JPH02137745A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH02137745A JPH02137745A JP28770688A JP28770688A JPH02137745A JP H02137745 A JPH02137745 A JP H02137745A JP 28770688 A JP28770688 A JP 28770688A JP 28770688 A JP28770688 A JP 28770688A JP H02137745 A JPH02137745 A JP H02137745A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/24—Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions, i.e. for use as seals between dissimilar materials, e.g. glass and metal; Glass solders
- C03C8/245—Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions, i.e. for use as seals between dissimilar materials, e.g. glass and metal; Glass solders containing more than 50% lead oxide, by weight
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高性能磁気記録再生装置に用いテープ摺動性、
摩耗性、及び耐久性に優れた磁気ヘッドに関する。
摩耗性、及び耐久性に優れた磁気ヘッドに関する。
最近、ＶＴＲなどの小型軽量、及び、高性能化に伴って
磁気記録も高密度化が要求されるようになり、それらの
磁気ヘッドも従来のフェライト単体のヘッドから金属磁
性膜を用いた磁気ヘッドへと移行するようになった。こ
れらの磁気ヘッドは。
磁気記録も高密度化が要求されるようになり、それらの
磁気ヘッドも従来のフェライト単体のヘッドから金属磁
性膜を用いた磁気ヘッドへと移行するようになった。こ
れらの磁気ヘッドは。
金属磁性膜とそれを支持する基板からなる磁気コアを低
温軟化ガラスを用いて接合、あるいは、補強した構造に
なっている。
温軟化ガラスを用いて接合、あるいは、補強した構造に
なっている。
これらの接合ガラスには、先ず、熱膨張係数が基板、及
び、磁性膜の熱膨張係数と近似させること、次に、磁気
ヘッドの耐摩耗性、耐摺動性、また、耐水性などの化学
的耐久性が要求されてくる。
び、磁性膜の熱膨張係数と近似させること、次に、磁気
ヘッドの耐摩耗性、耐摺動性、また、耐水性などの化学
的耐久性が要求されてくる。
一般に、金属磁性膜は高熱膨張特性を示し、例えば、Ｃ
ｏを主成分としたアモルファス膜の熱膨張係数は１２０
ＸＩＯ’″７／℃である。そこで、基板、及び、アモル
ファス磁性膜を含めた磁気コアの接合ガラスは、アモル
ファス膜の結晶化温度である５２０℃以下でガラス作業
可能（低融点）であること、更には、ガラスボンディン
グ後のガラスクラックや破損を防止し、また、アモルフ
ァス磁性膜の残留歪を極力抑制するために、ガラスの熱
膨張係数を、アモルファス磁性膜の熱膨張係数に合わせ
ることが必須な条件となってくる。
ｏを主成分としたアモルファス膜の熱膨張係数は１２０
ＸＩＯ’″７／℃である。そこで、基板、及び、アモル
ファス磁性膜を含めた磁気コアの接合ガラスは、アモル
ファス膜の結晶化温度である５２０℃以下でガラス作業
可能（低融点）であること、更には、ガラスボンディン
グ後のガラスクラックや破損を防止し、また、アモルフ
ァス磁性膜の残留歪を極力抑制するために、ガラスの熱
膨張係数を、アモルファス磁性膜の熱膨張係数に合わせ
ることが必須な条件となってくる。
これらの高熱膨張特性をもつ低温軟化ガラスにはＰｂＯ
系ガラスがある。一般に、この系のガラスは高熱膨張化
は容易であるが、同時に、機械的強度、化学的耐久性を
向上させるのは困難である。
系ガラスがある。一般に、この系のガラスは高熱膨張化
は容易であるが、同時に、機械的強度、化学的耐久性を
向上させるのは困難である。
例えば、高熱膨張ＰｂＯ系ガラスとして、特開昭５７−
１７９９２６号公報にはアモルファス磁性膜磁気ヘッド
用接合ガラスとして熱膨張係数が１１３×１０″′７／
℃であるＰｂＯ−ＢｘＯａ−８ｉ ０２−ＡＱｚＯｓの
四元系ガラスが示されている。更に、特開昭５９−７３
４４９号公報にＴｅＯ２を含んだＰｂＯを主成分とした
低温軟化ガラスが示されている。
１７９９２６号公報にはアモルファス磁性膜磁気ヘッド
用接合ガラスとして熱膨張係数が１１３×１０″′７／
℃であるＰｂＯ−ＢｘＯａ−８ｉ ０２−ＡＱｚＯｓの
四元系ガラスが示されている。更に、特開昭５９−７３
４４９号公報にＴｅＯ２を含んだＰｂＯを主成分とした
低温軟化ガラスが示されている。
特開昭５７−１７９９２６号公報に示されているＰｂＯ
−Ｂ２ＯＳ ｉ Ｏ２，Ａ ｆｌ ２０３ （１）四元
系アモルファス膜磁気ヘッド用接合ガラスは熱膨張係数
が１１３Ｘ１０″″７７℃と高熱膨張特性を示し、且つ
。
−Ｂ２ＯＳ ｉ Ｏ２，Ａ ｆｌ ２０３ （１）四元
系アモルファス膜磁気ヘッド用接合ガラスは熱膨張係数
が１１３Ｘ１０″″７７℃と高熱膨張特性を示し、且つ
。
アモルファス磁性膜の結晶化温度以下の低温で作業でき
る利点をもっている。しかし、このガラスの配合組成で
は耐摩耗性、硬度などの機械的強度。
る利点をもっている。しかし、このガラスの配合組成で
は耐摩耗性、硬度などの機械的強度。
また、耐水性などの化学的耐久性に劣るｐｂｏ。
ＢｚＯａが多量に含まれているのに対し、高硬度、及び
、化学的に安定な酸化物であるＳ ｉ Ｏ２゜ＡＱｚＯ
ｓは、それぞれ、１重量％と僅かしか含まれていない。
、化学的に安定な酸化物であるＳ ｉ Ｏ２゜ＡＱｚＯ
ｓは、それぞれ、１重量％と僅かしか含まれていない。
このため、ＰｂＯ系ガラスは機械的強度、更には、耐水
性などの化学的耐久性の面で不十分であり、アモルファ
ス膜磁気ヘッドとして用いるには不充分である。
性などの化学的耐久性の面で不十分であり、アモルファ
ス膜磁気ヘッドとして用いるには不充分である。
また、特開昭５９−７３４４９号公報のＴｅ０ｚを含む
ＰｂＯ系ガラスは上述のガラスと同様に、機械的、化学
的に安定なＳ ｉＯｚｔ Ａ Ｑ ０１１． Ｚ ｎ○
の含有量が僅かであるため、このガラスはアモルファス
磁気ヘッド用ガラスとしては不十分である。
ＰｂＯ系ガラスは上述のガラスと同様に、機械的、化学
的に安定なＳ ｉＯｚｔ Ａ Ｑ ０１１． Ｚ ｎ○
の含有量が僅かであるため、このガラスはアモルファス
磁気ヘッド用ガラスとしては不十分である。
本発明の目的は、アモルファス膜磁気ヘッド用接合ガラ
スの熱膨張係数をアモルファス磁性膜の熱膨張係数に近
似させ、耐摩耗性、高硬度などの機械的強度、また、耐
水性などの化学的に優れた接合ガラスからなる磁気ヘッ
ドを提供することにある。
スの熱膨張係数をアモルファス磁性膜の熱膨張係数に近
似させ、耐摩耗性、高硬度などの機械的強度、また、耐
水性などの化学的に優れた接合ガラスからなる磁気ヘッ
ドを提供することにある。
上記目的を満足させるには、アモルファス膜を磁性膜と
した磁気ヘッドの接合ガラスとして、まず、アモルファ
ス膜の結晶化温度以下の低温で作業可能であること、ま
た、熱膨張係数がアモルファス膜と近似し、さらには、
アモルファス磁気ヘッドの機械的強度、化学的耐久性が
優れることが必要となる。
した磁気ヘッドの接合ガラスとして、まず、アモルファ
ス膜の結晶化温度以下の低温で作業可能であること、ま
た、熱膨張係数がアモルファス膜と近似し、さらには、
アモルファス磁気ヘッドの機械的強度、化学的耐久性が
優れることが必要となる。
ＰｂＯを主成分とするガラスとしては、一般に、ＰｂＯ
−Ｂ２Ｏ８ｉｏｚ系ガラスが低融点ガラスとして知られ
ている。これらのガラスは一般に熱膨張係数が大きいほ
ど、機械的特性、化学的耐久性などが悪くなる傾向があ
り、これまでこれらの特性を両立させることはかなり困
難であった。
−Ｂ２Ｏ８ｉｏｚ系ガラスが低融点ガラスとして知られ
ている。これらのガラスは一般に熱膨張係数が大きいほ
ど、機械的特性、化学的耐久性などが悪くなる傾向があ
り、これまでこれらの特性を両立させることはかなり困
難であった。
発明者らは、これらの種々の特性を同時に満足させるＰ
ｂｏを主成分としたガラスの検討を進めた。その結果、
熱膨張係数が１１０〜１３０ＸＩＱ−７７’Ｃの範囲に
ある熱膨張特性をもち、アモルファス磁性膜の磁気特性
が劣化する結晶化温度以下の５００ ’Ｃ以下で作業可
能なＰｂＯ−ＢｚＯｓ −Ｓ ｉ ０ｚ−Ｔ ｅ ０２
を主成分とするガラスがこの目標を満足させることを見
比した。これらのガラス組成範囲は重量％でＰｂＯが７
０〜８５％、ＢｚＯａが５〜１６％、５ｉＯｚが３〜１
３％。
ｂｏを主成分としたガラスの検討を進めた。その結果、
熱膨張係数が１１０〜１３０ＸＩＱ−７７’Ｃの範囲に
ある熱膨張特性をもち、アモルファス磁性膜の磁気特性
が劣化する結晶化温度以下の５００ ’Ｃ以下で作業可
能なＰｂＯ−ＢｚＯｓ −Ｓ ｉ ０ｚ−Ｔ ｅ ０２
を主成分とするガラスがこの目標を満足させることを見
比した。これらのガラス組成範囲は重量％でＰｂＯが７
０〜８５％、ＢｚＯａが５〜１６％、５ｉＯｚが３〜１
３％。
Ｔｅ０ｚが２〜１３％を含むことが必須である。
更に、好ましくはこれらの主成分にに２０．ＺｎＯ。
ＡＱｚＯｓ、Ｚｒ０ｚ、ＴｉＯ２，５ｂｚＯｓ、Ｃｕｂ
。
。
ＷＯａＳｎＯｘ、Ｆｅｚｏａから選ばれる少なくとも一
種以上がＯ〜７重量％含まれることによって特性を満足
させることが可能となる。
種以上がＯ〜７重量％含まれることによって特性を満足
させることが可能となる。
一方、アモルファス磁性膜を支持する基板は、磁気ヘッ
ドの高性能化に伴って、高周波特性が要求され、これに
対応する磁気テープとの相対速度も高速化されるように
なる。従って、これらの要求を満足させるには、磁気テ
ープの摺動時に生じる摺動ノイズを低減させ、更には、
摺動特性が必要となることから、従来の磁性基板である
フェライト基板に代り、上述の特性に優れた非磁性基板
が有効となる。
ドの高性能化に伴って、高周波特性が要求され、これに
対応する磁気テープとの相対速度も高速化されるように
なる。従って、これらの要求を満足させるには、磁気テ
ープの摺動時に生じる摺動ノイズを低減させ、更には、
摺動特性が必要となることから、従来の磁性基板である
フェライト基板に代り、上述の特性に優れた非磁性基板
が有効となる。
アモルファス膜磁気ヘッド用接合ガラスでＰ ｂ Ｏ−
ＢｚＯａ −Ｓ ｉ ０ｚ−Ｔ ｅ ０２を主成分のガ
ラスとしたのは、Ｔｅ０ｚを添加することにより、耐水
性を損なわずに高熱膨張特性を得るためである。更に、
詳細に各成分の働きについて説明する。
ＢｚＯａ −Ｓ ｉ ０ｚ−Ｔ ｅ ０２を主成分のガ
ラスとしたのは、Ｔｅ０ｚを添加することにより、耐水
性を損なわずに高熱膨張特性を得るためである。更に、
詳細に各成分の働きについて説明する。
まず、ＰｂＯ量を７０〜８５重量％の範囲としたのは７
０重量％未満ではガラス作業温度が高くなり、８５重量
％を越えると耐水性が不十分となる。Ｂ２Ｏ３量を５〜
１６重景％の範囲としたのは５重量％未満ではガラスが
結晶化されやすく、流動性が悪くなり１６重量％を越え
ると熱膨張係数が小さく、耐水性不十分となる。、５ｉ
Ｏｚ量を３〜１３重量％の範囲としたのは３重量％未満
では耐水性不十分となり、１３重量％を越えるとガラス
作業温度が高くなると同時に、低熱膨張特性を示す。Ｔ
ｅ０ｚを２〜１３重量％の範囲としたのは２重量％未満
では低熱膨張特性を示し、１３重量％を越えるとガラス
の機械的強度が小となり加工性を悪くする。
０重量％未満ではガラス作業温度が高くなり、８５重量
％を越えると耐水性が不十分となる。Ｂ２Ｏ３量を５〜
１６重景％の範囲としたのは５重量％未満ではガラスが
結晶化されやすく、流動性が悪くなり１６重量％を越え
ると熱膨張係数が小さく、耐水性不十分となる。、５ｉ
Ｏｚ量を３〜１３重量％の範囲としたのは３重量％未満
では耐水性不十分となり、１３重量％を越えるとガラス
作業温度が高くなると同時に、低熱膨張特性を示す。Ｔ
ｅ０ｚを２〜１３重量％の範囲としたのは２重量％未満
では低熱膨張特性を示し、１３重量％を越えるとガラス
の機械的強度が小となり加工性を悪くする。
次に、Ｋ２Ｏ，ＺｎＯ，ＡｆｉｚＯａ、Ｚｒ０ｚ。
Ｔ ｉ Ｏｚ、Ｓ ｂ ２０３ＷＯ３，Ｃｕ ＯＳ ｎ
○２゜ＦｅｚＯａから選ばれる少なくとも一種を含んだ
四元系ガラスの添加酸化物の組成範囲を７重量％以下と
したのは７重量％を越えると低熱膨張特性を示し、作業
温度が高温になりアモルファス膜磁気ヘッド用接合ガラ
スとして不十分となる。
○２゜ＦｅｚＯａから選ばれる少なくとも一種を含んだ
四元系ガラスの添加酸化物の組成範囲を７重量％以下と
したのは７重量％を越えると低熱膨張特性を示し、作業
温度が高温になりアモルファス膜磁気ヘッド用接合ガラ
スとして不十分となる。
また、これら接合ガラスの熱膨張係数を１１０〜ｌ ３
０ Ｘ １０−７／’Ｃの範囲としたのは、アモルファ
ス磁性膜の熱膨張係数と近似させることによりガラスボ
ンディング後のガラスクラック、及び、アモルファス膜
との剥離などを防止すると同時に、磁性膜に生じる残留
歪などを抑制し、磁気特性劣化を防ぐためである。更に
、ガラスの作業温度（１０４ポアズ以下の粘度）を５０
０℃以下としたのは、アモルファス磁性膜の結晶化温度
である５２０℃より２０℃低温化させることによってア
モルファス磁性膜の結晶化を完全に防ぐことができるた
めである。
０ Ｘ １０−７／’Ｃの範囲としたのは、アモルファ
ス磁性膜の熱膨張係数と近似させることによりガラスボ
ンディング後のガラスクラック、及び、アモルファス膜
との剥離などを防止すると同時に、磁性膜に生じる残留
歪などを抑制し、磁気特性劣化を防ぐためである。更に
、ガラスの作業温度（１０４ポアズ以下の粘度）を５０
０℃以下としたのは、アモルファス磁性膜の結晶化温度
である５２０℃より２０℃低温化させることによってア
モルファス磁性膜の結晶化を完全に防ぐことができるた
めである。
一方、磁性膜支持基板を非磁性基板としたのは磁気ヘッ
ド高性能化に伴い、相対速度が高速化され、これによっ
て生じる摺動ノイズを低減でき磁気ヘッドの高周波特性
を満足させることが可能となる。
ド高性能化に伴い、相対速度が高速化され、これによっ
て生じる摺動ノイズを低減でき磁気ヘッドの高周波特性
を満足させることが可能となる。
以上、アモルファス膜を磁性膜とした磁気ヘッドにおい
て、ＰｂＯ−３ｉ○２− Ｂ ｚｏ３− Ｔ ｅ ０２
を主成分とした低温軟化ガラスを磁気コアの接合ガラス
とし、更に、磁性膜の支持基板に非磁性基板を適用する
ことにより、磁気ヘッド特性、及び、耐摩耗性、摺動性
、更には、耐水性など化学的耐久性に優れたアモルファ
ス膜磁気ヘッドが得られる。
て、ＰｂＯ−３ｉ○２− Ｂ ｚｏ３− Ｔ ｅ ０２
を主成分とした低温軟化ガラスを磁気コアの接合ガラス
とし、更に、磁性膜の支持基板に非磁性基板を適用する
ことにより、磁気ヘッド特性、及び、耐摩耗性、摺動性
、更には、耐水性など化学的耐久性に優れたアモルファ
ス膜磁気ヘッドが得られる。
以下、本発明を実施例により説明する。第１図に本発明
の対象となるアモルファス膜磁気ヘットを示す。この磁
気ヘッドの作製法であるが、まず、磁性膜支持基板１に
トランク溝となるＷ溝、また、これと直角方向にコイル
巻き溝を設け、その上にアモルファス磁性膜であるＧ
ｏ −Ｎ ｂ −Ｚ ｒ合金膜２をスパッタにより約２
５μｍ厚に形成する。
の対象となるアモルファス膜磁気ヘットを示す。この磁
気ヘッドの作製法であるが、まず、磁性膜支持基板１に
トランク溝となるＷ溝、また、これと直角方向にコイル
巻き溝を設け、その上にアモルファス磁性膜であるＧ
ｏ −Ｎ ｂ −Ｚ ｒ合金膜２をスパッタにより約２
５μｍ厚に形成する。
更に、その上に接合ガラスである低温軟化ガラス３を載
せ、アモルファス膜の結晶化温度（５２０℃）より低い
５００℃以下でガラスをトラック溝に充填する。次に、
アモルファス膜のトラック巾が２５μｍになるように余
分なガラスを研削によって取り除いた後、ギャップ材で
ある５ｉＯｚを所定磁気ギャップ長の約手分厚をスパッ
タ法により形成する。更に、磁気ギャップ材スパッタ面
のトラック巾を対向させ、突合わせてガラス充填温度と
同じ条件でガラスボンディングを行ない、第２図のアモ
ルファス膜からなるコアブロックが得られる。次に、第
２図に示した一点鎖線Ａ及びＡ′で、順次、切断して第
１図に示したアモルファス磁気ヘッドが得られる。
せ、アモルファス膜の結晶化温度（５２０℃）より低い
５００℃以下でガラスをトラック溝に充填する。次に、
アモルファス膜のトラック巾が２５μｍになるように余
分なガラスを研削によって取り除いた後、ギャップ材で
ある５ｉＯｚを所定磁気ギャップ長の約手分厚をスパッ
タ法により形成する。更に、磁気ギャップ材スパッタ面
のトラック巾を対向させ、突合わせてガラス充填温度と
同じ条件でガラスボンディングを行ない、第２図のアモ
ルファス膜からなるコアブロックが得られる。次に、第
２図に示した一点鎖線Ａ及びＡ′で、順次、切断して第
１図に示したアモルファス磁気ヘッドが得られる。
〈実施例１〉
第１表に本発明により得られた接合ガラスである低温軟
化ガラス組成と特性を示す。
化ガラス組成と特性を示す。
Ａ−１〜Ａ−８は実施例を示し、Ｂ−１〜Ｂ−２は従来
の高熱膨張ｐｂＯ系ガラスの従来例を示す。表中の熱膨
張係数は室温からガラス転移点までの範囲としたもので
あり、また、マイクロビッカース硬度は１００ｇ、１５
ｓｅｃの条件で測定したものである。耐水性はガラスブ
ロックから５×５×５のガラス片を採取し、７０℃に保
持されている純水中に工時間浸漬させた後の重量減少量
を試験前の重量で割った値である重量減少率を示したも
のである。
の高熱膨張ｐｂＯ系ガラスの従来例を示す。表中の熱膨
張係数は室温からガラス転移点までの範囲としたもので
あり、また、マイクロビッカース硬度は１００ｇ、１５
ｓｅｃの条件で測定したものである。耐水性はガラスブ
ロックから５×５×５のガラス片を採取し、７０℃に保
持されている純水中に工時間浸漬させた後の重量減少量
を試験前の重量で割った値である重量減少率を示したも
のである。
第１表に示されているように、本発明ガラスの熱膨張係
数は、いずれも、１１０〜１３０×１０−７／”Ｃの範
囲にある。また、ガラスの作業温度も５００℃以下にな
っているのがわかる。次に、耐水性試験である重量減少
率はＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３−８ｉＯｘ−ＴｅＯｘの四元系ガ
ラスであるＡ−１゜Ａ−２ガラスでは０．０１３％以下
、添加物を含有させたＡ−３〜Ａ−８ガラスでは０．０
２１％以下となり、実施例中、最も多いＡ−８ガラスの
０．０２１％と従来のＢ−１ガラスの２．７％に比べて
百五十倍、更に、従来のＴｅＯ２を３重量％含んだＢ−
２ガラスに比べて約百倍耐水性は大巾に向上しているの
がわかる。また、マイクロビッカース硬度は、いずれの
ガラスも３００以上を示し、従来のＢ−１ガラスに比較
し、１．２倍以上硬度が向上している。
数は、いずれも、１１０〜１３０×１０−７／”Ｃの範
囲にある。また、ガラスの作業温度も５００℃以下にな
っているのがわかる。次に、耐水性試験である重量減少
率はＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３−８ｉＯｘ−ＴｅＯｘの四元系ガ
ラスであるＡ−１゜Ａ−２ガラスでは０．０１３％以下
、添加物を含有させたＡ−３〜Ａ−８ガラスでは０．０
２１％以下となり、実施例中、最も多いＡ−８ガラスの
０．０２１％と従来のＢ−１ガラスの２．７％に比べて
百五十倍、更に、従来のＴｅＯ２を３重量％含んだＢ−
２ガラスに比べて約百倍耐水性は大巾に向上しているの
がわかる。また、マイクロビッカース硬度は、いずれの
ガラスも３００以上を示し、従来のＢ−１ガラスに比較
し、１．２倍以上硬度が向上している。
従ッテ１本発明（７）ＰｂＯ−Ｂ２０３−８ｉＯｚ−Ｔ
ｅＯ２を主成分としたガラスは、従来の高熱膨張ガラス
に比較し、耐水性、硬度とも大巾に優れることが確認さ
れる。
ｅＯ２を主成分としたガラスは、従来の高熱膨張ガラス
に比較し、耐水性、硬度とも大巾に優れることが確認さ
れる。
〈実施例２〉
第２表にはヘッド実装評価に用いた磁性膜支持基板であ
る非磁性基板を示した。
る非磁性基板を示した。
第 ２ 表
これらの供試材の熱膨張係数はガラスと同じ範囲のもの
をもち、マイクロビッカース硬度は６００以上である。
をもち、マイクロビッカース硬度は６００以上である。
そこで、第１表の本発明ガラスであるＡ−２とＡ−６ガ
ラスと第２表に示した非磁性基板を組合わせて第１図の
磁気ヘッドを作製し、磁気ヘッドの実装評価結果を第３
表に示した。
ラスと第２表に示した非磁性基板を組合わせて第１図の
磁気ヘッドを作製し、磁気ヘッドの実装評価結果を第３
表に示した。
第 ３ 表
ここで、ヘッド製造歩留りはヘッド製造における加工歩
留りを示し、ヘッドチップ強度は第１図のヘッドチップ
のボンディングガラス部での接着強度を評価したもので
ある。また、ヘッド摩耗量は磁気ヘッドをＶＴＲのシリ
ンダに取り付け、磁気テープを相対速度５．８ｍ／ｓｅ
ｅで三百時間走行させた時のヘッド摩耗量を示したもの
である。
留りを示し、ヘッドチップ強度は第１図のヘッドチップ
のボンディングガラス部での接着強度を評価したもので
ある。また、ヘッド摩耗量は磁気ヘッドをＶＴＲのシリ
ンダに取り付け、磁気テープを相対速度５．８ｍ／ｓｅ
ｅで三百時間走行させた時のヘッド摩耗量を示したもの
である。
第３表から明らかな様に、本発明ガラスＡ−２゜Ａ−６
ガラスとＣ−１〜Ｃ−４の基板を組合せた磁気ヘッドの
加工歩留りは９０％以上の高歩留りを示し、従来のＢ−
１，Ｂ−２ガラス適用ヘツドに比較して２０％歩留りが
向上している。
ガラスとＣ−１〜Ｃ−４の基板を組合せた磁気ヘッドの
加工歩留りは９０％以上の高歩留りを示し、従来のＢ−
１，Ｂ−２ガラス適用ヘツドに比較して２０％歩留りが
向上している。
また、ヘッドチップ強度は、いずれも４４ｇ以上の高強
度を示し、従来ガラス適用ヘッドチップ強度に比較し、
約１．５倍向上している。更に、本発明ガラス適用磁気
ヘッドのヘッド摩耗量は最大でも０．７μｍ と従来ガ
ラス適用ヘッドに比較して約１７３低減されることがわ
かる。
度を示し、従来ガラス適用ヘッドチップ強度に比較し、
約１．５倍向上している。更に、本発明ガラス適用磁気
ヘッドのヘッド摩耗量は最大でも０．７μｍ と従来ガ
ラス適用ヘッドに比較して約１７３低減されることがわ
かる。
以上、本発明の高熱膨張高硬度、高耐水性ガラスをアモ
ルファス膜磁気ヘッドへ適用することにより、ヘッド製
造歩留り、ヘッドチップ強度、耐摩耗性などを大巾に向
上させることが可能となり、信頼性の高いアモルファス
膜磁気ヘッドが得られる。
ルファス膜磁気ヘッドへ適用することにより、ヘッド製
造歩留り、ヘッドチップ強度、耐摩耗性などを大巾に向
上させることが可能となり、信頼性の高いアモルファス
膜磁気ヘッドが得られる。
〈実施例３〉
本発明によって得られたアモルファス磁気ヘッドを適用
した磁気記録装置、例えば、ＶＴＲ１８ミリＶＴＲなど
は高記録密度化が可能となり、それによって、画像の高
画質化高精細化など高性能化が図られる。
した磁気記録装置、例えば、ＶＴＲ１８ミリＶＴＲなど
は高記録密度化が可能となり、それによって、画像の高
画質化高精細化など高性能化が図られる。
本発明によれば、テープ摺動性、摩耗性、及び、耐久性
に優れた信頼性の高い磁気ヘッドを提供することができ
る。
に優れた信頼性の高い磁気ヘッドを提供することができ
る。
第１ＩＡは本発明の一実施例のアモルファス磁性合金膜
磁気ヘッドの斜視図、第２図はそのコアブロックを突合
わせた状態の斜視図である。 １・・・磁性膜支持基板、２・・・アモルファス合金膜
、３・・・磁気コアを接合する接合ガラス。 第 図
磁気ヘッドの斜視図、第２図はそのコアブロックを突合
わせた状態の斜視図である。 １・・・磁性膜支持基板、２・・・アモルファス合金膜
、３・・・磁気コアを接合する接合ガラス。 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、支持基板上に形成されたアモルファス合金磁性膜か
らなる一対の磁気コアがガラスで接合された磁気ヘッド
において、 前記磁気コアがＴｅＯ＿２を含み、ＳｉＯ＿２が３重量
％ＰｂＯを主成分とするガラスより接合されたことを特
徴とする磁気ヘッド。 ２、特許請求項第１項において、 接合用の前記ガラスの熱膨張係数が１１０〜１３０×１
０＾−＾７／℃の範囲であることを特徴とする磁気ヘッ
ド。 ３、特許請求項第１項、または第２項において、接合用
の前記ガラスの作業温度が５００℃以下からなることを
特徴とする磁気ヘッド。 ４、特許請求項第１項、第２項、または第３項において
、 前記接合用ガラスがＰｂＯ−Ｂ＿２Ｏ＿３−ＳｉＯ＿２
−ＴｅＯ＿２を主成分としたガラスからなることを特徴
とする磁気ヘッド。 ５、特許請求項第１項、第２項、第３項または第４項に
おいて、 前記支持基板が非磁性材からなることを特徴とする磁気
ヘッド。 ６、特許請求項第１項、第２項、第３項、第４項または
第５項において、 前記アモルファス合金磁性膜がＣｏを主成分としたこと
を特徴とする磁気ヘッド。 ７、特許請求項第１項、第２項、第３項、第４項、第５
項または第６項において、 前記磁気ヘッドからなるＶＴＲを含む磁気記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28770688A JPH02137745A (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28770688A JPH02137745A (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02137745A true JPH02137745A (ja) | 1990-05-28 |
Family
ID=17720686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28770688A Pending JPH02137745A (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02137745A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04193739A (ja) * | 1990-11-22 | 1992-07-13 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 磁気ヘッド封着用ガラス組成物 |
| JPH04285027A (ja) * | 1991-03-15 | 1992-10-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッド |
| US5273948A (en) * | 1991-06-24 | 1993-12-28 | Hitachi Metals, Ltd. | Bonding glass for assembling a magnetic head, and a magnetic head |
| US5932504A (en) * | 1996-04-01 | 1999-08-03 | Sony Corporation | Glass composition and magnetic head employing glass composition |
| US6310438B1 (en) | 1997-08-12 | 2001-10-30 | Nec Corporation | Electron tube device mounted with a cold cathode and a method of impressing voltages on electrodes of the electron tube device |
-
1988
- 1988-11-16 JP JP28770688A patent/JPH02137745A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04193739A (ja) * | 1990-11-22 | 1992-07-13 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 磁気ヘッド封着用ガラス組成物 |
| JPH04285027A (ja) * | 1991-03-15 | 1992-10-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッド |
| US5273948A (en) * | 1991-06-24 | 1993-12-28 | Hitachi Metals, Ltd. | Bonding glass for assembling a magnetic head, and a magnetic head |
| US5932504A (en) * | 1996-04-01 | 1999-08-03 | Sony Corporation | Glass composition and magnetic head employing glass composition |
| US6310438B1 (en) | 1997-08-12 | 2001-10-30 | Nec Corporation | Electron tube device mounted with a cold cathode and a method of impressing voltages on electrodes of the electron tube device |
| US6583567B2 (en) | 1997-08-12 | 2003-06-24 | Nec Microwave Tube, Ltd. | Electron tube device mounted with a cold cathode and a method of impressing voltages on electrodes of the electron tube device |
| US6756734B2 (en) | 1997-08-12 | 2004-06-29 | Nec Microwave Tube, Ltd. | Electron tube device mounted with a cold cathode and a method of impressing voltages on electrodes of the electron tube device |
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