JP3129023B2 - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JP3129023B2 JP3129023B2 JP05092782A JP9278293A JP3129023B2 JP 3129023 B2 JP3129023 B2 JP 3129023B2 JP 05092782 A JP05092782 A JP 05092782A JP 9278293 A JP9278293 A JP 9278293A JP 3129023 B2 JP3129023 B2 JP 3129023B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- thermal expansion
- temperature
- coefficient
- ferrite
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Glass Compositions (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、家庭や放送局で使用さ
れる各種磁気記録装置に用いる高性能の磁気ヘッドに関
する。
れる各種磁気記録装置に用いる高性能の磁気ヘッドに関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＶＴＲなど記録メディアの記録密
度が向上し、磁気ヘッドの軽量小形化が進み、製造歩留
まりの向上を目的とした封着用ガラスの改良が要望され
ている。
度が向上し、磁気ヘッドの軽量小形化が進み、製造歩留
まりの向上を目的とした封着用ガラスの改良が要望され
ている。
【０００３】ＶＴＲ用磁気ヘッドの代表的な製造工程を
図３を用いて説明する。フェライトインゴットから材料
取り（ａ）を行い、これを外形研削（ｂ）によって所定
の大きさの棒とする。次にトラック加工（ｃ）によって
封着ガラス用の溝入れを行い、この溝に封着ガラスを充
填（ｄ）する。次に余分のガラスを研削し、卷線溝加工
後にギャップ面を研磨（ｅ）する。次にギャップ材（二
酸化珪素など）をスパッタした後、封着、ギャップ形成
（ｆ）を行う。これをチップに切断（ｇ）し、さらに側
面研磨（ｈ）によって所定の大きさとする。次にこのチ
ップをベース接着（ｉ）し、テープ走行面を研磨（ｊ）
し、最後に卷線（ｋ）を施してヘッドを完成する。
図３を用いて説明する。フェライトインゴットから材料
取り（ａ）を行い、これを外形研削（ｂ）によって所定
の大きさの棒とする。次にトラック加工（ｃ）によって
封着ガラス用の溝入れを行い、この溝に封着ガラスを充
填（ｄ）する。次に余分のガラスを研削し、卷線溝加工
後にギャップ面を研磨（ｅ）する。次にギャップ材（二
酸化珪素など）をスパッタした後、封着、ギャップ形成
（ｆ）を行う。これをチップに切断（ｇ）し、さらに側
面研磨（ｈ）によって所定の大きさとする。次にこのチ
ップをベース接着（ｉ）し、テープ走行面を研磨（ｊ）
し、最後に卷線（ｋ）を施してヘッドを完成する。
【０００４】従来、ＶＴＲヘッド向けの磁性材料として
フェライトが最も広く使われてきたが、近年のメタルテ
ープなどの高密度記録媒体に使用するには飽和磁束密度
が低いため対応することができない。放送局用やいわゆ
るＳ−ＶＨＳ方式の高品質な記録には代わりの磁性体と
して高透磁率で高飽和磁束密度のセンダスト合金、アモ
ルファス合金など、あるいは超構造窒化合金などが使用
されている。これらの磁性体を使用した磁気ヘッドをＭ
ＩＧ（メタル イン ギャップ）ヘッドと呼び、その製
造工程の違いは図２の工程図において（ｂ）と（ｃ）の
間において、フェライト基板の上にこれらの磁性体膜を
形成する工程を有する点だけである。
フェライトが最も広く使われてきたが、近年のメタルテ
ープなどの高密度記録媒体に使用するには飽和磁束密度
が低いため対応することができない。放送局用やいわゆ
るＳ−ＶＨＳ方式の高品質な記録には代わりの磁性体と
して高透磁率で高飽和磁束密度のセンダスト合金、アモ
ルファス合金など、あるいは超構造窒化合金などが使用
されている。これらの磁性体を使用した磁気ヘッドをＭ
ＩＧ（メタル イン ギャップ）ヘッドと呼び、その製
造工程の違いは図２の工程図において（ｂ）と（ｃ）の
間において、フェライト基板の上にこれらの磁性体膜を
形成する工程を有する点だけである。
【０００５】これら従来のＭＩＧヘッドを中心とした磁
気ヘッドの構成の問題は、フェライトと比較すると封着
ガラスの強度が劣ることにある。すなわち、チップを切
断する製造工程においてガラスに多数のクラックが生じ
ることである。
気ヘッドの構成の問題は、フェライトと比較すると封着
ガラスの強度が劣ることにある。すなわち、チップを切
断する製造工程においてガラスに多数のクラックが生じ
ることである。
【０００６】特に、フェライトに代わってセンダスト合
金やアモルファス合金あるいは超構造窒化合金を磁性体
として使用する場合、これらの磁性材料が熱による磁気
特性の変化を起こしやすい点に配慮して、封着ガラスの
作業温度は６００℃以下とする必要があった。この必要
を満たす方法の一つは、たとえば酸化鉛（ＰｂＯ）含有
量の多い低融点ガラスを使用することにより達せられ
る。しかし、この種の低融点ガラスには、フェライトコ
アを封着する７００℃〜９００℃の範囲を作業温度とす
る比較的融点の高いガラスに比べると、著しく強度が劣
るという問題があった。したがって低融点ガラスを使っ
たＭＩＧヘッドの封着強度は弱く、チップを切断する製
造工程におけるチップ割れが多数発生するという問題が
あり、工業的に生産するにはチップ割れの減少による歩
留まり向上が必要であった。
金やアモルファス合金あるいは超構造窒化合金を磁性体
として使用する場合、これらの磁性材料が熱による磁気
特性の変化を起こしやすい点に配慮して、封着ガラスの
作業温度は６００℃以下とする必要があった。この必要
を満たす方法の一つは、たとえば酸化鉛（ＰｂＯ）含有
量の多い低融点ガラスを使用することにより達せられ
る。しかし、この種の低融点ガラスには、フェライトコ
アを封着する７００℃〜９００℃の範囲を作業温度とす
る比較的融点の高いガラスに比べると、著しく強度が劣
るという問題があった。したがって低融点ガラスを使っ
たＭＩＧヘッドの封着強度は弱く、チップを切断する製
造工程におけるチップ割れが多数発生するという問題が
あり、工業的に生産するにはチップ割れの減少による歩
留まり向上が必要であった。
【０００７】代表的なガラスの熱膨張曲線を図４に示
す。図４の熱特性において、ガラスにおける第１の変曲
点は記号Ｔｇで示す転移温度であり、第２の変曲点は記
号Ａｔで示す屈伏温度である。
す。図４の熱特性において、ガラスにおける第１の変曲
点は記号Ｔｇで示す転移温度であり、第２の変曲点は記
号Ａｔで示す屈伏温度である。
【０００８】図５は熱特性の異なるガラス材料の熱膨張
曲線を比較し、同時に磁気ヘッドの製造に使用するフェ
ライトの熱膨張曲線も示している。図５に示した４種類
のガラス材料のうちＸとＹは固着温度（ガラスの固化に
よる応力発生の開始する温度、以下Ｔｓｅｔという）に
おける熱膨張率がフェライトの同じ温度における熱膨張
率より小さく、これとは逆にガラスＵ、Ｖでは該温度に
おける熱膨張率がフェライトの同じ温度における熱膨張
率より大きい。そのため、これらのガラスによりフェラ
イトを封着した場合、フェライトとの境界でガラスに生
じる室温での応力には図６に示すように違いが生ずる。
図６から、ＸとＹでは圧縮応力が生じておりＵとＶでは
引っ張り応力が生じていることがわかる。なお、図６の
横軸α30 0 は３０℃〜３００℃の間の熱膨張係数であ
る。
曲線を比較し、同時に磁気ヘッドの製造に使用するフェ
ライトの熱膨張曲線も示している。図５に示した４種類
のガラス材料のうちＸとＹは固着温度（ガラスの固化に
よる応力発生の開始する温度、以下Ｔｓｅｔという）に
おける熱膨張率がフェライトの同じ温度における熱膨張
率より小さく、これとは逆にガラスＵ、Ｖでは該温度に
おける熱膨張率がフェライトの同じ温度における熱膨張
率より大きい。そのため、これらのガラスによりフェラ
イトを封着した場合、フェライトとの境界でガラスに生
じる室温での応力には図６に示すように違いが生ずる。
図６から、ＸとＹでは圧縮応力が生じておりＵとＶでは
引っ張り応力が生じていることがわかる。なお、図６の
横軸α30 0 は３０℃〜３００℃の間の熱膨張係数であ
る。
【０００９】ここでＴｓｅｔは「ガラスハンドブック」
（朝倉書店１９７９年）ｐ．１３９によればガラスの徐
冷温度に近い、とされている。また徐冷温度は「ガラス
の化学」（講談社１９８５年）によれば転移温度より５
〜１０℃高い温度、とされている。転移温度は熱膨張曲
線から容易に求められるが徐冷温度はガラスの粘度測定
をしないと容易に求められない。したがって固着温度は
転移温度と屈伏温度の間にあるわけであるが、ガラスと
封着する相手の材料の形状、熱膨張特性や冷却速度によ
って変化する（New Glass Technology,1(1982)23、日本
硝子製品工業会）ので、本発明の場合、厳密に求めるに
は図２（ｂ）のようにガラスをフェライトに封着した場
合に、ガラスに発生する応力を温度低下の過程で測定し
たとき、応力発生の開始する温度として求めることが出
来る。
（朝倉書店１９７９年）ｐ．１３９によればガラスの徐
冷温度に近い、とされている。また徐冷温度は「ガラス
の化学」（講談社１９８５年）によれば転移温度より５
〜１０℃高い温度、とされている。転移温度は熱膨張曲
線から容易に求められるが徐冷温度はガラスの粘度測定
をしないと容易に求められない。したがって固着温度は
転移温度と屈伏温度の間にあるわけであるが、ガラスと
封着する相手の材料の形状、熱膨張特性や冷却速度によ
って変化する（New Glass Technology,1(1982)23、日本
硝子製品工業会）ので、本発明の場合、厳密に求めるに
は図２（ｂ）のようにガラスをフェライトに封着した場
合に、ガラスに発生する応力を温度低下の過程で測定し
たとき、応力発生の開始する温度として求めることが出
来る。
【００１０】さて、ガラスの引っ張り強度は圧縮強度の
１／１０以下であるから、引っ張り応力が発生するとガ
ラスは破壊し易い。したがって封着ガラスに適するガラ
スを選択する条件は、ガラスにある大きさの圧縮応力を
発生するような熱特性を有することになる。この条件
は、すでに発明者らが特開平１−１３８１５１号公報に
て開示したものである。
１／１０以下であるから、引っ張り応力が発生するとガ
ラスは破壊し易い。したがって封着ガラスに適するガラ
スを選択する条件は、ガラスにある大きさの圧縮応力を
発生するような熱特性を有することになる。この条件
は、すでに発明者らが特開平１−１３８１５１号公報に
て開示したものである。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の磁気ヘッド
の構成では、封着ガラスの選択は固化した状態において
圧縮応力が生ずることを条件としていた。しかし、この
条件にて封着ガラスを選択したためチップ割れは大幅に
改善したが、ガラスによっては同じ条件を用いてもチッ
プ割れを生ずるものがあり、ガラスを選択する条件とし
ては十分でなかった。すなわち、ガラス固着温度におい
てフェライトより熱膨張率の小さいガラスを選択して
も、チップ割れが減少できないものもあり、磁性材料の
選択をさらに制限しなければならないという課題があっ
た。
の構成では、封着ガラスの選択は固化した状態において
圧縮応力が生ずることを条件としていた。しかし、この
条件にて封着ガラスを選択したためチップ割れは大幅に
改善したが、ガラスによっては同じ条件を用いてもチッ
プ割れを生ずるものがあり、ガラスを選択する条件とし
ては十分でなかった。すなわち、ガラス固着温度におい
てフェライトより熱膨張率の小さいガラスを選択して
も、チップ割れが減少できないものもあり、磁性材料の
選択をさらに制限しなければならないという課題があっ
た。
【００１２】本発明は、封着ガラスに求められる条件を
さらに明確にするとともに、より以上にチップ割れを低
減することを目的とするものである。
さらに明確にするとともに、より以上にチップ割れを低
減することを目的とするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の磁気ヘッドでは、封着用ガラスの固着温度に
おける熱膨張率がフェライトの同じ温度における熱膨張
率よりも小さくかつガラス転移温度における熱膨張率と
屈伏温度における熱膨張率との差が２．０×１０-3以下
である封着ガラスの使用を条件とするものである。
に本発明の磁気ヘッドでは、封着用ガラスの固着温度に
おける熱膨張率がフェライトの同じ温度における熱膨張
率よりも小さくかつガラス転移温度における熱膨張率と
屈伏温度における熱膨張率との差が２．０×１０-3以下
である封着ガラスの使用を条件とするものである。
【００１４】なお、上記条件のうち前者は熱膨張率を熱
膨張係数と言い替えても同じことであるが、後者はガラ
スが転移温度以上で示す急激な膨張のあとの屈伏温度
（自重で変形を開始する温度）までの温度領域（これを
転移域という）におけるそれぞれの熱膨張率の差の範囲
を指定しているものである。
膨張係数と言い替えても同じことであるが、後者はガラ
スが転移温度以上で示す急激な膨張のあとの屈伏温度
（自重で変形を開始する温度）までの温度領域（これを
転移域という）におけるそれぞれの熱膨張率の差の範囲
を指定しているものである。
【００１５】
【作用】上記手段によれば、以下に示す封着ガラスの持
つ性質によって、製造工程中の磁気ヘッドの封着強度が
向上するので、チップに切断する製造工程で多発してい
たチップ割れはなくなる。
つ性質によって、製造工程中の磁気ヘッドの封着強度が
向上するので、チップに切断する製造工程で多発してい
たチップ割れはなくなる。
【００１６】すなわち上記の説明のように、低融点ガラ
スは本質的に強度が劣るのであるが、本発明の着眼点は
チップ割れの原因がガラスの強度のみで決まるものでな
く、フェライト（ＭＩＧヘッドの場合はフェライト基板
に相当）とガラスとの熱的性質の適合性に配慮すること
に基づいている。
スは本質的に強度が劣るのであるが、本発明の着眼点は
チップ割れの原因がガラスの強度のみで決まるものでな
く、フェライト（ＭＩＧヘッドの場合はフェライト基板
に相当）とガラスとの熱的性質の適合性に配慮すること
に基づいている。
【００１７】上記の転移温度から屈伏温度までの領域を
ガラス転移域というが、この転移域における大きな熱膨
張率の変化が接合後のチップの強度を低下させている可
能性を考慮するのである。
ガラス転移域というが、この転移域における大きな熱膨
張率の変化が接合後のチップの強度を低下させている可
能性を考慮するのである。
【００１８】発明者らはガラス転移域における熱膨張率
差（ガラス転移温度Ｔｇにおける熱膨張率と屈伏温度Ａ
ｔにおける熱膨張率との差であり、以下Δで表す）に着
目し、Δがある一定の大きさ以下の場合にチップ割れが
減少することを発見した。図２には、熱特性の異なる２
種類のΔの値を持つガラスの熱膨張曲線（ａ）と、これ
らのガラスを用いてフェライトを封着した場合に、ガラ
スに発生する応力を温度低下の過程で測定した結果
（ｂ）を示している。図２によれば、これらのガラスに
おいては温度低下につれて応力は引っ張り応力から圧縮
応力に転じ、Δの大きいガラスＹではΔの小さなガラス
Ｚより大きな引っ張り応力が生じていることが明らかに
なった。この事実は、ガラスＹを用いる方がチップ割れ
を生じ易いことを示している。
差（ガラス転移温度Ｔｇにおける熱膨張率と屈伏温度Ａ
ｔにおける熱膨張率との差であり、以下Δで表す）に着
目し、Δがある一定の大きさ以下の場合にチップ割れが
減少することを発見した。図２には、熱特性の異なる２
種類のΔの値を持つガラスの熱膨張曲線（ａ）と、これ
らのガラスを用いてフェライトを封着した場合に、ガラ
スに発生する応力を温度低下の過程で測定した結果
（ｂ）を示している。図２によれば、これらのガラスに
おいては温度低下につれて応力は引っ張り応力から圧縮
応力に転じ、Δの大きいガラスＹではΔの小さなガラス
Ｚより大きな引っ張り応力が生じていることが明らかに
なった。この事実は、ガラスＹを用いる方がチップ割れ
を生じ易いことを示している。
【００１９】本発明は以上の封着ガラスの性質が示すガ
ラス転移域における熱膨張率の影響を確認する過程にお
いてなされたものであり、ガラス転移域における熱膨張
率差（Δ）の範囲を明確にすることにより達成されたも
のである。
ラス転移域における熱膨張率の影響を確認する過程にお
いてなされたものであり、ガラス転移域における熱膨張
率差（Δ）の範囲を明確にすることにより達成されたも
のである。
【００２０】
【実施例】以下本発明を一実施例にもとづいて説明す
る。使用した封着ガラスの種類とその組成を（表１）に
示す。数値は重量パーセントを示している。
る。使用した封着ガラスの種類とその組成を（表１）に
示す。数値は重量パーセントを示している。
【００２１】
【表１】
【００２２】（表１）において、α300は３０℃〜３０
０℃の範囲での平均熱膨張係数、α4 00は３０℃〜４０
０℃の範囲での平均熱膨張係数、αTgは３０℃からＴｇ
℃の範囲での平均熱膨張係数である。
０℃の範囲での平均熱膨張係数、α4 00は３０℃〜４０
０℃の範囲での平均熱膨張係数、αTgは３０℃からＴｇ
℃の範囲での平均熱膨張係数である。
【００２３】これら（表１）に示すガラスを用いた場
合、チップ分離工程でのチップ割れの発生率をそれぞれ
のガラスのガラス転移温度における熱膨張率と屈伏温度
における熱膨張率との差（Δ）に対してプロットしたも
のを図１に示す。ガラス転移温度における熱膨張率と屈
伏温度における熱膨張率との差（Δ）の値が２．０×１
０ー3を超えると急激にチップ割れが増大することが明ら
かになった。
合、チップ分離工程でのチップ割れの発生率をそれぞれ
のガラスのガラス転移温度における熱膨張率と屈伏温度
における熱膨張率との差（Δ）に対してプロットしたも
のを図１に示す。ガラス転移温度における熱膨張率と屈
伏温度における熱膨張率との差（Δ）の値が２．０×１
０ー3を超えると急激にチップ割れが増大することが明ら
かになった。
【００２４】図１に示されたガラスのうちＡ，Ｅ，Ｆを
使用した磁気ヘッドにおいては、チップに切断する製造
工程におけるチップ割れは大幅に減少し、歩留まりの向
上が達成された。
使用した磁気ヘッドにおいては、チップに切断する製造
工程におけるチップ割れは大幅に減少し、歩留まりの向
上が達成された。
【００２５】なお、以上の結果は超構造窒化合金を使用
したＭＩＧヘッドに応用した場合も全く同様の結果を示
し、本発明がフェライト基板の熱的性質に依存すること
を示した。また、これらの封着ガラスに求められる条件
は、上記のガラス組成に限定されるものではなく、他の
組成のガラスにおいても封着ガラスに求められる上記の
条件さえ満足すればよく、チップ割れを減少するには本
実施例に示したＰｂＯを主成分としたガラスに限らず、
Ｖ2Ｏ5系やＰ2Ｏ5系のガラスを用いる場合にも適応する
ことが可能である。
したＭＩＧヘッドに応用した場合も全く同様の結果を示
し、本発明がフェライト基板の熱的性質に依存すること
を示した。また、これらの封着ガラスに求められる条件
は、上記のガラス組成に限定されるものではなく、他の
組成のガラスにおいても封着ガラスに求められる上記の
条件さえ満足すればよく、チップ割れを減少するには本
実施例に示したＰｂＯを主成分としたガラスに限らず、
Ｖ2Ｏ5系やＰ2Ｏ5系のガラスを用いる場合にも適応する
ことが可能である。
【００２６】
【発明の効果】以上のように本発明は、封着ガラスのガ
ラス転移温度における熱膨張率と屈伏温度における熱膨
張率との差（Δ）として２．０×１０-3以下のものを使
用することにより、磁気ヘッドの製造工程において発生
するチップ割れを大幅に低減することができる。
ラス転移温度における熱膨張率と屈伏温度における熱膨
張率との差（Δ）として２．０×１０-3以下のものを使
用することにより、磁気ヘッドの製造工程において発生
するチップ割れを大幅に低減することができる。
【図１】本発明の実施例における各種ガラスのガラス転
移域における熱膨張率差の値とチップ割れの比率の関係
を示す図
移域における熱膨張率差の値とチップ割れの比率の関係
を示す図
【図２】ガラス転移温度における熱膨張率と屈伏温度に
おける熱膨張率との差（Δ）の異なるガラスの熱膨張率
および応力の温度変化を示す図
おける熱膨張率との差（Δ）の異なるガラスの熱膨張率
および応力の温度変化を示す図
【図３】磁気ヘッドの代表的な製造工程図
【図４】代表的なガラスのガラス転移域における熱膨張
率の変化を説明する図
率の変化を説明する図
【図５】フェライトおよび熱特性の異なる４種類のガラ
スにおける熱膨張率の温度変化を示す図
スにおける熱膨張率の温度変化を示す図
【図６】図４に示した４種類のガラスのα300（３０℃
と３００℃との間の熱膨張係数）と封着後の応力との関
係を説明する図
と３００℃との間の熱膨張係数）と封着後の応力との関
係を説明する図
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 昭彦 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−109014（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−177605（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−74933（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−25247（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/127 - 5/255 C03C 1/00 - 14/00
Claims (2)
- 【請求項１】フェライトよりなる一対のコア半体を封着
ガラスによって封着してなる磁気ヘッドであって、該封
着ガラスの固着温度における熱膨張率が該フェライトの
同じ温度における熱膨張率より小さくかつ該封着ガラス
のガラス転移温度における熱膨張率と屈伏温度における
熱膨張率との差が２．０×１０-3以下であるガラスを用
いたことを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】フェライト基板上に高透磁率、高飽和磁束
密度の磁性合金よりなる磁性体を形成した一対のコア半
体を封着ガラスによって封着してなる磁気ヘッドにおい
て、該封着ガラスの固着温度における熱膨張率が該フェ
ライトの同じ温度における熱膨張率より小さくかつ該封
着ガラスのガラス転移温度における熱膨張率と屈伏温度
における熱膨張率との差が２．０×１０-3以下であるガ
ラスを用いたことを特徴とする磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05092782A JP3129023B2 (ja) | 1992-04-21 | 1993-04-20 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-100846 | 1992-04-21 | ||
| JP10084692 | 1992-04-21 | ||
| JP05092782A JP3129023B2 (ja) | 1992-04-21 | 1993-04-20 | 磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0612613A JPH0612613A (ja) | 1994-01-21 |
| JP3129023B2 true JP3129023B2 (ja) | 2001-01-29 |
Family
ID=26434160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05092782A Expired - Lifetime JP3129023B2 (ja) | 1992-04-21 | 1993-04-20 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3129023B2 (ja) |
-
1993
- 1993-04-20 JP JP05092782A patent/JP3129023B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0612613A (ja) | 1994-01-21 |
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Legal Events
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