力が加わっていることが分かった。
【００６４】さらにＮo.６のガラスを用いた磁気ヘッド
を４３５℃に再加熱し、２℃／分の平均冷却速度で室温
まで冷却した。この時、冷却保持は行わなかった。冷却
後の磁気ヘッドのガラス部分のレターデーションは０.
３ｎｍ で、再加熱前のレターデーションよりも大きく
なっていた。また、Ｎo.５ガラスを用いて急冷した磁気
ヘッドを同様に再加熱処理し、再度急冷した場合には、
レターデーションは0.65ｎｍと、再加熱前と同じ値であ
った。
【００６５】以上のように、室温でのレターデーション
Ｒ１と、磁気ヘッドをその接合ガラスの変形温度以上ま
で加熱し、炉冷した場合のレターデーションＲ２の間
に、 Ｒ１＜Ｒ２ が成り立つ場合、再加熱前の磁気ヘッドにかかっている
応力は小さく、クラック発生率が少なかった。また、ガ
ラス接合強度も高かった。
【００６６】また上記のような磁気ヘッドを得るために
は、炉冷時に、そのガラスのガラス転移温度±１０℃の
温度範囲内の温度で保持することが好ましかった。保持
時間は、ガラス転移温度付近では３０分以上保持するこ
とが好ましかった。
【００６７】また、封着ガラスとしてＮo.５のように熱
膨張係数がフェライト基板の９５％を超える場合には、
クラック不良が多く見い出された。また、７０％未満の
場合には、磁気特性が良好でない磁気ヘッドが得られ
た。このため、磁気ヘッド用の封着ガラスとしては、基
体の７０〜９５％の熱膨張係数を有するガラスが好まし
い。
【００６８】以上のように、本発明の磁気ヘッド及びそ
の製造方法により、ガラス部にかかる応力を低減でき、
歩留まり，信頼性，性能を向上できた。
【００６９】図１８に、本実施例で作製したプラズマデ
ィスプレイパネルの断面の概略図を示す。図１８におい
て、３１は封着ガラス、３２は前面パネルガラス、３３
は背面パネルガラス、３４は隔壁、３５は放電セル、３
６は表示電極、３７はバス電極、３８は誘電体膜、３９
はＭｇＯ保護膜、３１０はアドレス電極、３１１は蛍光
体である。
【００７０】本実施例では、前面，背面のパネルガラス
及び隔壁材として熱膨張係数が８５×１０~7／℃のソー
ダライムガラス板を用いた。封着ガラスには、ＰｂＴｉ
Ｏ3をフィラー材として含み、熱膨張係数が７０×１０~
7／℃のＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラスを用いた。アドレス電
極の形成された背面パネルに隔壁を形成し、三原色の蛍
光体を塗布した。さらに隔壁を囲むように背面パネルガ
ラスの四辺に封着ガラスを配した。この上面に表示電
極，バス電極，誘電体膜，ＭｇＯ保護膜を形成した前面
パネルガラスを設置して全体を４３５℃−３０分加熱し
て、封着を行った。
【００７１】冷却時、この封着用ガラスのガラス転移温
度である３１０℃で１時間保持したパネルと保持しない
パネルを作製した。
【００７２】各冷却工程で作製したプラズマディスプレ
イパネルのガラス接合部の接合強度を評価した。接合強
度は、パネルから接合部分を切りだし、接合面に平行な
方向に応力を加え、破壊したときの荷重で評価した。
【００７３】冷却保持した場合の接合強度は２５ＭＰ
ａ、冷却保持しない場合の接合強度は１８ＭＰａと、冷
却保持することにより接合強度が約２８％向上してい
た。これは、封着用ガラスに働く応力が冷却保持するこ
とにより緩和されるためと考えられる。このことを検証
するため、接合部近傍の前面パネルガラスに波長６５０
ｎｍのレーザー光を当て、レターデーションを評価し
た。封着ガラスはフィラー材を含むため、透光性が悪か
った。このため、パネルガラス部の応力を評価した。
【００７４】冷却保持を行わなかった場合のパネルのレ
ターデーションは−５.０ｎｍ で、パネル部には大きな
圧縮応力が働いていることが分かった。このことから、
封着ガラスには逆に５.０ｎｍ のレターデーションに相
当する引張り応力が生じていることが分かる。
【００７５】一方、冷却保持を行った場合のパネルガラ
スのレターデーションは−２.５nmと約半分に小さくな
っていた。このことから、封着ガラスにかかる引張り応
力も小さくなっていることが分かった。このパネルガラ
スのガラス封着部を、封着用ガラスの変形温度３１８℃
より高い３３０℃まで再加熱し、２℃／分で冷却し、レ
ターデーションを測定した。このときレターデーション
は−５.０ｎｍ と、冷却保持を行わなかったパネルガラ
スと同じ大きさの圧縮応力が生じていた。
【００７６】このように本発明のプラズマディスプレイ
パネルでは、パネルガラスのガラス封着部の室温でのレ
ターデーションＲ１と、再加熱した後室温まで炉冷した
ときのレターデーションＲ２との間に、 Ｒ２＜Ｒ１ の関係が成立していた。このようなとき、再加熱前のパ
ネルガラスのガラス封着部にかかる応力が小さく、接合
強度が高かった。さらに、本発明のプラズマディスプレ
イパネルを得るためには、冷却中、封着用ガラスのガラ
ス転移温度付近の温度で一定時間保持することが好まし
かった。保持する温度は、ガラス転移温度±１０℃の温
度範囲であることが好ましかった。また、この場合に
も、磁気ヘッドの場合と同様に、封着用ガラスの熱膨張
係数が基体の７０〜９５％の場合にはクラックの発生等
が見られず、良好な結果が得られた。
【００７７】図１９に、本発明で作製した半導体センサ
ーの断面の概略図を示す。４１はセンサー、４２はパイ
レックスガラス、４３は封着ガラス、４４は金属ポスト
である。Ｓｉウエハー上に、センサー回路をパターニン
グし、半導体基板を作製した。この基板と同サイズのパ
イレックスガラス板(熱膨張係数：３０×１０~7／℃)を
半導体基板の下面に配し、通電することによって、アノ
ーディックボンディングを行った。
【００７８】その後、基板を各半導体チップに切断し
た。このチップを封着ガラスプリフォームを介してＦｅ
−Ｎｉ−Ｃｏ系金属ポスト上に配し、４４０℃−２０分
の条件で封着を行った。封着用ガラスには、ＰｂＴｉＯ
3 をフィラー材として含有するＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3系接合ガ
ラスを用いた。熱膨張係数は３７×１０~7／℃である。
冷却条件として、このガラスの転移温度である３１０℃
で３０分保持したものと保持しないものを作製した。
【００７９】３１０℃で保持したチップでは、保持しな
いチップに比べ、各チップごとの特性のばらつきが小さ
く、良好な結果が得られた。パイレックスガラス部の応
力をレターデーションにより評価した結果、冷却保持を
行うことにより、センサー部にかかる応力が低減されて
いることが分かった。さらに、各チップにかかる応力が
均質化されていることが分かった。
【００８０】また、冷却保持した半導体センサーを再加
熱し、冷却保持を行わないで冷却してパイレックスガラ
スのレターデーションを測定した結果、再加熱する前の
レターデーションＲ１と、再加熱後のレターデーション
Ｒ２との間に、 Ｒ２＜Ｒ１ の関係が成立していた。したがって、このような半導体
センサーであれば、各チップごとの特性のばらつきの少
ない半導体チップが得られる。
【００８１】さらに、このような半導体チップを得るた
めには、冷却中、用いる封着用ガラスのガラス転移温度
±１０℃の温度範囲で冷却保持することがよい。この理
由は、ガラス封着体の実施例で述べた理由と同等であ
る。以上のように、本発明の半導体センサーでは、特性
の均質な半導体センサーが得られた。
【００８２】図２０に本発明で作製した光デバイスの一
例である光導波路の概略図を示す。図２０において、５
１はガラス基板、５２は導波路のコアガラス、５３はカ
バーガラスである。ガラス基板として、熱膨張係数が５
１×１０~7／℃の硼珪酸ガラスを用いた。６３５ｎｍの
単色光に対する屈折率は、１.４９ であった。このガラ
ス基板上に導波路用ガラスとして、熱膨張係数が８５×
１０~7／℃のソーダライムガラスを蒸着法により形成し
た。このガラスの６３５ｎｍの単色光に対する屈折率
は、１.５３であった。
【００８３】成膜後、６００℃に加熱して、導波路ガラ
ス膜を軟化させ、膜を緻密化させた。その後、冷却過程
として、このガラス膜のガラス転移温度である５５０℃
で１時間保持したものと保持しないものを作製した。緻
密化後、所望の導波路構造となるようにパターニングを
行った。さらに上面からカバーガラスを蒸着法により形
成し、図２０の光導波路を得た。
【００８４】導波路長を１０cmとし、光の損失を評価し
たところ、冷却保持を行った場合では、冷却保持を行わ
なかった場合に比べ損失量が減少していた。導波路部分
レターデーションを評価したところ、冷却保持を行うこ
とにより、導波路部の応力が減少していることが分かっ
た。このことにより光の損失量が低減されたと考えられ
る。
【００８５】冷却保持した試料を、これまでの実施例と
同様に再加熱して冷却保持せずに冷却してレターデーシ
ョンを比較したところ、再加熱前のレターデーションＲ
１と再加熱後のレターデーションＲ２との間に Ｒ１＜Ｒ２ の関係が成立していた。このような光デバイスでは、光
損失が少ないことが分かった。また、このような光デバ
イスを得る方法として、冷却中に、導波路のコアガラス
のガラス転移温度±１０℃の温度範囲内の温度で冷却保
持することが好ましい。このように、本発明の光デバイ
スでは、応力を低減でき、光損失を減少させることがで
きた。
【００８６】さらに本発明は、上記磁気ヘッド，プラズ
マディスプレイパネル，半導体センサー，光デバイス以
外のガラスを用いて接合、封着される部品，製品に対し
ても適用可能である。
【００８７】以上のように、本発明のガラス封着体及び
その製造方法によれば、ガラス封着部にかかる応力を低
減させることができ、機械的強度や、各部品の特性を向
上させることができた。また、特性のばらつきを減少さ
せ、部品の歩留まりを向上させることができた。
【００８８】
【発明の効果】本発明のガラス封着体及びその製法によ
れば、ガラス封着体のガラス部に生じる応力を引張りか
ら圧縮まで広い応力範囲で制御することができる。ま
た、本発明の磁気ヘッド及びその製法によれば、歩留ま
り，信頼性，性能の高い磁気ヘッドを得ることができ
る。さらに本発明のプラズマディスプレイパネルでは、
接合強度が向上し、パネルの大型化に対応できる。
【００８９】本発明の半導体センサーでは、センサー特
性のばらつきを抑え、歩留まりの向上を図ることができ
る。さらに本発明の光デバイスでは、応力による光の損
失を抑え、利得を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のガラス封着体の冷却保持温度に対する
反り量を表す図。
【図２】本発明のガラス封着体の冷却保持温度に対する
反り量を表す図。
【図３】本発明のガラス封着体の冷却保持温度に対する
反り量を表す図。
【図４】本発明のガラス封着体の冷却保持温度に対する
反り量を表す図。
【図５】本発明のガラス封着体の外観の模式図。
【図６】本発明のガラス封着体の作製方法の模式図。
【図７】本発明のガラス封着体における反りと応力との
関係を示す図。
【図８】本発明のガラス封着体のガラス封着プロファイ
ル。
【図９】冷却速度に対する反り量を表す図。
【図１０】冷却保持温度または再加熱温度と反り量の関
係を示す図。
【図１１】熱膨張曲線を用いてガラス接合の様子を模式
的に示した図。
【図１２】本発明の複屈折法を用いた応力測定用試料の
外観の模式図。
【図１３】スキャン距離に対するレターデーションを表
す図。
【図１４】本発明で検討した封着用ガラスの三点曲げ強
度のワイブルプロット。
【図１５】本発明で作製した磁気ヘッドの外観の模式
図。
【図１６】本発明で作製した磁気ヘッドの作製方法の模
式図。
【図１７】本発明で作製した磁気ヘッドの作製方法の模
式図。
【図１８】本発明で作製したプラズマディスプレイパネ
ルの断面の模式図。
【図１９】本発明で作製した半導体センサーの断面の模
式図。
【図２０】本発明で作製した光デバイスの断面の模式
図。
【符号の説明】
１…封着用ガラス、２，２′…基板もしくは磁気コア、
１１…磁性膜、１３…磁気ギャップまたはギャップ材、
１４…反応防止膜、１５…コイル巻線窓、１６…ガラス
充填溝、２５，２５′…コイル、３１，４３…封着ガラ
ス、３２…前面パネルガラス、３３…背面パネルガラ
ス、３４…隔壁、３５…放電セル、３６…表示電極、３
７…バス電極、３８…誘電体膜、３９…ＭｇＯ保護膜、
４１…センサー、４２…パイレックスガラス、４４…金
属ポスト、５１…ガラス基板、５２…導波路のコアガラ
ス、５３…カバーガラス、３１０…アドレス電極、３１
１…蛍光体。
フロントページの続き (72)発明者 鈴木 康隆 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 元脇 成久 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】少なくともガラスと、それにより封着され
    た基体とからなるガラス封着体であって、該ガラスの室
    温でのレターデーションをＲ１とし、前記ガラス封着体
    を該ガラスの変形温度以上まで再加熱した後、平均冷却
    速度２０℃／分以下で室温まで冷却した後のレターデー
    ションをＲ２とした場合に、 Ｒ１＜Ｒ２ なる関係を有することを特徴とするガラス封着体。
  2. 【請求項２】封着用ガラスと基体とを接触させる工程
    と、 該封着用ガラスを、該ガラスの変形温度以上に加熱する
    工程と、 該ガラスを平均冷却速度２０℃／分以下で、該変形温度
    以下、かつ室温以上の温度まで冷却する工程と、 その後、該ガラスを該ガラスのガラス転移温度±１０℃
    の範囲内の温度で一定時間保持する工程と、 該ガラスを、前記一定時間保持した温度から平均冷却速
    度２０℃／分以下で室温まで冷却する工程と、を含むこ
    とを特徴とするガラス封着体の製造方法。
  3. 【請求項３】請求項２に記載の封着ガラスの熱膨張係数
    が、前記基体の熱膨張係数の６５〜１０５％であること
    を特徴とするガラス封着体の製造方法。
  4. 【請求項４】少なくとも二つの磁気コアを突合せ、該コ
    アをガラスで封着されてなる磁気ヘッドにおいて、 該ガラスの室温でのレターデーションをＲ１とし、前記
    磁気ヘッドを該ガラスの変形温度以上まで再加熱した
    後、平均冷却速度２０℃／分以下で室温まで冷却した後
    のレターデーションをＲ２とした時に、 Ｒ１＜Ｒ２ なる関係を有することを特徴とする磁気ヘッド。
  5. 【請求項５】少なくとも二つの磁気コアを突合せ、該コ
    アに封着用ガラスを接触させる工程と、 該封着用ガラスを該ガラスの変形温度以上に加熱する工
    程と、 該ガラスを平均冷却速度２０℃／分以下で、該変形温度
    以下、かつ室温以上の温度まで冷却する工程と、 その後、該ガラスを該ガラスのガラス転移温度±１０℃
    の範囲内の温度で一定時間保持する工程と、 該ガラスを、前記一定時間保持した温度から平均冷却速
    度２０℃／分以下で室温まで冷却する工程と、を含むこ
    とを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
  6. 【請求項６】請求項５記載の封着ガラスの熱膨張係数が
    前記磁気コアの熱膨張係数の７０〜９５％であることを
    特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
  7. 【請求項７】隔壁によって仕切られ、蛍光体が塗布され
    た放電セルと、 該放電セルを挟む、内壁に電極，誘電体膜の形成された
    二枚のガラス板と、を有し、該二枚のガラス板が該放電
    セルに封着用ガラスで封着されてなるプラズマディスプ
    レイパネルにおいて、 該ガラス板の封着後のレターデーションをＲ１とし、封
    着後のプラズマディスプレイパネルを、該封着用ガラス
    の変形温度以上まで再加熱したのち２０℃／分以下の平
    均冷却速度で室温まで冷却した場合の該ガラス板のレタ
    ーデーションをＲ２とした時に、 Ｒ２＜Ｒ１ なる関係を有することを特徴とするプラズマディスプレ
    イパネル。
  8. 【請求項８】隔壁を形成する工程と、 該隔壁によって仕切られた放電空間に蛍光体を塗布する
    工程と、 ガラス板に電極膜と誘電体膜を形成する工程と、 該隔壁板を二枚の該ガラス板で挾み、周囲に該ガラス板
    の熱膨張係数の７０〜９５％の熱膨張係数を有する封着
    用ガラスを配する工程と、 該封着用ガラスの変形温度以上の温度に全体を加熱し、
    全体を封着する工程と、 平均冷却速度２０℃／分以下で該封着用ガラスのガラス
    転移温度±１０℃の範囲内の温度まで冷却する工程と、 該ガラス転移温度±１０℃の範囲内の温度で一定時間保
    持する工程と、平均冷却速度２０℃／分以下で室温まで
    冷却する工程と、を含むことを特徴とするプラズマディ
    スプレイパネルの製造方法。
  9. 【請求項９】少なくとも、金属ポストと、センサーの形
    成された半導体基板と、この半導体基板裏面に接合され
    たガラス板と、この金属ポストとガラス板とを封着する
    封着ガラスとからなる半導体センサーにおいて、 前記ガラス板の封着後のレターデーションをＲ１とし、
    前記半導体センサーを前記封着用ガラスの変形温度以上
    まで再加熱した後、２０℃／分以下の平均冷却速度で室
    温まで冷却した場合の該ガラス板のレターデーションを
    Ｒ２としたときに、 Ｒ２＜Ｒ１ なる関係を満たすことを特徴とする半導体センサー。
  10. 【請求項１０】センサーの形成された半導体基板とガラ
    ス板を接合する工程と、金属ポストとこのガラス板との
    間に封着用ガラスを配する工程と、該封着用ガラスの変
    形温度以上の温度に全体を加熱し、全体を封着する工程
    と、２０℃／分以下の平均冷却速度で、該封着用ガラス
    のガラス転移温度±１０℃の範囲内の温度まで冷却する
    工程と、該ガラス転移温度±１０℃の範囲内の温度で一
    定時間保持する工程と、２０℃／分以下の平均冷却速度
    で室温まで冷却する工程と、を含むことを特徴とする半
    導体センサーの製造方法。
  11. 【請求項１１】少なくともガラス基板とその上面に形成
    されたガラス導波路膜と、そのガラス導波路膜を覆うカ
    バーガラス膜とからなる光デバイスにおいて、 該ガラス導波路膜の室温でのレターデーションをＲ１と
    し、前記光デバイスを該ガラス導波路膜の変形温度以上
    まで再加熱した後、２０℃／分以下の平均冷却速度で冷
    却した場合の該ガラス導波路膜のレターデーションをＲ
    ２としたとき、 Ｒ１＜Ｒ２ なる関係を有することを特徴とする光デバイス。
  12. 【請求項１２】ガラス基板上にガラス導波路膜を形成す
    る工程と、該ガラス導波路膜の変形温度以上に加熱して
    ガラス導波路膜を緻密化する工程と、２０℃／分以下の
    平均冷却速度で該ガラス導波路膜のガラス転移温度±１
    ０℃の範囲内の温度まで冷却する工程と、該ガラス転移
    温度±１０℃の範囲内の温度で一定時間保持する工程
    と、さらに２０℃／分以下の平均冷却速度で室温まで冷
    却する工程と、該ガラス導波路膜を導波路形状に加工す
    る工程と、上面にカバーガラス膜を形成する工程と、を
    含むことを特徴とする光デバイスの製造方法。
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