JPS5827565B2 - 磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気−＼ラドの作動ギャップ部材を溶融するこ
となしにギャップ形成ができ、従ってギャップ長精度が
良く、ギャップ中欠陥が少く、かつ電磁変換特注のすぐ
れた磁気ヘッドおよびその製造方法を提供するものであ
る。

従来、磁気ヘッドの作動ギャップ用の非磁性体スペーサ
としては、その記録媒体磁は体表面との摺動に際して作
動ギャップの機械的くずれを生じたり、磁気へラドコア
の摩耗度合に比して極度に作動ギャップ部が摩耗するこ
とのないよう、硬度が高く、耐摩耗性にすぐれているガ
ラス材をこのギャップ部材として用いることが広く行な
われている。

このガラスギャップの形成法としては、ガラス微粉末混
合液中に磁気へラドコア材を入れ遠心分離によってガラ
ス微粉末の均一層をこのコアのギャップ対向面に堆積さ
せ、これを焼付けてガラス薄膜を形成した後、２つのギ
ャップ対向面をこのガラス薄膜を介して突合せ、ギャッ
プ形成熱処理により融着せしめて作動ギャップを形成す
る方法や、所定のギャップ長の高融点スペーサを介して
２つのギャップ対向面を突合せてギヤツブ長分の空隙を
保持し、この空隙にギャップガラス部材を溶融浸透させ
る方法等が知られている。

最近ではこのガラス薄膜を直接蒸着形成する技術として
高周波スパッタ蒸着法が実用化されており、この高周波
スパッタ蒸着により付着したガラス膜は、数々の点で従
来法と比べて利点を有している。

その第１は、従来法がそのギャップ長のコントロールに
おいて焼付ガラス膜厚のコントロールや、ギャップ長空
隙間隔保持用のスペーサによるコントロールに依存して
いたためその精度にも限度があるのに対して、スパック
蒸着によるガラス薄膜の形成においてはその膜厚を蒸着
プロセスでコントロールできるためその精度は前者に比
べて格段に良いことである。

膜厚１μｍ以下ではその膜厚精度を±０．０２μｍにコ
ントロールすることが可能である。

その第２は、従来法がそのギャップ部材ガラスを溶融形
成するため、磁気へラドコア部材とこのギャップ部材の
界面が浸蝕、拡散によって浸されるのに対して、スパッ
タ蒸着したガラスと磁気へラドコア部材の界面は最小限
の浸蝕とすることができることである。

もしスパック蒸着工程後の熱処理において、この界面の
劣化を生じせしめない方策を取るならば、磁気ヘッドの
作動ギャップのトレーリングエッヂ（レコーディングエ
ッヂ）における漏れ磁界の急峻さを得ることができるた
め、その電磁変換％注のうち特に高周波信号の記録にお
いて高出力の記録再生の可能な磁気ヘッドを得ることが
できる。

その他粉末ガラス焼付による薄膜ガラスに比べて、スパ
ッタ蒸着したガラス薄膜の表面あらさは高々０．０２μ
ｍで十分滑らかなため、ギャップ形成時の密着度が良い
ことも挙げられる。

このようにスパッタ蒸着ガラス膜は種々の利点を有する
が、このスパッタ蒸着法をただ単に非磁性ギャップ部材
の形成法として従来法におきかえるだけではこれらの利
点を十分に完成磁気ヘッドの品質に反映させることはで
きない。

すなわち、通常の工程ではこのギャップ部材は接着のた
め、溶融させられるため、いくら膜厚精度を向上させで
もこの膜厚と完成磁気ヘッドのギャップ長との間に差異
を生じてしまう。

かつこの間の相関はギャップ形成熱処理条件（温度、保
持時間、コア押圧力等）によって異なり、バラツキも大
きい。

さらにギャップ部材の溶融接着時には磁気ヘッドコアと
の界面が浸蝕、拡散を受は上述第２のスパック膜の利点
を生せなくなることである。

本発明は、これらの従来の欠点を解決しスパック蒸着し
たギャップ部材の利点をその完成ヘッドの品質に結びつ
けることができるよう、そのギャップ形成時の接着を、
ギャップ部材を溶融させることなしに行ない得る磁気ヘ
ッドおよびその製造方法を提供するものである。

以下本発明の詳細について説明する。

本発明の磁気ヘッドにおいてはスパッタ蒸気を用い、そ
のギャップガラス部材の組成が８１０２６５〜８５ｍｏ
ｌφ、８２０３８〜３０ ｍｏ１％の硼珪酸ガラスで、
アルカリ金属酸化物Ｎａ２Ｏおよびに２０を２〜１５ｍ
０ｌ俤、Ａｌ２Ｏ２を０．１〜５ｍｏｌ係を含みかつ酸
化硼素とアルカリ金属酸化物のモル比が ＮａＯ＋Ｋ・Ｏ〈。

、４”０５〈Ｂ２Ｏ３＋ Ｎａ２Ｏ＋ Ｋ２Ｏである。

この組成範囲のギャップガラスを高周波スパッタ蒸着法
にて磁気コアギャップ対向面に付着せしめ、これを介し
てギャップ対向面を突合せ、これを上記のスパッタガラ
ス膜の転移点より高いがその屈伏点より低い非溶融温度
域で加熱接着するものである。

ここで転移点はガラスの温度−熱膨張％注曲線における
変曲点を指しており、転移域と呼ばれる異常熱膨張を示
す温度範囲の下限温度である。

また屈伏点は同じくガラスの温度−熱膨張％注曲線にお
いて熱膨張のピークを示す。

軟化点より小さい温度であってガラスに外荷重が加わっ
ている場合にこれ以上の温度で永久変形が進行する限界
温度である（粘度は１０１０〜１０” ｐｏｌｓ ）。

上記スパッタ蒸着ガラス膜がその転移点から屈伏点まで
の非溶融温度域で接着することは新規な事象であり、そ
の接着メカニズムについて後述する。

このような組成範囲のガラスをギャップ部材に持つ磁気
ヘッドは次のような特徴を持つ。

すなわちその製造プロセス中にギャップ部材の溶融を生
じないためギャップ膜厚にほぼ等しいギャップ長を持っ
た磁気ヘッドが得られる。

従ってギャップ長のコントロールは膜厚のコントロール
によって行なうことができ、かつこの膜厚のコントロー
ルはスパッタ蒸着プロセスで行なうため極めて高精度の
コントロールが可能である。

本発明の実用化試作実験に当ってはギャップ長０．２５
〜２μｍを持つ磁気ヘッドの試作に当り、スパッタギャ
ップガラス膜の膜厚をレーザ干渉計測によりスパッタ蒸
着中のインプロセスで測定することにより膜厚０．２５
〜１μｍの範囲で±０．０２μｍの精度で膜厚をコント
ロールすることができた。

さらに完成磁気ヘッドのギャップ長は、±０．０５μｍ
の寸法公差に対して１００％歩留りで試作することがで
きた。

さらに製造プロセス中にギャップガラス部材の溶融を伴
わないため、溶融接着タイプの磁気ヘッドで常に問題と
なっていたギャップ中欠陥がこの場合には生じないとい
うメリットを持つ。

すなわちスパッタ蒸着したガラス膜を溶融した膜は必ず
しも均質な溶融ガラス質のものではなく、基盤部材であ
るコアとの反応生成物や、基盤表面に付着残留している
有機物との反応生成物や、さらに気泡等の異物や欠陥を
含みやすく、完成磁気ヘッドのギャップ中にはこれらに
起因する欠陥を生じやすかった。

しかるに本発明の磁気ヘッドではギャップ部材を溶融す
ることなしにギャップ形成できるため原理的にこれらの
欠陥は生じない。

また、本発明のスパッタガラス組成物を単独でギャップ
部材とする場合、磁気コアのギャップ対向面とこのギャ
ップ部材の界面は、ギャップ接着の熱処理時に大幅な相
互拡散、侵蝕を受けないため、記録漏えい磁束の急峻さ
を持つことができ、すぐれた電磁変換特注を得られる。

以下実施例について詳述するに、第１図ａ〜ｆは磁気ヘ
ッドの製造プロセスの説明図であり、アペックス部１を
持つ巻線用溝２を加工してフロントギャップ対向面３と
パックギャップ対向面４を形成した片側コア５と、ギャ
ップ対向面６を持つもう一方の片側コア７を素材から切
断、研削加工により前加工しａ、ギャップ対向面３，４
および６をラッピングにより鏡面加工しｂ、これらのギ
ャップ対向面にスパッタ蒸着によりギャップスペーサと
して前記組成のガラス薄膜８を形成する。

次にこれらの２つの片側コア５および７をギャップスペ
ーサ８を介して突合せ、ボンドガラス９を巻線溝２のア
ペックス部１に配置して加熱処理しギャップボンディン
グを行なうｄ。

このギャップボンディングは加熱中に常にギャップ対向
面が突合わされた状態で保持するよう高温耐力に優れた
バネ材によりコアに背圧がかかるよう構成した専用のギ
ャップ形成治具を用いて行なう。

ボンディングの完了したコアはバックギャップ部を切断
により落しｅ、この切断面１１を鏡面加工し、別に用意
した■型コアパー１２に巻線をほどこして前記切断面１
１に突合せ合体することにより完成ヘッドチップとなす
ｆｏこの完成した磁気ヘッドチップは適当なケーシング
１３を行ない完成ヘッドとなす。

磁気へラドチップは作動ギャップ１４をその記録媒体摺
動面１５に持ちその磁路内に巻線１６を有する構造とな
る。

実施例で用いたコアは熱間プレスにより製造されたＭ。

−Ｚｎ系フェライト（Ｆｅ２０３５３％ ＭｎＯ２８
，０％ Ｚ２０１９．０％；重量係）である。

また、ギャップ部材としては５ｉｎ２８０ ｍｏ１％。

Ｂ２０３１３ｍｏ１％ 、 Ｎａ２０−に２０４ｍ０１
％ 。

ＡＩ２０３２ ｒｎ７ ％ の低アルカリ硼珪酸ガラ
スおよびＳＩＯ２６７ｍ０１０１）、Ｂ２０３２２ｍｏ
１％、Ｎａ２Ｏに２０６．５ｍｃＪ ％ ｔ ＡＩ ２
０３２ ｍｏ７ ％ の低アルカリ硼珪酸ガラスであ
る。

酸化硼素Ｂ２Ｏ３とアルカリ金属酸化物Ｎａ２０２に２
０のモル比 は前者の場合０．２３５、後者の場合０．２２８である
。

膜厚は０．１５μｍ（ギャップ長０．３μｍ）および０
．５μｍ（同１μｍ）の２種を実施した。

低アルカリ硼珪酸ガラスではＡｌ２Ｏ３の様な分相抑制
材を含まない場合、ある特定の組成範囲では適当な熱処
理により分相現象を生ずることが知られている。

第２図はアルカリ金属酸化物としてＮａ２Ｏを含んだア
ルカリ硼珪酸ガラスのこのような分相域を示したもので
図中Ｘ−Ｘで示される範囲内の組成のガラスは常温で分
相を生じているか、もしくはその転移点〜屈伏点の温度
で熱処理を行なうと分相を生じる。

分相は５ＩＯ２リツチの高融点の高温成分ガラスと可溶
性硼珪酸ガラスの低融点の低温成分ガラスの二層に分離
する現象であって通常実用ガラスではこの分相を抑制す
るためにＡｌ２Ｏ３等を若干添加する。

図中ＳＤ′で表わした破線はＮａ２Ｏ・５Ｂ２０３の組
成に相当する線でガラス構造篩によ１−Ｌ７ｆこの線を
境にして低アルカ’Ｊ（Ｎａ２ ｏ）側のＳ Ｄ’Ｈの
領域を蓄積域、高アルカリ側を切断域と呼び、蓄積域で
はＳ ｉＯ４四面体とＢ０３三角形の構造を持つ母材に
はいった修飾酸化物Ｎａ２Ｏは蓄積されるだけで酸素橋
は打開されないが、これが上記限界を越えると酸素橋の
切断が行なわれる。

分相はこの境界を中心とした領域で起こる。

分相性ガラスの特徴はその転移点が低く、屈伏点が高く
、すなわち転移点〜屈伏点間のいわゆる異常膨張域の温
度範囲が広いことであり、分相を起こすにはこの温度域
で長時間加熱保持してやればよい。

この分相域相当組成のガラスで分相抑制材を若干含んだ
ガラスのスパッタ蒸着膜が、その転移点〜屈伏点間で非
溶融状態で接着する。

この状態では、通常の意味での分相は生じてはいないが
、ミクロに見て分相に相当する現象が生じて低温成分が
この接着に関与していると考えられる。

事実この組成範囲のガラスの水溶ＭＥは他に比べて大き
く、アルカリ溶出量の増加が見られ、接着界面における
アルカリ金属の移動が容易な状態となっていると推定さ
れる。

常温範囲における熱膨張率はＳ ｉ０２ ｃｏｎｓｔａ
ｎｔとした場合には上記のＳ Ｄ’線に添って熱膨張率
最低となる傾向があり（実測値は若干これとずれている
）、この組成範囲のガラスは一般に熱膨張率が小さい。

この点はスパッタ蒸着技術上の利点として重要である。

すなわち熱膨張率が大きすぎるとこれをターゲットとし
て＋イオンでたたく場合の過熱によりターゲットかわれ
てしまいターゲットとしての用をなさない。

これを解決する一方法は粉末ガラスをターゲットとする
ことであるが極薄膜の蒸着プロセスに粉末を使用するこ
とは、粉末の飛散による歩留りの低下をきたし望ましく
ない。

この点この組成範囲のガラスは熱膨張率が小さく固体ガ
ラスターゲットとして使用可能である。

前記スパッタガラス膜の組成は、Ｓ １０２Ｂ２０３−
に２Ｏ−Ｎａ２０−Ａｌ２Ｏ３系からなるもので、その
組成範囲は５ｉ０２６５〜８５ｍｏ１％ 、Ｂ２Ｏ３３
〜３０ｍｏｌ’％ 、 Ｎａ２０＋に２０２〜１５ ｍ
ｏ１％、Ａｌ２０３０．１〜Ｓ ｍｃＪ係でかつ のモル比を有するものである。

ＳｉＯ２を６５〜８５ｍｃＪ ％と限定したのはＳ ｔ
０２６５ ｒｎｏｌＪφ以下ではこのガラス系はビッ
カース硬度が５００以下でギャップガラスとしては適さ
ず、８５ｍｏ１０Ｉ）以上ではその融点が１ｏｏｏ℃付
近に達し融着が困難となるためであり、アルカリ金属酸
化物Ｎａ２Ｏ＋に２０を２〜１５ ｍｏ１％ と限定
したのは１５ｍｏ１０１）以上では熱膨張率が７０ Ｘ
１０−７／’Ｃ以上となり固体ターゲットによるスパ
ッタ蒸着が困難となり、２ ｍａ１％以下では修飾酸化
物添加効果がないからである。

また酸化硼素Ｂ２Ｏ３とアルカリ金属酸化物Ｎａ２Ｏ＋
に２０のモル比を と限定したのは上記Ｓ Ｄ’線の上記モル比０．１６７
を中心として、下限と上限は分相域を包含して、転移点
〜屈伏点の温度域で接着可能な範囲であり、実１験的に
定めた。

ＡＩ２０３０．１〜５ｍｏｌ多は分相抑制材として添加
するものである。

上記以外の数値限定は、以上の限定でほぼ制限される範
囲でありＢ２Ｏ３を８〜３０ｍｏｌｆＯと限定したのは
８ｍ０ｌ係以下では高融点であり３０ ｍｏ１％以上で
はビッカース硬度が５００以下であるからである。

これらの組成を持ったスパッタ蒸着膜はほぼ同絹成のガ
ラスをターゲットとしてスパッタ蒸着することによって
得ることができる。

クーゲット組成と膜組成は、電子線マイクロアナライザ
（ＥＰＭＡ）およびＳ２次イオン質量分析（ＩＭＳ）に
て比較したところＳ ｉＯ２およびＢ ２０３．６分の
変動はほとんどなく、Ａｌ２Ｏ３が若干域、Ｎａ２Ｏ，
に２０力５減の傾向の変化を示した。

従ってターゲラｌ−Ａｇ戒としてはアルカリ金属酸化物
Ｎａ２０７ Ｋ２０を多い目に含む材質を使用すればよ
い。

分相抑制材のＡｌ２Ｏ２が若干減となる組成変化は、本
発明の低温接着性を増大させる傾向である。

次に実施例の磁気ヘッドのギャップ部を強制的に剥離し
て調べた結果に基づき判明した本発明のギャップ部材の
は質について説明する。

第１図ｅに示した完成ギャップドパ−のテープ摺動面を
、ギャップ深さ０．５ ｍｍまでラッピング加工し、長
さが３１間あるこのギャップドパ−から１ ｍｍのコア
厚の磁気コアチップを２５ケ切断により切出し、この各
磁気コアチップのギャップ部が剥離するよう荷重を加え
て、この剥離面を観察した。

なお、片側コア６．７のギャップ対向面３，６に付着さ
れるギャップ部材はそれぞれ第１層としてＳ ｉｏ ２
が４０００Ａの厚さまでスパッタ蒸着され、その上に第
２層としてＳ ｉ０２６７ ｍｏ１％、Ｂ２０゜２２ｍ
、ｏ＃％ 、 Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ６，５ｍｃＪ％ 、
Ａｌ２０３２ ｍｏｅ ％ の組成の低アルカリ硼珪
酸ガラスが５００人の厚さまでスパッタ蒸着されて、両
片側コア６．７のギャップ部材の合計膜厚は９０００人
である。

この２つの片側コアをスパックガラス膜を介して突合せ
、７００℃で１時間の熱処理で両者を接着した。

前記２５ケの磁気コアチップのうち７５係は剥離過程で
フェライト部（コア部）で破壊したが２５係はギャップ
ガラス膜部で剥離した。

このようなギャップガラス膜部で強制剥離された両コア
の剥離面のガラス膜の干渉色よりスパッタ蒸着した時の
ガラス膜の表面の一部が剥離面に残っており、明らかに
通常の溶融接着と異なることがわかる。

第３図ａ、ｂは、この両コアの剥］離面の表面形状を触
針式表面形状測定器で調べたもので、それぞれ両コアの
剥離面の互に対向する部分の断面形状を示している。

この両者の表面形状は当然対の関係にあり、第１層目の
膜厚が４０００人、第２層目の膜厚が５００人である事
実から考えて、剥離部の大部分は第１層目同志の界面（
図中点線で表示）で生じていることがわかる。

詳細の観察すると、さらに剥離は第１層目と第２層目の
弁面でも起っていることがわかる。

このように接着が非溶融の状態で生じていることが明ら
かであり、スパッタ蒸着したガラス膜厚の膜厚にちょう
ど等しいギャップ長の磁気ヘッドを得ることができる。

なお上述の実施例はコア材としてＭ。

−Ｚｎ系フェライトを用いた場合であったが、センダス
トをコア材としても同様の効果があった。

このように本発明は酸化物磁性体磁気ヘッドにも金属磁
性体磁気ヘッドにも有効である。

以上の説明ではスパッタ蒸着膜の付着強度について特に
ふれなかったが、本発明の組成範囲内のガラスでも膜厚
が大きい場合にその付着強度の点で差異があり、前述実
施例のＳ ｉ０２８０ ｍｏｌ！優。

Ｂ ２０３１３ ｒｎｏ１％ｔ Ｎａ２ＯＨＫ２０４
ｍｏ１％、Ａｌ２０３２ ｍｏ１％の場合、付着速度が
１３００λ／ｈｏｕｒ以上となると基盤からはく離した
（基盤Ｍｎ−Ｚ、フェライト、基盤温度１５０’Ｃ１膜
厚０．５μｍ）。

これ以下の付着速度では付着可能であるが、プロセス能
率上好ましくない。

付着強度は一般に高珪酸、低硼酸、低アルカリのガラス
程太きいが、基盤の洗浄度合にも大きく影響され、付着
可能速度が小さいということはそれだけ付着強度の点で
不安定性を持っており、製造プロセス上の難点であった
。

そこで付着強度をより強固に確保するためには磁気コア
のギャップ対向面に予め他の組成の付着強度の大きい物
質を蒸着しておき、この上に前記本発明の組成範囲のガ
ラスを蒸着すると付着強度は改善される。

実施例ではこの下地蒸着膜として５ｉ０２スパッタ蒸着
膜を採用したところ本発明で限定した全範囲の組成のガ
ラスについて安定してスパッタ蒸着を実施することがで
きた。

この場合、２層膜の膜地を１層目５ｉ０２０．１ μｍ
、 ２層目０．４μｍとした場合と１層目Ｓ＋０２０．
４ μｍ 、 ２層目０．１μｍとした場合を比較実験
し、両者とも本発明の効果を示して低温ボンディングに
よる高精度、無欠陥のギャップを形成することができた
。

前者の比率では第１層目はコンタクトマテリアルを付着
させているのに対し、後者の場合は第１層目がギャップ
部材の大幅を占め、第２層目が低温ボンド用の接着材層
となっているという解釈もできよう。

この２層構造では界面の問題は第１層目の問題となるの
でより高融点の材質を第１層目に蒸着すれば、ギャップ
ボンド中の界面劣化をさらに軽度に押える方策も可能と
なる。

さらにキャップ中欠陥の界面残留不純物に起因するもの
は、同様に高融点のガラスを用いることによりより完壁
にシャットアウトすることができる。

なおギャップ長が小さく膜厚が小さい場合には付着強度
に問題はなく上記の２層構造を取ることなく本発明の組
成のガラスを付着することができる。

また、上述の実施例はコア材としてＭ。

−Ｚｎ系フェライトを用いた場合であったが、コア材と
してセンダストおよびパーマロイを用いて２層膜構造と
し、第１層目に８１０２を付着せしめたところ、コア材
である金属磁性体とギャップガラス材の熱膨張率の差異
が大きいにもかかわらず安定して第２層目の膜をスパッ
ク蒸着でき、かつ高精度、無欠陥のギャップを形成する
ことができた。

このように金属磁性体磁気ヘッドのギャップ材としてガ
ラスを用いることは一般に熱膨張率差の点から難かしい
とされていたが、センダスト、パーマロイ等の金属磁性
体磁気コアで磁性ヘッドを横取したときにも有効である
。

【図面の簡単な説明】

第１図ａ ＝ ｆは本発明の磁気ヘッドの製造プロセス
の説明図、第２図は本発明に係るアルカリ硼珪酸ガラス
の組成説明図、第３図は本発明により製造された磁気ヘ
ッドのヘッドギャップ部の剥離面の断面図である。 １・・・・・・アペックス部、２・・・・・・巻線用溝
、３・・・・・・フロントギャップ対向面、４・・・・
・・バックギャップ対向面、５・・・・・・片側コア、
６・・・・・・ギャップ対向面、７・・・・・・片側コ
ア、８・・・・・・ガラス薄膜、９・・・・・・ボンド
ガラス。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 磁気コアのギャップ形成面に、５１０２６５〜８５
   ｍｏ１％、Ｂ２Ｏ３３〜３０ｍｏ１％の硼珪酸ガラス
   で、アルカリ金属酸化物Ｎａ２Ｏおよびに２０を２〜１
   ５ ｍｏ１％ 、 ＡＩ２０３を０．１〜５ ｍｏｌｊ
   ％を含み、かつ酸化硼素とアルカリ金属酸化物のモル比
   がであるスパッタ蒸着によるガラス膜を有する磁気ヘッ
   ド。 ２、特許請求の範囲第１項において前記スパックガラス
   膜と前記磁気コアのギャップ形成面に前記スパッタガラ
   ス膜と異なる成分の層を介在させたことを特徴とする磁
   気ヘッド。 ３ 特許請求の範囲第２項において前記界なる成分の層
   はＳ ｉ０２層であることを特徴とする磁気ヘッド。 ４２つの片側磁気コアのギャップ対向面に、スパッタ蒸
   着によりガラス膜を形成し、その組成が５ｉ０２６５〜
   ８５ ｍｏ１％ 、 Ｂ２Ｏ３８〜３０ ｍｏ１％の硼
   珪酸ガラスで、アルカリ金属酸化物Ｎａ２Ｏおよびに２
   ０を２〜１５ ｍｏ１％ 、 Ａｌ２Ｏ３を０１〜５ｍ
   ｏｌ咎を含み、かつ酸化硼素とアルカリ金属酸化物のモ
   ル比が の範囲であり前記スパッタガラス膜を介して２つの片側
   磁気コアを突合せ、これを前記スパッタガラス膜の転移
   点より高く、屈伏点より低い温度に加熱し接着せしめる
   ことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 ５ ％許請求の範囲第４項において２つの片側磁気コア
   のギャップ対向面にスパック蒸着により２層の組成の異
   なる薄膜を形成し、第２層目の膜の組成が、５ｉ０２６
   ５〜８５ｍｏ１％、Ｂ２Ｏ３３〜３０ｍｏ１％の硼珪酸
   ガラスで、アルカリ酸化物Ｎａ２Ｏおよびに２０を２〜
   １５ ｒ？ｒｏ１％ 、 Ａｌ２Ｏを０．１〜５ｍｏ１
   ％含み、かつ酸化硼素とアルカリ金属酸化物のモル比が の範囲のガラスとし前記薄膜を介して２つの片側磁気コ
   アを突合せ、これを前記２層目のスパックガラス膜の転
   移点より高く、屈伏点より低い温度に加熱し接着せしめ
   ることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 ６ 特許請求の範囲第５項において第１層目の膜が５ｉ
   ０２である磁気ヘッドの製造方法。