JPH0352645B2 - - Google Patents
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- JPH0352645B2 JPH0352645B2 JP11530185A JP11530185A JPH0352645B2 JP H0352645 B2 JPH0352645 B2 JP H0352645B2 JP 11530185 A JP11530185 A JP 11530185A JP 11530185 A JP11530185 A JP 11530185A JP H0352645 B2 JPH0352645 B2 JP H0352645B2
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- magnetic
- glass
- amorphous
- magnetic head
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/23—Gap features
- G11B5/232—Manufacture of gap
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/10—Structure or manufacture of housings or shields for heads
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/147—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with cores being composed of metal sheets, i.e. laminated cores with cores composed of isolated magnetic layers, e.g. sheets
- G11B5/1475—Assembling or shaping of elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は非晶質磁性合金をガラスによつて接合
もしくはモールドした磁気記録再生用磁気ヘツド
に関する。
もしくはモールドした磁気記録再生用磁気ヘツド
に関する。
磁気記録技術の高度化、とくに、磁気記録の高
密度化に対する要請は今日きわめて強いものがあ
る。この要請に応じるためには、磁気記録媒体の
高保磁力化、低雑音化とともに、磁気ヘツドの記
録再生感度の大幅な改良が課題となつている。
密度化に対する要請は今日きわめて強いものがあ
る。この要請に応じるためには、磁気記録媒体の
高保磁力化、低雑音化とともに、磁気ヘツドの記
録再生感度の大幅な改良が課題となつている。
現在、多く使用されているVTR用磁気ヘツド
は、高透磁率磁性材料として高周波特性にすぐ
れ、かつ、耐摩耗性にすぐれたフエライトが使用
されている。ところが、フエライトは、その飽和
磁束密度が4000〜5000ガウス程度であるため、得
られる記録磁界の強さに限度があり、とくに、最
近開発されつつある高保磁力（保磁力：1100エル
ステツド以上）の磁気テープを用いるときには、
記録が不十分になるという欠点がある。この点、
非晶質磁性合金は高飽和磁束密度（Bs：8000〜
10000ガウス、高透磁率（5MHzでのμ：400〜
500）特性を保持しているものがあり、かつ、高
周波特性にすぐれているため、高保磁力を有する
磁気テープに記録再生可能な磁気ヘツド材料とし
て適している。
は、高透磁率磁性材料として高周波特性にすぐ
れ、かつ、耐摩耗性にすぐれたフエライトが使用
されている。ところが、フエライトは、その飽和
磁束密度が4000〜5000ガウス程度であるため、得
られる記録磁界の強さに限度があり、とくに、最
近開発されつつある高保磁力（保磁力：1100エル
ステツド以上）の磁気テープを用いるときには、
記録が不十分になるという欠点がある。この点、
非晶質磁性合金は高飽和磁束密度（Bs：8000〜
10000ガウス、高透磁率（5MHzでのμ：400〜
500）特性を保持しているものがあり、かつ、高
周波特性にすぐれているため、高保磁力を有する
磁気テープに記録再生可能な磁気ヘツド材料とし
て適している。
従来、フエライトを用いた磁気ヘツドの製造の
際におけるコア部片同志の接合ならびに補強用に
充填するモールド材は非磁性材料のガラスが一般
に用いられている。このガラスは熱膨脹係数が85
〜110×10-7／℃で、軟化温度が500〜600℃のも
のを用い、700〜800℃の作業温度で熱処理するこ
とによつて、磁気ヘツドの接合ならびにモールド
を行なつている。
際におけるコア部片同志の接合ならびに補強用に
充填するモールド材は非磁性材料のガラスが一般
に用いられている。このガラスは熱膨脹係数が85
〜110×10-7／℃で、軟化温度が500〜600℃のも
のを用い、700〜800℃の作業温度で熱処理するこ
とによつて、磁気ヘツドの接合ならびにモールド
を行なつている。
しかし、非晶質磁性合金には結晶化温度があ
り、それ以上の温度で通常の熱処理を行なうと、
結晶化によつて磁気特性が劣化してしまう。一般
に、磁気ヘツドに用いられるFe−Co−Si−Ｂ系
の非晶質磁性合金の結晶化温度は450〜550℃程度
であるので、この非晶質磁性合金を磁気ヘツドに
用いる場合には、これ以下の熱処理温度で接合も
しくはモールドする必要がある。
り、それ以上の温度で通常の熱処理を行なうと、
結晶化によつて磁気特性が劣化してしまう。一般
に、磁気ヘツドに用いられるFe−Co−Si−Ｂ系
の非晶質磁性合金の結晶化温度は450〜550℃程度
であるので、この非晶質磁性合金を磁気ヘツドに
用いる場合には、これ以下の熱処理温度で接合も
しくはモールドする必要がある。
従来、非晶質磁性合金をフエライトと組み合せ
て用いた磁気ヘツドの接合はできるだけ低温で行
なうために、樹脂接合が行なわれていた。しか
し、VTR装置のように、高速でヘツドとテープ
が摺動する場合、接合樹脂がヘツドの摺動面に広
がり、付着することによつて長時間の記録再生走
行ができなくなる欠点があつた。
て用いた磁気ヘツドの接合はできるだけ低温で行
なうために、樹脂接合が行なわれていた。しか
し、VTR装置のように、高速でヘツドとテープ
が摺動する場合、接合樹脂がヘツドの摺動面に広
がり、付着することによつて長時間の記録再生走
行ができなくなる欠点があつた。
この点、ガラスで接合した場合、樹脂接合で起
る問題は解消されるが、一般に、フエライトの接
合に用いられているガラスは軟化温度が高く、非
晶質磁性合金を用いた磁気ヘツドには不適当であ
る。
る問題は解消されるが、一般に、フエライトの接
合に用いられているガラスは軟化温度が高く、非
晶質磁性合金を用いた磁気ヘツドには不適当であ
る。
したがつて、非晶質磁性合金をフエライトと組
み合せて用いた磁気ヘツドの製造の際にガラスを
用いる場合には、それに合つた熱膨脹係数および
作業温度の最適値、耐摩耗性、耐久性、接合強度
およびその他の最適条件が必要となる。
み合せて用いた磁気ヘツドの製造の際にガラスを
用いる場合には、それに合つた熱膨脹係数および
作業温度の最適値、耐摩耗性、耐久性、接合強度
およびその他の最適条件が必要となる。
非晶質磁性合金とフエライト磁性体とを組み合
せた複合型磁気ヘツドを製造する際のヘツド材料
における接合、モールドを低温で行なうことがで
き、非晶質磁性合金の磁気特性を劣化させること
のない複合型磁気ヘツドを提供することにある。
せた複合型磁気ヘツドを製造する際のヘツド材料
における接合、モールドを低温で行なうことがで
き、非晶質磁性合金の磁気特性を劣化させること
のない複合型磁気ヘツドを提供することにある。
本発明は、作動ギヤツプ突合せ部が高透磁率、
高飽和磁束密度で、結晶化温度が700℃未満の非
晶質磁性合金からなり、前記作動ギヤツプ近傍を
除き前記非晶質磁性合金が、該非晶質磁性合金と
共にリング型磁気ヘツドの磁路を構成する高透磁
率の磁性フエライトコアによつて支持され、前記
磁気ヘツドの接合部またはモールド部が非磁性材
料により接合またはモールドされている複合型磁
気ヘツドであつて、前記非磁性材料としてPbO75
〜85重量％、B2O310〜15重量％、SiO20.5〜５重
量％、Al2O30.5〜2.5重量％からなる組成の第１
のガラス、PbO75〜80重量％、ZnO10〜12重量
％、B2O37〜10重量％、SiO20.5〜2.5重量％、
Al2O30.5〜2.5重量％、BaO0.5〜３重量％からな
る組成の第２のガラスおよびPbO76〜80重量％、
B2O310〜12重量％、ZnO1.5〜３重量％、SiO20.5
〜３重量％、Al2O30.5〜2.5重量％、CuO1〜３重
量％、Bi2O30.3〜５重量％からなる組成の第３の
ガラスからなる群のうちから選んだ少なくとも１
種のガラスを用いることを特徴とし、その目的
は、上記のような非晶質磁性合金とフエライト磁
性体とを組み合せた複合型磁気ヘツドを製造する
際のヘツド材料における接合、モールドを低温で
行なうことができ、非晶質磁性合金の磁気特性を
劣化させることのない複合型磁気ヘツドを提供す
ることにある。
高飽和磁束密度で、結晶化温度が700℃未満の非
晶質磁性合金からなり、前記作動ギヤツプ近傍を
除き前記非晶質磁性合金が、該非晶質磁性合金と
共にリング型磁気ヘツドの磁路を構成する高透磁
率の磁性フエライトコアによつて支持され、前記
磁気ヘツドの接合部またはモールド部が非磁性材
料により接合またはモールドされている複合型磁
気ヘツドであつて、前記非磁性材料としてPbO75
〜85重量％、B2O310〜15重量％、SiO20.5〜５重
量％、Al2O30.5〜2.5重量％からなる組成の第１
のガラス、PbO75〜80重量％、ZnO10〜12重量
％、B2O37〜10重量％、SiO20.5〜2.5重量％、
Al2O30.5〜2.5重量％、BaO0.5〜３重量％からな
る組成の第２のガラスおよびPbO76〜80重量％、
B2O310〜12重量％、ZnO1.5〜３重量％、SiO20.5
〜３重量％、Al2O30.5〜2.5重量％、CuO1〜３重
量％、Bi2O30.3〜５重量％からなる組成の第３の
ガラスからなる群のうちから選んだ少なくとも１
種のガラスを用いることを特徴とし、その目的
は、上記のような非晶質磁性合金とフエライト磁
性体とを組み合せた複合型磁気ヘツドを製造する
際のヘツド材料における接合、モールドを低温で
行なうことができ、非晶質磁性合金の磁気特性を
劣化させることのない複合型磁気ヘツドを提供す
ることにある。
以下に本発明を実施例により具体的に説明す
る。
る。
本発明による磁気ヘツドの一例を第１図に示
す。
す。
磁気ヘツド１０は作動ギヤツプ突合せ部が非晶
質磁性合金薄板１１からなり、作動ギヤツプ近傍
を除き磁性合金薄板１１がこの薄板１１と共にリ
ング型磁気ヘツドの閉磁路を構成する一対の高透
磁率磁性フエライトコア部片１５，１６を非磁性
膜を介して突き合せてなるヨーク部に埋め込まれ
た複合型磁気ヘツドである。ここで、非磁性材料
としての上記ガラスの使用部は、フエライトコア
部片１５，１６と非晶質磁性合金薄板１１との接
合部１３、トラツク幅決め用切欠き溝１４、フエ
ライトコア部片１５と１６を接合するための補強
用溝１７である。フエライトコア部片１５と１６
の接合はコイル巻線用窓１８の一部に上部ガラス
を充填してもよく、フエライトコア部片１５と１
６の後部突合せ部１９に上記ガラスの膜を形成し
て接合してもよい。
質磁性合金薄板１１からなり、作動ギヤツプ近傍
を除き磁性合金薄板１１がこの薄板１１と共にリ
ング型磁気ヘツドの閉磁路を構成する一対の高透
磁率磁性フエライトコア部片１５，１６を非磁性
膜を介して突き合せてなるヨーク部に埋め込まれ
た複合型磁気ヘツドである。ここで、非磁性材料
としての上記ガラスの使用部は、フエライトコア
部片１５，１６と非晶質磁性合金薄板１１との接
合部１３、トラツク幅決め用切欠き溝１４、フエ
ライトコア部片１５と１６を接合するための補強
用溝１７である。フエライトコア部片１５と１６
の接合はコイル巻線用窓１８の一部に上部ガラス
を充填してもよく、フエライトコア部片１５と１
６の後部突合せ部１９に上記ガラスの膜を形成し
て接合してもよい。
第２図〜第４図は第１図に示すような磁気ヘツ
ドの製造工程の概略を示す図である。
ドの製造工程の概略を示す図である。
フエライト基板３０に平行な複数個の溝３１を
設け、この溝３１に非晶質磁性合金薄板３２を挿
入し、溝３１と非晶質磁性合金薄板３２との間隙
に上記ガラスを流入させて非晶質磁性合金薄板３
２をフエライト基板３０に接合固定した後、研
削、研摩によつて基板３０から突出している非晶
質磁性合金薄板を除去する（第２図）。ついで、
非晶質磁性合金薄板３２を埋め込んだフエライト
基板３０を薄板３２に直角に２分割してコア部片
３０1，３０2とし、一方のコア部片３０1の切断
面にコイル巻線用溝３３、コア後部補強用溝３４
を設け、さらに、両コア部片３０1，３０2の切断
面に現われている非晶質磁性薄板３２の両側にト
ラツク幅決め溝３５を設ける（第３図）。その後、
コア部片３０1，３０2の切断面に所定厚さの非磁
性膜、例えばSiO2膜を被着した後、コア部片３
０1，３０2を切断面で突き合せ、このときできた
トラツク幅決め孔３６およびコア後部補強用溝３
７に上記ガラスを充填、モールドしてコア部片３
０1，３０2を接合、固定する。３８はコイル巻線
用窓である（第４図）。なお、コア部片３０1，３
０2の接合はコイル巻線用窓３８の一部にガラス
を充填、モールドしてもよく、また、コア部片３
０1，３０2の後部接合部３９の面にガラスをスパ
ツタして形成したガラス膜によつて接合してもよ
い。上記の工程に使用するガラスは同一ガラスで
もよいが、フエライト基板３０の溝３１への非晶
質磁性合金薄膜３２の固定用ガラスを後工程のモ
ールド用ガラスよりも若干軟化温度の高いものと
する好都合である。ただし、いずれのガラスも非
晶質磁性合金の結晶化温度以下で使用できるもの
とすることは必要である。
設け、この溝３１に非晶質磁性合金薄板３２を挿
入し、溝３１と非晶質磁性合金薄板３２との間隙
に上記ガラスを流入させて非晶質磁性合金薄板３
２をフエライト基板３０に接合固定した後、研
削、研摩によつて基板３０から突出している非晶
質磁性合金薄板を除去する（第２図）。ついで、
非晶質磁性合金薄板３２を埋め込んだフエライト
基板３０を薄板３２に直角に２分割してコア部片
３０1，３０2とし、一方のコア部片３０1の切断
面にコイル巻線用溝３３、コア後部補強用溝３４
を設け、さらに、両コア部片３０1，３０2の切断
面に現われている非晶質磁性薄板３２の両側にト
ラツク幅決め溝３５を設ける（第３図）。その後、
コア部片３０1，３０2の切断面に所定厚さの非磁
性膜、例えばSiO2膜を被着した後、コア部片３
０1，３０2を切断面で突き合せ、このときできた
トラツク幅決め孔３６およびコア後部補強用溝３
７に上記ガラスを充填、モールドしてコア部片３
０1，３０2を接合、固定する。３８はコイル巻線
用窓である（第４図）。なお、コア部片３０1，３
０2の接合はコイル巻線用窓３８の一部にガラス
を充填、モールドしてもよく、また、コア部片３
０1，３０2の後部接合部３９の面にガラスをスパ
ツタして形成したガラス膜によつて接合してもよ
い。上記の工程に使用するガラスは同一ガラスで
もよいが、フエライト基板３０の溝３１への非晶
質磁性合金薄膜３２の固定用ガラスを後工程のモ
ールド用ガラスよりも若干軟化温度の高いものと
する好都合である。ただし、いずれのガラスも非
晶質磁性合金の結晶化温度以下で使用できるもの
とすることは必要である。
上記の磁気ヘツドにおいて使用した磁性フエラ
イトはMn−Zn系フエライトで、その熱膨脹係数
は30〜400℃の温度範囲において、大体100〜120
×10-7／℃である。たとえば、Fe2O353モル％、
MnO28モル％、ZnO19モル％であり、この材料
の熱膨脹係数は111×10-7／℃であつた。
イトはMn−Zn系フエライトで、その熱膨脹係数
は30〜400℃の温度範囲において、大体100〜120
×10-7／℃である。たとえば、Fe2O353モル％、
MnO28モル％、ZnO19モル％であり、この材料
の熱膨脹係数は111×10-7／℃であつた。
一方、非晶質磁性合金はCo−Fe−Si−Ｂ系の
合金を溶融し、超急冷法で作製した薄板状のもの
を用いた。たとえば、（Fe0.06Co0.94）75Si11.5B13.5
の組成で、板厚約20μｍのものである。この材料
の熱膨脹係数は118×10-7／℃であり、結晶化温
度は約520℃であつた。
合金を溶融し、超急冷法で作製した薄板状のもの
を用いた。たとえば、（Fe0.06Co0.94）75Si11.5B13.5
の組成で、板厚約20μｍのものである。この材料
の熱膨脹係数は118×10-7／℃であり、結晶化温
度は約520℃であつた。
上述の磁性材を組み合せた複合型磁気ヘツドに
おいて、接合のために使用するガラスとしては、
PbO75〜85重量％、B2O310〜15重量％、SiO20.5
〜５重量％、Al2O30.5〜2.5重量％の組成で、熱
膨脹係数95〜120×10-7／℃、軟化温度350〜400
℃である第１のガラス、または、PbO75〜80重量
％、ZnO10〜12重量％、B2O37〜10重量％、
SiO20.5〜2.5重量％、Al2O30.5〜2.5重量、
BaO0.5〜３重量％の組成で、熱膨脹係数98〜120
×10-7／℃、軟化温度350〜400℃である第２のガ
ラス、もしくは、PbO76〜80重量％、B2O310〜
12重量％、ZnO1.5〜３重量％、SiO20.5〜３重量
％、Al2O30.5〜2.5重量％、CuO1〜３重量％、
Bi2O30.3〜５重量％の組成で、熱膨脹係数95〜
110×10-7／℃、軟化温度330〜400℃である第３
のガラスが最適であつた。
おいて、接合のために使用するガラスとしては、
PbO75〜85重量％、B2O310〜15重量％、SiO20.5
〜５重量％、Al2O30.5〜2.5重量％の組成で、熱
膨脹係数95〜120×10-7／℃、軟化温度350〜400
℃である第１のガラス、または、PbO75〜80重量
％、ZnO10〜12重量％、B2O37〜10重量％、
SiO20.5〜2.5重量％、Al2O30.5〜2.5重量、
BaO0.5〜３重量％の組成で、熱膨脹係数98〜120
×10-7／℃、軟化温度350〜400℃である第２のガ
ラス、もしくは、PbO76〜80重量％、B2O310〜
12重量％、ZnO1.5〜３重量％、SiO20.5〜３重量
％、Al2O30.5〜2.5重量％、CuO1〜３重量％、
Bi2O30.3〜５重量％の組成で、熱膨脹係数95〜
110×10-7／℃、軟化温度330〜400℃である第３
のガラスが最適であつた。
すなわち、上記ガラスは前記Mn−Zn系フエラ
イトとCo−Fe−Si−Ｂ系非晶質磁性合金を組み
合せて接合するのに適した熱膨脹係数を有し、
450〜520℃の温度範囲で接合のために使用するの
に適している。
イトとCo−Fe−Si−Ｂ系非晶質磁性合金を組み
合せて接合するのに適した熱膨脹係数を有し、
450〜520℃の温度範囲で接合のために使用するの
に適している。
たとえば、PbO85重量％、B2O313重量％、
SiO21重量％、Al2O31重量％からなる第１のガラ
スの熱膨脹係数は113×10-7／℃、軟化温度は350
℃で、このガラスを用いた場合、460〜470℃で接
合あるいはモールドすることができる。また、
PbO80重量％、B2O315重量％、SiO23重量％、
Al2O32重量％からなる第１のガラスの熱膨脹係
数は100×10-7／℃、軟化温度は390℃で、このガ
ラスを用いた場合、500〜510℃で接合あるいはモ
ールドすることができる。
SiO21重量％、Al2O31重量％からなる第１のガラ
スの熱膨脹係数は113×10-7／℃、軟化温度は350
℃で、このガラスを用いた場合、460〜470℃で接
合あるいはモールドすることができる。また、
PbO80重量％、B2O315重量％、SiO23重量％、
Al2O32重量％からなる第１のガラスの熱膨脹係
数は100×10-7／℃、軟化温度は390℃で、このガ
ラスを用いた場合、500〜510℃で接合あるいはモ
ールドすることができる。
また、PbO76重量％、ZnO11重量％、B2O39重
量％、SiO22重量％、Al2O30.5重量％、BaO15重
量％からなる第２のガラスの熱膨脹係数は112×
10-7／℃、軟化温度は368℃で、このガラスを用
いた場合、470〜480℃で接合あるいはモールドす
ることができる。また、PbO75重量％、ZnO10重
量％、B2O39重量％、SiO22重量％、Al2O31重量
％、BaO3重量％からなる第２のガラスの熱膨脹
係数は105×10-7／℃、軟化温度は380℃で、この
ガラスを用いた場合、500〜510℃で接合あるいは
モールドすることができる。
量％、SiO22重量％、Al2O30.5重量％、BaO15重
量％からなる第２のガラスの熱膨脹係数は112×
10-7／℃、軟化温度は368℃で、このガラスを用
いた場合、470〜480℃で接合あるいはモールドす
ることができる。また、PbO75重量％、ZnO10重
量％、B2O39重量％、SiO22重量％、Al2O31重量
％、BaO3重量％からなる第２のガラスの熱膨脹
係数は105×10-7／℃、軟化温度は380℃で、この
ガラスを用いた場合、500〜510℃で接合あるいは
モールドすることができる。
さらに、PbO80重量％、B2O311重量％、ZnO3
重量％、SiO22重量％、Al2O31重量％、CuO2.7重
量％、Bi2O30.3重量％からなる第３のガラスの熱
膨脹係数は110×10-7／℃、軟化温度は340℃で、
このガラスを用いた場合、450〜460℃で接合ある
いはモールドすることができる。また、PbO76重
量％、B2O312重量％、ZnO3重量％、SiO23重量
％、Al2O32.5重量％、CuO3重量％、Bi2O30.5重
量％からなる第３のガラスの熱膨脹係数は95×
10-7／℃、軟化温度は400℃で、このガラスを用
いた場合、500〜520℃で接合あるいはモールドす
ることができる。
重量％、SiO22重量％、Al2O31重量％、CuO2.7重
量％、Bi2O30.3重量％からなる第３のガラスの熱
膨脹係数は110×10-7／℃、軟化温度は340℃で、
このガラスを用いた場合、450〜460℃で接合ある
いはモールドすることができる。また、PbO76重
量％、B2O312重量％、ZnO3重量％、SiO23重量
％、Al2O32.5重量％、CuO3重量％、Bi2O30.5重
量％からなる第３のガラスの熱膨脹係数は95×
10-7／℃、軟化温度は400℃で、このガラスを用
いた場合、500〜520℃で接合あるいはモールドす
ることができる。
なお、上記第１のガラスは、とくに磁気テープ
摺動面に露出する部分に用いるのに好適である。
たとえば、とくに作動ギヤツプ近傍部のモールド
部に適しており、非晶質磁性合金薄板と段差を生
じることがなく、テープタツチが改善される。第
５図はその一例を示したものである。同図ａは磁
気ヘツドの磁気テープ摺動面を示し、４０はフエ
ライト、４１は非晶質磁性合金薄板、４２はモー
ルドしたガラス、４３は作動ギヤツプ部である。
この磁気ヘツドを用い、1000時間のテープ摺動を
行なつた後、表面粗さ計でＡ、Ｂ、Ｃ線上の粗さ
を測定した結果を同図ｂに示す。Ａ線上の作動ギ
ヤツプ近傍部４３は、非晶質磁性合金薄板４１と
第１のガラス４２とからなつているが、両者の間
に段差は認められなかつた。Ｂ、Ｃ線上は非晶質
磁性合金薄板４１とフエライト４０とからなつて
いるが、非晶質磁性合金薄板４１の部分が0.05〜
0.1μｍ程度凹になつていた。このように、本発明
の磁気ヘツドでは作動ギヤツプ部のテープタツチ
が良好となり、スペーシング損失の問題は起らな
い。さらに、耐摩耗性に対しては、テープ摺動面
の主要部がフエライトで保護されているため、長
時間寿命を有する磁気ヘツドとなる。
摺動面に露出する部分に用いるのに好適である。
たとえば、とくに作動ギヤツプ近傍部のモールド
部に適しており、非晶質磁性合金薄板と段差を生
じることがなく、テープタツチが改善される。第
５図はその一例を示したものである。同図ａは磁
気ヘツドの磁気テープ摺動面を示し、４０はフエ
ライト、４１は非晶質磁性合金薄板、４２はモー
ルドしたガラス、４３は作動ギヤツプ部である。
この磁気ヘツドを用い、1000時間のテープ摺動を
行なつた後、表面粗さ計でＡ、Ｂ、Ｃ線上の粗さ
を測定した結果を同図ｂに示す。Ａ線上の作動ギ
ヤツプ近傍部４３は、非晶質磁性合金薄板４１と
第１のガラス４２とからなつているが、両者の間
に段差は認められなかつた。Ｂ、Ｃ線上は非晶質
磁性合金薄板４１とフエライト４０とからなつて
いるが、非晶質磁性合金薄板４１の部分が0.05〜
0.1μｍ程度凹になつていた。このように、本発明
の磁気ヘツドでは作動ギヤツプ部のテープタツチ
が良好となり、スペーシング損失の問題は起らな
い。さらに、耐摩耗性に対しては、テープ摺動面
の主要部がフエライトで保護されているため、長
時間寿命を有する磁気ヘツドとなる。
本発明に用いる第１のガラスにおいて、PbOを
75〜85重量％に限定したのは、PbOが75重量％以
下になると軟化温度が400℃以上となり、非晶質
磁性合金の結晶化温度以下でモールドすることが
むずかしくなるためであり、85重量％以上にする
と、ガラスがもろく、接合強度が弱まり、機械加
工中にはく離してしまうためである。B2O3を10
〜15重量％に限定したのは、B2O3を10重量％以
下にすると、熱膨脹係数が120×10-7／℃以上と
なり、クラツクなどが生ずるようになり、また、
失透性が強く、化学的耐久性が低下してしまい、
良好な接合もしくはモールドをすることが困難と
なるからであり、15重量％以上にすると、熱膨脹
係数が95×10-7／℃以下となり、非晶質磁性合金
の熱膨脹係数と合わなくなり、クラツクなどが入
るようになるからである。また、SiO2を0.5〜５
重量％としたのは、ガラスの安定性や化学的耐久
性を増すためであり、0.5重量％以下にするとほ
とんど効果がみられず、５重量％以上にすると軟
化温度が高くなつてしまうためである。さらに、
Al2O3を0.5〜2.5重量％としたのは、耐水性を増
し、加工性を良くし、かつ失透を防ぐためであ
り、2.5重量％以上にすると、SiO2と同様に軟化
温度が高くなつてしまうためである。
75〜85重量％に限定したのは、PbOが75重量％以
下になると軟化温度が400℃以上となり、非晶質
磁性合金の結晶化温度以下でモールドすることが
むずかしくなるためであり、85重量％以上にする
と、ガラスがもろく、接合強度が弱まり、機械加
工中にはく離してしまうためである。B2O3を10
〜15重量％に限定したのは、B2O3を10重量％以
下にすると、熱膨脹係数が120×10-7／℃以上と
なり、クラツクなどが生ずるようになり、また、
失透性が強く、化学的耐久性が低下してしまい、
良好な接合もしくはモールドをすることが困難と
なるからであり、15重量％以上にすると、熱膨脹
係数が95×10-7／℃以下となり、非晶質磁性合金
の熱膨脹係数と合わなくなり、クラツクなどが入
るようになるからである。また、SiO2を0.5〜５
重量％としたのは、ガラスの安定性や化学的耐久
性を増すためであり、0.5重量％以下にするとほ
とんど効果がみられず、５重量％以上にすると軟
化温度が高くなつてしまうためである。さらに、
Al2O3を0.5〜2.5重量％としたのは、耐水性を増
し、加工性を良くし、かつ失透を防ぐためであ
り、2.5重量％以上にすると、SiO2と同様に軟化
温度が高くなつてしまうためである。
本発明に用いる第２のガラスにおいて、PbOを
75〜80重量％と限定したのは、PbOが75重量％以
下になると軟化温度が400℃以上となり、非晶質
磁性合金の結晶化温度以下でモールドすることが
難かしくなるためであり、80重量％以上にすると
ガラスがもろく、接合強度が弱まり、機械加工中
に接合部がはく離してしまうためである。ZnOを
10〜12重量％としたのは、非晶質磁性合金とフエ
ライトとの密着性を確保するためである。この範
囲外にすると、機械的強度や化学的耐食性が劣化
する。また、熱膨脹係数も最適値からはずれてし
まう。B2O3を７〜10重量％と限定したのは、
B2O3を７重量％以下にすると、熱膨脹係数が120
×10-7／℃以上となり、クラツクなどが生じ、ま
た、失透性が強くなり、化学的耐久性も低下して
しまい、良好な接合もしくはモールドをすること
が困難となり、10重量％以上になると、熱膨脹係
数が95×10-7／℃以下となり、非晶質磁性合金の
熱膨脹係数と合わなくなり、クラツクなどが入つ
てしまう。SiO2を0.5〜2.5重量％としたのは、ガ
ラスの安定性や化学的耐久性を増すためであり、
0.5重量％以下にするとほとんど効果がみられず、
2.5重量％以上にすると軟化温度が高くなつてし
まうからである。Al2O3を0.5〜2.5重量％とした
のは、耐水性を増し、加工性を良くし、かつ失透
を防ぐためであり、0.5重量％以下では効果がな
く、2.5重量％以上にすると、SiO2と同様に軟化
温度が高くなつてしまうからである。BaOを0.5
〜３重量％としたのは、接着強度を高めるためで
あり、また冷却速度を速くできる効果もある。こ
れは非晶質磁性合金の磁気特性を劣化させないた
めにも重要である。BaOを0.5重量％以下にする
と、その効果はほとんどなく、３重量％以上にし
てもあまり効果を増さない。
75〜80重量％と限定したのは、PbOが75重量％以
下になると軟化温度が400℃以上となり、非晶質
磁性合金の結晶化温度以下でモールドすることが
難かしくなるためであり、80重量％以上にすると
ガラスがもろく、接合強度が弱まり、機械加工中
に接合部がはく離してしまうためである。ZnOを
10〜12重量％としたのは、非晶質磁性合金とフエ
ライトとの密着性を確保するためである。この範
囲外にすると、機械的強度や化学的耐食性が劣化
する。また、熱膨脹係数も最適値からはずれてし
まう。B2O3を７〜10重量％と限定したのは、
B2O3を７重量％以下にすると、熱膨脹係数が120
×10-7／℃以上となり、クラツクなどが生じ、ま
た、失透性が強くなり、化学的耐久性も低下して
しまい、良好な接合もしくはモールドをすること
が困難となり、10重量％以上になると、熱膨脹係
数が95×10-7／℃以下となり、非晶質磁性合金の
熱膨脹係数と合わなくなり、クラツクなどが入つ
てしまう。SiO2を0.5〜2.5重量％としたのは、ガ
ラスの安定性や化学的耐久性を増すためであり、
0.5重量％以下にするとほとんど効果がみられず、
2.5重量％以上にすると軟化温度が高くなつてし
まうからである。Al2O3を0.5〜2.5重量％とした
のは、耐水性を増し、加工性を良くし、かつ失透
を防ぐためであり、0.5重量％以下では効果がな
く、2.5重量％以上にすると、SiO2と同様に軟化
温度が高くなつてしまうからである。BaOを0.5
〜３重量％としたのは、接着強度を高めるためで
あり、また冷却速度を速くできる効果もある。こ
れは非晶質磁性合金の磁気特性を劣化させないた
めにも重要である。BaOを0.5重量％以下にする
と、その効果はほとんどなく、３重量％以上にし
てもあまり効果を増さない。
本発明に用いる第３のガラスにおいて、PbOを
76〜80重量％に限定する理由は、PbOが76重量％
以下になると軟化温度が400℃以上となり、非晶
質磁性合金の結晶化温度以下でモールドすること
がむずかしくなるためであり、80重量％以上にす
ると、ガラスがもろく、接合強度が弱まり、機械
加工中に接合部がはく離してしまうためである。
B2O3を10〜12重量％と限定したのは、B2O3を10
重量％以下にすると、熱膨脹係数が120×10-7／
℃以上となり、クラツクなどが生じ、また失透性
が強くなり、化学的耐久性も低下してしまい、良
好な接合もしくはモールドすることが困難とな
り、12重量％以上になると、熱膨脹係数が95×
10-7／℃以下となり、非晶質磁性合金の熱膨脹係
数と合わなくなり、クラツクなどが入つてしまう
からである。ZnOを1.5〜３重量％としたのは、
熱膨脹係数を95〜110×10-7／℃に調整するため
であり、非晶質合金とフエライトとを組み合せた
場合、フエライトとのぬれ性が良くなり、接合強
度が増すためである。SiO2を0.5〜３重量％とし
たのはガラスの安定性や化学的耐久性を増すため
であり、0.5重量％以下にするとほとんど効果が
みられず、３重量％以上になると軟化温度が高く
なつてしまうためである。Al2O3を0.5〜2.5重量
％としたのは、SiO2の場合とほぼ同様な理由か
らで、耐水性を増し、加工性を良くし、かつ失透
性を防ぐためである。CuOを１〜３重量％とした
のは接着力を増すためであり、熱膨脹係数を大き
くせずに軟化温度を下げる効果をもたせるためで
ある。１重量％以下では効果がほとんどなく、３
重量％以上にしても効果は上らない。Bi2O3を0.3
〜５重量％としたのは、ガラスの結晶化防止を目
的としたものであり、また、溶融の際、泡切清澄
剤としても役立つ。0.3重量％以下では効果がほ
とんどなく、５重量％以上にしても効果は上らな
い。
76〜80重量％に限定する理由は、PbOが76重量％
以下になると軟化温度が400℃以上となり、非晶
質磁性合金の結晶化温度以下でモールドすること
がむずかしくなるためであり、80重量％以上にす
ると、ガラスがもろく、接合強度が弱まり、機械
加工中に接合部がはく離してしまうためである。
B2O3を10〜12重量％と限定したのは、B2O3を10
重量％以下にすると、熱膨脹係数が120×10-7／
℃以上となり、クラツクなどが生じ、また失透性
が強くなり、化学的耐久性も低下してしまい、良
好な接合もしくはモールドすることが困難とな
り、12重量％以上になると、熱膨脹係数が95×
10-7／℃以下となり、非晶質磁性合金の熱膨脹係
数と合わなくなり、クラツクなどが入つてしまう
からである。ZnOを1.5〜３重量％としたのは、
熱膨脹係数を95〜110×10-7／℃に調整するため
であり、非晶質合金とフエライトとを組み合せた
場合、フエライトとのぬれ性が良くなり、接合強
度が増すためである。SiO2を0.5〜３重量％とし
たのはガラスの安定性や化学的耐久性を増すため
であり、0.5重量％以下にするとほとんど効果が
みられず、３重量％以上になると軟化温度が高く
なつてしまうためである。Al2O3を0.5〜2.5重量
％としたのは、SiO2の場合とほぼ同様な理由か
らで、耐水性を増し、加工性を良くし、かつ失透
性を防ぐためである。CuOを１〜３重量％とした
のは接着力を増すためであり、熱膨脹係数を大き
くせずに軟化温度を下げる効果をもたせるためで
ある。１重量％以下では効果がほとんどなく、３
重量％以上にしても効果は上らない。Bi2O3を0.3
〜５重量％としたのは、ガラスの結晶化防止を目
的としたものであり、また、溶融の際、泡切清澄
剤としても役立つ。0.3重量％以下では効果がほ
とんどなく、５重量％以上にしても効果は上らな
い。
以上述べたように、本発明に用いるガラスは、
PbOを主成分としたもであり、非晶質磁性合金の
結晶化温度（450〜550℃）範囲に対して、それぞ
れの結晶化温度以下で接合もしくはモールドする
ことが可能なガラス組成であり、ガラスの性質を
改善するために、他の若干の添加物を加えてもよ
く、たとえば、熱膨脹係数、軟化温度、硬度、化
学的安定性などを考慮して、約１重量％以下の
Na2O、K2O、CaO、BaO、ZnOなどを添加物を
加えて改善することができる。
PbOを主成分としたもであり、非晶質磁性合金の
結晶化温度（450〜550℃）範囲に対して、それぞ
れの結晶化温度以下で接合もしくはモールドする
ことが可能なガラス組成であり、ガラスの性質を
改善するために、他の若干の添加物を加えてもよ
く、たとえば、熱膨脹係数、軟化温度、硬度、化
学的安定性などを考慮して、約１重量％以下の
Na2O、K2O、CaO、BaO、ZnOなどを添加物を
加えて改善することができる。
以上説明したように、本発明の複合型磁気ヘツ
ドは非晶質磁性合金の磁気的性質を劣化させるこ
となく、低温度で製造することができ、特性の良
い磁気ヘツドが得られる。
ドは非晶質磁性合金の磁気的性質を劣化させるこ
となく、低温度で製造することができ、特性の良
い磁気ヘツドが得られる。
第１図は本発明の複合型磁気ヘツドの一実施例
の説明図、第２図〜第４図は本発明の磁気ヘツド
の製造工程の一例を説明するための図、第５図は
本発明の磁気ヘツドの磁気テープ摺動面の摩耗試
験後のテープ摺動面の表面形状を示す図である。 図において、１０……磁気ヘツド、１１……非
晶質磁性合金薄板、１５，１６……フエライトコ
ア部片、１４……トラツク幅決め用切欠き溝、１
７……コア後部補強用溝、１８……コイル巻線用
窓、３０……フエライト基板、３０1，３０2……
コア部片、３１……溝、３２……非晶質磁性合金
薄板、３３……コイル巻線用溝、３４，３７……
コア後部補強用溝、３５……トラツク幅決め溝、
３６……トラツク幅決め孔、３８……コイル巻線
用窓、４０……フエライト、４１……非晶質磁性
合金薄板、４２……モールドしたガラス、４３…
…作動ギヤツプ。
の説明図、第２図〜第４図は本発明の磁気ヘツド
の製造工程の一例を説明するための図、第５図は
本発明の磁気ヘツドの磁気テープ摺動面の摩耗試
験後のテープ摺動面の表面形状を示す図である。 図において、１０……磁気ヘツド、１１……非
晶質磁性合金薄板、１５，１６……フエライトコ
ア部片、１４……トラツク幅決め用切欠き溝、１
７……コア後部補強用溝、１８……コイル巻線用
窓、３０……フエライト基板、３０1，３０2……
コア部片、３１……溝、３２……非晶質磁性合金
薄板、３３……コイル巻線用溝、３４，３７……
コア後部補強用溝、３５……トラツク幅決め溝、
３６……トラツク幅決め孔、３８……コイル巻線
用窓、４０……フエライト、４１……非晶質磁性
合金薄板、４２……モールドしたガラス、４３…
…作動ギヤツプ。
Claims (1)
- １ 作動ギヤツプ突合せ部が高透磁率、高飽和磁
東密度で、結晶化温度が700℃未満の非晶質磁性
合金からなり、前記作動ギヤツプ近傍を除き前記
非晶質磁性合金が、該非晶質磁性合金と共にリン
グ型磁気ヘツドの磁路を構成する高透磁率の磁性
フエライトコアによつて支持され、かつ、前記磁
気ヘツドの接合部またはモールド部が、非磁性材
料により接合またはモールドされている複合型磁
気ヘツドであつて、前記非磁性材料が、PbO75〜
85重量％、B2O310〜15重量％、SiO20.5〜５重量
％、Al2O30.5〜2.5重量％からなる組成の第１の
ガラスと、PbO75〜80重量％、ZnO10〜12重量
％、B2O37〜10重量％、SiO20.5〜2.5重量％、
Al2O30.5〜2.5重量％、BaO0.5〜３重量％からな
る組成の第２のガラス、およびPbO76〜80重量
％、B2O310〜12重量％、ZnO1.5〜３重量％、
SiO30.5〜３重量％、Al2O30.5〜2.5重量％、
CuO1〜３重量％、Bi2O30.3〜５重量％からなる
組成の第３のガラスのうちより選択される少なく
とも１種のガラスからなることを特徴とする複合
型磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11530185A JPS615406A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | 複合型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11530185A JPS615406A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | 複合型磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS615406A JPS615406A (ja) | 1986-01-11 |
| JPH0352645B2 true JPH0352645B2 (ja) | 1991-08-12 |
Family
ID=14659244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11530185A Granted JPS615406A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | 複合型磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS615406A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6288109A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-22 | Hitachi Ltd | アモルフアス磁性合金磁気ヘツドおよびその製法 |
| JPS6370912A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-31 | Hitachi Ltd | 磁気ヘツドギヤツプ接合用ガラス |
| US5208965A (en) * | 1989-01-17 | 1993-05-11 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Method for producing magnetic head having track regulation grooves formed at tape sliding surface |
| JP2759271B2 (ja) * | 1989-01-17 | 1998-05-28 | 日本ビクター株式会社 | 磁気ヘッドとその製造方法 |
| JP2013189372A (ja) * | 2013-04-23 | 2013-09-26 | Central Glass Co Ltd | 導電性ペースト材料 |
| JP7484125B2 (ja) * | 2019-10-18 | 2024-05-16 | 日本電気硝子株式会社 | 金属封止用ガラス及びこれを用いた金属封止用材料 |
-
1985
- 1985-05-30 JP JP11530185A patent/JPS615406A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS615406A (ja) | 1986-01-11 |
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