JPH0827898B2 - 浮上型複合磁気ヘッド及びその磁気コア - Google Patents
浮上型複合磁気ヘッド及びその磁気コアInfo
- Publication number
- JPH0827898B2 JPH0827898B2 JP63075258A JP7525888A JPH0827898B2 JP H0827898 B2 JPH0827898 B2 JP H0827898B2 JP 63075258 A JP63075258 A JP 63075258A JP 7525888 A JP7525888 A JP 7525888A JP H0827898 B2 JPH0827898 B2 JP H0827898B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- core
- thin film
- gap
- glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/10—Structure or manufacture of housings or shields for heads
- G11B5/105—Mounting of head within housing or assembling of head and housing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/1272—Assembling or shaping of elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気ディスク装置において記録媒体表面より
ごく僅かに浮上させて用いる浮上型複合磁気ヘッド及び
それに組み込む磁気コアに関する。
ごく僅かに浮上させて用いる浮上型複合磁気ヘッド及び
それに組み込む磁気コアに関する。
磁気ディスク装置での情報の書き込み、読み出しに用
いられる磁気ヘッドとしては例えば米国特許3823416号
及び特公昭57−569号に示されているような浮上型ヘッ
ドが多く使用されている。この浮上型ヘッドにおいては
スライダーの後端部に磁気変換ギャップを設け、全体は
高透磁率の酸化物磁性材料で構成されている。
いられる磁気ヘッドとしては例えば米国特許3823416号
及び特公昭57−569号に示されているような浮上型ヘッ
ドが多く使用されている。この浮上型ヘッドにおいては
スライダーの後端部に磁気変換ギャップを設け、全体は
高透磁率の酸化物磁性材料で構成されている。
浮上型磁気ヘッドは、磁気ディスクが静止している時
にはスプリングの力で軽く磁気ディスクに接触している
が、磁気ディスクが回転している時には、磁気ディスク
表面の空気が動いてスライダー下面を持ち上げる力が作
用し、磁気ディスクから浮上する。一方磁気ディスクの
回転を開始する時および止める時には、磁気ヘッドは磁
気ディスク上を摺動する。磁気ディスクの回転を止める
時の接触の状況を説明すると、回転数を落してきた時に
その表面の空気の流れも次第に遅くなる。そして磁気ヘ
ッドの浮力が失われた時磁気ヘッドはディスク面に衝突
するとともにその反動でとび上り、またディスク面に落
ちる。このような運動を何度か繰り返した上で、磁気ヘ
ッドはディスク上を引きずらせるようにして停止する。
このような起動、停止時の衝撃に磁気ヘッドは耐える必
要があり、その性能をCSS性(Contact Start Stop)と
呼ぶことが多い。
にはスプリングの力で軽く磁気ディスクに接触している
が、磁気ディスクが回転している時には、磁気ディスク
表面の空気が動いてスライダー下面を持ち上げる力が作
用し、磁気ディスクから浮上する。一方磁気ディスクの
回転を開始する時および止める時には、磁気ヘッドは磁
気ディスク上を摺動する。磁気ディスクの回転を止める
時の接触の状況を説明すると、回転数を落してきた時に
その表面の空気の流れも次第に遅くなる。そして磁気ヘ
ッドの浮力が失われた時磁気ヘッドはディスク面に衝突
するとともにその反動でとび上り、またディスク面に落
ちる。このような運動を何度か繰り返した上で、磁気ヘ
ッドはディスク上を引きずらせるようにして停止する。
このような起動、停止時の衝撃に磁気ヘッドは耐える必
要があり、その性能をCSS性(Contact Start Stop)と
呼ぶことが多い。
上記高透磁率酸化物磁性材料であるフェライトで構成
された浮上型磁気ヘッドは比較的良好な耐CFF性を示す
が、飽和磁束密度が小さく、高保持力の記録媒体に対し
て充分に記録出来ないという欠点がある。すなわち比較
的飽和磁束密度Bsの高いMn−ZnフェライトでもBsは高々
5,000G程度である。
された浮上型磁気ヘッドは比較的良好な耐CFF性を示す
が、飽和磁束密度が小さく、高保持力の記録媒体に対し
て充分に記録出来ないという欠点がある。すなわち比較
的飽和磁束密度Bsの高いMn−ZnフェライトでもBsは高々
5,000G程度である。
そこでBsが8,000G以上となるように金属磁性薄膜を磁
気ギャップ部に配置した構造の磁気ヘッドとするのが望
ましいことがわかった。この例として特開昭58−14311
号に開示されているように、フェライトで構成された浮
上型磁気ヘッドの磁気変換ギャップ部にのみ高飽和磁束
密度の金属磁性膜を設けた磁気ヘッドが提案されてい
る。しかし、この例では磁気変換部に所定の巻線を施し
た後のインダクタンスが大きく、そのため共振周波数が
低下し、高周波での記録再生が不利になるという欠点が
ある。ここでインダクタンスが大きいのは磁気ヘッド全
体が磁性体で構成されていることに基づく。従って低イ
ンダクタンスとするために磁気回路を小さく構成する必
要がある。このような観点から全体を磁性材料で構成せ
ず、磁気コアを非磁性のスライダー中に埋設固着した構
成の浮上型複合磁気ヘッドが米国特許3,562,444号に開
示さた。また本発明者等は特開昭和61−199219号にて磁
気コアを非磁性スライダー中に埋設した磁気ヘッドの望
ましい形状について提案した。
気ギャップ部に配置した構造の磁気ヘッドとするのが望
ましいことがわかった。この例として特開昭58−14311
号に開示されているように、フェライトで構成された浮
上型磁気ヘッドの磁気変換ギャップ部にのみ高飽和磁束
密度の金属磁性膜を設けた磁気ヘッドが提案されてい
る。しかし、この例では磁気変換部に所定の巻線を施し
た後のインダクタンスが大きく、そのため共振周波数が
低下し、高周波での記録再生が不利になるという欠点が
ある。ここでインダクタンスが大きいのは磁気ヘッド全
体が磁性体で構成されていることに基づく。従って低イ
ンダクタンスとするために磁気回路を小さく構成する必
要がある。このような観点から全体を磁性材料で構成せ
ず、磁気コアを非磁性のスライダー中に埋設固着した構
成の浮上型複合磁気ヘッドが米国特許3,562,444号に開
示さた。また本発明者等は特開昭和61−199219号にて磁
気コアを非磁性スライダー中に埋設した磁気ヘッドの望
ましい形状について提案した。
以上の点から高保磁力の媒体に対して充分に記録可能
でかつインダクタンスの小さな浮上型複合磁気ヘッドを
得るには、飽和磁束密度Bsの高いMn−Znフェライトを基
板としてギャップ部に高Bsの薄膜磁性材を成膜した磁気
コアを非磁性スライダー中に埋設したものが優れている
ことがわかった。このような複合磁気ヘッドの例として
本発明者等により特開昭61−154310号に開示されたもの
がある。
でかつインダクタンスの小さな浮上型複合磁気ヘッドを
得るには、飽和磁束密度Bsの高いMn−Znフェライトを基
板としてギャップ部に高Bsの薄膜磁性材を成膜した磁気
コアを非磁性スライダー中に埋設したものが優れている
ことがわかった。このような複合磁気ヘッドの例として
本発明者等により特開昭61−154310号に開示されたもの
がある。
さらに埋設される磁気コアのギャップ部の構造として
X型に斜交したものが特開昭61−199217号にて提案され
た。しかしながらこのX型構造では各コア化の先端部が
鋭くとがっており、その上に高Bs磁性膜を被着させ平行
に研磨することにより磁気ギャップを形成しているの
で、所定のトラック幅を得るにはある程度高Bs磁性膜の
膜厚を厚くしておかねばならないという制約がある。
X型に斜交したものが特開昭61−199217号にて提案され
た。しかしながらこのX型構造では各コア化の先端部が
鋭くとがっており、その上に高Bs磁性膜を被着させ平行
に研磨することにより磁気ギャップを形成しているの
で、所定のトラック幅を得るにはある程度高Bs磁性膜の
膜厚を厚くしておかねばならないという制約がある。
このような制約のない磁気コアとして、対向面がそれ
ぞれ平坦な一対のコア片により磁気コアを構成し、磁気
コアのトラック面にトラック幅を規制する切り欠きを設
けたいわゆる平行型の磁気コアがある。平行型の磁気コ
アは、一般にI型コア型とC型コア片とからなり、通常
I型コア片上にFe−Al−Si等の金属磁性薄膜が形成され
ている。平行型の磁気コアは磁気ギャップの形成が容易
であるとともにトラック幅を精確に規定できるという利
点を有する。
ぞれ平坦な一対のコア片により磁気コアを構成し、磁気
コアのトラック面にトラック幅を規制する切り欠きを設
けたいわゆる平行型の磁気コアがある。平行型の磁気コ
アは、一般にI型コア型とC型コア片とからなり、通常
I型コア片上にFe−Al−Si等の金属磁性薄膜が形成され
ている。平行型の磁気コアは磁気ギャップの形成が容易
であるとともにトラック幅を精確に規定できるという利
点を有する。
しかしながら、金属磁性薄膜とコア片との熱膨張係数
の差は一般に比較的大きいので、コア片をガラスにより
接合するときや磁気コアを非磁性スライダーに固着する
ときに、金属磁性薄膜がコア片から剥離したり、また薄
膜接合物の内部応力によりコア片にクラックが生じたり
するという問題がある。さらに磁気コアの巻線用の窓部
にまで金属磁性薄膜があると、巻線の際に金属磁性薄膜
が剥離するという問題もある。
の差は一般に比較的大きいので、コア片をガラスにより
接合するときや磁気コアを非磁性スライダーに固着する
ときに、金属磁性薄膜がコア片から剥離したり、また薄
膜接合物の内部応力によりコア片にクラックが生じたり
するという問題がある。さらに磁気コアの巻線用の窓部
にまで金属磁性薄膜があると、巻線の際に金属磁性薄膜
が剥離するという問題もある。
以上の問題を解決するために種々の試みがなされてい
る。例えば、熱膨張係数の差による剥離やクラックの問
題を防止するために、金属磁性薄膜を薄くすることが考
えられるが、薄くなるに従って特性も低下するので好ま
しくない。また磁気ギャップやバックギャップにのみ金
属磁性薄膜を形成することも考えられるが、極めて小さ
な磁気コアの磁気ギャップ部及びバックギャップ部のみ
に誤差なく精確に金属磁性薄膜をスパッタリング等によ
り形成するのは著しく困難である。
る。例えば、熱膨張係数の差による剥離やクラックの問
題を防止するために、金属磁性薄膜を薄くすることが考
えられるが、薄くなるに従って特性も低下するので好ま
しくない。また磁気ギャップやバックギャップにのみ金
属磁性薄膜を形成することも考えられるが、極めて小さ
な磁気コアの磁気ギャップ部及びバックギャップ部のみ
に誤差なく精確に金属磁性薄膜をスパッタリング等によ
り形成するのは著しく困難である。
その上、通常磁気コアの一方のコア片に部分的に金属
磁性薄膜を形成するのに用いられるマスクは第9図にお
いて91で示されるような構造を有し、ホルダー93内に入
れたフェライトコアブロック92を覆うようになってい
る。第10図はホルダー93内に設置したコアブロック92の
上にマスク91を配置した状態を詳細に示す。この状態で
スパッタリングにより金属磁性薄膜を形成すると、第11
図(a)及び(b)に示すようにシャドウ効果による薄
膜94の膜ダレや、マスク91の浮き上りによる膜ダレが生
じてしまう。このような膜ダレのため、後述するよう
に、薄膜の端部に近づくにつれて磁気ギャップのギャッ
プ長さが大きくなり特性が低下するという問題がある。
磁性薄膜を形成するのに用いられるマスクは第9図にお
いて91で示されるような構造を有し、ホルダー93内に入
れたフェライトコアブロック92を覆うようになってい
る。第10図はホルダー93内に設置したコアブロック92の
上にマスク91を配置した状態を詳細に示す。この状態で
スパッタリングにより金属磁性薄膜を形成すると、第11
図(a)及び(b)に示すようにシャドウ効果による薄
膜94の膜ダレや、マスク91の浮き上りによる膜ダレが生
じてしまう。このような膜ダレのため、後述するよう
に、薄膜の端部に近づくにつれて磁気ギャップのギャッ
プ長さが大きくなり特性が低下するという問題がある。
従って本発明の目的は、上記問題点のない金属磁性薄
膜を有する浮上型複合磁気ヘッド用磁気コアを提供する
ことである。
膜を有する浮上型複合磁気ヘッド用磁気コアを提供する
ことである。
また、本発明のもう一つの目的は、上記磁気コアを用
いた浮上型複合磁気ヘッドを提供することである。
いた浮上型複合磁気ヘッドを提供することである。
上記目的に鑑み鋭意研究の結果、本発明者は磁気コア
の磁気ギャップ及びバックギャップに形成する金属磁性
薄膜の長さを特定の範囲に設定することにより、金属磁
性薄膜の剥離やコア片のクラックの問題がなく、それに
より良好な特性を示す磁気コアを得ることができること
を発見し、本発明に想到した。
の磁気ギャップ及びバックギャップに形成する金属磁性
薄膜の長さを特定の範囲に設定することにより、金属磁
性薄膜の剥離やコア片のクラックの問題がなく、それに
より良好な特性を示す磁気コアを得ることができること
を発見し、本発明に想到した。
すなわち、本発明の浮上型複合磁気ヘッド用磁気コア
は、(a)一対のコア片と、(b)前記コア片を接合す
るガラス部と、(c)前記一対のコア片により形成され
た巻線用窓と、(d)前記一対のコア片により形成さ
れ、前記巻線用窓の一方の側に位置する磁気ギャップ
と、(e)前記コア片の少なくとも一方の対向面に形成
され、前記磁気ギャップの外端から前記巻線用窓まで延
在する金属磁性薄膜とを有し、前記金属磁性薄膜は、前
記ガラス部内において、前記磁気ギャップのエイペック
スより10μm以上延長しているとともに、前記接合ガラ
ス部の内端より15μm以上短く、かつ前記金属磁性薄膜
の先端部がテーパー状にダレていることを特徴とする。
は、(a)一対のコア片と、(b)前記コア片を接合す
るガラス部と、(c)前記一対のコア片により形成され
た巻線用窓と、(d)前記一対のコア片により形成さ
れ、前記巻線用窓の一方の側に位置する磁気ギャップ
と、(e)前記コア片の少なくとも一方の対向面に形成
され、前記磁気ギャップの外端から前記巻線用窓まで延
在する金属磁性薄膜とを有し、前記金属磁性薄膜は、前
記ガラス部内において、前記磁気ギャップのエイペック
スより10μm以上延長しているとともに、前記接合ガラ
ス部の内端より15μm以上短く、かつ前記金属磁性薄膜
の先端部がテーパー状にダレていることを特徴とする。
通常のマスクを用いたスパッタリングの場合、形成さ
れる金属磁性薄膜の端部にはダレが生じ、そのダレの長
さは10μm程度である。従って、そのダレによる特性低
下を防止するために、その分だけ磁気ギャップにおける
金属磁性薄膜を長くしておかなければならない。それと
ともに、各ギャップより延びる金属磁性薄膜の長さをそ
れが剥離しやすくなる長さより短かく設定しておかなけ
ればならないことがわかった。このような観点から、上
記範囲の延長部を有するように金属磁性薄膜の長さを設
定すると、薄膜の剥離やコア片のクラックを防止するこ
とができ、磁気ヘッドの特性を良好なものとすることが
できる。
れる金属磁性薄膜の端部にはダレが生じ、そのダレの長
さは10μm程度である。従って、そのダレによる特性低
下を防止するために、その分だけ磁気ギャップにおける
金属磁性薄膜を長くしておかなければならない。それと
ともに、各ギャップより延びる金属磁性薄膜の長さをそ
れが剥離しやすくなる長さより短かく設定しておかなけ
ればならないことがわかった。このような観点から、上
記範囲の延長部を有するように金属磁性薄膜の長さを設
定すると、薄膜の剥離やコア片のクラックを防止するこ
とができ、磁気ヘッドの特性を良好なものとすることが
できる。
本発明を添付図面を参照して以下に詳細に説明する。
第1図は本発明の磁気コアを組み込んだ浮上型複合磁
気ヘッドの全体構成を示す斜視図である。11は非磁性ス
ライダー、12、13はスライダー11に設けられたサイドレ
ール、14はサイドレール13に設けられたスリット部、15
はスリット部14に埋設された磁気コア、16はその磁気コ
ア15を固着するガラスである。なおスライダー11として
は熱膨張係数が105〜115×10-7/℃、空孔率が0.5%以下
のCaTiO3からなる非磁性セラミックを用いるのが好まし
い。
気ヘッドの全体構成を示す斜視図である。11は非磁性ス
ライダー、12、13はスライダー11に設けられたサイドレ
ール、14はサイドレール13に設けられたスリット部、15
はスリット部14に埋設された磁気コア、16はその磁気コ
ア15を固着するガラスである。なおスライダー11として
は熱膨張係数が105〜115×10-7/℃、空孔率が0.5%以下
のCaTiO3からなる非磁性セラミックを用いるのが好まし
い。
第2図は本発明の磁気コア15の拡大斜視図である。2
1、22はそれぞれMn−ZnフェライトからなるC型および
I型コア片と称される磁性体であり、23及び23′はI型
コア片上に被着されたFe−Al−Si薄膜である。24はC型
コア片21とI型コア片22との間に形成された巻線用の窓
であり、その上部にC型コア21とI型コア片22を接合す
るガラス部25が設けられている。
1、22はそれぞれMn−ZnフェライトからなるC型および
I型コア片と称される磁性体であり、23及び23′はI型
コア片上に被着されたFe−Al−Si薄膜である。24はC型
コア片21とI型コア片22との間に形成された巻線用の窓
であり、その上部にC型コア21とI型コア片22を接合す
るガラス部25が設けられている。
磁気コア15のトラック面にはトラック幅Twを規制する
切り欠き26が形成されている。切り欠き26は磁気コア15
の長手方向に延在する。これにより磁気ギャップ27のト
ラック幅Twは任意に設定することができる。なお磁気ギ
ャップ27はスパッタリング等により被着されたSiO2等の
ギャップ規制膜により形成されている。
切り欠き26が形成されている。切り欠き26は磁気コア15
の長手方向に延在する。これにより磁気ギャップ27のト
ラック幅Twは任意に設定することができる。なお磁気ギ
ャップ27はスパッタリング等により被着されたSiO2等の
ギャップ規制膜により形成されている。
第3図は第2図に示す磁気コアの縦断面図であり、コ
ア片21、22と磁性薄膜23及び23′と接合ガラス部25との
関係を示す。この磁気コアの形状は一般的に次の通りで
ある。
ア片21、22と磁性薄膜23及び23′と接合ガラス部25との
関係を示す。この磁気コアの形状は一般的に次の通りで
ある。
トラック幅Tw 13〜20 μm 磁気ギャップ長さGl 0.5〜0.8μm 磁気ギャップ深さGd 2〜15 μm コア幅 150〜170μm 磁気ギャップ27における金属磁性薄膜23は通常2〜4
μm程度の厚さを有し、磁気ギャップ27の内端(エイペ
ックス)30よりAだけ内側に延長しているとともに、接
合ガラス部25よりBだけ内側(エイペックス側)に引っ
込んでいる。本発明の磁気コアにおいて、Aは10μm以
上であることが必要であり、Bは15μm以上であること
が必要である。これについて以下詳述する。
μm程度の厚さを有し、磁気ギャップ27の内端(エイペ
ックス)30よりAだけ内側に延長しているとともに、接
合ガラス部25よりBだけ内側(エイペックス側)に引っ
込んでいる。本発明の磁気コアにおいて、Aは10μm以
上であることが必要であり、Bは15μm以上であること
が必要である。これについて以下詳述する。
第4図は磁気ギャップ27における薄膜23の長さが不十
分な場合を示す。ここでは薄膜23はC型コア片21のエイ
ペックス(APEX)30よりAだけ延長しているが、Aが10
μmより短いので、薄膜端部のダレ29は磁気ギャップ27
内まで延びている。このため磁気ギャップ27のギャップ
長さGlは外端と内端で異なってくる。詳述すると、SiO2
薄膜31により規定されたギャップ長さGlは、磁気ギャッ
プ27の外端部では本来の長さGlを有するが、内端部に近
づくにつれてGl′に示されるように拡大する。このため
磁気ヘッドとしての正常な動作ができなくなる。この原
因は明らかに金属磁性薄膜23の端部にダレ29があるため
である。ダレ29の長さXはマスクを用いたスパッタリン
グ法による場合、通常10μm程度であるので、エイペッ
クス30より延びるべき薄膜23の長さAは10μm以上であ
る必要がある。
分な場合を示す。ここでは薄膜23はC型コア片21のエイ
ペックス(APEX)30よりAだけ延長しているが、Aが10
μmより短いので、薄膜端部のダレ29は磁気ギャップ27
内まで延びている。このため磁気ギャップ27のギャップ
長さGlは外端と内端で異なってくる。詳述すると、SiO2
薄膜31により規定されたギャップ長さGlは、磁気ギャッ
プ27の外端部では本来の長さGlを有するが、内端部に近
づくにつれてGl′に示されるように拡大する。このため
磁気ヘッドとしての正常な動作ができなくなる。この原
因は明らかに金属磁性薄膜23の端部にダレ29があるため
である。ダレ29の長さXはマスクを用いたスパッタリン
グ法による場合、通常10μm程度であるので、エイペッ
クス30より延びるべき薄膜23の長さAは10μm以上であ
る必要がある。
また磁気ギャップ27から延びる磁性薄膜23は接合ガラ
ス部25に完全に覆われている必要がある。というのは、
コア片の接合時や磁気コアのスライダー中への固着時に
受ける加熱により、磁性薄膜23に剥離が生じたりコア片
にクラックが生じたりする傾向があるが、それは接合ガ
ラス部25により抑制することができるからである。磁性
薄膜23の先端部と接合コア部の内端部との距離Bは一般
に15μm以上である必要がある。これより短かいと接合
ガラス部25による剥離防止効果が不十分となる。なお接
合ガラス部の内端部とエイペックス30との間隔は、例え
ば1.4×1.6×0.16mmのサイズの磁気コアの場合0.2〜0.3
mm程度である。
ス部25に完全に覆われている必要がある。というのは、
コア片の接合時や磁気コアのスライダー中への固着時に
受ける加熱により、磁性薄膜23に剥離が生じたりコア片
にクラックが生じたりする傾向があるが、それは接合ガ
ラス部25により抑制することができるからである。磁性
薄膜23の先端部と接合コア部の内端部との距離Bは一般
に15μm以上である必要がある。これより短かいと接合
ガラス部25による剥離防止効果が不十分となる。なお接
合ガラス部の内端部とエイペックス30との間隔は、例え
ば1.4×1.6×0.16mmのサイズの磁気コアの場合0.2〜0.3
mm程度である。
次にバックギャップ28における磁性薄膜23′はその先
端部がCだけ延びているが、本発明の第二の特徴によれ
ばCは−50〜100μmである必要がある。Cが−50μm
の場合、すなわち若干磁性薄膜23′のダレによる空隙が
バックギャップ28に存在する場合、回路効率は低下する
が、バックギャップ部28の長さ(図中高さ方向の長さ)
は通常400μm程度と磁気ギャップ深さGdより著しく大
きいので、若干の空隙は実質的に問題とならない。一方
磁性薄膜23′が100μmより長く延長すると磁性薄膜2
3′の剥離の問題が生じてくる。より好ましくはCは0
〜70μmとする。
端部がCだけ延びているが、本発明の第二の特徴によれ
ばCは−50〜100μmである必要がある。Cが−50μm
の場合、すなわち若干磁性薄膜23′のダレによる空隙が
バックギャップ28に存在する場合、回路効率は低下する
が、バックギャップ部28の長さ(図中高さ方向の長さ)
は通常400μm程度と磁気ギャップ深さGdより著しく大
きいので、若干の空隙は実質的に問題とならない。一方
磁性薄膜23′が100μmより長く延長すると磁性薄膜2
3′の剥離の問題が生じてくる。より好ましくはCは0
〜70μmとする。
この磁気コアは以下のプロセスにより製造することが
できる。まずI型コア片及びC型コア片を構成すべきフ
ェライト材料のブロックを準備する。このフェライト材
料としては高Bsでかつ高周波での透磁率が極力大きいMn
−Znフェライトが望ましい。またガラス接合時にガラス
中に生じる気泡(void)を減らすために、フェライト材
料は熱間静水圧プレス(Hot Isostatic Press)法によ
り高密度化されたものを用いるのが好ましい。特にB10
=4700〜5400G、Hc=0.1〜0.20e、5MHzに於る透磁率800
〜1300、空孔率0.5%以下、熱膨張係数105〜130×10-7/
℃のMn−Zn多結晶フェライトを用いるのが好ましいが、
多結晶フェライトの代りに単結晶材を用いても良い。
できる。まずI型コア片及びC型コア片を構成すべきフ
ェライト材料のブロックを準備する。このフェライト材
料としては高Bsでかつ高周波での透磁率が極力大きいMn
−Znフェライトが望ましい。またガラス接合時にガラス
中に生じる気泡(void)を減らすために、フェライト材
料は熱間静水圧プレス(Hot Isostatic Press)法によ
り高密度化されたものを用いるのが好ましい。特にB10
=4700〜5400G、Hc=0.1〜0.20e、5MHzに於る透磁率800
〜1300、空孔率0.5%以下、熱膨張係数105〜130×10-7/
℃のMn−Zn多結晶フェライトを用いるのが好ましいが、
多結晶フェライトの代りに単結晶材を用いても良い。
いずれかのコアブロックに金属磁性薄膜を形成する
が、I型コアブロックに設ける方が容易であり好まし
い。金属磁性薄膜としてはFe−Al−Si合金をスパッタリ
ングで被着したものが好ましい。
が、I型コアブロックに設ける方が容易であり好まし
い。金属磁性薄膜としてはFe−Al−Si合金をスパッタリ
ングで被着したものが好ましい。
スパッタの条件としては安定な放電を維持するため5
〜12mTorrのArガス圧が望ましい。また電力は合金ター
ゲットの温度上昇による割れを防ぐとともに、800Å/
分程度の膜生成速度を得るために、600〜1200W(直径15
0mmのターゲットの例)が望ましい。Fe−Al−Si膜の形
成としては高透磁率を得るため、重量基準で83〜86%の
Fe、5〜8%のAl、8〜11%のSiが好ましい。特に磁歪
定数を小さくする目的で、重量基準で83.5〜85%のFe、
5〜7%のAl、9〜10.5%のSiのものが望ましい。Fe−
Al−Si膜には耐食性を向上させる目的で微量の添加物を
加えてもよい。この場合、2重量%以下のTi、Ru、Cr等
を単独あるいは複合添加するのが望ましい。
〜12mTorrのArガス圧が望ましい。また電力は合金ター
ゲットの温度上昇による割れを防ぐとともに、800Å/
分程度の膜生成速度を得るために、600〜1200W(直径15
0mmのターゲットの例)が望ましい。Fe−Al−Si膜の形
成としては高透磁率を得るため、重量基準で83〜86%の
Fe、5〜8%のAl、8〜11%のSiが好ましい。特に磁歪
定数を小さくする目的で、重量基準で83.5〜85%のFe、
5〜7%のAl、9〜10.5%のSiのものが望ましい。Fe−
Al−Si膜には耐食性を向上させる目的で微量の添加物を
加えてもよい。この場合、2重量%以下のTi、Ru、Cr等
を単独あるいは複合添加するのが望ましい。
Fe−Al−Si薄膜の部分形成はマスクスパッタを用いる
ことにより行なう。マスクスパッタは一般に第9図乃至
第11図に示すように、ホルダーと薄膜を形成すべき部分
が開口したマスクとの組合せを用いて行う。フェライト
コアには、マスクの開口部を通して所望の部分にスパッ
タリングにより薄膜が形成される。
ことにより行なう。マスクスパッタは一般に第9図乃至
第11図に示すように、ホルダーと薄膜を形成すべき部分
が開口したマスクとの組合せを用いて行う。フェライト
コアには、マスクの開口部を通して所望の部分にスパッ
タリングにより薄膜が形成される。
次に第5図に示すように、Fe−Al−Si膜53、53′を部
分被着したI型コアブロック52にC型コアブロック51を
接触させ、巻線窓54中に置いたガラス棒55を加熱流入さ
せることにより接合する。この場合、好ましい接合ガラ
スは軟化点540〜630℃、熱膨張係数94〜103×10-7/℃の
ものである。このような物性を示す接合用ガラス(第一
のガラス)としてはPbO−SiO2を主成分とし、他に種々
の元素を加えた多くの組合せが考えられるけれども、本
発明者による実験の結果ではPbO−SiO2にアルカリ金属
酸化物(K2O、Li2O、Na2O等)を加えた系、又はPbO−Si
O2−B2O3−Al2O3にアルカリ金属酸化物を加えた系が適
している。このような系での好ましい組成範囲は重量基
準で、28〜49%のSiO2、44〜59%のPbO、7〜13%のア
ルカリ金属酸化物からなる組成、又は28〜49%のSiO2、
5〜10%のB2O3、7〜13%のアルカリ金属酸化物、残部
PbOからなる組成である。また後者の系には5〜12%のA
l2O3を添加してもよい。この第一のガラスの特に好まし
い一例として重量基準で35PbO−45SiO2−8B2O3−7Al2O3
−5K2Oの組成のもの(軟化点580℃、熱膨張係数95×10
-7/℃)が挙げられる。このガラスを使用し接合を行っ
た磁気コアの接合強度は5kg/mm2であり申し分なく、ま
たFe−Al−Si膜の浸食も認められない。
分被着したI型コアブロック52にC型コアブロック51を
接触させ、巻線窓54中に置いたガラス棒55を加熱流入さ
せることにより接合する。この場合、好ましい接合ガラ
スは軟化点540〜630℃、熱膨張係数94〜103×10-7/℃の
ものである。このような物性を示す接合用ガラス(第一
のガラス)としてはPbO−SiO2を主成分とし、他に種々
の元素を加えた多くの組合せが考えられるけれども、本
発明者による実験の結果ではPbO−SiO2にアルカリ金属
酸化物(K2O、Li2O、Na2O等)を加えた系、又はPbO−Si
O2−B2O3−Al2O3にアルカリ金属酸化物を加えた系が適
している。このような系での好ましい組成範囲は重量基
準で、28〜49%のSiO2、44〜59%のPbO、7〜13%のア
ルカリ金属酸化物からなる組成、又は28〜49%のSiO2、
5〜10%のB2O3、7〜13%のアルカリ金属酸化物、残部
PbOからなる組成である。また後者の系には5〜12%のA
l2O3を添加してもよい。この第一のガラスの特に好まし
い一例として重量基準で35PbO−45SiO2−8B2O3−7Al2O3
−5K2Oの組成のもの(軟化点580℃、熱膨張係数95×10
-7/℃)が挙げられる。このガラスを使用し接合を行っ
た磁気コアの接合強度は5kg/mm2であり申し分なく、ま
たFe−Al−Si膜の浸食も認められない。
なおSiO2は高湿度下でのガラスの腐食を防止する作用
を有する。しかし逆にSiO2が多すぎるとFe−Al−Si膜あ
るいはMn−Znフェライトとの濡れ性が悪くなり、接合強
度が保てない。Al2O3は高温度下でのガラスの変色を防
止するが、逆に多すぎると軟化点が高くなり接合できな
くなる。アルカリ金属酸化物類はさらにガラスの流動性
を調節する効果を担っている。
を有する。しかし逆にSiO2が多すぎるとFe−Al−Si膜あ
るいはMn−Znフェライトとの濡れ性が悪くなり、接合強
度が保てない。Al2O3は高温度下でのガラスの変色を防
止するが、逆に多すぎると軟化点が高くなり接合できな
くなる。アルカリ金属酸化物類はさらにガラスの流動性
を調節する効果を担っている。
このようなガラスを用い700〜760℃で接合を行う。こ
の接合ブロックを切断し、トラック幅Tw規制用の切り欠
きを設けることにより磁気コアを得ることができる。
の接合ブロックを切断し、トラック幅Tw規制用の切り欠
きを設けることにより磁気コアを得ることができる。
この磁気コアのスライダーのスリット部への固着は次
のようにして行う。第6図は接合した磁気コア63をスラ
イダー61のスリット部62内に設置するとともに、ガラス
棒68をスライダー61の上面に乗せた状態を示す斜視図で
ある。磁気コア63の切り欠き65はスライダーの片端部64
に向けられているので、磁気コア63が片端部64に押しつ
けられていても、スリット部の内面との間に間隙67、69
が確保される。磁気コア63の固定はバネ材66による仮固
定で容易に達成される。ガラス棒68は第二のガラスとし
て磁気コア63をスリット部62に固着するものであり、か
かる第二のガラスとしては熱膨張係数87〜96×10-7/
℃、軟化点370〜480℃程度のものが好ましい。このよう
な性質を示す組成としては、重量基準で70〜83%のPb
O、3〜10%のAl2O3、6〜13%のSiO2、4〜10%のB2O3
のものがあり、特に好ましい一例として78PbO−8Al2O3
−10SiO2−4B2O3(重量%)がある。このガラスの熱膨
張係数は91×10-7/℃であり軟化点は440℃である。この
ガラスを用いて例えば530℃で固着すれば、クラックの
おそれなく接合を行うことができる。
のようにして行う。第6図は接合した磁気コア63をスラ
イダー61のスリット部62内に設置するとともに、ガラス
棒68をスライダー61の上面に乗せた状態を示す斜視図で
ある。磁気コア63の切り欠き65はスライダーの片端部64
に向けられているので、磁気コア63が片端部64に押しつ
けられていても、スリット部の内面との間に間隙67、69
が確保される。磁気コア63の固定はバネ材66による仮固
定で容易に達成される。ガラス棒68は第二のガラスとし
て磁気コア63をスリット部62に固着するものであり、か
かる第二のガラスとしては熱膨張係数87〜96×10-7/
℃、軟化点370〜480℃程度のものが好ましい。このよう
な性質を示す組成としては、重量基準で70〜83%のPb
O、3〜10%のAl2O3、6〜13%のSiO2、4〜10%のB2O3
のものがあり、特に好ましい一例として78PbO−8Al2O3
−10SiO2−4B2O3(重量%)がある。このガラスの熱膨
張係数は91×10-7/℃であり軟化点は440℃である。この
ガラスを用いて例えば530℃で固着すれば、クラックの
おそれなく接合を行うことができる。
以上のような第二のガラスによる磁気コアのスリット
部への固着には、一般に第二のガラスを500〜580℃に加
熱して磁気コアの両側の隙間に流させる。その後磁気ヘ
ッド空気ベアリング面を研削後研磨加工し、磁気ヘッド
を完成する。
部への固着には、一般に第二のガラスを500〜580℃に加
熱して磁気コアの両側の隙間に流させる。その後磁気ヘ
ッド空気ベアリング面を研削後研磨加工し、磁気ヘッド
を完成する。
本発明をさらに以下の具体的な実施例により詳細に説
明する。
明する。
実施例 1 第2図に示す構造の磁気コアを形成するためにMn−Zn
多結晶フェライトからなるC型コアブロック及びI型コ
アブロックを作成した。Mn−Zn多結晶フェライトは熱間
静水圧プレス法により高密度化されたので、空孔率が0.
1%であり、磁気特性としてはB10=5100G、Hc=0.150
e、5MHzにおける透磁率=950であり、また熱膨張係数は
115×10-7/℃であった。
多結晶フェライトからなるC型コアブロック及びI型コ
アブロックを作成した。Mn−Zn多結晶フェライトは熱間
静水圧プレス法により高密度化されたので、空孔率が0.
1%であり、磁気特性としてはB10=5100G、Hc=0.150
e、5MHzにおける透磁率=950であり、また熱膨張係数は
115×10-7/℃であった。
各C型コアブロック及びI型コアブロックは外周スラ
イサーにより成形し、平面研削盤で研削後ラップ機によ
り研磨したものである。研磨後クロロセン煮沸を行い、
クロロセン中、アセトン中及びアルコール中でそれぞれ
超音波洗浄を行った後、フレオン煮沸を行い、最後にフ
レオン蒸気で洗浄した。
イサーにより成形し、平面研削盤で研削後ラップ機によ
り研磨したものである。研磨後クロロセン煮沸を行い、
クロロセン中、アセトン中及びアルコール中でそれぞれ
超音波洗浄を行った後、フレオン煮沸を行い、最後にフ
レオン蒸気で洗浄した。
次にI型コアブロック上の磁気ギャップ及びバックギ
ャップに相当する位置にマグネトロンスパッタ装置によ
りFe−Al−Si薄膜を種々の幅で形成した。マグネトロン
スパッタ装置の投入電力は0.8Kw、アルゴン圧は8mTor
r、基板温度は200℃であった。またFe−Al−Si薄膜は重
量基準で85%のFe、6%のAl及び9%のSiからなる組成
を有し、厚さは2.9μmであった。この膜の特性はBs=1
1,000G、Hc=0.3〜0.50e、5MHzにおける透磁率=1,000
〜2,000、磁歪定数=+1×10-6であった。
ャップに相当する位置にマグネトロンスパッタ装置によ
りFe−Al−Si薄膜を種々の幅で形成した。マグネトロン
スパッタ装置の投入電力は0.8Kw、アルゴン圧は8mTor
r、基板温度は200℃であった。またFe−Al−Si薄膜は重
量基準で85%のFe、6%のAl及び9%のSiからなる組成
を有し、厚さは2.9μmであった。この膜の特性はBs=1
1,000G、Hc=0.3〜0.50e、5MHzにおける透磁率=1,000
〜2,000、磁歪定数=+1×10-6であった。
次にFe−Al−Si薄膜を形成したI型コアブロック上に
RFスパッタ装置を用いて、0.3Kwの投入電力、5mTorrの
アルゴン圧、150℃の基板温度で0.5μmの膜圧のSiO2ギ
ャップ規制膜を形成した。
RFスパッタ装置を用いて、0.3Kwの投入電力、5mTorrの
アルゴン圧、150℃の基板温度で0.5μmの膜圧のSiO2ギ
ャップ規制膜を形成した。
さらにC型コアブロックとI型コアブロックを接合し
た第一のガラスの組成は以下の通りであった。
た第一のガラスの組成は以下の通りであった。
PbO 54 重量% SiO2 35.9重量% K2O 10.1重量% この第一のガラス軟化点は597℃、熱膨張係数は96×1
0-7/℃であった。第一のガラスによるコアブロックの接
合は電気炉によりN2ガス中で300℃/時間の昇温速度で
加熱し、760℃に30分間保持することにより行った。
0-7/℃であった。第一のガラスによるコアブロックの接
合は電気炉によりN2ガス中で300℃/時間の昇温速度で
加熱し、760℃に30分間保持することにより行った。
このようにして接合したコアブロックを平面研削盤及
びラップ機を用いて研削、研磨し、また外周スライサー
により厚さ250μmに切断した後ラップ機によりコアの
両面を研磨し152μmのコアを作成した。
びラップ機を用いて研削、研磨し、また外周スライサー
により厚さ250μmに切断した後ラップ機によりコアの
両面を研磨し152μmのコアを作成した。
次に各磁気コアのトラック幅Twを規定するために、高
剛性ダイザーにより幅138.5μm、深さ200μmの切り欠
きを形成した。
剛性ダイザーにより幅138.5μm、深さ200μmの切り欠
きを形成した。
このようにして得られた磁気コアの構造は以下の通り
である。
である。
磁気コアの幅Cw 152 μm トラック幅Tw 13.5 μm ギャップ長さGl 0.55μm ギャップ深さGd 5 μm 接合ガラスの厚さGw 約 200 μm このようにして得られた磁気コアについて、磁性薄膜
のA寸法と磁気ギャップ長さGlの寸法精度との関係、B
寸法と磁性膜の剥離及びコア片のクラックとの関係、及
びC寸法と磁性膜の剥離及びコア片のクラックとの関係
を調べた。結果を第1表乃至第3表にそれぞれ示す。
のA寸法と磁気ギャップ長さGlの寸法精度との関係、B
寸法と磁性膜の剥離及びコア片のクラックとの関係、及
びC寸法と磁性膜の剥離及びコア片のクラックとの関係
を調べた。結果を第1表乃至第3表にそれぞれ示す。
以上の結果からA寸法は10μm以上、B寸法は15μm
以上、C寸法は100μm以下がよいことがわかる。
以上、C寸法は100μm以下がよいことがわかる。
実施例 2 熱膨張係数が108×10-7℃、空孔率が0.15%のCaTiO3
セラミックからなるスライダーの一方のサイドレールの
端部に、長さ1.5mm、幅220μmのスリット部を形成し、
その中に実施例1で得られた磁気コアを板ばねにより固
定して、下記組成の第二のガラスにより固着した。
セラミックからなるスライダーの一方のサイドレールの
端部に、長さ1.5mm、幅220μmのスリット部を形成し、
その中に実施例1で得られた磁気コアを板ばねにより固
定して、下記組成の第二のガラスにより固着した。
PbO 79.0重量% SiO2 9.0重量% Al2O3 6.0重量% B2O3 6.0重量% 第二のガラスの熱膨張係数は91×10-7/℃、軟化点は4
47℃、転移点は379℃、屈伏点は406℃であった。これを
電気炉でN2中300℃/時間の昇温速度で加熱し、540℃の
温度に30分間保持することによりスリット部と磁気コア
との間隙に流入させた。このようにして得た磁気ヘッド
の空気ベアリング面を鏡面研削盤及びラップ機により研
削、研磨し、浮上型複合磁気ヘッドとした。これにより
切り欠き深さは75μmとなった。なおスリット部の内面
と磁気コアの両側部との間隙はそれぞれ68μm、138.5
μmであった。
47℃、転移点は379℃、屈伏点は406℃であった。これを
電気炉でN2中300℃/時間の昇温速度で加熱し、540℃の
温度に30分間保持することによりスリット部と磁気コア
との間隙に流入させた。このようにして得た磁気ヘッド
の空気ベアリング面を鏡面研削盤及びラップ機により研
削、研磨し、浮上型複合磁気ヘッドとした。これにより
切り欠き深さは75μmとなった。なおスリット部の内面
と磁気コアの両側部との間隙はそれぞれ68μm、138.5
μmであった。
この磁気ヘッドを用い、Co−Niスパッタ記録媒体(Hc
=11500e)を有する5.25インチの磁気ディスクに対して
浮上量0.3μm、周速12.1m/秒で5MHzにおける再生出力
特性(書き込み電流と再生出力との関係)を測定した。
なお磁気ヘッドの巻線は48ターンであった。結果を第7
図及び第8図に示す。
=11500e)を有する5.25インチの磁気ディスクに対して
浮上量0.3μm、周速12.1m/秒で5MHzにおける再生出力
特性(書き込み電流と再生出力との関係)を測定した。
なお磁気ヘッドの巻線は48ターンであった。結果を第7
図及び第8図に示す。
第7図より、磁気ギャップ側の金属磁性薄膜のエイペ
ックスからの寸法Aが10μm以上のaは、出力電圧の立
上がりはb,cに比較して若干遅いが、出力電圧の飽和値
は高いことが判る。
ックスからの寸法Aが10μm以上のaは、出力電圧の立
上がりはb,cに比較して若干遅いが、出力電圧の飽和値
は高いことが判る。
これは、第4図に示すような金属磁性薄膜のダレによ
る拡大したギャップ長さGl′の発生がなく、本来の実効
ギャップ長さGlが確保されているためと考えられる。
る拡大したギャップ長さGl′の発生がなく、本来の実効
ギャップ長さGlが確保されているためと考えられる。
また、第8図より、金属磁性薄膜の端部がバックギャ
ップ内に位置する場合において、その端部とバックギャ
ップの内端との距離が50μm以下のaでは、出力電圧の
立上り、出力電圧の飽和値共にb,cに比較して良好なこ
とが判る。これは、バックギャップ側の金属磁性薄膜の
端部が、バックギャップ内端よりコアの突合せ面内に引
っ込んだ状態が50μmまでなら、コア全体の磁気回路の
効率の低下が少ないためと考えられる。
ップ内に位置する場合において、その端部とバックギャ
ップの内端との距離が50μm以下のaでは、出力電圧の
立上り、出力電圧の飽和値共にb,cに比較して良好なこ
とが判る。これは、バックギャップ側の金属磁性薄膜の
端部が、バックギャップ内端よりコアの突合せ面内に引
っ込んだ状態が50μmまでなら、コア全体の磁気回路の
効率の低下が少ないためと考えられる。
以上のことから、Aが10μm以上、Bが15μm以上、
Cが−50〜100μmであれば、膜剥がれや、クラックの
発生が少なく、磁気特性が良好な磁気ヘッドを得ること
ができる。
Cが−50〜100μmであれば、膜剥がれや、クラックの
発生が少なく、磁気特性が良好な磁気ヘッドを得ること
ができる。
以上に詳述した通り、本発明の磁気コアは金属磁性薄
膜を所定の範囲で形成しているので、良好な特性を有す
るのみならず、磁性膜剥離やコア片のクラックの問題が
ない。
膜を所定の範囲で形成しているので、良好な特性を有す
るのみならず、磁性膜剥離やコア片のクラックの問題が
ない。
このような磁気コアを用いた本発明の浮上型複合磁気
ヘッドは、膜剥がれや、クラックの発生が少なく、磁気
特性が良好である。
ヘッドは、膜剥がれや、クラックの発生が少なく、磁気
特性が良好である。
第1図は浮上型複合磁気ヘッドを示す斜視図であり、 第2図は第1図の浮上型複合磁気ヘッドに組み込まれる
本発明の磁気コアの一例を示す斜視図であり、 第3図は本発明の磁気コアの縦断面図であり、 第4図は第3図の磁気コアの磁気ギャップ周辺の部分拡
大図であり、 第5図は両コアブロックを組み合わせた後接合用ガラス
棒を巻線用窓内に挿入した状態を示す斜視図であり、 第6図は第1図の浮上型複合磁気ヘッドを製造するため
に磁気コアをスライダーに固着する工程を示す図であ
り、 第7図及び第8図はそれぞれ書き込み電流と再生出力と
の関係を示すグラフであり、 第9図はコアブロックに部分的に金属磁性薄膜を形成す
るマスク装置を示す斜視図であり、 第10図はコアブロック上にマスクを配置した状態を示す
図であり、 第11図はマスクを有するコアブロック上に形成された金
属磁性薄膜を示す断面図である。 11……スライダー 12、13……サイドレール 14……スリット部 15……磁気コア 16……固着ガラス 21……C型コア片 22……I型コア片 23、23′……Fe−Al−Si薄膜 24……巻線用窓 25……接合ガラス部 26……切り欠き 27……磁気ギャップ 28……バックギャップ 29……磁性膜のダレ 30……エイペックス 31……SiO2膜 51……C型コア 52……I型コア 53、53′……Fe−Al−Si薄膜 54……巻線窓 55……ガラス棒 61……スライダー 62……スリット部 63……磁気コア 64……スライダー片端部 65……切り欠き 66……バネ材 67、69……間隙 68……ガラス棒 91……マスク 92……コアブロック 93……ホルダー 94……磁性膜 Tw……トラック幅 Gl、Gl′……ギャップ長さ Gd……ギャップ深さ X……磁性膜のダレの長さ
本発明の磁気コアの一例を示す斜視図であり、 第3図は本発明の磁気コアの縦断面図であり、 第4図は第3図の磁気コアの磁気ギャップ周辺の部分拡
大図であり、 第5図は両コアブロックを組み合わせた後接合用ガラス
棒を巻線用窓内に挿入した状態を示す斜視図であり、 第6図は第1図の浮上型複合磁気ヘッドを製造するため
に磁気コアをスライダーに固着する工程を示す図であ
り、 第7図及び第8図はそれぞれ書き込み電流と再生出力と
の関係を示すグラフであり、 第9図はコアブロックに部分的に金属磁性薄膜を形成す
るマスク装置を示す斜視図であり、 第10図はコアブロック上にマスクを配置した状態を示す
図であり、 第11図はマスクを有するコアブロック上に形成された金
属磁性薄膜を示す断面図である。 11……スライダー 12、13……サイドレール 14……スリット部 15……磁気コア 16……固着ガラス 21……C型コア片 22……I型コア片 23、23′……Fe−Al−Si薄膜 24……巻線用窓 25……接合ガラス部 26……切り欠き 27……磁気ギャップ 28……バックギャップ 29……磁性膜のダレ 30……エイペックス 31……SiO2膜 51……C型コア 52……I型コア 53、53′……Fe−Al−Si薄膜 54……巻線窓 55……ガラス棒 61……スライダー 62……スリット部 63……磁気コア 64……スライダー片端部 65……切り欠き 66……バネ材 67、69……間隙 68……ガラス棒 91……マスク 92……コアブロック 93……ホルダー 94……磁性膜 Tw……トラック幅 Gl、Gl′……ギャップ長さ Gd……ギャップ深さ X……磁性膜のダレの長さ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 豊田 学 栃木県真岡市松山町18番地 日立金属株式 会社電子部品工場内 (72)発明者 牛嶋 誠 栃木県真岡市松山町18番地 日立金属株式 会社電子部品工場内 (56)参考文献 特開 昭63−46608(JP,A)
Claims (3)
- 【請求項1】浮上型複合磁気ヘッド用磁気コアにおい
て、(a)一対のコア片と、(b)前記コア片を接合す
るガラス部と、(c)前記一対のコア片により形成され
た巻線用窓と、(d)前記一対のコア片により形成さ
れ、前記巻線用窓の一方の側に位置する磁気ギャップ
と、(e)前記コア片の少なくとも一方の対向面に形成
され、前記磁気ギャップの外端から前記巻線用窓まで延
在する金属磁性薄膜とを有し、前記金属磁性薄膜は、前
記ガラス部内において、前記磁気ギャップのエイペック
スより10μm以上延長しているとともに、前記接合ガラ
ス部の内端より15μm以上短く、かつ前記金属磁性薄膜
の先端部がテーパー状にダレていることを特徴とする磁
気コア。 - 【請求項2】請求項1に記載の磁気コアにおいて、前記
コア片に形成されたバックギャップにおける金属磁性薄
膜の端部が前記バックギャップの内端より−50〜100μ
mの範囲にあることを特徴とする磁気コア。 - 【請求項3】請求項1又は2に記載の磁気コアが、非磁
性体からなるスライダーのサイドレールに設けられた磁
気記録媒体流出端側のスリット部に挿入され、固着ガラ
スによって固定されていることを特徴とする浮上型複合
磁気ヘッド。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63075258A JPH0827898B2 (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | 浮上型複合磁気ヘッド及びその磁気コア |
US07329324 US4999726B1 (en) | 1988-03-29 | 1989-03-27 | Magnetic core for flying-type composite magnetic head |
KR1019890003871A KR920002613B1 (ko) | 1988-03-29 | 1989-03-28 | 비행형 합성 자기 헤드용 자기 코어 |
DE3910171A DE3910171A1 (de) | 1988-03-29 | 1989-03-29 | Magnetkern fuer fliegenden verbund-magnetkopf |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63075258A JPH0827898B2 (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | 浮上型複合磁気ヘッド及びその磁気コア |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01248303A JPH01248303A (ja) | 1989-10-03 |
JPH0827898B2 true JPH0827898B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=13571015
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63075258A Expired - Lifetime JPH0827898B2 (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | 浮上型複合磁気ヘッド及びその磁気コア |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4999726B1 (ja) |
JP (1) | JPH0827898B2 (ja) |
KR (1) | KR920002613B1 (ja) |
DE (1) | DE3910171A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04176007A (ja) * | 1990-07-23 | 1992-06-23 | Hitachi Metals Ltd | 浮上型磁気ヘッドの製造方法 |
US7535674B2 (en) * | 2004-09-09 | 2009-05-19 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Narrow pitch tape head array using an orthogonal backgap |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3562444A (en) * | 1968-02-29 | 1971-02-09 | Ibm | Recording head assembly |
US3823416A (en) * | 1973-03-01 | 1974-07-09 | Ibm | Flying magnetic transducer assembly having three rails |
JPS54105512A (en) * | 1978-02-06 | 1979-08-18 | Sanyo Electric Co Ltd | Manetic head |
JPS5814311A (ja) * | 1981-07-16 | 1983-01-27 | Nec Corp | 複合薄膜磁気ヘツド |
JPS60154310A (ja) * | 1984-01-24 | 1985-08-14 | Hitachi Metals Ltd | 複合型磁気ヘツド |
JPS61199217A (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-03 | Hitachi Metals Ltd | 複合型浮上磁気ヘツド |
JPS61239411A (ja) * | 1985-04-17 | 1986-10-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘツド |
JPS6288109A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-22 | Hitachi Ltd | アモルフアス磁性合金磁気ヘツドおよびその製法 |
JPS62198511U (ja) * | 1986-06-03 | 1987-12-17 | ||
DE3621873A1 (de) * | 1986-06-30 | 1988-01-14 | Grundig Emv | Verfahren zur herstellung eines magnetkopfes |
JPH0827892B2 (ja) * | 1986-08-13 | 1996-03-21 | セイコーエプソン株式会社 | 磁気ヘツドの製造方法 |
JPH0731782B2 (ja) * | 1986-10-28 | 1995-04-10 | アルプス電気株式会社 | 浮動式磁気ヘツド |
JPS63211110A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-02 | Pioneer Electronic Corp | 磁気ヘツドの製造方法 |
-
1988
- 1988-03-29 JP JP63075258A patent/JPH0827898B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-03-27 US US07329324 patent/US4999726B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-03-28 KR KR1019890003871A patent/KR920002613B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-03-29 DE DE3910171A patent/DE3910171A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4999726B1 (en) | 1995-04-04 |
DE3910171C2 (ja) | 1993-07-29 |
JPH01248303A (ja) | 1989-10-03 |
US4999726A (en) | 1991-03-12 |
KR920002613B1 (ko) | 1992-03-30 |
DE3910171A1 (de) | 1989-10-19 |
KR890015199A (ko) | 1989-10-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5008767A (en) | Flying-type composite magnetic head having magnetic core with improved flatness of air-bearing surface | |
JPH0785411A (ja) | 磁気ヘッド | |
US5086553A (en) | Method of producing a fly-type composite magnetic head with appropriate bonding glasses | |
US5010431A (en) | Flying-type composite magnetic head | |
JPH0827898B2 (ja) | 浮上型複合磁気ヘッド及びその磁気コア | |
JP2783723B2 (ja) | 浮上式磁気ヘッド | |
JPH02263307A (ja) | 浮上型複合磁気ヘッド | |
JPH01258205A (ja) | 浮上型複合磁気ヘッド用磁気コア | |
JPH04186506A (ja) | 浮上型複合磁気ヘッド | |
JPS62295207A (ja) | 磁気デイスク用浮上型磁気ヘツド | |
JPH0235619A (ja) | 浮上型複合磁気ヘッド及びその製造方法 | |
JP3435177B2 (ja) | Mig型磁気ヘッドの製造方法 | |
JPS61190702A (ja) | 磁気ヘツド | |
JP2521922B2 (ja) | 磁気ヘッド | |
JPH02263302A (ja) | 浮上型複合磁気ヘッド | |
JP2586639B2 (ja) | 磁気ヘッド用基板材料及びそれを用いた磁気ヘッド | |
JPS62295208A (ja) | 磁気デイスク装置用浮上型磁気ヘツド | |
JPS5864619A (ja) | 磁気ヘツドおよびその製造方法 | |
JPS6337818A (ja) | 磁気デイスク装置用浮上型磁気ヘツド | |
JPH07225910A (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
JPH04283405A (ja) | 浮上型複合磁気ヘッド | |
JPS6379214A (ja) | 磁気デイスク装置用浮上型磁気ヘツド | |
JPS6314306A (ja) | 磁気デイスク装置用浮上型磁気ヘツド | |
JPS63179415A (ja) | 磁気デイスク装置用浮上型磁気ヘツド | |
JPS60234210A (ja) | 非晶質磁性合金を用いた磁気ヘツド |