JPH0830919A - 磁気ヘッド及びその製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】アモルファス磁性膜を磁気コアに用いた磁気ヘ
ッドにおいて、磁気コア接合時に良好な流動性をもつ接
着用ガラス膜を安定に供給することによって、磁気コア
の接着強度を向上又は改善し、量産性と信頼性の良好な
磁気ヘッドを提供する。 【構成】接着用ガラス膜６によるガラス接着層３が少な
くともＰｂ−Ｔｅ−Ｂの酸化物から構成される。更に、
ガラス接着層３にＳｉが含まれること、及び少なくとも
ギャップ近傍には接合用充填ガラス７，７′によって補
強される。 【効果】本発明によれば、磁気コアにアモルファス磁性
膜を用いた磁気ヘッドの高強度化が図られ、その量産性
と信頼性を向上又は改善できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高性能な磁気記録再生
装置に搭載される磁気ヘッドに係り、特にアモルファス
磁性膜を施した磁気コアをガラスで接合した磁気ヘッド
に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＶＴＲ等の磁気記録再生装置の高
密度記録化を図るために、情報記録媒体の高保持力化と
ともに、磁気ヘッドには従来のフェライトより飽和磁束
密度が２倍程度高いアモルファス磁性膜が磁気コアとし
て使用されるようになった。この磁性膜は結晶化を起こ
すと、磁気特性が著しく劣化し、もはや磁気ヘッドには
使用できなくなる。この磁性膜の結晶化温度は５００〜
５５０℃と低いため、磁気コアのガラス接合はこの結晶
化温度を十分に配慮し、量産では４５０〜４８０℃の範
囲で行うことが一般的である。単なるフェライトヘッド
では磁気コアの接合が７００〜８００℃の範囲で行われ
ることが一般的であり、この温度範囲で良好な流動性を
もつガラスが用いられている。アモルファス磁性膜を磁
気コアに用いた磁気ヘッドでは、フェライトヘッドに採
用されているようなガラスは使用できず、特開昭59−14
6431号，特開昭63−298807号及び特開平3−265539 号記
載の磁気ヘッドのように４５０〜４８０℃の範囲で良好
な流動性をもつ、酸化鉛を非常に多く含むホウ酸塩系ガ
ラスが採用されている。更に、このガラスのその他成分
としてガラスの化学的安定性を向上するために、ＳｉＯ
₂,Ａｌ₂Ｏ₃及びＺｎＯのうち少なくとも一種以上を若干
含有している。このようなガラスは磁気コアに施したア
モルファス磁性膜を結晶化させることなく、磁気コアの
低温ガラス接合が可能である。また、このガラスは特開
昭59−146431号記載のように接着用ガラス膜として、特
開昭63−298807号及び特開平3−265539号 記載のように
バルクの接合用充填ガラスとして使用されている。接着
用ガラス膜として使用される場合には、膜厚を厳密に制
御できることから、スパッタリング法が主に適用されて
いる。更に、このガラスは機械的特性が優れているとは
言えず、磁気ヘッドの高強度化を図るために、上記接着
用ガラス膜と接合用充填ガラスの両方を併用し、磁気コ
アの突合せ部分を有効に利用する場合が多い。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、アモ
ルファス磁性膜を磁気コアに用いた磁気ヘッドにおい
て、酸化鉛を非常に多く含むホウ酸塩系ガラスを接着用
ガラス膜として使用する場合に、その膜組成の安定性に
ついては十分な配慮が施されていなかった。このため、
スパッタ時の膜組成の変動により、加熱時の結晶化や特
性温度の上昇等によって良好な流動性が得られないこと
があった。これによって、磁気コアの接着強度が十分に
得られない場合があり、磁気ヘッドチップの加工や洗浄
等のヘッド作製時に破損することがあった。また、この
ような破損が発生しなくとも磁気ヘッドの信頼性を低下
させる原因の一つとなっていた。すなわち、量産性及び
信頼性が十分に良好な磁気ヘッドが得られていなかっ
た。

【０００４】本発明の目的は、アモルファス磁性膜を磁
気コアに用いた磁気ヘッドにおいて、磁気コア接合時に
良好な流動性をもつ接着用ガラス膜を安定に供給するこ
とによって、磁気コアの接着強度を向上又は改善し、量
産性及び信頼性に優れる高性能な磁気ヘッドを提供する
ことにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、アモルファス磁性膜，非磁性ギャップ形
成膜及び接着用ガラス膜のそれぞれを一対の磁気コアの
少なくとも一方の突合せ面に施し、これらを突合せ、施
した接着用ガラス膜によって接合された磁気ヘッドにお
いて、そのガラス接着層を少なくともＰｂ−Ｔｅ−Ｂの
酸化物から構成されるようにすることを特徴とする。こ
こで、このガラス接着層は更にＳｉを含有することが好
ましい。また、前記磁気ヘッドでは、接着用ガラス膜の
他に、バルクの接合用充填ガラスを少なくともギャップ
部近傍に施すことによって接合されていることが好まし
い。更に、接着用ガラス膜は、磁気コアの突合せ面のう
ちギャップ部には施されないことが望ましい。

【０００６】また、本発明は、アモルファス磁性膜，非
磁性ギャップ形成膜及び接着用ガラス膜のそれぞれを一
対の磁気コアの少なくとも一方の突合せ面に施し、その
一対の磁気コアを突合せ、接着用ガラス膜によって接合
された磁気ヘッドの製法において、接着用ガラス膜が少
なくともＰｂ−Ｔｅ−Ｂからなる酸化物系ガラスのスパ
ッタ用ターゲットを用いてスパッタリング法によって形
成される工程と、その一対の磁気コアを突合せ、アモル
ファス磁性膜の結晶化温度未満で接着用ガラス膜を軟化
流動させることによって接合する工程とを含む磁気ヘッ
ドの製法である。ここで、この接着用ガラス膜のスパッ
タ用ターゲットは更にＳｉを含有することが好ましい。
また、前記磁気ヘッド製法では、磁気コアの接合時に接
着用ガラス膜の他に、少なくともギャップ部近傍にアモ
ルファス磁性膜の結晶化温度未満で軟化流動するバルク
の接合用充填ガラスを用いて接合することが好ましい。
更に、接着用ガラス膜の形成にあたり、磁気コアの突合
せ面のうちギャップ部にマスクを設け、該ギャップ部に
は施されないようにすることが望ましい。

【０００７】

【作用】本発明は、アモルファス磁性膜，非磁性ギャッ
プ形成膜及び接着用ガラス膜のそれぞれを一対の磁気コ
アの少なくとも一方の突合せ面に施し、その一対の磁気
コアを突合せ、施した接着用ガラス膜によって接合され
た磁気ヘッドにおいて、そのガラス接着層が少なくとも
Ｐｂ−Ｔｅ−Ｂの酸化物から構成されることによって、
接着強度の増加を図ることができ、磁気ヘッドの量産性
と信頼性を向上又は改善できる。更に、このガラス接着
層はＳｉを含有することによって、より接着強度や化学
的安定性を高めることができる。また、前記磁気ヘッド
では、接着用ガラス膜の他に、バルクの接合用充填ガラ
スを併用し、その接合用充填ガラスを少なくともギャッ
プ部近傍に施し、接合することによって、更に磁気ヘッ
ドの量産性と信頼性を向上又は改善できる。前記磁気ヘ
ッドがギャップ長の非常に小さい磁気ヘッドの場合に
は、前記接着用ガラス膜を磁気コアの突合せ面のうちギ
ャップ突合せ面に施さないことによって、ギャップ長の
バラツキを抑制し、安定な性能を持った磁気ヘッドが得
られる。この際、ギャップ突合せ面の面積が突合せ面全
体に比べ非常に小さいため、接着強度の劣化に及ぼす影
響はあまりない。また、本発明は、アモルファス磁性
膜，非磁性ギャップ形成膜及び接着用ガラス膜のそれぞ
れを一対の磁気コアの少なくとも一方の突合せ面に施
し、その一対の磁気コアを突合せ、接着用ガラス膜によ
って接合された磁気ヘッドの製法において、接着用ガラ
ス膜が少なくともＰｂ−Ｔｅ−Ｂからなる酸化物系ガラ
スのスパッタ用ターゲットを用いてスパッタリング法に
よって形成される工程と、その一対の磁気コアを突合
せ、アモルファス磁性膜の結晶化温度未満で接着用ガラ
ス膜を軟化流動させることによって接合する工程とを含
むことによって、本発明の磁気ヘッドを作製することで
きる。この製法は、上記スパッタ用ターゲットを用いた
スパッタリング法によって、ガラス接合時に良好な流動
性をもった接着用ガラス膜を安定に供給でき、しかもそ
の膜厚を厳密に制御できることから、しっかりとした磁
気コアのガラス接合が可能となり、ヘッドチップの加
工，洗浄，貼付等の工程における破損を低減できる。ま
た、信頼性が良好な磁気ヘッドが得られる。更に、この
スパッタ用ターゲットにＳｉを含有することによって、
より接着強度や化学的安定の高い接着用ガラス膜を形成
することができる。また、前記磁気ヘッドの製法では、
磁気コアの接合時に接着用ガラス膜の他に、少なくとも
ギャップ部近傍にアモルファス磁性膜の結晶化温度未満
で軟化流動するバルクの接合用充填ガラスも併用して接
合することによって、磁気ヘッドで最も重要な箇所であ
るギャップ部を補強できる。更に、接着用ガラス膜の形
成にあたり、磁気コアの突合せ面のうちギャップ部にマ
スクを設け、そのギャップ部には施さないようにする
と、ギャップ長をより厳密に制御できるようになる。

【０００８】

【実施例】本発明を実施例により説明する。

【０００９】

【表１】

【００１０】表１に磁気ヘッド用として検討に使用した
接着用ガラス膜及び接合用充填ガラスの組成を示す。ガ
ラスＮo.Ａ〜Ｄの接着用ガラス膜はスパッタリング法に
より形成し、表１にはそのスパッタ用ターゲット作製の
ための配合組成を示した。そのターゲットは各ガラス原
料を配合，混合し、大気中８００〜１０００℃で溶融さ
せ、所定の治具に流し込み、徐冷，加工を施すことによ
って円盤状のものを作製した。ガラスＮo.Ｅの接合用充
填ガラスは表１の配合組成によって上記ターゲット作製
法と同様にしてガラスブロックを作製し、それに加工を
施すことによって棒状又は板状形状のものを得た。ガラ
スＮo.Ａ〜Ｅのバルク材及び粉末は450℃前後で良好な
流動性を示し、アモルファス磁性膜を結晶化させること
のない温度で、磁気コアを接合できる可能性があること
を確認した。実施例では接着用ガラス膜としてガラスＮ
o.Ａ又はＮo.Ｂのスパッタ膜，接合用充填ガラスとして
棒状又は板状のガラスＮo.Ｅとの組合せで、比較例では
接着用ガラス膜としてガラスＮo.Ｃ又はＮo.Ｄのスパッ
タ膜，接合用充填ガラスとして棒状又は板状のガラスＮ
o.Ｅとの組合せで、アモルファス磁性膜を磁気コア材と
して使用した代表的な２種類の磁気ヘッドを作製した。
そして、作製した磁気ヘッドは下記，，，の項
目を順番に測定することによって評価した。また、接着
用ガラス膜のスパッタ経過時間による磁気ヘッドへの影
響についても同様に下記〜を測定することによって
調べた。

【００１１】チップ加工不良率 磁気ヘッドチップ３００個の切断チップ加工によって磁
気コアが剥離破壊したチップ数の割合。

【００１２】チップ超音波洗浄不良率 上記チップ加工によって採取できた磁気ヘッドチップ全
数の超音波洗浄（洗浄液中５分間）によって磁気コアが
剥離破壊したチップ数の割合。

【００１３】平均チップ強度 上記超音波洗浄において破壊しなかった磁気ヘッドチッ
プ２０個の荷重破壊試験の平均荷重値。

【００１４】チップ自動貼付不良率 上記荷重破壊試験を行わなかった残りの磁気ヘッドチッ
プ全数の自動機によるヘッドベースへの貼付固定によっ
て磁気コアが剥離破壊したチップ数の割合。

【００１５】（実施例１）本実施例で作製した磁気ヘッ
ドの概略斜視図及び磁気コアの突合せ部の拡大構成図を
図１に示す。ここで、１は飽和磁束密度が９０００ガウ
スのＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒアモルファス磁性膜、２及び２′
はＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライト支持体、３は磁気ギャッ
プ及びガラス接着層、４はアモルファス磁性膜１のＣｒ
保護膜、５及び５′はＳｉＯ₂ ギャップ材、６は接着用
ガラス膜、７及び７′は接合用充填ガラス、８はコイル
巻線窓である。磁気ギャップ及びガラス接着層である３
は、ＳｉＯ₂ ギャップ材５及び５′にはさまれた接着用
ガラス膜６がガラス充填時に軟化流動し、一体化されて
いる。接着用ガラス膜６には表１のガラスＮo.Ａ及びＮ
o.Ｃ、接合用充填ガラス７及び７′には表１のガラスＮ
o.Ｅを用いた。

【００１６】図１の磁気ヘッドの製法は、先ず図２及び
図３に示すように、Ｍｎ−Ｚｎ単結晶フェライト支持体
２及び２′にコイル巻線窓８，ガラス充填溝９及び９′
を設け、コア突合せ面を形成し、Ｃコアブロック（図
２）とＩコアブロック（図３）を作製した。これらのコ
アブロックを十分に洗浄後、Ｃコアブロックには図４に
示すように、コア突合せ面にＡｒ−１０vol％Ｏ₂の雰囲
気でＳｉＯ₂ ギャップ材５を２μｍとその上に接着用ガ
ラス膜６を３０００Åスパッタした。一方、Ｉコアブロ
ックには図５に示すように、コア突合せ面にＡｒ雰囲気
でＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒアモルファス磁性膜１を２μｍとそ
の上にＣｒ保護膜４を１０００Å、及びＡｒ−１０vol
％Ｏ₂の雰囲気でＳｉＯ₂ ギャップ材５′を１μｍスパ
ッタした。ＳｉＯ₂ ギャップ材５及び５′、接着用ガラ
ス膜６のスパッタ雰囲気をＡｒ−１０vol％Ｏ₂とした理
由は、酸素を含有させることによってスパッタ時にこれ
らの材料が還元されることを防止するためである。次
に、スパッタ膜を施した図４及び図５のＣコアブロック
とＩコアブロックを図６に示すように突合せ、ギャップ
上部に棒状の接合用充填ガラス７を設置し、Ｎ₂ 中４６
０℃で接合用充填ガラス７をガラス充填溝９及び９′に
充填するとともに、突合せ面に施した接着用ガラス膜６
を流動させ、ＣコアブロックとＩコアブロックを接合し
た。上記ギャップ上部を研磨することによって、図７に
示すようなコア接合ブロック体を作製し、一点鎖線ａ及
びａ′の幅１４０μｍの間隔で順次切断し、図１で示し
た磁気ヘッドのチップを多数作製した。

【００１７】

【表２】

【００１８】作製した磁気ヘッドの評価結果を表２に示
す。スパッタ経過時間が１時間後のガラスＮo.Ｃのスパ
ッタ膜を用いた場合の比較例では、チップ加工において
300個中４２個が破損し、その不良率が１４％と高かっ
た。また、得られた磁気ヘッドチップのチップ超音波洗
浄においても２５８個中６３個が破損し、その不良率が
２４.４％ と高かった。チップ超音波洗浄で破壊しなか
った磁気ヘッドチップの平均チップ強度は２６.３ｇｆ
と低くかった。更に、チップ自動貼付けでは残りの１７
５個中２８個が破損し、その不良率が１６.０％ と高か
った。このため、最終的には半分近い不良が発生した。
このように、各不良率が高い原因は平均チップ強度から
示唆されるように、ガラスＮo.Ｃのスパッタ膜による磁
気コアの接着強度が低いためである。これについて詳細
に検討した結果、コア接合ブロック体の違いによるロッ
ト間のチップ強度のバラツキが大きく、低強度チップで
は磁気コア接合温度である４６０℃で良好な流動性を持
たなかったスパッタ膜が数多く認められた。この原因を
更に究明した結果、スパッタ時の若干の組成バラツキが
スパッタ膜の流動性に大きく影響し、接着強度を低下さ
せていることが分かった。スパッタ経過時間が９時間後
のガラスＮo.Ｃのスパッタ膜を用いた場合の比較例で
は、チップ加工不良率，チップ超音波洗浄不良率，平均
チップ強度及びチップ自動貼付不良率のすべてが更に悪
化した。このため、最終的には過半数の大不良が発生し
た。このスパッタ経過時間の違いを究明した結果、９時
間後のスパッタ膜では所望のガラス組成からずれ、しか
も上記ロット間の組成バラツキが大きくなっていること
が分かった。このために、長時間使用後のＮo.Ｃターゲ
ットを用いた場合のスパッタ膜では、磁気コア接合温度
で良好な流動性が得られず、磁気コアの接着強度が更に
低下し、不良数が増加した。

【００１９】これに対し、ガラスＮo.Ａのスパッタ膜を
用いた場合の実施例では、スパッタ経過時間が１時間後
及び９時間後においても共にチップ加工不良率，チップ
超音波洗浄不良率，平均チップ強度及びチップ自動貼付
不良率が改善され、更にスパッタ経過時間による悪化も
あまり認められなかった。このため、最終的な不良率は
１０％未満に押さえることができた。これはガラスＮo.
Ａのスパッタ膜では、比較例に比べロット間の組成バラ
ツキがほとんどなく、しかもスパッタ経過時間によるス
パッタ膜組成の変化が少なく、またわずかな組成ずれを
起こしても流動性への影響が小さいことから、安定した
接着層が得られ、磁気コアの接着強度の低下をもたらす
コア接合ブロック体の低減又は撲滅を図れたためであ
る。なお、ガラスＮo.Ａのスパッタ膜により形成された
磁気ヘッドのガラス接着層は、スパッタ用ターゲットと
同様にＰｂ−Ｔｅ−Ｂの酸化物から主に構成されてい
た。すなわち、ガラスＮo.Ａのような組成では長時間に
渡って、接着層として安定したスパッタ膜を供給できる
ことから、量産性はもちろんのこと、信頼性にも優れた
磁気ヘッドが得られる。ただし、磁気コアの突合せ面の
ギャップ部にも接着用ガラス膜が施されていたので、ギ
ャップ長の多少のずれから、ヘッド性能に若干のバラツ
キが発生した。本実施例のようにギャップ長が大きい磁
気ヘッドではそれほど問題とならないが、ギャップ長が
小さい磁気ヘッドではそのギャップ長の制御が難しくな
ることが予想された。そこで、実施例２及び３では磁気
コアの突合せ面のギャップ部には接着用ガラス膜を施さ
ないで、磁気ヘッドを作製し、本実施例と同様に評価し
た。

【００２０】（実施例２）接着用ガラス膜として表１の
ガラスＮo.Ｂ及びＮo.Ｄ、接合用充填ガラスとして表１
のガラスＮo.Ｅを用いて、実施例１と同様に図１の磁気
ヘッドを作製した。ただし、アモルファス磁性膜１には
実施例１で採用したものより飽和磁束密度が１１０００
ガウスと高いが、耐熱温度が低いＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ−Ｔ
ａアモルファス磁性膜を用いたため、磁気コア接合温度
は４５０℃とした。更に、実施例１よりギャップ長の規
制を厳密なものするために、図８に示すように接着用ガ
ラス膜６をスパッタする際にマスク１０を設け、ギャッ
プ突合せ面に接着用ガラス膜６が施されていない状態と
した。このため、本実施例の磁気ヘッドでは、ギャップ
部が接合用充填ガラス７のみで接合された構成となって
いる。

【００２１】

【表３】

【００２２】作製した磁気ヘッドの評価結果を表３に示
す。スパッタ経過時間が１時間後のガラスＮo.Ｄのスパ
ッタ膜を用いた場合の比較例では、実施例１で述べたス
パッタ経過時間が１時間後のガラスＮo.Ｃのスパッタ膜
を用いた場合の比較例とほぼ同様な結果が得られた。す
なわち、チップ加工不良率，チップ超音波洗浄不良率，
平均チップ強度及びチップ自動貼付不良率が共に悪く、
最終的な不良が半数近いものであった。また、これはガ
ラスＮo.Ｃのスパッタ膜と同様に、スパッタ時の若干の
組成バラツキによる磁気コア接合時のスパッタ膜の流動
性悪化が大きな原因となっており、磁気コアの接着強度
を低下させていた。更に、スパッタ経過時間が９時間後
のガラスＮo.Ｄのスパッタ膜を用いた場合の比較例で
も、実施例１で述べたスパッタ経過時間が９時間後のガ
ラスＮo.Ｃのスパッタ膜を用いた場合の比較例とほぼ同
様な結果が得られた。すなわち、スパッタ経過時間の増
加によってチップ加工不良率，チップ超音波洗浄不良
率，平均チップ強度及びチップ自動貼付不良率のすべて
が顕著に悪化し、最終的な不良が半数を超えていた。こ
れに関してもガラスＮo.Ｃのスパッタ膜と同様に、スパ
ッタ経過時間の増加によるガラス組成のずれとコア接合
ブロック体の違いによるロット間の組成バラツキが原因
となっていた。

【００２３】これに対し、ガラスＮo.Ｂのスパッタ膜を
用いた場合の実施例では、実施例１で述べたガラスＮo.
Ａのスパッタ膜を用いた場合の実施例と同様に、スパッ
タ経過時間が１時間後及び９時間後においても共にチッ
プ加工不良率，チップ超音波洗浄不良率，平均チップ強
度及びチップ自動貼付不良率が改善され、更にスパッタ
経過時間による悪化もほとんど認められなかった。この
ため、最終的な不良率は７％未満に押さえることができ
た。これはガラスＮo.Ａのスパッタ膜と同様に、比較例
に比べロット間の組成バラツキがほとんどなく、しかも
スパッタ経過時間によるスパッタ膜組成の変化が少な
く、またわずかな組成ずれを起こしても流動性への影響
が小さいことから、安定した接着層が得られ、磁気コア
の接着強度の低下をもたらすコア接合ブロック体の低減
又は撲滅を図れたためである。なお、ガラスＮo.Ｂのス
パッタ膜により形成された磁気ヘッドのガラス接着層
は、スパッタ用ターゲットと同様にＰｂ−Ｔｅ−Ｂ−Ｓ
ｉの酸化物から主に構成されていた。また、本実施例で
は実施例１とは異なり、磁気コアの突合せ面のギャップ
部には接着用ガラス膜が施されていないが、強度の低下
は見られず、逆にガラスＮo.ＡよりガラスＮo.Ｂのスパ
ッタ膜を用いた場合の方が平均チップ強度や最終的な不
良率は良好であった。すなわち、ガラスＮo.Ｂのような
組成では長時間に渡って、接着層として安定したスパッ
タ膜を供給できることから、量産性はもちろんのこと、
信頼性にも優れた磁気ヘッドが得られる。更に、本実施
例ではギャップ長のバラツキが少なく、ヘッド性能も良
好であった。

【００２４】（実施例３）本実施例で作製した磁気ヘッ
ドの概略斜視図及び磁気コアの突合せ部の拡大構成図を
図９に示す。なお、突合せ部の拡大構成図は突合せ面が
ヘッド側面に露出していないため、図１で示した磁気ヘ
ッドのようには観察できない。ここで、１及び１′は飽
和磁束密度が１１０００ガウスのＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ−Ｔ
ａアモルファス磁性膜、２及び２′はＭｎ−Ｚｎ単結晶
フェライト支持体、３は磁気ギャップ、４及び４′はア
モルファス磁性膜１のＣｒ保護膜、５及び５′はＳｉＯ
₂ ギャップ材、６は接着用ガラス膜、７及び７′は接合
用充填ガラス、８はコイル巻線窓である。接着用ガラス
膜６には表１のガラスＮo.Ｂ及びＮo.Ｄ、接合用充填ガ
ラス７及び７′には表１のガラスＮo.Ｅを用いた。

【００２５】図９の磁気ヘッドの製法は、先ず図１０に
示すように、Ｍｎ−Ｚｎ単結晶フェライト支持体２にコ
イル巻線窓８，ガラス充填溝９を設け、コア突合せ面を
形成した。これを十分に洗浄後、図１１に示すように、
コア突合せ面にＡｒ雰囲気でＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒアモルフ
ァス磁性膜１を２５μｍとその上にＣｒ保護膜４を１０
００Åスパッタし、板状の接合用充填ガラス７を用い
て、Ｎ₂ 中４５０℃でその接合用充填ガラス７をガラス
充填溝９に充填した。次に、図１２に示すように、不要
な接合用充填ガラス７とアモルファス磁性膜１を研磨，
除去することによって、コイル巻線窓８と所要のトラッ
ク幅ｔ（ｔ＝３０μｍ）をコア突合せ面に形成し、一点
鎖線ｂで示す位置で切断し、一対の磁気コアブロック
（Ｃコアブロック，Ｉコアブロック）を作製した。これ
らのコアブロックを十分に洗浄後、コア突合せ面にＡｒ
−１０vol％Ｏ₂の雰囲気でＳｉＯ₂ ギャップ材５をそれ
ぞれ１２００Åずつスパッタし、更にＣコアブロックの
突合せ面には図８のようにして、ギャップ部以外にＡｒ
−１０vol％Ｏ₂の雰囲気で接着用ガラス膜６を６００Å
スパッタした。その際、接着用ガラス膜６の形成には５
時間使用したスパッタ用ターゲットを用いた。ＳｉＯ₂
ギャップ材５及び５′、接着用ガラス膜６のスパッタ雰
囲気をＡｒ−１０vol％Ｏ₂とした理由は、酸素を含有さ
せることによってスパッタ時にこれらの材料が還元され
ることを防止するためである。そして、スパッタ膜を施
したＣコアブロックとＩコアブロックを図１３に示すよ
うに突合せ、Ｎ₂ 中４５０℃で接合した。次に、一点鎖
線ｃ及びｃ′の幅１２０μｍの間隔で順次切断し、図９
で示した磁気ヘッドのチップを多数作製した。

【００２６】

【表４】

【００２７】作製した磁気ヘッドの評価結果を表４に示
す。ガラスＮo.Ｄのスパッタ膜を用いた場合の比較例で
は、実施例１及び２で検討した比較例に比べ、チップ加
工不良率，チップ超音波洗浄不良率及びチップ自動貼付
不良率が共に著しく減少し、しかも平均チップ強度が顕
著に増加した。これは検討に用いた磁気ヘッドの構造の
違いに原因がある。実施例１及び２では、図１の磁気ヘ
ッドに示すように磁気コアの突合せ面のほとんどが接着
用ガラス膜によって接合されているのに対し、本実施例
で用いた図９の磁気ヘッドでは、接着用ガラス膜よりは
接合用充填ガラスが主流となって磁気コアを接合してい
る。すなわち、図９の磁気ヘッドでは、接着用ガラス膜
は補佐的な役目を果たしている。接合用充填ガラスは棒
状や板状のバルクとして使用されることから、スパッタ
リング法によって得られるような接着用ガラス膜とは異
なり、組成の変化による流動性の悪化がほとんどなく、
磁気コアを安定に接合できる。このため、磁気ヘッドの
幅を小さくしたにもかかわらず（１４０μｍ→１２０μ
ｍ）、良好な接合強度が得られ、最終的な不良率が約１
１％となった。しかし、本実施例では、ガラスＮo.Ｂの
スパッタ膜を用いて同じ磁気ヘッドを作製した結果、上
記比較例と接合用充填ガラスが同じものを使用している
にもかかわらず、チップ加工不良率，チップ超音波洗浄
不良率，平均チップ強度及びチップ自動貼付不良率のす
べてに対し優れており、最終的な不良率を比較例の約１
／３にまで低減できた。これは実施例２でも述べたよう
に、ガラスＮo.Ｂのような組成では、磁気コア接合温度
４５０℃において軟化流動性の良好なスパッタ膜を安定
して供給できることから、磁気コア突合せ面の接着強度
の劣化がない磁気ヘッドを高歩留まりで作製できるため
である。なお、本実施例の磁気ヘッドにおいても、実施
例２と同様にそのガラス接着層はＰｂ−Ｔｅ−Ｂ−Ｓｉ
の酸化物から主に構成されていた。すなわち、アモルフ
ァス磁性膜を用いた磁気ヘッドの量産性と信頼性を向上
できる。また、本実施例では、実施例２と同様に、磁気
コアの突合せ面の磁気ギャップ部には接着用ガラス膜を
設けなかったために、狭ギャップであるにもかかわら
ず、ギャップ長のバラツキが少なく、ヘッド性能も良好
であった。

【００２８】

【発明の効果】本発明によれば、磁気コアにアモルファ
ス磁性膜を用いた磁気ヘッドの量産性と信頼性を向上又
は改善できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】磁気コアにアモルファス磁性膜を用いた代表的
な磁気ヘッド及び磁気コアの突合せ部の模式図。

【図２】図１の磁気ヘッドの製法における各工程の説明
図。

【図３】図１の磁気ヘッドの製法における各工程の説明
図。

【図４】図１の磁気ヘッドの製法における各工程の説明
図。

【図５】図１の磁気ヘッドの製法における各工程の説明
図。

【図６】図１の磁気ヘッドの製法における各工程の説明
図。

【図７】図１の磁気ヘッドの製法における各工程の説明
図。

【図８】図１の磁気ヘッドの製法における各工程の説明
図。

【図９】磁気コアにアモルファス磁性膜を用いた代表的
な磁気ヘッド及び磁気コアの突合せ部の模式図。

【図１０】図９の磁気ヘッドの製法における各工程の説
明図。

【図１１】図９の磁気ヘッドの製法における各工程の説
明図。

【図１２】図９の磁気ヘッドの製法における各工程の説
明図。

【図１３】図９の磁気ヘッドの製法における各工程の説
明図。

【符号の説明】

１及び１′…アモルファス磁性膜、２及び２′…支持
体、３…磁気ギャップ及びガラス接着層、４及び４′…
保護膜、５及び５′…ギャップ材、６…接着用ガラス
膜、７及び７′…接合用充填ガラス、８…コイル巻線
窓、９及び９′…ガラス充填溝、１０…マスク。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 研 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 郡司 秀樹 茨城県勝田市大字稲田1410番地 株式会社 日立製作所ＡＶ機器事業部内 (72)発明者 笹嶋 崇三 茨城県勝田市大字稲田1410番地 株式会社 日立製作所ＡＶ機器事業部内 (72)発明者 熊坂 登行 茨城県勝田市大字稲田1410番地 株式会社 日立製作所ＡＶ機器事業部内

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】アモルファス磁性膜，非磁性ギャップ形成
   膜及び接着用ガラス膜のそれぞれを一対の磁気コアの少
   なくとも一方の突合せ面に施し、該一対の磁気コアを突
   合せ、該接着用ガラス膜によって接合された磁気ヘッド
   において、該突合せ面のガラス接着層が少なくともＰｂ
   −Ｔｅ−Ｂの酸化物から構成されることを特徴とする磁
   気ヘッド。
2. 【請求項２】請求項１記載の磁気ヘッドにおいて、前記
   ガラス接着層が更にＳｉを含有することを特徴とする磁
   気ヘッド。
3. 【請求項３】請求項１あるいは２記載の磁気ヘッドにお
   いて、前記接着用ガラス膜の他に、バルクの接合用充填
   ガラスを少なくともギャップ部近傍に施すことによって
   接合してなることを特徴とする磁気ヘッド。
4. 【請求項４】請求項３記載の磁気ヘッドにおいて、前記
   接着用ガラス膜が前記磁気コアの突合せ面のうちギャッ
   プ部には施されていないことを特徴とする磁気ヘッド。
5. 【請求項５】アモルファス磁性膜，非磁性ギャップ形成
   膜及び接着用ガラス膜のそれぞれを一対の磁気コアの少
   なくとも一方の突合せ面に施し、該一対の磁気コアを突
   合せ、該接着用ガラス膜によって接合された磁気ヘッド
   の製法において、該接着用ガラス膜が少なくともＰｂ−
   Ｔｅ−Ｂからなる酸化物系ガラスのスパッタ用ターゲッ
   トを用いてスパッタリング法によって形成される工程
   と、該一対の磁気コアを突合せ、該アモルファス磁性膜
   の結晶化温度未満で該接着用ガラス膜を軟化流動させる
   ことによって接合する工程とを含むことを特徴とする磁
   気ヘッドの製法。
6. 【請求項６】請求項５記載の磁気ヘッドの製法におい
   て、前記接着用ガラス膜のスパッタ用ターゲットが更に
   Ｓｉを含有することを特徴とする磁気ヘッドの製法。
7. 【請求項７】請求項５あるいは６記載の磁気ヘッドの製
   法において、前記磁気コアの接合時に前記接着用ガラス
   膜の他に、少なくともギャップ部近傍に前記アモルファ
   ス磁性膜の結晶化温度未満で軟化流動するバルクの接合
   用充填ガラスを用いて接合することを特徴とする磁気ヘ
   ッドの製法。
8. 【請求項８】請求項７記載の磁気ヘッドにおいて、前記
   接着用ガラス膜の形成にあたり、前記磁気コアの突合せ
   面のうちギャップ部にマスクを設け、該ギャップ部には
   施されないようにすることを特徴とする磁気ヘッドの製
   法。