JPS6288109A - アモルフアス磁性合金磁気ヘツドおよびその製法 - Google Patents
アモルフアス磁性合金磁気ヘツドおよびその製法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、高性能磁気記録再生装置に用いるアモルファ
ス磁性合金磁気ヘッドに関する。
ス磁性合金磁気ヘッドに関する。
〔発明の背景〕
従来の磁気ヘッドは、磁気コア材料としてフェライトが
用いられ、該磁気コアの接合や磁気ギャップの形成に用
いる接着材としては非磁性であり、しかもフェライトの
熱膨張率と合い、その上耐候性、耐摩耗性２強度なども
必要とされることから作業温度が高い６００℃以上のガ
ラスが使用されていた。
用いられ、該磁気コアの接合や磁気ギャップの形成に用
いる接着材としては非磁性であり、しかもフェライトの
熱膨張率と合い、その上耐候性、耐摩耗性２強度なども
必要とされることから作業温度が高い６００℃以上のガ
ラスが使用されていた。
近年、高密度記録化が進むにつれて、従来の磁気ヘッド
の性能を上回る高性能磁気ヘッドが要求されるようにな
った。そこで高い飽和磁束密度と高い透磁率を示すアモ
ルファス磁性合金が、高性能磁気ヘッド用材料として注
目された（特公昭５９−１８０８１７号）しかし、アモ
ルファス磁性合金の磁気コアは、その接合や磁気ギャッ
プの形成を、アモルファス磁性合金の結晶化温度以上で
行なうことはできず、その実用化をはばんでいた。飽和
磁束密度が８００００以上の高い値を有するアモルファ
ス磁性合金の結晶化温度は高いものでも５５０°Ｃ程度
である。飽和磁束密度が高いものほど、記録時の特性が
良好なものが得られるが、こうしたものほど結晶化温度
が低く、熱に不安定である。ま醪 た、透磁率乏結晶化によって急激に低下し、再生時の特
性を低下化させる。
の性能を上回る高性能磁気ヘッドが要求されるようにな
った。そこで高い飽和磁束密度と高い透磁率を示すアモ
ルファス磁性合金が、高性能磁気ヘッド用材料として注
目された（特公昭５９−１８０８１７号）しかし、アモ
ルファス磁性合金の磁気コアは、その接合や磁気ギャッ
プの形成を、アモルファス磁性合金の結晶化温度以上で
行なうことはできず、その実用化をはばんでいた。飽和
磁束密度が８００００以上の高い値を有するアモルファ
ス磁性合金の結晶化温度は高いものでも５５０°Ｃ程度
である。飽和磁束密度が高いものほど、記録時の特性が
良好なものが得られるが、こうしたものほど結晶化温度
が低く、熱に不安定である。ま醪 た、透磁率乏結晶化によって急激に低下し、再生時の特
性を低下化させる。
本発明の第１の目的は、磁気特性の優れたアモルファス
磁性合金磁気ヘッドを提供することにある。
磁性合金磁気ヘッドを提供することにある。
は磁気ギャップを形成したアモルファス磁性合金磁気ヘ
ッドを提供すツことにある。
ッドを提供すツことにある。
その他の目的については以下の記載により明らかとなろ
う。
う。
本発明は、アモルファス磁性合金の磁気特性がその結晶
化温度と密接な関係があり、とくに該磁気ヘッドの磁気
コアの接合、磁気ギャップの形成時の加熱温度によって
左右される点に着目した。
化温度と密接な関係があり、とくに該磁気ヘッドの磁気
コアの接合、磁気ギャップの形成時の加熱温度によって
左右される点に着目した。
そこで、結晶化温度よりどのくらい低い温度ならば、磁
気ヘッドとしての磁気特性に影響を及ぼさないことがで
きるかについて検討を行なった。
気ヘッドとしての磁気特性に影響を及ぼさないことがで
きるかについて検討を行なった。
その結果、結晶化温度より５０℃以下の温度であれば、
あまり問題がないことを見い出した。
あまり問題がないことを見い出した。
本発明の磁気ヘッドにおいては、製造時、使用時を問わ
ず用いているアモルファス磁性合金の結晶化温度以上に
加熱しないことは当然であり、とくに結晶化温度の５０
℃以下が磁気特性に影響を与えないために必要な温度の
上限算値である。
ず用いているアモルファス磁性合金の結晶化温度以上に
加熱しないことは当然であり、とくに結晶化温度の５０
℃以下が磁気特性に影響を与えないために必要な温度の
上限算値である。
次に、磁気ヘッドが磁気特性に影響するほどの加熱を受
けるのは、磁気ヘッドの製造時のコアの接合、磁気ギャ
ップの形成時である。
けるのは、磁気ヘッドの製造時のコアの接合、磁気ギャ
ップの形成時である。
即ち、アモルファス磁性合金を用いた磁気ヘッドにおい
ては、その磁気コアの接合または／および磁気ギャップ
の形成に使用する接着材が、前記アモルファス磁性合金
の結晶化温度より５０℃以下の温度で接着可能な接着材
で接合されたアモルファス磁性合金磁気ヘッドにある。
ては、その磁気コアの接合または／および磁気ギャップ
の形成に使用する接着材が、前記アモルファス磁性合金
の結晶化温度より５０℃以下の温度で接着可能な接着材
で接合されたアモルファス磁性合金磁気ヘッドにある。
次に、磁気ヘッドとしては、強固で耐久性のあるものが
当然要求される。また、磁気ヘッドは少けながらダイヤ
モンドカッターによってスライスされるので、該接着層
としては耐水性があることも必要である。
当然要求される。また、磁気ヘッドは少けながらダイヤ
モンドカッターによってスライスされるので、該接着層
としては耐水性があることも必要である。
本発明においては、こうした接着材として各種の材料を
広く検討し、とくにｖ２０３を主成分としＰｚＯδ−５
ｂｚＯａを含むガラスが本発明の目的を達成する接着材
として優れていることを見い出した。
広く検討し、とくにｖ２０３を主成分としＰｚＯδ−５
ｂｚＯａを含むガラスが本発明の目的を達成する接着材
として優れていることを見い出した。
上記ＶｚＯａ ＰｚＯａ ５ｂ２Ｏ５系ガラスは、
従来の磁気ヘッドに用いられてきた硼けい酸鉛（ｐｂｏ
、−Ｂ２Ｏ５ −５ｉＯｚ −Ａ Ｑ ｚＯａ）系ガラ
ス（特開昭５９−１４６４３１号）に比べて作業温度も
約４６０℃と遜色なく、とくに熱膨張係数が７５ ｘ
１０−７／℃と低いのでフェライトコアの接着にとくに
適している。また、ＶｚＯａ Ｐ２Ｏ５系ガラスはこ
れまで耐水性が悪く （窯業協会誌９０ （８） １９
８２．４１５頁）失透し易いと云われていた。しかし５
ｂｘＯｓを加えることによって耐水性を改善することが
できた。後述の第２表から明らかなように、硼けい酸鉛
系ガラスの約２０倍の耐水性を有する。
従来の磁気ヘッドに用いられてきた硼けい酸鉛（ｐｂｏ
、−Ｂ２Ｏ５ −５ｉＯｚ −Ａ Ｑ ｚＯａ）系ガラ
ス（特開昭５９−１４６４３１号）に比べて作業温度も
約４６０℃と遜色なく、とくに熱膨張係数が７５ ｘ
１０−７／℃と低いのでフェライトコアの接着にとくに
適している。また、ＶｚＯａ Ｐ２Ｏ５系ガラスはこ
れまで耐水性が悪く （窯業協会誌９０ （８） １９
８２．４１５頁）失透し易いと云われていた。しかし５
ｂｘＯｓを加えることによって耐水性を改善することが
できた。後述の第２表から明らかなように、硼けい酸鉛
系ガラスの約２０倍の耐水性を有する。
また、ＶｚＯａ −ＰｚＯａ −５ｂｉＯａ系ガラスに
、ＰｂＯ。
、ＰｂＯ。
Ｔ Ｑ ｘＯ、Ｎｂ２０Ｉ！から選ばれる少なくとも１
種を含有させることによって、作業温度を４２０℃付近
まで下げることができるので、従来にない優れた特性の
アモルファス磁性合金を用いた磁気ヘッドを提供するこ
とができる。
種を含有させることによって、作業温度を４２０℃付近
まで下げることができるので、従来にない優れた特性の
アモルファス磁性合金を用いた磁気ヘッドを提供するこ
とができる。
アモルファス磁性合金磁気ヘッド用接着材の■２０５を
主成分とする低温軟化ガラスの好ましい組成範囲は、重
量％テＶｚＯａが５５〜７０ 、 ＰｚＯａが１７〜２
５ 、 ＳｂｚＯｇが３〜２０．ＰｂＯがＯ〜２０、Ｔ
ＲｚＯがＯ〜１５およびＮｂｚＯδＯ〜５である。
主成分とする低温軟化ガラスの好ましい組成範囲は、重
量％テＶｚＯａが５５〜７０ 、 ＰｚＯａが１７〜２
５ 、 ＳｂｚＯｇが３〜２０．ＰｂＯがＯ〜２０、Ｔ
ＲｚＯがＯ〜１５およびＮｂｚＯδＯ〜５である。
更に好ましい組成範囲は、重量％でＶｚＯｌｌが５５〜
６５ 、 Ｐ２Ｏ３が１８〜２２．５ｂｚＯａが５〜１
２゜ｐｂｏが３〜１０．ＴＱｚＯが３〜１ｏおよびＮｂ
２Ｏ５が０．５〜２である。
６５ 、 Ｐ２Ｏ３が１８〜２２．５ｂｚＯａが５〜１
２゜ｐｂｏが３〜１０．ＴＱｚＯが３〜１ｏおよびＮｂ
２Ｏ５が０．５〜２である。
本発明を実施例により、説明する。
実施例に用いたアモルファス磁性合金の飽和磁束密度と
結晶化温度を第１表に示す。
結晶化温度を第１表に示す。
第１表（Ａ）
アモルファス磁性合金は、第１表から明らかなように飽
和磁束密度が高いほど結晶化温度が低く。
和磁束密度が高いほど結晶化温度が低く。
そのため磁気コアの接合や磁気ギャップの形成はより低
温で行わなければならない。結晶化温度以下の温度であ
っても、その温度で長時間保持されると、結晶化するこ
とがある。そこで、ある温度で保持されても結晶化が進
展しない温度範囲にっていて検討した。
温で行わなければならない。結晶化温度以下の温度であ
っても、その温度で長時間保持されると、結晶化するこ
とがある。そこで、ある温度で保持されても結晶化が進
展しない温度範囲にっていて検討した。
アモルファス磁性合金は結晶化が起こると、透磁率が急
激に低下する。従って結晶化させないことが必要である
。
激に低下する。従って結晶化させないことが必要である
。
アモルファス磁性合金の結晶化がＸ線回折あるいは電子
顕微鏡でｗｔ測される以前に、アモルファス合金に何ら
かの構造変化が起る。この構造変化が生ずるとアモルフ
ァス磁性合金は徐々に結晶化が進行する。この構造変化
から結晶化に至る詳しい様子は今のところ不明であるが
、その一番影響するのが温度である。
顕微鏡でｗｔ測される以前に、アモルファス合金に何ら
かの構造変化が起る。この構造変化が生ずるとアモルフ
ァス磁性合金は徐々に結晶化が進行する。この構造変化
から結晶化に至る詳しい様子は今のところ不明であるが
、その一番影響するのが温度である。
本発明者らは、こうした結晶化とそれを促す温度との関
係を調べることにより、アモルファス磁性合金を用いた
磁気ヘッドの製造時の加熱許容範囲を見い出そうとした
。
係を調べることにより、アモルファス磁性合金を用いた
磁気ヘッドの製造時の加熱許容範囲を見い出そうとした
。
第１表（Ｂ）
Ｏ：結晶化せず Ｘ：結晶化
第１表（Ｂ）はこうしたアモルファス磁性合金を結晶化
温度より低い温度で保持した場合の結晶化に至るまでの
時間（保持時間）との関係を示す。
温度より低い温度で保持した場合の結晶化に至るまでの
時間（保持時間）との関係を示す。
なお結晶化の状況はＸ線回折により判定した。
第１表（Ｂ）から、アモルファス磁性合金の結晶化温度
より５０℃以下であれば、実用上磁気特性に影響がない
と判断した。
より５０℃以下であれば、実用上磁気特性に影響がない
と判断した。
第２表に磁気コアの接合および磁気ギャップの形成に用
いた低温軟化ガラスの組成と特性を示す。
いた低温軟化ガラスの組成と特性を示す。
Ｎα１〜６のガラスはＶ２Ｏ５を主成分とする低温軟化
ガラスであり、Ｎα７とＮａ ８のガラスは従来のＰｂ
。
ガラスであり、Ｎα７とＮａ ８のガラスは従来のＰｂ
。
主成分とする一般的な低温軟化ガラスで、比較のために
用いた。Ｎα８のガラスはその中でも特に低温で作業が
できるものの１つである。表中の作業温度はガラスが１
０５ポアズ程度の粘度を示す温度であり、磁気コアの接
合や磁気ギャップの形成には、少なくともこの程度の粘
度が必要である。
用いた。Ｎα８のガラスはその中でも特に低温で作業が
できるものの１つである。表中の作業温度はガラスが１
０５ポアズ程度の粘度を示す温度であり、磁気コアの接
合や磁気ギャップの形成には、少なくともこの程度の粘
度が必要である。
耐水性ｌ ５ Ｘ ５ Ｘ ５ ｎｎの立方体に加工し
たガラス片を４０ｃｃの蒸留水中に入れ、７０℃、２時
間加熱したときの重量減（ｍｇ／ｇ）であり、Ｖ２Ｏ３
を主成分とする本発明のガラスは従来のＰｂｏを主成分
とするガラスより耐水性が優れている。また、熱膨張係
数も、Ｖ２０Ｆｌを主成分とするガラスの方が従来のＰ
ｂｏを主成分とするガラスより小さい。
たガラス片を４０ｃｃの蒸留水中に入れ、７０℃、２時
間加熱したときの重量減（ｍｇ／ｇ）であり、Ｖ２Ｏ３
を主成分とする本発明のガラスは従来のＰｂｏを主成分
とするガラスより耐水性が優れている。また、熱膨張係
数も、Ｖ２０Ｆｌを主成分とするガラスの方が従来のＰ
ｂｏを主成分とするガラスより小さい。
第１表のアモルファス磁性合金と第２表の低温軟化ガラ
スを用いて第１図に示す磁気ヘッドを作製した。その作
製方法は、第２図に示すように。
スを用いて第１図に示す磁気ヘッドを作製した。その作
製方法は、第２図に示すように。
基板１に巻線溝２およびトラック溝３を設は磁気ギャッ
プ面を形成した。基板としてはフェライト。
プ面を形成した。基板としてはフェライト。
非磁性セラミックスまたは高温軟化ガラスを用いた。こ
れらの熱膨張係数は８０〜１００ＸＩＯ−７ｉ℃である
。次に第３図に示すように、磁気ギャップ面にまずアモ
ルファス磁性合金［４を高周波スパッタ法（以下ＲＦス
パッタ法と云う）により。
れらの熱膨張係数は８０〜１００ＸＩＯ−７ｉ℃である
。次に第３図に示すように、磁気ギャップ面にまずアモ
ルファス磁性合金［４を高周波スパッタ法（以下ＲＦス
パッタ法と云う）により。
２５μｍ厚に形成し、規定ギャップ長が０．３０μｍに
なるように、その上にギャップ長に相当するギャップス
ペーサとして５ｉ（ｌｚ層５をＲＦスパッタ法により０
．１５ μｍ厚に形成した。
なるように、その上にギャップ長に相当するギャップス
ペーサとして５ｉ（ｌｚ層５をＲＦスパッタ法により０
．１５ μｍ厚に形成した。
次に第４図に示すように、アモルファス磁性合金膜およ
びギャップスペーサを形成したコアブロック１，１′を
左右突き合せ、第２表の低温軟化ガラスから成る捧６を
配置し、ガラスの粘度が１０４ポアズ程度になる温度ま
で加熱し、２５分間保持して、左右のコアブロックを接
合させた。
びギャップスペーサを形成したコアブロック１，１′を
左右突き合せ、第２表の低温軟化ガラスから成る捧６を
配置し、ガラスの粘度が１０４ポアズ程度になる温度ま
で加熱し、２５分間保持して、左右のコアブロックを接
合させた。
その後、研磨、研削および切断を行ない、第１図に示す
ような磁気ヘッドを作製した。
ような磁気ヘッドを作製した。
実施例１
アモルファス磁性合金としてＣｏδ１Ｎｂｉ４Ｚｒχ５
を、基板として高温軟化ガラスを、コアブロックの接合
用ガラスとして第２表のガラスを用い、第ブロックの接
合温度、作製した磁気ヘッドのギャップ長および作製歩
留を第３表に示す。
を、基板として高温軟化ガラスを、コアブロックの接合
用ガラスとして第２表のガラスを用い、第ブロックの接
合温度、作製した磁気ヘッドのギャップ長および作製歩
留を第３表に示す。
第３表
接合温度（作業温度）は先にも述べたがガラスの粘度が
約１０４ポアズを示す温度である。各ガラスのｌ’！条
件において、アモルファス磁性合金は結晶化しなかった
が、Ｐｂｏを主成分とするＮ（Ｌ７およびＮα８のガラ
スを用いた場合は、ギャップ長が広がり、しかもギャッ
プ長にバラツキがかなり見られた。また磁気コアのはく
離、接着層にクラックのあるも！＜作製歩留は５０％に
達しなかった。
約１０４ポアズを示す温度である。各ガラスのｌ’！条
件において、アモルファス磁性合金は結晶化しなかった
が、Ｐｂｏを主成分とするＮ（Ｌ７およびＮα８のガラ
スを用いた場合は、ギャップ長が広がり、しかもギャッ
プ長にバラツキがかなり見られた。また磁気コアのはく
離、接着層にクラックのあるも！＜作製歩留は５０％に
達しなかった。
し易いために、ガラスがギャップ部にはいり込むからで
ある。また歩留りが悪いのは、基板として用いた高温軟
化ガラスと接合用ガラスの熱膨張差が大きいために、接
合用ガラス部にクラックが入ったり、コアブロックがは
く離してしまったからである。これに対しＶ２Ｏ３を主
成分とするＮα１〜６のガラスを用いた場合は、ギャッ
プ長は規定通りで、歩留りも高かった。なお、Ｎα２の
ガラースの歩留りが若干低いのは、ガラスの熱膨張がい
くぶん大きいためと考える。
ある。また歩留りが悪いのは、基板として用いた高温軟
化ガラスと接合用ガラスの熱膨張差が大きいために、接
合用ガラス部にクラックが入ったり、コアブロックがは
く離してしまったからである。これに対しＶ２Ｏ３を主
成分とするＮα１〜６のガラスを用いた場合は、ギャッ
プ長は規定通りで、歩留りも高かった。なお、Ｎα２の
ガラースの歩留りが若干低いのは、ガラスの熱膨張がい
くぶん大きいためと考える。
実施例２
アモルファス磁性合金としてＣｏａｚＮｂｔ＋ ＺｒＸ
５ラスとして第２表のガラスを用いて、磁気ヘッドを作
製した。使用した単結晶フェライトの熱膨張係数は９５
Ｘ １０−７ｉ℃である。コアブロックの接合温度、
作製した磁気ヘッドのギャップ長および作製歩留を第４
表に示す。なお接合条件は実施例１と同様である。
５ラスとして第２表のガラスを用いて、磁気ヘッドを作
製した。使用した単結晶フェライトの熱膨張係数は９５
Ｘ １０−７ｉ℃である。コアブロックの接合温度、
作製した磁気ヘッドのギャップ長および作製歩留を第４
表に示す。なお接合条件は実施例１と同様である。
＠４表
各ガラスの接合条件において、Ｎα７のガラス以外はア
モルファス磁性合金の結晶化は見られなかった。Ｎα７
ガラスを使用した磁気ヘッドでは、アモルファス磁性合
金が結晶化して、磁気ヘッドとしての特性が得られなか
った。
モルファス磁性合金の結晶化は見られなかった。Ｎα７
ガラスを使用した磁気ヘッドでは、アモルファス磁性合
金が結晶化して、磁気ヘッドとしての特性が得られなか
った。
Ｎα８のガラスを用いた場合、実施例１に比べ歩留りが
向上したが、ギャップ長の広がり、ンおよびバラツキか
訊、めら嘔−Ｅ。
向上したが、ギャップ長の広がり、ンおよびバラツキか
訊、めら嘔−Ｅ。
実施例３
アモルファス磁性合金としてＣｏａａＮｂｘａＺｒＸｉ
より結晶化温度の低イｃｏｇ１１．５Ｎｂｘｔ、５Ｚｒ
ａを、基ラスとして第２表のガラスを用い、磁気ヘッド
を作製した。コアブロックの接合温度１作製した磁気ヘ
ッドのギャップ長および歩留りを第５表に示す。
より結晶化温度の低イｃｏｇ１１．５Ｎｂｘｔ、５Ｚｒ
ａを、基ラスとして第２表のガラスを用い、磁気ヘッド
を作製した。コアブロックの接合温度１作製した磁気ヘ
ッドのギャップ長および歩留りを第５表に示す。
第５表
作業温度が高いガラスでは、アモルファス磁性合金が結
晶化してしまうので、作業温度の高いＮα１、Ｎα７お
よびＮα８のガラスについてはアモルファス磁性合金の
結晶化温度よりも約５０℃低い温度で磁気ヘッドを作製
してみた。その結果、強固（Ｃシ な接合が得られず歩留りも極度に低下ｌ。
晶化してしまうので、作業温度の高いＮα１、Ｎα７お
よびＮα８のガラスについてはアモルファス磁性合金の
結晶化温度よりも約５０℃低い温度で磁気ヘッドを作製
してみた。その結果、強固（Ｃシ な接合が得られず歩留りも極度に低下ｌ。
ｖ２０６を主成分とするＮα２〜６のガラスは、作業温
度が十分に低いために、アモルファス磁性合金が結晶化
することなく磁気ヘッドを作製することができた・なお
１歩留りは９０％以上と非常に高く、ギャップ長もバラ
ツクことなく規定通りであった。また、それらの磁気ヘ
ッドは強固な接合の磁気ギャップを有していた。
度が十分に低いために、アモルファス磁性合金が結晶化
することなく磁気ヘッドを作製することができた・なお
１歩留りは９０％以上と非常に高く、ギャップ長もバラ
ツクことなく規定通りであった。また、それらの磁気ヘ
ッドは強固な接合の磁気ギャップを有していた。
実施例４
アモルファス磁性合金として第１表中では最も飽和磁束
密度が大きく、結晶化温度の低いいた。コアブロックの
接合用ガラスとして第２表のＮα２〜６を用いて、第１
図の磁気ヘッドを作製した。第２表中の＆１＊Ｎα７お
よびＮα８のガラスはＣｏ５７Ｎ ｂ ｔｏ Ｚｒａの
アモルファス磁性合金に対してその作業温度が高すぎる
ので用いなかった。
密度が大きく、結晶化温度の低いいた。コアブロックの
接合用ガラスとして第２表のＮα２〜６を用いて、第１
図の磁気ヘッドを作製した。第２表中の＆１＊Ｎα７お
よびＮα８のガラスはＣｏ５７Ｎ ｂ ｔｏ Ｚｒａの
アモルファス磁性合金に対してその作業温度が高すぎる
ので用いなかった。
第６表に、Ｎα２〜６のガラスを用いた場合のコアブロ
ックの接合温度、作製した磁気ヘッドのギャップ長およ
び作製歩留りを示す。
ックの接合温度、作製した磁気ヘッドのギャップ長およ
び作製歩留りを示す。
第６表
Ｎ（１２および＆５のガラスは、アモルファス磁性合金
が結晶化してしまい、磁気ヘッドとしては使用不可能と
なった。しかし、Ｎα３，４．６のガラスは、アモルフ
ァス磁性合金を結晶化させることなく、９０％以上の高
歩留りで作製することができた。また、ギャップ長も規
定通りであった。
が結晶化してしまい、磁気ヘッドとしては使用不可能と
なった。しかし、Ｎα３，４．６のガラスは、アモルフ
ァス磁性合金を結晶化させることなく、９０％以上の高
歩留りで作製することができた。また、ギャップ長も規
定通りであった。
次に第５図に示す磁気ヘッドを作製した。その作製方法
は、第６図に示すように、アモルファス磁性合金膜７を
非磁性補強材８，９で挟み、サンドイッチ構造としたコ
アブロックを作製し、巻線溝１０を加工後、磁気ギャッ
プ面１１を平坦に研磨した。補強材８．９としては非磁
性セラミックスまたは高温軟化ガラスを使用した。
は、第６図に示すように、アモルファス磁性合金膜７を
非磁性補強材８，９で挟み、サンドイッチ構造としたコ
アブロックを作製し、巻線溝１０を加工後、磁気ギャッ
プ面１１を平坦に研磨した。補強材８．９としては非磁
性セラミックスまたは高温軟化ガラスを使用した。
次にギャップ長が０．２６ μｍになるように、磁気ギ
ャップ面１１上にギャップ長に相当するギャップスペー
サを、第７図に示すように、まず５ｉｆｔ層１２をＲＦ
スパッタ法により０．１０ ｐｍ厚に形成し、更にそ
の上に第２表の低温軟化ガラス層１３を同じ＜ＲＦスパ
ッタ法により０．０３μｍ厚に形成した。
ャップ面１１上にギャップ長に相当するギャップスペー
サを、第７図に示すように、まず５ｉｆｔ層１２をＲＦ
スパッタ法により０．１０ ｐｍ厚に形成し、更にそ
の上に第２表の低温軟化ガラス層１３を同じ＜ＲＦスパ
ッタ法により０．０３μｍ厚に形成した。
次に第８図に示すように、コアブロックを左右突き合せ
、ガラス層１３と同じ組成をもガラス捧１４を配置し、
ガラスの粘度が１０６ボアズ程度になる温度まで加熱し
、１８分間保持することにより、左右のコアブロックを
接合した。その後、研磨、研削、切断し、第５図に示す
ような磁気ヘッドを作製した。
、ガラス層１３と同じ組成をもガラス捧１４を配置し、
ガラスの粘度が１０６ボアズ程度になる温度まで加熱し
、１８分間保持することにより、左右のコアブロックを
接合した。その後、研磨、研削、切断し、第５図に示す
ような磁気ヘッドを作製した。
コアブロックの接合は、第１図で示した磁気ヘッドのよ
うにトラック溝にまで確実に低温軟化ガラスを充填する
という必要がないので、ガラスの粘度は１０δポアズ程
度で十分であった。この磁気ヘッドは第１図で示した磁
気ヘッドの場合よりも低温で作業をすることができると
云う利点がある。
うにトラック溝にまで確実に低温軟化ガラスを充填する
という必要がないので、ガラスの粘度は１０δポアズ程
度で十分であった。この磁気ヘッドは第１図で示した磁
気ヘッドの場合よりも低温で作業をすることができると
云う利点がある。
実施例５
アモルファス磁性合金としてＣｏａｇＮｂｔａＺｒ７ａ
。
。
第２表のガラスを用いて、第５図の磁気ヘッドを作製し
た。コアブロックの接合温度１作製した磁気ヘラ（のギ
ャップ長および作製歩留を第７表に示す。
た。コアブロックの接合温度１作製した磁気ヘラ（のギ
ャップ長および作製歩留を第７表に示す。
第７表
各カラスの接合条件においても、アモルファス磁性合金
は結晶化しなかった。ｐｂｏを主成分とするＮａ７およ
び＆８のガラスを用いた場合、第１図に示した磁気ヘッ
ドのように、ギャップ長の広がりやバラツキも規定通り
であったが、作製歩留が低く、しかも強固な接合の磁気
ギャップが得られなかった。これは、ガラスの粘度が１
０６ポアズと作業温度以下の温度であることから、Ｐｂ
。
は結晶化しなかった。ｐｂｏを主成分とするＮａ７およ
び＆８のガラスを用いた場合、第１図に示した磁気ヘッ
ドのように、ギャップ長の広がりやバラツキも規定通り
であったが、作製歩留が低く、しかも強固な接合の磁気
ギャップが得られなかった。これは、ガラスの粘度が１
０６ポアズと作業温度以下の温度であることから、Ｐｂ
。
を主成分とするガラスの磁気ギャップ部への５ｉＯｚの
侵食が少なかったためと考える。一方、ｖ２０５を主成
分とする恥１〜６のガラスの場合は、ギャップ長は規定
通りで、歩留りも高く、特に魔１およびＮα３〜Ｎα６
のガラスでは、９０％以上の高歩留りであった。その上
強固で接合の磁気ギャップが得られた。
侵食が少なかったためと考える。一方、ｖ２０５を主成
分とする恥１〜６のガラスの場合は、ギャップ長は規定
通りで、歩留りも高く、特に魔１およびＮα３〜Ｎα６
のガラスでは、９０％以上の高歩留りであった。その上
強固で接合の磁気ギャップが得られた。
実施例６
アモルファス磁性合金としてＣｏ５ｒＮｂｌｏＺｒｓを
、低温軟化ガラスとして第２表中のＮＱ２〜６及び鬼８
のガラスを用いて、第５図に示す磁気ヘッドを作製した
。第２表中のＮα１および＆７ガラスはＣｏ５ｒＮｂｌ
ｏＺｒｓのアモルファス磁性合金にとって、その接合温
度が高すぎる。使用したガラスにおけるコアブロックの
接合温度、作製した磁気ヘッドのギャップ長および作製
歩留を第８表に示す。
、低温軟化ガラスとして第２表中のＮＱ２〜６及び鬼８
のガラスを用いて、第５図に示す磁気ヘッドを作製した
。第２表中のＮα１および＆７ガラスはＣｏ５ｒＮｂｌ
ｏＺｒｓのアモルファス磁性合金にとって、その接合温
度が高すぎる。使用したガラスにおけるコアブロックの
接合温度、作製した磁気ヘッドのギャップ長および作製
歩留を第８表に示す。
第８表
どのガラスも、ギャップ長は規定通りであったが、Ｐｂ
Ｏを主成分とするＨａ ８ガラスではアモルファス磁性
合金が結晶化してしまい、磁気ヘッドとしては使用不能
である。島２〜６のガラスは。
Ｏを主成分とするＨａ ８ガラスではアモルファス磁性
合金が結晶化してしまい、磁気ヘッドとしては使用不能
である。島２〜６のガラスは。
アモルファス磁性合金を結晶化させることなく、コアブ
ロックを強固に接合し、９０％以上の高歩留りで作製す
ることができた。
ロックを強固に接合し、９０％以上の高歩留りで作製す
ることができた。
実施例７
実施例５と同じ磁気コアブロックにアモルファス磁性合
金の薄膜を実施例５と同様にして形成後、５ｉＯｚスペ
ーサを設ける代りに、ＧＥ社のポリイミド系樹脂（商品
名 ウルテム：υＬＴＥＭ ）のデメチルホルムアミド
１０％溶液を回転塗布した。これを２５０℃、３０分間
予備乾燥して溶媒を除き。
金の薄膜を実施例５と同様にして形成後、５ｉＯｚスペ
ーサを設ける代りに、ＧＥ社のポリイミド系樹脂（商品
名 ウルテム：υＬＴＥＭ ）のデメチルホルムアミド
１０％溶液を回転塗布した。これを２５０℃、３０分間
予備乾燥して溶媒を除き。
次いでコアブロックの左右をつき合せて３００℃、３０
分間加熱し、接合した。
分間加熱し、接合した。
接合後切断加工しアモルファス磁性合金の磁気ヘッドを
作製した。このヘッドは強固な接合の磁気ギャップを得
た。もちろん加熱温度が低いので、結晶化は起っていな
いヘッドを得ることができた。
作製した。このヘッドは強固な接合の磁気ギャップを得
た。もちろん加熱温度が低いので、結晶化は起っていな
いヘッドを得ることができた。
なお、ポリイミド系樹脂は接着力が大きいので、こうし
た薄い層で接着する場合に好都合である。
た薄い層で接着する場合に好都合である。
本発明のアモルファス磁性合金磁気ヘッドはアモルファ
ス磁性合金の特性を低下させることなく、強固に接合さ
れた磁気コアと高精度な磁気ギャップの優れた磁気ヘッ
ドを提供することができる。
ス磁性合金の特性を低下させることなく、強固に接合さ
れた磁気コアと高精度な磁気ギャップの優れた磁気ヘッ
ドを提供することができる。
第１図は本発明に係るアモルファス磁性合金磁気ヘッド
の一例を示す斜視図、第２図はそのコアブロック基板の
斜視図、第３図はアモルファス磁性合金膜およびギャッ
プスペーサを形成したコアブロックの上面図、第４図は
そのコアブロックを突き合わせた状態の斜視図、第５回
は第１図とは別の構造の本発明に係るアモルファス磁性
合金磁気ヘッドの斜視図、第６図はそのコアブロックの
斜視図、第７図はギャップスペーサを形成したコアブロ
ックの側面図、第８図はそのコアブロックを突き合わせ
た状態の側面図である。 １．１′・・・コアブロック基板、４，４′・・・アモ
ルファス磁性合金膜、６・・・低温軟化ガラス棒、７・
・・アモルファス磁性合金膜、８・・・補強材、９・・
・補強材、１３・・・低温軟化ガラス層、１４・・・低
温軟化ガラス棒。
の一例を示す斜視図、第２図はそのコアブロック基板の
斜視図、第３図はアモルファス磁性合金膜およびギャッ
プスペーサを形成したコアブロックの上面図、第４図は
そのコアブロックを突き合わせた状態の斜視図、第５回
は第１図とは別の構造の本発明に係るアモルファス磁性
合金磁気ヘッドの斜視図、第６図はそのコアブロックの
斜視図、第７図はギャップスペーサを形成したコアブロ
ックの側面図、第８図はそのコアブロックを突き合わせ
た状態の側面図である。 １．１′・・・コアブロック基板、４，４′・・・アモ
ルファス磁性合金膜、６・・・低温軟化ガラス棒、７・
・・アモルファス磁性合金膜、８・・・補強材、９・・
・補強材、１３・・・低温軟化ガラス層、１４・・・低
温軟化ガラス棒。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、アモルファス磁性合金を用いた磁気ヘッドの磁気コ
アの接合部または／および磁気ギャップ部の接着層が、
アモルファス磁性合金の結晶化温度より５０℃以下の温
度で１０＾５ポアズ以下の粘度を有する接着材により構
成したアモルファス磁性合金磁気ヘッド。 ２、磁気コアの接合部または／および磁気ギャップ部の
接続層がＶ＿２Ｏ＿５−Ｐ＿２Ｏ＿５−Ｓｂ＿２Ｏ＿３
を主成分とするガラスにより構成したことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のアモルファス磁性合金磁気
ヘッド。 ３、磁気コアの接合部または／および磁気ギャップ部の
接続層ガラスがＰｂＯ、Ｔｌ＿２Ｏ、Ｎｂ＿２Ｏ＿５か
ら選ばれる少なくとも１種を含むガラスにより構成した
ことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載のアモルフ
ァス磁性合金磁気ヘッド。 ４、磁気コアの接合部または／および磁気ギャップ部の
接続層ガラスが４３０℃で１０＾５ポアズ以下の粘度を
有する組成のガラスにより構成したことを特徴とする特
許請求の範囲第３項記載のアモルファス磁性合金磁気ヘ
ッド。 ５、一対の磁気コアの対向面にアモルファス磁性合金層
が設けられていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載のアモルファス磁性合金磁気ヘッド。 ６、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒを主成分とするアモルファス磁性
合金を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１項〜
第５項のいずれか記載のアモルファス磁性合金磁気ヘッ
ド。 ７、アモルファス磁性合金を用いた磁気ヘッドの磁気コ
アの接合または／および磁気ギャップの形成にアモルフ
ァス磁性合金の結晶化温度より５０℃以下の温度で接着
することを特徴とするアモルファス磁性合金磁気ヘッド
の製法。 ８、アモルファス磁性合金の結晶化温度より５０℃以下
の温度で１０＾５ポアズ以下の粘度を有する接着材を用
いてアモルファス磁性合金の結晶化温度より５０℃以下
の温度で接合することを特徴とする特許請求の範囲第７
項記載のアモルファス磁性合金磁気ヘッドの製法。 ９、接着材としてＶ＿２Ｏ＿５−Ｐ＿２Ｏ＿５−Ｓｂ＿
２Ｏ＿３を主成分としＰｂＯ、Ｔｌ＿２Ｏ、Ｎｂ＿２Ｏ
＿５から選ばれる少なくとも１種を含みアモルファス磁
性合金の結晶化温度より５０℃以下の温度で１０＾５ポ
アズ以下の粘度を有する組成のガラスを用いたことを特
徴とする特許請求の範囲第８項記載のアモルファス磁性
合金磁気ヘッドの製法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60226786A JPS6288109A (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | アモルフアス磁性合金磁気ヘツドおよびその製法 |
| DE86307894T DE3688646T2 (de) | 1985-10-14 | 1986-10-13 | Magnetkopf aus einer amorphen magnetischen Legierung und Verfahren zu dessen Herstellung. |
| EP86307894A EP0221697B1 (en) | 1985-10-14 | 1986-10-13 | Magnetic head of amorphous magnetic alloy and process for producing the same |
| US06/918,339 US4794483A (en) | 1985-10-14 | 1986-10-14 | Magnetic head having layers of amorphous magnetic alloy bonded together with a glass containing vandium oxide phosphorus oxide and antimony oxide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60226786A JPS6288109A (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | アモルフアス磁性合金磁気ヘツドおよびその製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6288109A true JPS6288109A (ja) | 1987-04-22 |
| JPH0462408B2 JPH0462408B2 (ja) | 1992-10-06 |
Family
ID=16850590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60226786A Granted JPS6288109A (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | アモルフアス磁性合金磁気ヘツドおよびその製法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4794483A (ja) |
| EP (1) | EP0221697B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6288109A (ja) |
| DE (1) | DE3688646T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5239434A (en) * | 1990-09-26 | 1993-08-24 | Hitachi, Ltd. | Magnetic head, bonding glass used therefor and magnetic recording and reproducing apparatus |
| US5519555A (en) * | 1989-02-23 | 1996-05-21 | Hitachi, Ltd. | Magnetic head including PbO-V2 O5 -P2 O5 system glass bonding |
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|---|---|---|---|---|
| JPS61233405A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-10-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘツド |
| US5245488A (en) * | 1986-08-13 | 1993-09-14 | Seiko Epson Corporation | Low-noise composite magnetic head for recording and producing |
| JPH0827898B2 (ja) * | 1988-03-29 | 1996-03-21 | 日立金属株式会社 | 浮上型複合磁気ヘッド及びその磁気コア |
| US5170301A (en) * | 1988-08-03 | 1992-12-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic head having core parts joined by low-melting point crystallized glass with composite gap |
| JPH0775053B2 (ja) * | 1988-08-03 | 1995-08-09 | 松下電器産業株式会社 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
| US5022140A (en) * | 1989-03-10 | 1991-06-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing magnetic head |
| US5211734A (en) * | 1989-03-31 | 1993-05-18 | Tdk Corporation | Method for making a magnetic head having surface-reinforced glass |
| US5055957A (en) * | 1989-06-19 | 1991-10-08 | International Business Machines Corporation | Method of making low wear glass for magnetic heads |
| US5015992A (en) * | 1989-06-29 | 1991-05-14 | Pitney Bowes Inc. | Cobalt-niobium amorphous ferromagnetic alloys |
| JP2674390B2 (ja) * | 1991-10-23 | 1997-11-12 | 株式会社日立製作所 | 磁気ヘッド、及び対向した部材がガラスで接合された物品 |
| KR100385126B1 (ko) * | 1994-10-31 | 2003-08-09 | 소니 가부시끼 가이샤 | 자기헤드 |
| JPH10105915A (ja) * | 1996-09-26 | 1998-04-24 | Hitachi Ltd | ガラス封着体及びその製造方法 |
| US6376399B1 (en) | 2000-01-24 | 2002-04-23 | Corning Incorporated | Tungstate, molybdate, vanadate base glasses |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL6601167A (ja) * | 1966-01-29 | 1967-07-31 | ||
| JPS5269917A (en) * | 1975-12-09 | 1977-06-10 | Hoya Glass Works Ltd | Sealing glass for glass laser |
| JPS5438311A (en) * | 1977-08-31 | 1979-03-22 | Hoya Glass Works Ltd | Low temperature melting coating glass capable of highly absorbing laser |
| JPS5827565B2 (ja) * | 1977-09-19 | 1983-06-10 | 松下電器産業株式会社 | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| SU781917A1 (ru) * | 1979-01-29 | 1980-11-23 | Предприятие П/Я А-3103 | Способ изготовлени блока магнитных головок |
| US4342943A (en) * | 1979-10-17 | 1982-08-03 | Owens-Illinois, Inc. | P2 O5 -V2 O5 -PbO glass which reduces arcing in funnel portion of CRT |
| JPS59146431A (ja) * | 1983-02-10 | 1984-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘツド |
| EP0138580B1 (en) * | 1983-10-12 | 1990-04-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Alloy magnetic recording head |
| JPH0622047B2 (ja) * | 1984-02-15 | 1994-03-23 | 株式会社日立製作所 | 磁気ヘツド |
| FR2576702A1 (fr) * | 1985-01-30 | 1986-08-01 | Pioneer Electronic Corp | Tete magnetique et son procede de production |
| JPS61214110A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-24 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気ヘツド |
| JPS615406A (ja) * | 1985-05-30 | 1986-01-11 | Hitachi Ltd | 複合型磁気ヘツド |
-
1985
- 1985-10-14 JP JP60226786A patent/JPS6288109A/ja active Granted
-
1986
- 1986-10-13 EP EP86307894A patent/EP0221697B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-10-13 DE DE86307894T patent/DE3688646T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1986-10-14 US US06/918,339 patent/US4794483A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5519555A (en) * | 1989-02-23 | 1996-05-21 | Hitachi, Ltd. | Magnetic head including PbO-V2 O5 -P2 O5 system glass bonding |
| US5239434A (en) * | 1990-09-26 | 1993-08-24 | Hitachi, Ltd. | Magnetic head, bonding glass used therefor and magnetic recording and reproducing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0221697A3 (en) | 1988-06-08 |
| EP0221697B1 (en) | 1993-06-30 |
| DE3688646D1 (de) | 1993-08-05 |
| US4794483A (en) | 1988-12-27 |
| DE3688646T2 (de) | 1993-10-07 |
| JPH0462408B2 (ja) | 1992-10-06 |
| EP0221697A2 (en) | 1987-05-13 |
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