JPH04132634A - 磁気ヘツド並びにその接合ガラス及び磁気記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気記録再生装置に搭載される磁気ヘッドに
係り、特に量産性、耐摩耗性、耐傷付き性、耐候性及び
磁気特性に優れた磁気ヘッド並びにその接合ガラス、及
びそれを搭載する磁気記録再生装置に関する。

〔従来の技術〕

＝３ 従来の磁気ヘッドにおいては、磁気コアにフェライト単
体、非磁性ギャップ材に主としてＳｉｎ、、及び磁気コ
アの接合に接合温度が７００〜８００℃の範囲にある５
ｉＯｚ　　Ｂ２Ｏ３系ガラスやＳ　ｉ　Ｏ２−ｐｂｏ系
ガラス等がそれぞれ使用されていた。

近年、ＶＴＲ等の磁気記録再生装置の高密度記録化を図
るために、情報記録媒体の高保磁力化、記録再生周波数
の広帯域化、記録テープやディスクの高速化等が要求さ
れるようになり、従来の磁気ヘッドではこれらの要求を
満たすことが困難となってきている。このため、磁気コ
アにフェライトより飽和磁束密度が高いＣＯ系非晶質合
金、センダスト系合金、Ｆｅ−Ｃ系材料等の磁性膜が使
用又は注目されるようになった。これらの磁性膜の飽和
磁束密度は５ｏｏｏガウス以上で、フエライ１〜の４０
００〜５０００ガウスに比べ非常に高し１ので、このよ
うな磁性膜を用いた磁気ヘッドを用０れば従来の磁気ヘ
ッドより著しい高密度記録化を期待することができる。

しカル、これらの磁性膜はフェライトより耐熱温度が低
いという性質があす、従来の磁気ヘッドに適用していた
接合温度７００〜８００℃のガラスはもはや使用するこ
とはできない。そのため、低温ガラス接合が可能なＰｂ
Ｏ−Ｂ２Ｏ３系ガラスが使用されている。また、非磁性
ギャップ材には、この系のガラスとのある程度の反応を
予想して、従来通りＳ　ｉ　Ｏｚが用いられている。

しかし、ｐｂｏ−Ｂｚ○３系ガラスは、従来の磁気ヘッ
ドに使用していたガラスより、耐水性や耐湿性等の化学
的安定性、及び硬度や強度等の機械的性質が著しく劣る
ため、磁気ヘッドの製造歩留まりが低いという問題があ
った。また、記録テープなどを走行させたときに、磁気
ヘッドのガラス接合部が摩耗しやすく、しかも傷付きや
すいという問題もあった。これらの問題は、情報記録媒
体を蒸着法やスパッタリング法によって形成した記録テ
ープ等を走行させた場合、及び湿度が高い状態で記録テ
ープを走行させた場合に、より顕著に現われる。その上
、Ｐｂ０−Ｂ、Ｏ，系ガラスは、ガラス接合時に磁性膜
を侵食しやすいために、期待通リの磁気特性を有する磁
気ヘッドが得られにくいという問題もあった。このよう
な問題を解決するために、特開昭６２−７８１２８号及
び特開昭６２−８８１０９号公報に記載されたガラス組
成物及び磁気ヘッドが提案された。これらの公報には、
従来のｐｂ○−Ｂ２０２系ガラスより化学的安定性や機
械的性質に優れているＶ　ｚ　Ｏｓ　　Ｐ　ｚ　Ｏｓ　
　Ｓ　ｂ　ｚ○３系ガラス、及びこのガラスを用いて信
頼性を向上させた高性能磁気ヘッドについて記載されて
いる。なお、この磁気ヘッドの接合ガラスは、適正な熱
膨張係数と接合温度、耐水性の改善、結晶化防止等を考
慮し、好ましい組成範囲を重量％でｖ２０．を５５〜７
０、Ｐ、Ｏ，を１７〜２５．Ｓｂ、０３を３〜２０゜ｐ
ｂ○をＯ〜２０．Ｔｌ２ＯをＯ〜１５．及びＮ　ｂ　ｚ
　Ｏｓ　を０〜５としている。また、さらに好ましい接
合ガラスの組成範囲を重量％でＶ　２０　ｓを５５−６
５．Ｐｚ０６を１８〜２２，５ｂ２０３を５〜１２、Ｐ
ｂＯを３〜１ｏ、Ｔｌａ○を３〜１０及びＮ　ｂ　ｘ　
Ｏｓを０．５〜２としている。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来技術は、磁気ヘッドのガラス接合時に発生する
気泡、及び接合ガラスと非磁性ギャップ材との反応性に
ついては配慮されていなかった。

このため、上記従来技術による好ましい組成範囲（７）
　Ｖ　２０５Ｐ　ｚ　Ｏｓ　　Ｓ　ｂ　２０　ｓ系ガラ
ステハガラス接合時に気泡が多数発生し、気泡が磁気ヘ
ッドの摺動面に存在すると、記録テープ等を走行させた
ときに、その気泡に記録媒の微粉体がつまり、磁気ヘッ
ドの性能が劣化するという問題が発生する。

また、Ｖ　ｚ　Ｏｓ　　Ｐ　ｚ　Ｏｓ　　Ｓ　ｂ　ｚ　
Ｏａ系ガラステは、非磁性ギャップ材として使用されて
いるＳｉｏ２との反応性が乏しい。このため、接合ガラ
スと非磁性ギャップ材とが反応して一対の磁気コアとし
て一体化するタイプの磁気ヘッドでは、非磁性ギャップ
材にＳｉ○、を使用している限り、しっかりとしたガラ
ス接合はあまり期待することはできない。

本発明の目的は、量産性、耐摩耗性、耐傷付き性、耐候
性及び磁気特性に優れた磁気ヘッド及び接合ガラスを提
供することにある。

また、前記磁気ヘッドを用いることによって、高信頼性
・高性能磁気記録再生装置を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するために、本発明は、支持体に形成さ
れた高飽和磁束密度の磁性膜からなる一対の磁気コアを
非磁性ギャップ材を介して互いに突き合わせ、ガラスで
接合した構造の磁気ヘッドにおいて、接合ガラスが、バ
ナジウム元素を主要構成元素とする酸化物系ガラスであ
り、含有されるバナジウム元素のうち、５５％以上が４
価のバナジウムである酸化物系ガラスを用いたものであ
る。ここで、前記接合ガラスはバナジウム元素と酸素元
素のほかに少なくともリン元素とアンチモン元素を含む
組織であることが好ましい。さらに、前記接合ガラスは
構成元素として鉛、テルル、バリウム、タリウム及び砒
素の元素のうちの一種を含むことが好ましい。また、前
記磁気ヘッドにおいて、前記非磁性ギャップ材に少なく
ともバナジウム元素を含む複合酸化物又は酸化物混合体
を用いるとよい。ここで、前記非磁性ギャップ材は更に
少なくともリン元素を含むことが好ましい。更に、前記
非磁性ギャップ材は少なくともアンチモン、鉛、テルル
、バリウム、タリウム及び砒素の元素のうちの一種を含
むことが望ましい。

前記磁気ヘッドでは、前記磁性膜は１０００エルステッ
ド以上の高保磁力記録媒体に対応できるように、８００
０ガウス以上の飽和磁束密度を有することが望ましく、
その具体例としてＣＯ系非晶質合金、センダスト系合金
、Ｆｅ−Ｃ系材料等が挙げられる。また、これらの磁性
膜は非磁性材を介して多層化させた方が良い。

また前記磁気ヘッドでは、前期支持体は記録媒体または
その保護材による摩耗を抑制するために、６００以上の
マイクロビッカース硬さＨｖを有することが望ましく、
更に高周波領域における雑音を抑制するために、この支
持体は非磁性セラミックスであることが好ましい。

また、本発明は、バナジウム元素を主要構成元素とする
酸化物系ガラスであって、このガラスに含有されるバナ
ジウム元素のうち、４価のバナジラム量を５５％以上に
制御した磁気ヘッド用接合ガラスである。この接合ガラ
スの代表的な組成は、バナジウム元素と酸素元素のほか
に少なくともリン元素とアンチモン元素とを含み、これ
らの含有率がＰ２Ｏ５、ＰｚＯｓ及び５ｂ２０３に換算
して、Ｖ、０５１００重量部に対し、Ｐ２Ｏ５が３５−
７５重量部及び５ｂｚＯ３が４０〜８０重量部の範囲に
あるガラスである。更に、構成元素として少なくとも鉛
、テルルまたはバリウムの元素のうちの一種を含むこと
が好ましく、その含有量はＰｂＯ１Ｔｅ○、及びＢａＯ
に換算して、ＶｚＯｓ１００重量部に対し、合計で５５
重量部以下である。さらに好ましくは、８〜３８重量部
である。なお、これ１らが含まれていなくても問題はな
い。また、更に構成元素として少なくともタリウム及び
砒素の元素のうちの一種を含むことが好ましく、その含
有率は’ｒｘｚｏ及びＡ　Ｅ；　ｚ　Ｏｚに換算して、
合計で３０重量部以下である。さらに好ましくは、８〜
１６重量部である。なお、これらが含まれていなくても
問題はない。なお、本発明の磁気ヘッド用接合ガラスは
、磁気ヘッドばかりではなく、他の電子部品等の低温ガ
ラス接合にも有効に使用することができる。

また、本発明は、支持体に形成した高飽和磁束密度の磁
性膜からなる一対の磁気コアを非磁性ギャップ材を介し
て対向させ、これを一体化するために、バナジウム元素
を主要構成元素とし、含有されるバナジウム元素のうち
の４価のバナジウム量が５５％以上である酸化物系ガラ
スを備えた磁気ヘッドと、該磁気ヘッドの駆動部と、磁
気ヘッドによる情報記録媒体との間の情報処理を行う制
御部とを備えた磁気記録再生装置である。この磁気記録
再生装置は、本発明の磁気ヘッドを使用するために、蒸
着法又はスパッタリング法によって形成された１０００
エルステッド以上の高保磁力記録媒体にも十分に対応で
き、しかも前記磁気ヘッドが前記情報記録媒体又はその
保護材と５．８ｍ／ｓｅｅ以上の相対速度が接触し、磁
気ヘッドの著しい摩耗は認められず、安心して使用でき
るものである。従って、本発明の磁気ヘッドを搭載した
ＶＴＲ等の磁気記録再生装置は、性能及び信頼性の向上
を図ることができる。また、本発明の磁気ヘッドは磁気
ディスクを用いる磁気記録再生装置などにも有効に用い
ることができる。

［作用〕 一般に、バナジウム元素を主要構成元素とする酸化物系
ガラスは水分子等が容易に入り込める層状構造を持ち、
その層状構造は５価のバナジウム元素によって形成され
ると考えられている。このような構造を持つバナジウム
元素を主要構成元素とする酸化物系ガラスは、ガラス接
合時に多数の気泡を発生する。この原因を究明したとこ
ろ、上記構造の眉間に取り込まれた水分子等がガラス接
合時に気化するためであると考えられた。そこで、気泡
の低減を図るために、ガラス組成及び添加物がガラス構
造に与える影響を調べた。その結果、５価のバナジウム
を還元することによって得られた４価のバナジウムの生
成割合が多いほど、気泡の発生量が少なくなることを見
出した。そのガラス構造を分析した結果、４価のバナジ
ウムの生成・１２− 割合が多いほど、水分子等が入り込みにくい三次元網目
構造へと変化することが考えられた。

上記接合ガラスは化学的安定性及び機械的性質に優れ、
しかもガラス接合時に磁性膜を侵食しにくいという特長
もあるので、量産性、耐摩耗性、耐傷付き性、耐候性及
び磁気特性に優れた磁気ヘッドが得られる。しかし、４
価のバナジウムの生成割合が５５％未満であると、ガラ
ス接合部には気泡が発生し、その発生量は４価のバナジ
ウムの生成割合が低いほど多い。すなわち４価のバナジ
ウムの生成割合が５５％未満であると、信頼性が高い磁
気ヘッドを高い歩留まりで製造することは難しい。

リン元素もアンチモン元素と同様に、５価のバナジウム
を還元し、４価のバナジウムへ変化させるが、これらの
含有率はＶ　ｘ　Ｏ５、Ｐ　ｚ　Ｏｓ及び５ｂ２０＋Ｉ
に換算して、ｖ２０．が１００重量部に対し、Ｐ　ｚ　
Ｏｓが３５−７５重量部及びｓｂ、ｏ、が４０−８０重
量部の範囲であることが適している。

Ｐ　ｘ　Ｏｓが３５重量部未満又はＳｂｚ○３が８０重
量部を越えると、ガラス接合部での結晶化傾向が顕著と
なり、良好な接着強度が得られず、しかも気泡に類似し
た空隙部が残留する。更に、ｓｂ、ｏ３が８０重量部を
越える場合では、４価のバナジウムの生成割合が約１０
０％となり、５価のバナジウムへの還元作用が著しく低
下する。一方、Ｐ　ｚ　Ｏｓが７５重量部を越えると、
耐水性が劣化し、しかも接合温度が高くなりすぎる。ま
た、５ｂｚＯ３が４０重量部未満であると、４価のバナ
ジウムの生成割合が５５％未満となったり、または耐水
性が劣化したりする。更に、構成元素として少なくとも
鉛、テルル、バリウム、タリウムまたは砒素の元素のう
ちの一種を含むことが好ましい。これらの元素のうち、
ガラス化安定性の向上には鉛、テルル及びバリウムの元
素、化学的安定性の向上には鉛、バリウム及び砒素の元
素、熱膨張係数の制御には鉛、テルル及びタリウムの元
素、接合温度の低温化にはテルル、タリウム及び砒素の
元素が有効である。また、砒素及びタリウムの元素はア
ンチモン元素と同様に、５価のバナジウムを還元し、４
価のバナジウムへ変化させる働きもある。

これらの元素の含有率は鉛、テルルまたはバリウムの元
素のうちの一種以上を含む場合には、ｐｂ○、Ｔ　ｅ　
Ｏ２及びＢａＯに換算して、ＶｘＯｖ１００重量部に対
し、合計で５５重量部以下、更にその他の元素のうちの
一種以上を含む場合には、Ｔｌ２Ｏ及びＡ　ｓ　ｚ　Ｏ
３に換算して、合計で３０重量部以下であることが適し
ている。

ｐｂ○、Ｔ　ｅ　Ｏｘ及びＢａＯのうちの一種以上の合
計が５５重量部を超えると、ガラスがもろくなったり、
又は接合温度が高くなりすぎたりする。８重量部以上あ
ると好ましいが、それ以下であっても問題はない。また
、Ｔｌ２Ｏ及びＡ　ｓ　ｘ　Ｏ＝のうちの一種以上の合
計が３０重量部を超えると、結晶化傾向が大きくなりす
ぎ、良好な接着力が得られない。６重量以下であれば好
ましいが、それ以下であっても問題はない。

上記接合ガラスは、高信頼性・高性能磁気ヘッドに有効
に用いられるものであるが、磁気ヘッド以外の分野にお
ける低温ガラス接合にも十分使用が可能である。例えば
、セラミックスや金属の焼結助剤、コーティング剤、接
着剤等に利用価値が大きい。

更に、前記磁気ヘッドにおいて、前記非磁性ギャップ材
を少なくともバナジウム元素を含む複合酸化物又は酸化
物混合体とすることによって、前記接合ガラスとの反応
性が向上し、ガラス接合部の強度の向上または改善を図
ることができる。この非磁性ギャップ材は更に少なくと
もリン元素を含ムことによって、より反応性を向上でき
る。更に少なくともアンチモン、鉛、テルル、バリウム
、タリウムまたは砒素の元素のうちの一種を含むことに
よって、前記した以上に反応性を向上でき、しかも非磁
性ギャップ材の化学的安定性をも向上できる。前記元素
を含む非磁性ギャップ材は、具体的には例えば従来から
非磁性ギャップ材として使用されているＳｉＯ□と前記
元素の酸化物との複合酸化物又は酸化物混合体である。

ただしＳ　ｉ　Ｏｘにこだねる必要はなく、信頼性があ
るギャップ規制ができればどんな物質でもよい。すなわ
ち、５　ｉ　ＯＺ並み又はそれ以上の融点と硬度を持つ
物質であれば使用可能であり、例えば、Ｓ１０．の他に
Ａ１ｚＯ２やＺｒ０ｚ等が挙げられる。

本発明の磁気ヘッドには、上記接合ガラスを用いるので
、高飽和磁束密度の磁性膜としてＣｏ系非晶質合金、セ
ンダスト系合金又はＦｅ−Ｃ系材料等が有効に使用でき
る。これらの磁性膜は、フェライトより熱的安定性が劣
るが、飽和磁束密度が８０００ガウス以上と著しく高い
ために、メタルテープや蒸着テープ等に使用される１０
００エルステッド以上の高保磁力記録媒体に対応でき、
磁気ヘッドの高性能化を図ることができる。また、前記
磁性膜は非磁性膜を介して多層化することによって、磁
気ヘッドの性能を更に向上できる。

本発明の磁気ヘッドには、前記磁性膜を形成する支持体
として、熱膨張係数が磁性膜に近く、マイクロビッカー
ス硬さＨｖが６００以上の材料を使用するために、記録
テープやディスクを走行させたときの摩耗量が少ない。

また、記録テープやディスクの高速化にも対応できる。

更に、好ましくは非磁性セラミックスであることが望ま
れる。支持体が非磁性であると、フェライトのように高
周波領域において摺動雑音を発生することはなく、広帯
域において良好な記録再生特性を示す磁気ヘッドが得ら
れる。

したがって、本発明の磁気ヘッドは、蒸着法又はスパッ
タリング法によって形成さ九た１０００エルステッド以
上の高保磁力記録媒体にも十分な記録ができ、しかも前
記情報記録媒体又はその保護材と接触し、その相対速度
を大きくしても長時間の使用に耐え、また高周波領域に
おける記録再生も可能であることから、ＶＴＲ等の磁気
記録再生装置の性能及び信頼性を著しく向上することが
できる。

現在のＶＨ８−ＶＴＲは塗布型の酸化鉄テープを使用し
、磁気ヘッドとテープとの相対速度が５　、８　ｍ／ｓ
ｅｃである。また、Ｈｉ８−ＶＴＲは高保磁力蒸着テー
プを使用し、その相対速度が３．８ｍ／ｓｅｃである。

蒸着テープは酸化鉄テープより保磁力が高いため高密度
記録化には有利であるが、磁気ヘッドを摩耗させやすい
。また、磁気ヘッドと記録テープの相対速度が大きくて
も、高密度記録化に有利であるが、やはり磁気ヘッドの
摩耗が大きい。将来、ＶＴＲ等の磁気記録再生装置は高
密度記録化を図るために、上記相対速度の高速化、及び
情報記録媒体の高保磁力化は必須である。更に、記録再
生周波数の広帯域化も必要である。本発明の磁気ヘッド
及びこれを搭載した磁気記録再生装置は、このような状
況に十分に対応することができる。

〔実施例〕

本発明を実施例により説明する。

第１図〜第３図に代表的な磁気ヘッドの斜視図を示す。

磁気ヘッドにおいて、高飽和磁束密度の磁性膜１．１′
とは支持体２．２′上に形成され、磁性膜は接合ガラス
が磁性膜を侵食しないようにするための反応防止膜４．
４′を介して接合ガラス３．３′で接合される。ギャッ
プ突き合わせ部５で、非磁性ギャップ材及びコイル巻線
窓を介し、作動ギャップを形成している。

第１図及び第２図の磁気ヘッドにおける磁性膜１．１′
は磁気ヘッドの性能をより向上させるために、第４図及
び第５図に示すように非磁性膜７．８．９．７′、８′
、９′を介し、多層化させた方がよい。

次に、上記３種類の磁気ヘッドの製造方法について説明
する。第１図の磁気ヘッドでは、まず第６図に示すよう
に、支持体２にコイル巻線窓用の溝１０とトラック溝１
１を設け、ギャップ突き合わせ面を形成する。これを十
分に洗浄後、第７図に示すように、ギャップ突き合わせ
面に磁性膜１とその反応防止膜４をスパッタし、この磁
性膜の耐熱温度以下でトラック溝１１に接合ガラス３を
充填する。なお、この磁性膜は第４図で示したように、
単層ではなく、非磁性膜を介し多層化した方がよい。次
に、第８図に示すように、不要なガラスと磁性膜を研磨
し除去することによって、コイル巻線窓用の溝１０と所
要のトラック＠ｔをギャップ突き合わせ面に形成し、−
直鎖、ｍＡで切断し、一対の磁気コアブロック１２．１
３を製造する。これらの磁気コアブロックを十分に洗浄
後、ギャップ突き合わせ面にそれぞれ非磁性ギャップ材
１４を所定量スパッタし、第９図に示すように突き合わ
せ、磁性膜の耐熱温度以下で接合する。次に、−点鎖線
Ｂ及びＢ′で順次切断することによって、第１図で示し
た磁気ヘッドを製造する。

第２図の磁気ヘッドの製造方法は、まず第１０図に示す
ように、支持体２にコイル巻＃Ｉ窓用の溝１０とトラッ
ク溝１１を設け、ギャップ突き合わせ面を形成する。こ
れを十分に洗浄後、第１１図に示すように、ギャップ突
き合わせ面に磁性膜１とその反応防止膜４をスパッタす
る。なお、磁性膜は第５図で示したように、単層ではな
く、多層化した方がよい。次に、第１２図に示すように
、不要な磁性膜を研磨し、更にトラック溝１１′　　を
設ける。

これを十分に洗浄後、第１３図に示すように、磁性膜の
耐熱温度以下でトラック溝１１と１１′　に接合ガラス
３を充填する。なお、ガラス充填前にさらに反応防止膜
をスパッタしてもよい。そして、第１４図に示すように
、不要なガラスと磁性膜を研磨及び除去することによっ
て、コイル巻線窓用の溝１０と所要のトラック幅ｔをギ
ャップ突き合わせ面に形成し、−点鎖線Ａで切断し、一
対の磁気コアブロック１２．１３を製造する。これらの
磁気コアブロックを十分に洗浄後、ギャップ突き合わせ
面にそれぞれ非磁性ギャップ材１４を所定量スパッタし
、第１５図に示すように突き合わせ、磁性膜の耐熱温度
以下で接合する。次に、−点鎖線Ｂ及びＢ′で順次切断
することによって、第２図で示した磁気ヘッドを製造す
る。この磁気ヘッドでは、第１図で示した磁気ヘッドよ
り磁性膜を厚くすることができ、しかもトラック中耳を
小さくすることができるので、磁気特性のより優れた磁
気ヘッドを得ることが可能である。

第３図の磁気ヘッドの製造方法は、まず第１６図に示す
ように、コイル巻線窓用の溝１０を設けた支持体２のギ
ャップ突き合わせ面に磁性膜１を所定量スパッタする。

なお、スパッタする支持体のギャップ突き合わせ面は、
疑似ギャップとして作動しないように、わざと荒らして
おく必要がある。

次に、第１７図に示すように、ギャップ突き合わせ面に
形成した磁性膜１の凹凸を平面研削し、更に所要のトラ
ック＠ｔが得られるようにトラック溝１１を設け、−点
鎖線Ａで切断し、一対の磁気コアブロック１２．１３を
製造する。これらの磁気コアブロックを十分に洗浄後、
ギャップ突き合わせ面にそれぞれ非磁性ギャップ材１４
を所定量スパッタし、第１８図に示すように突き合わせ
、棒状の接合ガラス３を磁性膜の耐熱温度以下でトラッ
ク溝１１と１１′　に流し込むことによって接合する。

そして、第１図及び第２図の磁気ヘッドにおける製造方
法と同様に順次切断することによって、第３図で示した
磁気ヘッドを製造する。この磁気ヘッドは第１図及び第
２図で示した磁気ヘッドより磁気特性が劣るが、製造方
法が簡単であり、量産性に優れている。

２４一 実施例に用いた磁性膜を第１表に示す。また、比較のた
めに、ＶＴＲ等の磁気ヘッドによく用いられる、高飽和
磁束密度の単結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライトも合わせて示す
。この表かられかるように、Ｃｏ系非晶質合金、センダ
ス１へ系合金及びＦｅ−Ｃ系材料の飽和磁束密度はフェ
ライトのそれより著しく高い。このため、磁気ヘッドの
ガラス接合時に接合ガラスが磁性膜を侵食しなければ、
磁気ヘッドの高性能化に与える効果は多大である。更に
、磁気ヘッドのガラス接合温度が、磁性膜の耐熱温度よ
り高いと、その磁気特性が劣化するため、ガラス接合は
その耐熱温度以下で行う必要がある。

第２表 実施例に用いた支持体を第２表に示す。支持体は磁気ヘ
ッドの耐摩耗性の点でマイクロビッカース硬さＨｖが少
なくとも６００は必要である。更に、支持体は磁性膜の
熱膨張係数にある程度台わせる必要があったので、実施
例では第１表に示した磁性膜Ａには第２表のａ−ｃの支
持体、磁性膜Ｂにはｅとｆの支持体、及び磁性膜Ｃには
Ｃとｄの支持体を用いた。

次に、本発明の磁気ヘッド用接合ガラスについて説明す
る。検討したガラスの組成と特性を第３表（１）〜（８
）に示す。なお、ガラスの組成表示は前述した酸化物と
して換算したものである。

これらのガラスの製造方法は、ガラス原料を所定量配合
混合し、電気炉中で１０００〜１１００℃で１〜２時間
溶融し、予め加熱しておいた受は治具に流し込みガラス
ブロックを得た。各ガラス特性は以下の測定方法によっ
て求めた。

■バナジウムー　の還−イオン　率Ｖ”／ＶＩ。５．１
酸化還元滴定法により４価のバナジウム（Ｖ４＋）と全
バナジウム元素（■、。１．１）の濃度を分析し、バナ
ジウム元素の還元イオン分率（Ｖ”／Ｖ、。１．Ｉ）を
求めた。

１１イロ１爽 磁気ヘッドにおけるガラス接合を想定し、ガラスの粘度
が１０’〜１０’ポイズ程度となる温度を測定した。

■気泡発生数 ２０　Ｘ　１５　Ｘ　１ｍｍのガラス板２枚を水中に０
．５時間浸漬させた後に合わせ、窒素中前記接合温度で
２０分間保持することによって接合した。そして、この
接合部断面を観察することによって、単位面積当たりの
平均気泡発生数を求めた。

曵監ｌ張医歎 φ５　Ｘ　３０ｍ＋ｎのガラス棒を測定試料とし、熱膨
張計を用いて、大気中、昇温速度５℃／ｍｉｎで測定し
た。

なお、熱膨張係数は５０°Ｃから転移温度より２０℃低
い温度までの範囲で求めた。

■マイクロピンカース　さＨｖ 圧子荷重１００ｇｆ及び荷重時間１５秒の条件で測定し
た。更に、その際のガラスの割れ具合から、脆さを評価
した。

■圃木立 一辺が５ｍｍの立方体に加工したガラス片を７０℃の蒸
留水４０ｃｃに２時間浸漬したときのガラス表面の変化
及び重量減少率で評価した。ガラス表面の変化及び重量
減少率が認められない場合にはＱ、重量減少率がほとん
ど認められないが、ガラス表面に水による侵食が観察さ
れる場合には△、及び両方とも認められる場合にはＸで
ランク付けした。

第１９図に第３表で示したガラスのＶ”／ＶＬ。１．１
と気泡発生数の関係を示す。ガラスのＶ　　／Ｖ＝、１
．＋が増加すると、気泡の発生数は低減し、特に５５％
以上では気泡の消滅を図ることができる。更に、耐水性
の向上、結晶化の防止及び接合温度の高温化防止を考慮
すると、ガラス組成は酸化物換算で、Ｖ２Ｏ６１００重
量部に対し、Ｐ　２０　ａが３５〜７５重量部、及びＳ
　ｂ　２０　ａが４０〜８０重量部の範囲であることが
好ましい。第２０図にＰ２Ｏ５の含有率と特性との関係
を示す。なお、プロット近傍に記した数字は第３表のガ
ラスＮｏ、である。これらのガラスはＶ　２０６とＰ２
Ｏ５とからなり、気泡発生数と耐水性に関しては満足の
いくものではないが、Ｐ２Ｏ５の効果を調へるには有効
である。Ｐ２Ｏ５の含有率が少ないと接合温度を低くで
きるが、３５重量部未満では結晶化を起こし、接合ガラ
スに適していない。一方、Ｐ２Ｏ５の含有率が多いとｖ
４／Ｖ、。、。１が大きくなり、気泡発生数を少なくで
きるが、７５重量部を超えると接合温度が高くなりすぎ
、第１表で示したような高飽和磁束密度の磁性膜を用い
た磁気ヘッドには使用できない。また、Ｖ２Ｏ５、Ｐ２
Ｏ５及びＳｂｚ○３等からなる多成分系ガラスについて
も同様なことがいえる。例えば、Ｐ、０６が３５重量部
未満であるＮＯ３７のガラスは結晶化を起こし、一方Ｐ
２Ｏ５が７５重量部を超えるＮｏ、３３のガラスは接合
温度が高すぎる。更に、Ｎｏ、３３のガラスは耐水性が
良くない。このことから、Ｐ２Ｏ５の適正組成範囲はＶ
２Ｏ，１００重量部に対し、３５〜７５重量部であるこ
とが好ましい。

第２１図にＳ　ｂｘ　Ｏｓの含有率と特性との関係を示
す。なおプロット近傍に記した数字は、第２０図と同様
に第３表のガラスＮｏ、である。５ｂｚＯ３の含有率の
増加とともにＶ”／Ｌ。ｔｉｌも直線的に増加し、Ｖ”
／Ｖｔ。ｔｅｌが９０％に達するとなだらかに増加する
。この直線部より換算すると、アンチ上２１元素が２個
のバナジウム元素を還元することが分かる。更に、第２
１図で示したガラス以外であっても、同様な現象が認め
られることを確認した。したがって、アンチモン元素を
加えること１こよって次式の反応が進行するものと考え
られる。

２Ｖ”　＋　Ｓｂ”　−）　２Ｖ”　＋　Ｓｂ”この反
応式と第２０図を利用すれば、Ｖ”／Ｖｔ。ｔａｌを推
測することができる。すなわち、４価のバナジウム生成
量を制御することができ、これによってガラス接合時の
気泡を消滅させることが可能である。更に、５ｂ２０３
はＰ２Ｏ６とは異なり、接合温度に与える影響は少ない
。しかし、Ｓｂ、０３の含有率が４０重量部未満である
と、Ｎ０１８〜１２．１９〜２２．３０．３４．３７〜
３９．４１．４２．４７．７１及び７５〜７７のガラス
のように良好な耐水性が得られない。一方、８０重量部
を超えると、Ｎｏ、１８と２７のガラスのように結晶化
を起こす。このことから、Ｓｂｘ○３の適正組成範囲は
Ｖ２Ｏ５１００重量部に対し、４０−８０重量部である
ことが好ましい。

更に、ガラス化安定性と化学的安定性の向上、熱膨張係
数の制御または接合温度の低温化を図るために、酸化物
換算でＰｂＯ、ＴｅＯ２、ＢａＯ、Ｔｉ２Ｏ及びＡｓ２
Ｏ３のうちの一種以上を含むことが好ましい。しかし、
ｐｂｏ、Ｔ　ｅ　Ｏｚ及びＢａＯのうちの一種以上をＶ
２Ｏ５１００重量部に対して、５５重量部を超える範囲
で含有すると、Ｎｏ、　３６、Ｎｏ、４５、Ｎｏ、５１
、Ｎｏ、５３、Ｎｏ、５７、Ｎｏ。

６１、Ｎｏ、６３、Ｎｏ、６５、Ｎｏ、６７及びＮ　ｏ
。

７０のガラスのように脆くなるために、加工が難しくな
り、磁気ヘッド用接合ガラスとしては不向きである。こ
のため、ＰｂＯ、ＴｅＯ２及びＢａＯの適正組成範囲は
ｖ、０５１００重量部に対し、合計５５重量部以下であ
ることが好ましい。また、ＴｌｚＯまたはＡｓｚ○３の
うちの少なくとも一種を７２０５１００重量部に対し、
３０重量部を超える範囲で含有すると、Ｎｏ、７４、Ｎ
ｏ、８２、Ｎｏ。

８４、Ｎｏ、８６及びＮｏ、８８のガラスのように結晶
化を起こしたり、又は耐水性が悪化したりする。

このため、Ｔ１□０及びＡＳ２０３の適正組成範囲はＶ
２Ｏ５１００重量部に対し、合計３０重量部以下である
ことが好ましい。

以上より、第３表中で好ましい磁気ヘッド用接合ガラス
は、Ｎｏ、１３〜１７．２３〜２６．２８．２９、３１
、３２、３５、４０、４３、４４．４６、４８〜５０、
５２、５４〜５６、５８〜６ｏ、　６２、６４、６６、
６８、６９、７２．７３．７８〜８１．８３．８５及び
８７である。

実施例には、これらのガラスの中から、磁気ヘッドに使
用する磁性膜と支持体の熱膨張係数、及び磁性膜の耐熱
温度を配慮し、適切な接合温度と熱膨張係数をもつと考
えられるガラスを選んだ。また比較例として、上記ガラ
スを除く第３表中のガラスのうち、前記同様に適切な接
合温度と熱膨張係数をもつと考えられるものを選んだ。

更に、第４表に示す従来からのＰｂＯＢｘ○２系ガラス
も用いた。この表に示された各ガラス特性は、第３表で
示した場合と同様の測定法並びに評価法に準する。上記
に示した本発明の磁気ヘッド用接合ガラスは、この第４
表に示した従来ガラスと比較すると、耐水性に著しく優
れ、しかも同じ接合温度をもつもの同士を比べると、硬
さ等の機械的性質も本発明のガラスの方が優れている。

第５表 実施例に用いた非磁性ギャップ材を第５表に示す。これ
らの非磁性ギャップ材はスパッタリング法によって形成
した。表中の組成は、非磁性ギャップ材のものではなく
、これを形成するためのスパッタ用ターゲットのもので
ある。なお１表中のＮｏ、３．１４．２３．３８．６９
．７５及び８３のガラスは第３表中のものである。スパ
ッタ膜の耐熱性は、窒素雰囲気で５５０℃、６００　’
Ｃ及び６５０℃までそれぞれ加熱し、０．５時間保持し
た後、冷却し、ＳＥＭ観察することによって判断した。

その判断基準は、スパッタ膜の溶融した様子が認められ
ない場合にはＯ１溶融した様子が認められる場合には×
とした。第５表のＩの非磁性ギャップ材のスパッタ用タ
ーゲッ１−には、溶融成形したＳｉ○２ガラス（石英ガ
ラス）を用いた。このターゲットを用いて形成するスパ
ッタ膜は、磁気ヘッドの非磁性ギャップ材として従来か
ら頻繁に用いられてきている。その他の■〜店の非磁性
ギャップ材の場合には、Ｓｉｎ、ガラス（石英ガラス）
粉末、Ａ　１　ｘ　Ｏ、！粉末又はＺ　ｒ　Ｏ２粉末と
、■、０５粉末−４５＝ 又は上記ガラス粉末とを混合成形し、ホントプレスによ
り焼結したターゲットを用いた。ｖ２０６粉末又は上記
ガラス粉末とをターゲットに混合する理由は、接合ガラ
スの成分をスパッタ膜に混入させ、接合ガラスとの反応
性を向上させるためである。このようなターゲットを用
いて形成したスパッタ膜は、ターゲットを構成する各元
素からなる複合酸化物又は酸化物混合体の状態で存在す
る。

これらのスパッタ膜の耐熱性は、■以外の非磁性ギャッ
プ材では６５０℃まで良好であり、第１表で示した磁性
膜の耐熱温度より高いため、安定なギャップ形成が可能
である。■の非磁性ギャップ材では接合ガラスの含有量
が多いために、６５０℃で溶融してしまった。しかし、
６００℃までは耐熱性が良好であるので、この温度以下
でのギャップ規制は可能である。

第１表の磁性膜、第２表の支持体、第３表及び第４表の
接合ガラス、並びに第５表の非磁性ギャップ材を用いて
、第１〜３図で示した磁気ヘッドを作製し評価した。

（実施例１） 磁性膜としてＣｏ系非晶質合金、その支持体として単結
晶Ｍｎ−Ｚｎフェライト、及び非磁性ギャップ材として
Ｓｉｎ、ガラスを用いた。接合ガラスには、磁性膜の耐
熱温度、及び磁性膜とその支持体の熱膨張係数を配慮し
、第３表及び第４表の中から適当なものを選んだ。これ
らの材料を用いて、第１図の磁気ヘッドを作製した。そ
の作製温度、すなわちガラス充填温度及びガラス接合温
度は、第３表及び第４表で示した各ガラスの接合温度に
準じた。作製した磁気ヘッドの実装結果を第６表に示す
。ここで、不良率は接合ガラスに関するものであり、下
記■、■、■の不良率を順番にそれぞれ調べた。なお、
各不良率は作製歩留まりが１００％の場合のヘッド数を
基準とした。

■加工不良率二ヘッド加工によってガラス破損したヘッ
ド数の割合。

■気泡不良率：前記ヘッド加工によって得られたヘッド
のうち摺動面に３μｍ 以上の気泡がガラス接合部に観 察されたヘッド数の割合。

■磁性膜侵食不良率：前記気泡が摺動面に存在しないヘ
ッドの中から磁 気ギャップ部近傍の磁性 膜が接合ガラスによって 侵食された様子が認めら れたヘッド数の割合。

また、ヘノ１くチップ強度は、最終的に得られた磁気ヘ
ッドのチップが、どの程度の荷重により破壊するかを測
定したものである。テープ摺動試験（摩耗特性）は、最
終的に得られた磁気ヘットをＶＴＲのシリンダーに取り
付け、Ｈｉ８−ＶＴＲ用の高保磁力蒸着テープを相対速
度３　、７５　ｍ／ｓｅｃ、５　、８　ｍ／ｓｅｅ及び
ｌ１ｍ／ｓｅｅで３００時間走行させ、磁気ヘッドの摺
動面を観察することによって、ガラス接合部のへこみ具
合や傷付き具合から評価した。その結果、良好なものに
は○、そうでないものには×とした。

従来から使用されているＰｂ０−Ｂｚ○３系ガラメガラ
スＮｏ９）〜（９１）　、　（９４）及び（９８）を磁
気ヘットに用いた場合には、気泡不良率は低いが、磁性
膜侵食不良率が非常に高かった。更に、これらのガラス
は機械的性質に劣っているために、加工不良率が高く、
またヘッドチップ強度が低かった。このため、ヘッドチ
ップを取り扱う際には十分な注意が必要である。相対速
度が３　、７５　ｍ／ｓｅｃのときのテープ摺動試験で
は、Ｎｏ、（８９）、（９１）及び（９８）のガラスを
用いた場合には良好な結果が得られた。しかし、Ｎｏ、
（９０）及び（９４）のガラスでは硬度が低いため、ガ
ラス接合部の摩耗量や傷付き具合が大きかった。テープ
の相対速度が更に大きくなると、上記したすべてのガラ
スはより顕著に摩耗し、相対速度が１１ｍ／ｓｅｃのと
きには磁気ヘッドがしばしば破損した。一方、全バナジ
ウム量に対し、４価のバナジウム量が５５％未満である
ガラスＮｏ。

１０．２１．３４．３８．７１．７５及び７６を用いた
場合には、磁性膜は侵食されなかったが、気泡が多数発
生し、その不良率が著しく高かった。

このため、作製歩留まりが非常に低く、かなり高価な磁
気ヘッドとなってしまう。しかし、これらのガラスは機
械的性質に優れているために、前記Ｐ　ｂ　Ｏ−Ｂ　ｘ
　Ｏ３系ガラスを用いた場合よりヘットチップ強度が高
く、しかもテープ摺動試験で良好な結果が得られた。特
に、マイクロビッカース硬さＨｖが３４０以上であるＮ
ｏ、２１　　と３８のガラスを用いた場合に、テープの
相対速度がｌ１ｍ／ｓｅｅであっても良好な摺動性を示
した。なお、機械的性質が良いにもかかわらず、加工不
良率が低くならなかったのは、ガラス接合部の気泡が原
因している。

これらに対して、本実施例では全バナジウム量に対し、
４価のバナジウム量を５５％以上としたガラスを用いた
ので、気泡を著しく低減でき、またこの気泡低減によっ
て更に加工不良率も低くすることができた。これによっ
て、作製歩留まりを著しく向上でき、磁気ヘッドの低コ
スト化に多いに役立つことになる。更に、実施例で用い
たガラスはＮｏ、１０．２１．３４．３８．７１．７５
及び７６のガラスと同様に、磁性膜を侵食しないので、
良好な磁気特性をもつ磁気ヘッドが得られる。

また、テープ摺動試験でもほとんどの実施例が相対速度
１１ｍ／ｓｅｅであっても良好な摺動性を示した。

これらの実施例には、マイクロビッカース硬さＨｖが３
４０以上であるガラスが使用されていた。

（実施例２） 磁性膜としてＣｏ系非晶質合金、その支持体としてα−
Ｆｅ２０３系セラミツクス、及び非磁性ギヤツブ材とし
て第５表のものを使用した。接合ガラスには、磁性膜の
耐熱温度、及び磁性膜とその支持体の熱膨張係数を配慮
し、第３表の中からＮ　ｏ。

４６のガラスを選んだ。また、比較例としてＮｏ。

３８のガラスを用いた。これらの材料を用いて、第１図
の磁気ヘッドを作製した。この磁気ヘッドは支持体に非
磁性材を用いるため、良好な高周波特性を示す。磁気ヘ
ッドの作製温度、すなわちガラス充填温度及びガラス接
合温度は、第３表で示した各ガラスの接合温度に準じた
。作製した磁気ヘッドの実装結果を第７表に示す。なお
、磁気ヘッドの評価方法は実施例１と同様である。

Ｎｏ、４６のガラスと第５表の非磁性ギャップ材とを組
み合わせて磁気ヘッドを作製した結果、■〜朋の非磁性
ギャップ材を使用することによって、従来の非磁性ギャ
ップ材Ｉ（Ｓｉｎ、ガラス）を用いた場合よりヘッドチ
ップ強度並びに加工性を向上できた。更に気泡不良率の
低減を図ることもできた。これは■〜別の非磁性ギャッ
プ材に接合ガラスの主要成分を含ませたため、接合ガラ
スとの反応性が向上し、よりしっかりとした接合が可能
となり、また発生した気泡がぬけやすくなったことが原
因である。更に、このような非磁性ギャップ材を用いる
ことによって、磁性膜を侵食するようなことは認められ
なかった。全バナジウム量に対し、４価のバナジウム量
が５５％未満であるＮ　ｏ。

３８のガラスを用いた場合においても、上記非磁性ギャ
ップ材を使用することによって気泡不良率を１０〜２０
％低減でき、しかもへラドチップ強度並びに加工性も向
上した。しかし、Ｎｏ、４６のガラスを用いた場合より
気泡不良率は非常に高い。

また、テープ摺動試験では、両ガラスとも硬度が大きい
ため良好な結果が得られた。

（実施例３） 磁性膜としてセンダスト系合金、その支持体としてＴｉ
０ｚ　　ＮｉＯＣａＯ系セラミックス、及び非磁性ギャ
ップ材とし、て第５表のＶｌ（ＳｉＯ，ガラス−Ｎｏ、
　３８ガラス）とＴ　　（Ｓｉ○２ガラス）を使用した
。接合ガラスには、磁性膜の耐熱温度、及び磁性膜とそ
の支持体の熱膨張係数を配慮し、第３表及び第４表の中
から適当なガラスを選んだ。

これらの材料を用いて、第１図の磁気ヘッドを作製した
。この磁気ヘッドも実施例２のものと同様に、良好な高
周波特性を示す。磁気ヘッドの作製温度、すなわちガラ
ス充填温度及びガラス接合温度は、第３表及び第４表で
示した各ガラスの接合温度に準じた。作製した磁気ヘッ
ドの実装結果を第８表に示す。なお、磁気ヘッドの評価
方法は実施例１と同様である。

Ｐｂ０−Ｂ、０．系ガラスＮｏＪ９５）−（９７）及び
（９９）を用いた比較例の磁気ヘッドでは、気泡不良率
は低いが、加工不良率と磁性膜侵食不良率が高く、しか
もへラドチップ強度が低かった。更に、テープ摺動試験
においても良好な結果は得られなかった。また、Ｎｏ、
４５．５１．５７．６３及び７０のガラスを用いた比較
例では、気泡不良率と磁性膜侵食不良率とは低いが、こ
れらのガラスが脆いため、加工不良率が高く、しかもヘ
ッドチップ強度が低かった。さらに、これらのガラスは
硬度が高い割に、テープ摺動試験では良好な結果が得ら
れなかった。これに対し、実施例の磁気ヘットでは、す
べての評価項目において良好な結果が得られた。

（実施例４） 磁性膜としてＦｅ−Ｃ系材料、その支持体としてＭｇＯ
−Ｎｉｏ系セラミックス、及び非磁性ギャップ材として
第５表のＶ〜■を使用した。接合ガラスには、マイクロ
ビッカース硬さＨｖが３４０以上であり、しかも磁性膜
の耐熱温度、及び磁性膜とその支持体の熱膨張係数を配
慮し、第３表の中から適当なガラスを選んだ。これらの
材料を用いて、第１図の磁気ヘッドを作製した。この磁
気ヘットも実施例２のものと同様に、良好な高周波特性
を示した。磁気ヘッドの作製温度、すなわちガラス充填
温度及びガラス接合温度は、第３表で示した各ガラスの
接合温度に準じた。作製した磁気ヘッドの実装結果を第
９表に示す。なお、磁気ヘッドの評価方法は実施例１と
同様である。

第９表から明らかなように、飽和磁束密度が非常に高い
Ｆｅ−Ｃ系材料を磁性膜として使用しても、本発明の磁
気ヘッド用接合ガラスとその接合ガラスの主要成分を含
む非磁性ギャップ材を組合せて用いることによって、前
記実施例と同様に、すべての評価項目において良好な結
果が得られた。すなわち、従来とは異なり、不良率が非
常に低く、更にヘッドチップ強度が高く、しかもテープ
の高速摺動性も良好であることから、量産性、耐久性及
び磁気特性が優れた磁気ヘッドを提供することができる
。このような磁気ヘッドは、磁気記録再生装置の高密度
記録化に多大な効果をもたらす。

（実施例５） 磁性膜としてＣＯ系非晶質合金、その支持体としてＮｉ
○−Ｃｏｏ　　Ｔｉ０ｚ系セラミツクス、及び非磁性ギ
ャップ材として第５表の１．Ｖｌ、ＸＩ及び店を使用し
た。接合ガラスには、磁性膜の耐熱温度、及び磁性膜と
その支持体の熱膨張係数を配慮し、第３表及び第４表の
中から適当なガラスを選んだ。

これらの材料を用いて、第２図の磁気ヘッドを作製した
。この磁気ヘッドも実施例２のものと同様に、良好な高
周波特性を示した。磁気ヘットの作製温度、すなわちガ
ラス充填温度及びガラス接合温度は、第３表及び第４表
で示した各ガラスの接合温度に準じた。作製した磁気ヘ
ッドの実装結果を第１０表に示す。なお、磁気ヘッドの
評価方法は実施例１と同様である。

Ｎｏ、３５及び７９のガラスを用いた実施例の磁気ヘッ
ドでは、非磁性ギャップ材に本発明の磁気ヘッド用接合
ガラスの主要成分を含む■、■及び罰を用いることによ
って、加工不良率と気泡不良率の低減、及びヘッドチッ
プ強度の向上を図ることができた。すなわち、より優れ
た特性をもつ磁気ヘッドが得られるわけである。その際
、非磁性ギャップ材は、本発明の磁気ヘッド用接合ガラ
スの主要成分が含まれ九ば、Ｓ　ｉ　Ｏｘガラスにこだ
わらず、ギャップ規制が可能なＡ１□○、やＺ　ｒ　Ｏ
ｘ等のセラミックスでも良いことが分かった。ヘッドチ
ップ強度試験及びテープ摺動試験で、Ｎｏ、３５のガラ
スよりＮｏ、７９のガラスを用いた方が良好な結果が得
られたのは、Ｎｏ、７９のガラスの方がより機械的特性
が優れているためである。一方、ｐｂ〇−Ｂ２０３系ガ
ラスＮｏ、（９３）を用いた比較例の磁気ヘッドでは、
非磁性ギャップ材に■、■及び朋を用いても、加工不良
、磁性膜侵食不良及びヘッドチップ強度が改善されず、
逆に悪化した。

（実施例６） 磁性膜としてセンダスト系合金、その支持体としてＭｎ
０−Ｎｉ０系セラミツクス、及び非磁性ギャップ材とし
て第５表のＶＩ（Ｓｉｎ２ガラス−Ｎｏ。

３８ガラス）とＩ　（Ｓ１０２ガラス）を使用した。

これらの材料と実施例３で使用した非磁性ギャップ材及
び接合ガラスを用いて、第２図の磁気ヘッドを作製した
。この磁気ヘッドも実施例２のものと同様に、良好な高
周波特性を示した。磁気ヘッドの作製温度、すなわちガ
ラス充填温度及びガラス接合温度は、第３表及び第４表
で示した各ガラスの接合温度に準じた。作製した磁気ヘ
ットの実装結果を第１１表に示す。なお、磁気ヘッドの
評価方法は実施例１と同様である。

本実施例は、実施例３と同様な結果が得られた。

しかし、実施例３の磁気ヘッドより加工不良が少なく、
更にヘッドチップ強度も太きかった。これは使用した接
合ガラスと、本実施例で用いた磁気ヘッドの構造及び支
持体とのマツキングが良好であったためである。しかし
、気泡不良率が若干高くなった。この原因は、本実施例
で採用した磁気ヘッドの加工工程が多いため、汚れが付
きやすくなったためと考えられる。更に、このタイプの
磁気ヘッドは磁性膜が加工によって露出するために、接
合ガラスに侵食されやすいという問題がある。

このため、Ｐ　ｂ　Ｏ−Ｂ　ｘ　Ｏｓ系ガラスＮｏ、（
９５）〜（９７）及び（９９）を用いた比較例では、磁
性膜侵食不良率が高くなった。これに対し、実施例では
、第１図の磁気ヘッドを採用した実施例と同様に、磁性
膜をほとんど侵食することはない。すなわち、量産性や
信頼性ばかりではなく、磁気特性においても優れた磁気
ヘッドが得られる。

（実施例７） 磁性膜としてＦｅ−Ｃ系材料、その支持体としてＮ１Ｏ
−Ｃｏｏ−ＴｉＯｚ系セラミックスを使用した。

接合ガラスには、磁性膜の耐熱温度、及び磁性膜とその
支持体の熱膨張係数を配慮し、第３表及び第４表の中か
ら適当なガラスを選んだ。非磁性ギャップ材には、第３
表のガラスを用いる場合には第５表のＩＶ（ＳｉＯ，ガ
ラス−Ｎｏ、　１４ガラス）、第４表のガラスを用いる
場合には従来からの非磁性ギャップ材Ｉ（ＳｉＯｚガラ
ス）を使用した。これらの材料を用いて、第２図の磁気
ヘッドを作製した。この磁気ヘッドも実施例２のものと
同様に、良好な高周波特性を示した。磁気ヘッドの作製
温度、すなわちガラス充填温度及びガラス接合温度は、
第３表及び第４表で示した各ガラスの接合温度に準じた
。作製した磁気ヘッドの実装結果を第１２表に示す。な
お、磁気ヘッドの評価方法は実施例１と同様である。

本実施例は、実施例６と同様な結果が得られた。

しかし、本実施例の磁気ヘットの場合、飽和磁束密度が
著しく高いＦｅ−Ｃ系材料の磁性膜を用いるので、磁気
記録再生装置の高密度記録化を更に図ることができる。

（実施例８） 実施例１で使用した材料を用いて、第３図の磁気ヘッド
を作製した。その作製温度、すなわちガラス充填接合温
度は、第３表及び第４表で示した各ガラスの接合温度に
準じた。作製した磁気ヘッドの実装結果を第１３表に示
す。なお、磁気ヘッドの評価方法は実施例１と同様であ
る。

本実施例は、実施例１と同様な結果が得られた。

しかし、第３図の磁気ヘッドは、第１図及び第２図の磁
気ヘッドのように接合ガラスと非磁性ギャップ材とが反
応して接合するタイプではなく、接合ガラスを流し込む
と同時に、接合するタイプのものである。すなわち、接
合ガラスは非磁性ギャップ材とは反応する必要がない。

逆に反応しすぎると、磁性膜を著しく侵食する恐れがあ
る。ｐｂ〇−Ｂ２０３系ガラスＮｏ、（８９）〜（９１
）、（９４）及び（９８）を用いた比較例では、これら
のガラスが非磁性ギャップ材であるＳｉ○２ガラスとよ
く反応するため、磁性膜を著しく侵食しやすい。この結
果、磁性膜侵食不良率が非常に大きくなった。実施例及
び比較例で示したバナジウムを主要構成元素とする接合
ガラスは、Ｓｉ○２ガラスとほとんど反応しないし、ま
た反応したとしても磁性膜を侵食することはほとんどな
い。このため、磁性膜の侵食不良は認められなかった。

また、これらのガラスを第３図のタイプの磁気ヘッドに
使用した場合には、加工不良率と気泡不良率の低減、及
びヘッドチップ強度の向上を図ることができる。

以上の実施例から本発明の磁気ヘッドは従来の磁気ヘッ
ドより量産性、耐摩耗性、耐傷付き性、耐候性及び磁気
特性に優れているので、ＶＴＲなどの磁気記録再生装置
の高性能化に多大な効果をもたらす６ なお、第２２図は前記磁気ヘッドを備えたＶＴＲの概略
構成図を示す。磁気ヘッドであるビデオヘッド２１は、
それにより収集した情報を処理する色信号処理部２２及
び輝度信号処理部２３等から成る制御部と接続され、情
報記録媒体であるカセット２４の記録テープ２５との間
で情報を読み出し、再生、及び記録できるようになって
いる。また、ビデオヘッド２１はモータ２６及びモータ
恥動部２７を含む駆動部に接続されている。

〔発明の効果〕

本発明によれば、量産性、耐摩耗性、耐傷付き性、耐候
性及び磁気特性に優れた磁気ヘッドを提供することがで
きる。

従って、ＶＴＲ等の磁気記録再生装置の性能及び信頼性
を著しく向上することができ、磁気ディスクを用いた磁
気記録再生装置などにも有効である。

【図面の簡単な説明】

第１〜３図は本発明の実施例における磁気ヘッドの斜視
図、第４図は第１図の磁気ヘットの摺動面の説明図、第
５図は第２図の磁気ヘッドの摺動面の説明図、第６〜９
図は第１図の磁気ヘッドの製造方法における各工程の説
明図、第１０〜１５図は第２図の磁気ヘッドの製造方法
における各工程の説明図、第１６〜１８図は第３図の磁
気ヘッドの製造方法における各工程の説明図、第１９図
はバナジウム元素を主要構成元素とする酸化物系ガラス
におけるバナジウムの還元イオン分率（Ｖ“＋／Ｖ、。 ５．Ｉ）とガラス接合時の気泡発生数との関係を示した
図、第２０図は上記方ラスにおけるＰ　ｘ　Ｏ５の含有
率と特性との関係を示した図、第２１図は上記ガラスに
おける５ｂ２０．の含有率と特性との関係を示した図、
第２２図はＶＴＲの概略構成図である。 １．１′・磁性膜、２．２′・・支持体、３．３′・接
合ガラス、４．４′　反応防止膜、５・キャップ突合せ
部、６・コイル巻線窓、７．８．９．７′、８′、９′
・・非磁性膜、１０・・・コイル巻線窓用の溝、１１．
１１’・・トラック溝、１２．１３・・・磁気コアブロ
ック、１４　　非磁性ギャップ材、２］・・・ビデオヘ
ッド、２２・・・色信号処理部、２３・・輝度信号処理
部、２４・・カセット、２５・・記録テ第 図 第 図 第 図 Ｂ′ 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、支持体に形成された磁性膜からなる一対の磁気コア
   を、非磁性ギャップ材を介して互いに突き合わせ、ガラ
   スで接合した構造の磁気ヘッドにおいて、 前記接合ガラスが、バナジウム元素を主要構成元素とす
   る酸化物系ガラスであり、 該ガラスに含有されるバナジウム元素のうち、５５％以
   上が４価のバナジウムであることを特徴とする磁気ヘッ
   ド。 ２、前記接合ガラスが、さらにリン元素とアンチモン元
   素とを含むことを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド
   。 ３、前記接合ガラスが、鉛、テルル、バリウム、タリウ
   ム及び砒素の元素のうちの少なくとも一種を含むことを
   特徴とする請求項２記載の磁気ヘッド。 ４、前記非磁性ギャップ材が、少なくともバナジウム元
   素を含む複合酸化物又は酸化物混合体であることを特徴
   とする請求項１記載の磁気ヘッド。 ５、前記非磁性ギャップ材が、少なくともリン元素を含
   むことを特徴とする請求項４記載の磁気ヘッド。 ６、前記非磁性ギャップ材が、アンチモン、鉛、テルル
   、バリウム、タリウム及び砒素の元素のうちの少なくと
   も一種を含むことを特徴とする請求項５記載の磁気ヘッ
   ド。 ７、バナジウム元素を主要構成元素とする酸化物系ガラ
   スであって、該ガラスに含有されるバナジウム元素のう
   ち、５５％以上が４価のバナジウムであることを特徴と
   する磁気ヘッド用接合ガラス。 ８、請求項７記載の磁気ヘッド用接合ガラスにおいて、 前記バナジウム元素及び酸素元素及び、少なくともリン
   元素とアンチモン元素とを含み、これらの含有量はＶ＿
   ２Ｏ＿５、Ｐ＿２Ｏ＿５及びＳｂ＿２Ｏ＿３に換算して
   、Ｖ＿３Ｏ＿５１００重量部に対し、Ｐ＿２Ｏ＿５が３
   ５〜７５重量部及びＳｂ＿２Ｏ＿３が４０〜８０重量部
   の範囲であることを特徴とする磁気ヘッド用接合ガラス
   。 ９、請求項８記載の磁気ヘッド用接合ガラスにおいて、 構成元素として鉛、テルル及びバリウムの元素のうちの
   一種を含み、その含有量はＰｂＯ、ＴｅＯ＿２及びＢａ
   Ｏに換算して、Ｖ＿２Ｏ＿５１００重量部に対し、合計
   で８〜３８重量部であることを特徴とする磁気ヘッド用
   接合ガラス。 １０、請求項８または９記載の磁気ヘッド用接合ガラス
   において、 構成元素としてタリウム及び砒素の元素のうちの一種を
   含み、その含有量はＴｉ＿２Ｏ及びＡｓ＿２Ｏ＿３の酸
   化物に換算して、合計で３〜１６重量部であることを特
   徴とする磁気ヘッド用接合ガラス。 １１、バナジウム元素を主要構成元素とし、含有される
   バナジウム元素のうちの５５％以上が４価のバナジウム
   である酸化物系ガラスによって、高飽和磁束密度の磁性
   膜からなる一対の磁気コアを非磁性ギャップ材を介して
   一体化した磁気ヘッドと、該磁気ヘッドの駆動部と情報
   記録媒体との間の情報処理を行う制御部と、を備えるこ
   とを特徴とする磁気記録再生装置。 １２、請求項１１記載の磁気記録再生装置において、前
   記磁気ヘッドと情報記録媒体またはその情報記録媒体の
   保護材とが５．８ｍ／ｓｅｃ以上の相対速度ですること
   を特徴とする磁気記録再生装置。