JPH04283405A - 浮上型複合磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置に於
て使用する、一対のフェライト等の強磁性酸化物のコア
片で磁気コア構成し、一対のコア片の両方の磁気ギャッ
プ対向面に、金属磁性薄膜を設けた両膜の浮上型複合磁
気ヘッドに関する。詳しくは、両膜の平行型複合磁気ヘ
ッドの磁気ギャップ深さを規制するコア側の疑似ピ−ク
信号レベルを低減した磁気ヘッドに関する。 【０００２】 【従来の技術】従来、磁気ディスク装置での情報の書き
込み、読み出しに用いられている磁気ヘッドとしては、
例えば米国特許３８２３４１６号及び特公昭５７−５６
９号に示されているような、全体を高透磁率の酸化物磁
性材料で構成し、スライダ−の後端部に磁気ギャップを
設けたモノリシックタイプの磁気ヘッドが多く使用され
ていた。しかし、磁気ディスク装置の高密度化に伴い記
録媒体の高保持力化が進み、従来の磁気ヘッドでは十分
な書き込みが出来なくなリ、その磁気ギャップに発生さ
せる磁界強度を従来より高くする必要があった。そこで
、強磁性酸化物を磁気コアとした磁気ヘッドに於て、磁
気ヘッドの磁気ギャップ近傍部にフェライトより飽和磁
束密度の高い金属磁性薄膜を形成した複合型磁気ヘッド
が種々提案されている。その一例として、特開昭５８−
１４３１１号に開示してあるようなモノリシックタイプ
の複合磁気ヘッドがある。しかし、高周波での記録再生
を可能とするためには低インダクタンスであることが要
求され、所定のコイル巻数を施しながら低インダクタン
スを実現するためには磁気回路を小さく構成する必要が
ある。 【０００３】このような観点から磁気ヘッド全体を磁性
材料で構成せず、磁気コアを非磁性のスライダ−中に埋
設固着した構成のコンポジットタイプの浮上型複合磁気
ヘッドが米国特許３５６２４４４号に開示された。更に
、高保持力の媒体に対して十分に記録可能で、かつ高周
波での記録再生が可能なインダクタンスの小さな浮上型
磁気ヘッドとして、高周波での透磁率が高いＭｎ−Ｚｎ
フェライト等をコア片として、磁気ギャップ部に高飽和
磁束密度の金属磁性薄膜を成膜した磁気コアを非磁性ス
ライダ−中に埋設した物が開示されている。このような
コンポジットタイプの浮上型複合磁気ヘッドの例として
、特開昭６０−１５４３１０号、特開平２−５６７０９
号等がある。 【０００４】近年、磁気ディスク装置に於いても記録媒
体のディスクの高保持力化が増々進み、将来的には保持
力Ｈｃが１５００〜２０００Ｏｅの媒体が使用されるこ
とは明らかである。このような高保持力媒体に充分記録
可能な磁気ヘッドの一例として、磁気ギャップを介して
両方のフェライトコア片に、高飽和磁束密度を有する金
属磁性薄膜を成膜した図９に示すような平行型で両膜の
複合型磁気ヘッドがある。前記構成の複合磁気ヘッドは
、高保持力媒体の使用に対応する諸条件を満足する優れ
た磁気ヘッドであるが、最大の問題としてガラス等を用
いて高温にて磁気コアを形成する際に、金属磁性薄膜と
磁気コアとの相互拡散、薄膜形成条件やコアと金属磁性
薄膜の熱膨張係数の差等により金属磁性薄膜の被着初期
層の磁気特性が劣化し、磁気コアとの接合部に磁気的な
不連続が生じ、信号再生時にその接合部が疑似ギャップ
として働き、図１０に示す様な疑似ピ−ク信号が現れ再
生出力の周波数特性にうねりを生じる問題がある。その
ために、平行型の複合磁気ヘッドの最大の問題である疑
似ピ−ク信号の対策として、特開昭６３−３１１６１１
号に開示されている様な、金属磁性薄膜と磁気ヘッドコ
アとの相互拡散の防止を目的に、フェライト等の強磁性
酸化物からなる基板上に、まず下地膜としてＣｒ等１０
０〜１０００Åの厚さで成膜し、次いで金属磁性薄膜を
成膜し、疑似ギャップの形成を防止する方法が提案され
ている。 【０００５】メタルテ−プ等の採用により高保磁力化が
先行しているＶＴＲ等では、両膜の複合磁気ヘッドがす
でに広く採用されているが、疑似ギャップによる前記問
題を避けるため、アジマスロスを利用して疑似ギャップ
となる接合部と磁気ギャップとを非平行とする図１１、
図１２のような構造の複合磁気ヘッドが採用されている
。しかしながら、図１１、図１２に示すような構造では
金属磁性薄膜を２０μｍ程度に厚くする必要があり、金
属磁性薄膜の磁気特性の低下を始めとして、膜剥離によ
る歩留低下、あるいは被着に長時間を要して生産性が悪
い等の諸問題がある。磁気ディスク装置用の両膜複合磁
気ヘッドとしては、信頼性、特性面（周波数特性向上）
から金属磁性膜が極力薄いことが必要で、従って、第９
図に示す様に金属磁性薄膜と磁気ギャップが平行になっ
ている構成が望ましい。 【０００６】片膜の磁気ヘッドでは、疑似ギャップとな
るコアと金属磁性膜の接合部は一箇所であるが、両膜ヘ
ッドの場合、二箇所となり再生出力波形は、図１０に示
すように磁気ギャップによる主ピ−ク信号と、その両側
に２個の疑似ピ−ク信号がある波形となる。疑似ピ−ク
信号が２個あるということは、疑似ギャップ１個の場合
（片膜ヘッドの場合））と比べ、片方の疑似ピ−ク信号
が低減できても、低減出来ない他方の疑似ピ−ク信号の
影響により、主ピ−ク信号と二つの疑似ピ−ク信号が干
渉し主ピ−ク信号レベルを下げたり、上げたりする事で
生じる再生出力の周波数特性のうねりが２倍となってし
まう。この問題を回避するために、特開昭６０−１６０
００８号では磁気ギャップの両側に配置した金属磁性膜
の膜厚を異なる膜厚にすることにより、２個の疑似ピ−
ク信号が同時に主ピ−ク信号と干渉することを避け、あ
る周波数での再生出力を補償する方法を開示している。 しかし、この方法は磁気ディスク装置の仕様により使用
する周波数がそれぞれ異なるため、アイテム毎に金属磁
性膜の膜厚を、その都度調整することが必要であること
から量産性、生産性に問題がある。従って、本発明では
高保磁力を有する記録媒体に、高周波、高密度記録再生
に適し、疑似ピ−ク信号による再生出力の周波数特性に
うねりの発生が少なく、狭トラック化が容易で、かつ生
産性、量産性に優れた両膜の平行型複合磁気ヘッドを提
供するものである。 【０００７】 【課題を解決するための手段】従来より、疑似ピ−ク信
号の原因となる疑似ギャップ形成の防止策として、Ｃｒ
をはじめとして、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３　等の種々の下
地膜により対策することが良く知られている。しかし、
両膜の複合磁気ヘッドに対しては、図１０に示す様に磁
気ギャップ深さより深い位置まで、金属磁性薄膜を形成
したコア側（以下、「Ｉ型コア」と記すことがある。）
の疑似ピ−ク信号（Ｉ）は、ほとんど問題の無いレベル
となったが、磁気ギャップ深さを規制するコア側の疑似
ピ−ク信号（Ｃ）が発生してしまう事が実験の結果判明
した。そこで、磁気ギャップ深さを規制するコア側（以
下「Ｃ型コア」と記すことがある。）の疑似ピ−ク信号
の発生原因を分析した。その結果、この疑似ピ−ク信号
（Ｃ）は従来考えられていた要因（疑似ギャップ形成に
よる疑似ピ−ク信号）とは異なり、Ｃ型コア側の磁気ギ
ャップ近傍の膜の形状、体積等の寸法的要因に起因する
ものであると考え、種々検討の末、磁気ギャップ深さを
Ｃ型コア上に成膜した金属磁性薄膜の膜厚以下にする事
でＣ型コア側の疑似ピ−ク信号を低減できることが解っ
た。 【０００８】本発明は、両側にサイドレ−ルを有する非
磁性セラミックからなるスライダ−と、前記サイドレ−
ルの一方に設けられたスリットと、そのスリット内にガ
ラスにより固定された一対のコア片からなる磁気コアと
を有する構成で、その磁気コアは強磁性酸化物からなる
一対のコア片の対向面が平行に配置されて磁気ギャップ
を形成していると共に、一対のコア片の対向面の両方に
厚さ５ｕｍ以下の金属磁性膜が形成されており、前記磁
気コアのトラック面にトラック幅を規制する切り欠きが
設けられており、その切り欠きの深さが前記磁気ギャッ
プの深さ以上である浮上型磁気ヘッドであって、磁気ギ
ャツプの深さが、その磁気ギャップ深さを規制する側の
コア片の金属磁性薄膜の膜厚以下であること特徴とする
浮上型複合磁気ヘッドを提供するものである。また、本
発明は金属磁性薄膜の厚さが５μｍ以下の複合磁気ヘッ
ドに効果的であるが、膜厚の薄い３μｍ以下の金属磁性
薄膜を用いた複合磁気ヘッドにはより一層効果的である
。 【０００９】 【作用】図４は本発明の特徴を示すもので、磁気ギャッ
プ深さＧｄとＣ型コア側に成膜した金属磁性薄膜（例え
ばＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系膜）の厚さの比と、主ピ−ク信号
に対するＣ型コア側の疑似ピ−ク信号レベルの比（ＳＧ
Ｐ）の関係を示す。この図からＧｄ／金属磁性薄膜膜厚
を１．０以下つまりＧｄを金属磁性薄膜の膜厚以下にす
ればＳＧＰが５％以下になることが解る。従って、本発
明によれば図５に示すように、Ｃ型コア側の疑似ピ−ク
信号をＳＧＰ＝５％以下と実使用上問題の無い水準にま
で低減でき、再生出力におけるうねりが小さく、高保持
力媒体に対して良好な記録特性を有する両膜型ヘッドの
性能を十分に発揮できるものである。 【００１０】 【実施例】本発明を添付図面を参照しながら以下に詳細
を説明する。図２は本発明の一実施例による浮上型複合
磁気ヘッドの全体構成を示す斜視図である。１１は非磁
性スライダ−、１２はスライダ−１１の一方のサイドレ
−ルに設けられたスリット部、１３はスリット部１２に
埋設された磁気コア、１４はその磁気コア１３を固着す
るガラスである。スライダ−１１のサイドレ−ル１５の
端部に磁気コア１３が固着されているので、安定した浮
上を実現するためには磁気コア１３が埋設固着されてい
る部分の平面度を良好に加工することが重要である。 尚、スライダ−１１としては熱膨張係数１０５〜１１５
×１０−７　／℃、空孔率０．５％以下のＣａＴｉＯ３
　からなる非磁性セラミックを用いるのが好ましい。図
３は磁気コア１３の拡大斜視図の一例である。 【００１１】また、図３は磁気コアの拡大斜視図を示す
。２１、２２はそれぞれＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトか
らなるＣ型及びＩ型コア片と称される磁性体であり、２
３、２４はＩ型及びＣ型コア片上に被着されたＦｅ−Ａ
ｌ−Ｓｉ系薄膜である。２７は、Ｃ型コア片２１とＩ型
コア片２２との間に形成されたコイル巻線用の空間であ
り、その上部にＣ型コア片２１とＩ型コア片２２を接合
するガラス部２８が設けられている。磁気コア１３のト
ラック面にはトラック幅を規制する切り欠き２６が形成
されている。切り欠き２６は磁気コア１３の摺動方向に
延在する。これにより磁気ギャップ２５のトラック幅Ｔ
ｗは任意に設定することが出来るが切り欠き２６の深さ
Ｄは磁気ギャップ２５の深さＧｄより深くする必要があ
る。なお磁気ギャップ２５はスパッタリング等により被
着されたＳｉＯ２等のギャップ規制膜により形成されて
いる。高密度記録を達成する上でギャップ長さＧｌ及び
トラック幅Ｔｗは小さくなる傾向にあり、磁気ディスク
装置用としては現在１μｍ以下のＧｌ、及び１５μｍ以
下のＴｗのものが用いられている。また、Ｃ型コア片１
は図１に示す様にギャップ深さＧｄの範囲ではＩ型コア
片２とはギャップ長Ｇｌの距離を保ち平行であるが、そ
れ以上では角度θをなしている。角度θは、一般にエ−
ペックス角と称され、記録再生能力から３０〜６０°と
するのが望ましい。 【００１２】この磁気ヘッドは以下のプロセスにより製
造することができる。まずＩ型コア片及びＣ型コア片を
構成すべきフェライト材料のブロックを準備する。この
フェライト材料としては飽和磁束密度が高く、かつ高周
波での透磁率が極力大きいＭｎ−Ｚｎフェライトが良好
であるが、更に望ましくはＭｎ−Ｚｎフェライト単結晶
フェライトが適切である。Ｍｎ−Ｚｎ単結晶フェライト
を用いる場合、その好適な組成範囲としては、ＭｎＯ：
２６〜３２モル％、ＺｎＯ：１４〜２１モル％、残部Ｆ
ｅ２Ｏ３が挙げられる。 【００１３】Ｉ型及びＣ型コアブロック上の両方にＦｅ
−Ａｌ−Ｓｉ系合金膜をスパッタリングで成膜する。そ
の時の膜厚は５μｍ以下であることが望ましいが、更に
より望ましくは３μｍ以下が良い。スパツタの条件とし
ては安定な放電を維持するため５〜１２ｍＴｏｒｒのＡ
ｒガス圧が望ましい。また電力は合金タ−ゲットの温度
上昇による割れを防ぐと共に、８０ｎｍ／分程度の膜生
成速度を得るために、６００〜１２００Ｗ（直径１５０
ｍｍのタ−ゲットの例）が望ましい。Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ
膜の組成としては高透磁率を得るため、重量基準で８３
〜８６％のＦｅ、５〜８％のＡｌ、８〜１１％のＳｉが
望ましい。特に磁歪定数を小さくする目的で、重量基準
で８３．５〜８５％のＦｅ、５〜７％のＡｌ、９〜１０
．５％のＳｉのものが望ましい。Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ膜に
は耐食性を向上させる目的で微量の添加物を加えても良
い。この場合、２重量％以下のＴｉ、Ｒｕ、Ｃｒ等を単
独あるいは複合添加するのが望ましい。 【００１４】次に図７に示すようにＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ薄
膜３３、３４を被着したＩ型コア片３２、Ｃ型コア片３
１を接触させ、巻線窓３４中に置いたガラス棒３８を加
熱流入させることにより接合する。この場合、接合ガラ
スは軟化点５４０〜６３０℃熱膨張係数９４〜１０３×
１０−７／℃の物が好ましい。このような物性を示す接
合用ガラス（第一のガラス）としてはＰｂＯ−ＳｉＯ２
にアルカリ金属酸化物（Ｋ２Ｏ、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ等
）を加えた系、またはＰｂＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａ
ｌ２Ｏ３にアルカリ金属酸化物を加えた系が適している
。このような系での好ましい組成範囲は重量基準で、２
８〜４９％のＳｉＯ２、４４〜５９％のＰｂＯ、７〜１
３％のアルカリ金属酸化物からなる組成、または２８〜
４９％のＳｉＯ２、５〜１５％のＢ２Ｏ３、７〜１３％
のアルカリ金属酸化物、残部ＰｂＯからなる組成である
。また後者の系には５〜１２％のＡｌ２Ｏ３を添加して
も良い。この接合用ガラスの特に好ましい一例として重
量基準で４０ＰｂＯ−３７ＳｉＯ２−１３Ｂ２Ｏ３−１
０Ｎａ２Ｏの組成の物（軟化点５６０℃、９５×１０−
７　／℃）が挙げられる。 【００１５】このガラスを使用し接合を行った磁気コア
の接合強度は５ｋｇ／ｍｍ２であり申し分なく、またＦ
ｅ−Ａｌ−Ｓｉ膜の侵食も認められない。なおＢ２Ｏ３
は高湿度下でのガラスの腐食を防止する作用を有する。 しかし、逆にＢ２Ｏ３が多すぎるとＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ膜
あるいはＭｎ−Ｚｎフェライトとの濡れ性が悪くなり、
接合強度が保てない。Ａｌ２Ｏ３は高温度下でのガラス
の変色を防止するが、逆に多すぎると軟化点が高くなり
接合できなくなる。アルカリ金属酸化物類はさらにガラ
スの流動性を調節する効果をねらっている。このような
ガラスを用い７００〜７６０℃で接合を行う。この接合
ブロックを切断し、磁気コアを得ることが出来る。 【００１６】この磁気コアのスライダ−のスリット部へ
の固着は次のようにして行う。図７は接合した磁気コア
４３をスライダ−４１のスリット部４２内に設置すると
共に、ガラス棒４８をスライダ−４１の上面に乗せた状
態を示す斜視図である。磁気コア４３の切り欠き４５は
、スライダ−の片端部４４側に向けられているので、磁
気コア４３が片端部４４に押しつけられていても、スリ
ット部の内面との間に隙間４７が形成されている。磁気
コア４３の固定はバネ材４６による仮固定で容易に達成
される。ガラス棒４８は第二のガラスとして磁気コア４
３をスリット部４２に固着するものであり、このガラス
としては熱膨張係数８７〜９６×１０−７／℃、軟化点
３７０〜４８０℃程度のものが好ましい。このような性
質を示す組成としては、重量基準で７０〜８３％のＰｂ
Ｏ、３〜１０％のＡｌ２Ｏ３、４〜１０％のＳｉＯ２、
４〜１０％のＢ２Ｏ３のものがあり、特に好ましい一例
として８０ＰｂＯ−７Ａｌ２Ｏ３−６ＳｉＯ３−７Ｂ２
Ｏ３（重量％）がある。このガラスの熱膨張係数は９３
×１０−７／℃であり軟化点は４４０℃である。このガ
ラスを用いて例えば５３０℃で固着すれば、クラックの
無い接合を行うことが出来る。以上のように第二のガラ
スによる磁気コアのスリット部への固着には、一般にガ
ラスを５００〜５８０℃に加熱して磁気コアの両側の隙
間に流入させ、その後磁気ヘッドの空気ベアリング面を
研削後研磨加工し、磁気ヘッドを完成する。 【００１７】図８に明確に示されるように、磁気コア４
３とスライダ−のスリット部４２の一方の内面との隙間
は、磁気コア４３の下部においては零であるが（すなわ
ちスライダ−のスリット部の一方の内面に磁気コア４３
が接触しているが）、上部においてはで示されるように
十分な幅となっている。これにより磁気コア４３は両側
に設けられた第二のガラス層によりスリット部内に強固
に固定されることになる。以上は、磁気コア片としてＣ
型及びＩ型のものについて記したが、本発明のコア片の
形状はこれに限定されるものではなく、たとえばＣ型と
Ｃ型のコア片の組合せについても同様である。本発明を
さらに以下の具体的な実施例により詳細に説明する。 【００１８】（実施例１）図１、図３、に示す構造の磁
気コアを形成するために、Ｍｎ−Ｚｎ単結晶フェライト
からなるＣ型コアブロック及びＩ型コアブロックを作成
した。各Ｃ型コアブロック及びＩ型コアブロックは外周
スライサ−により成形し、平面研削盤で研削後ラップ機
により研磨し、研磨クロロセン煮沸を行い、クロロセン
中、アセトン中およびアルコ−ル中でそれぞれ超音波洗
浄を行った。次に、Ｉ型コアブロック上、及びＣ型コア
ブロック上にマグネトロンスパッタ装置によりＦｅ−Ａ
ｌ−Ｓｉ薄膜を形成した。マグネトロンスパッタ装置の
投入電力は０．８Ｋｗ、アルゴン圧は８ｍＴｏｒｒ、基
板温度は２００℃であった。またＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ薄膜
は重量基準で８５％のＦｅ、６％Ａｌ及び９％のＳｉか
らなる組成を有し、厚さは２．０μｍである。Ｍｎ−Ｚ
ｎ単結晶フェライトの組成はＭｎＯ：３０モル％、Ｚｎ
Ｏ：１５．５モル％、Ｆｅ２Ｏ３：５４．モル％である
。 金属磁性薄膜の特性はＢｓ＝１１，０００Ｇ、Ｈｃ＝０
．３〜０．５Ｏｅで、５ＭＨｚにおける透磁率＝１，０
００〜２，０００、磁歪定数＝＋１×１０−６であった
。次に、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ薄膜を形成したＩ型コアブロ
ック上にＲＦスパッタ装置を用いて、０．３Ｋｗの投入
電力、５ｍＴｏｒｒのアルゴン圧、１５０℃の基板温度
で０．５μｍの膜厚のＳｉＯ２ギャップ規制膜を形成し
た。 【００１９】さらにＣ型コアブロックとＩ型コアブロッ
クを接合した第一のガラスの組成は以下の通りであった
。 ＰｂＯ　−−−−−−４０重量％ ＳｉＯ２−−−−−−３７重量％ Ｂ２Ｏ３　−−−−−−１３重量％ Ｎａ２Ｏ−−−−−−１０重量％ この第一のガラスの軟化点は５６０℃、熱膨張係数は９
５×１０−７／℃であった。第一のガラスによるコアブ
ロックの接合は、電気炉によりＮ２ガス中で３００℃／
時間の昇温速度で加熱し、７００℃に３０分間保持して
行った。このようにして接合したコアブロックを、平面
研削盤及びラップ機を用いて研削、研磨し、ワイヤ−ソ
−により厚さ１５２μｍに切断した。次に各磁気コアの
トラック幅を規制するために、高剛性ダイサ−により幅
１４１μｍと１４７μｍの２種類、深さ１５５μｍの切
り欠きを形成した。このようにして得られた磁気コアの
寸法諸元は以下の通りである。 磁気コア幅　　　　　　Ｃｗ　　＝１５２μｍトラック
幅　　　　　　Ｔｗ　　＝５μｍ，１１μｍギャップ長
さ　　　　Ｇｌ　　＝０．５５μｍエ−ペックス角　　
　　θ　　＝４５度【００２０】次に熱膨張係数が１０
８×１０−７／℃、空孔率が０．１５％のＣａＴｉＯ３
セラミックからなるスライダ−の一方のサイドレ−ルの
端部に、長さ１．５ｍｍ、幅２２０μｍのスリット部を
形成し、その中に前記磁気コアを板バネにより固定して
、下記組成の第二のガラスにより固着した。 ＰｂＯ　　−−−−−−−　７８重量％ＳｉＯ２　−−
−−−−−　　　６重量％ＡｌＯ３　−−−−−−−　
　　７重量％Ｂ２Ｏ３　　−−−−−−−　　　７重量
％第二のガラスの熱膨張係数は９１×１０−７／℃、軟
化点は４４０℃であった。これを電気炉でＮ２　中３０
０℃／時間の昇温速度で加熱し、５４０℃の温度に３０
分保持することによりスリット部と磁気コアとの隙間に
流入させた。このようにして得た磁気ヘッドの空気ベア
リング面を鏡面研磨盤及びラップ機により研削、研磨し
切り欠き深さＤは、３０μｍ、ギャップ深さＧｄは２μ
ｍ前後とし本発明の浮上型複合磁気ヘッドとした。 【００２１】この磁気ヘッドを用い、３．５インチのＣ
ｏ−Ｎｉ系スパッタ磁気ディスク媒体を使用し、浮上量
０．１５μｍ、周速９．７５ｍ／ｓで、書き込み周波数
１Ｆ＝２ＭＨｚ、２Ｆ＝４ＭＨｚ、書き込み電流２０ｍ
Ａ０−Ｐ　（コイル巻数＝２１×２タ−ン）の条件で電
磁変換特性の測定を行った。図５は、測定に使用した磁
気ディスク媒体の保持力Ｈｃと、ヘッドの書き込み能力
を示すオ−バライトＯ／Ｗの関係を示す。一般にＯ／Ｗ
値の絶対値が大きいとヘッドの書き込み能力が良好であ
ると判断され、媒体の保持力が高くなると書き込み能力
が不足してＯ／Ｗは低下する傾向にある。図中のＡはト
ラック幅が１１μｍ、Ｂは５μｍの本発明の両膜の複合
磁気ヘッドを示す。Ｃは比較用（従来ヘッド）として、
磁気コアがＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトからなるＩ型コ
ア側のみに金属磁性膜（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系膜）を設け
たトラック幅１１μｍ、平行型で片膜の複合磁気ヘッド
を示す。一般的にＯ／Ｗの特性は−３０ｄＢ以上必要と
される。前記測定条件下においては、従来の片膜磁気ヘ
ッドはトラック幅１１μｍで媒体保持力が１４００Ｏｅ
が書き込み能力の点から限界であるが、本発明の両膜の
磁気ヘッドによれば、トラック幅が１１μｍの時は２０
００Ｏｅ、５μｍでも１８００Ｏｅまで書き込み可能で
あリ、５μｍの狭トラックの磁気ヘッドでも十分に対応
できることが分かった。 【００２２】表１に本発明と従来の磁気ヘッドの限界記
録密度Ｄ５０の比較を示す。尚この時使用した媒体の保
持力は１５００Ｏｅである。この結果からも本発明が従
来品に比べ良好であり高密度記録化が可能となることが
解る。 【００２３】 　　　　　【００２４】図６は、本発明によりＳＧＰが
５％以下となった時の再生出力の周波数特性のうねり状
態を示すものである。ここでは、金属磁性薄膜の膜厚に
よる磁気特性の影響を少なくするために、本発明、比較
例共に同一の膜厚とした。Ａ１はギャップ深さＧｄがそ
の磁気ギャップ深さを規制する側のコア片に成膜された
金属磁性薄膜の膜厚以下の本発明の磁気ヘッド（ここで
は、Ｇｄ＝１．０μｍ、膜厚２μｍ）、Ａ２はギャップ
深さＧｄが金属磁性薄膜の以上の比較例の磁気ヘッド（
ここでは、Ｇｄ＝４．０μｍ、膜厚２μｍ）を示す。Ｇ
ｄ＝４．０μｍの磁気ヘッドに比較して、本発明のＧｄ
＝１μｍの磁気ヘッドの周波数特性のうねりが小さくな
っている。図６の結果は、本発明のギャップ深さＧｄを
、その磁気ギャップ深さを規制するコア側に成膜された
金属磁性薄膜の膜厚以下にすることにより疑似ピ−ク信
号の低減に効果があり、その結果として、周波数特性の
うねりを改善できることを表わしている。尚、金属磁性
薄膜の膜厚が５μｍ磁気ヘッドでも同様の比較を行った
が、同様の傾向があることが確認できた。 【００２５】 【発明の効果】本発明は、磁気ディスク装置の高密度化
で磁気ヘッドに要求される特性の一つである周波数特性
向上（限界記録密度Ｄ５０の向上）の点から、有利とな
る金属磁性薄膜を極力薄くできる構成の磁気ギャップの
両サイドに金属磁性薄膜を有する両膜の複合磁気ヘッド
で、金属磁性薄膜とギャップ深さの関係をコントロ−ル
することにより、疑似ピ−ク信号の低減が可能となり、
両膜型ヘッドの利点を十分に発揮でき、今後の高保磁力
媒体を搭載する高密度磁気ディスク装置用の磁気ヘッド
として有効である。 【００２６】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気コアのＩ型コアとＣ型コアの突合
せ部の磁気ギャップ近傍側面の拡大図である。

【図２】本発明の一実施例による浮上型複合磁気ヘッド
を示す斜視図である。

【図３】本発明の浮上型複合磁気ヘッドに組み込まれる
磁気コアの一例を示す斜視図である。

【図４】ギャップ深さＧｄと金属磁性薄膜の比と、疑似
ピ−ク信号レベルＳＧＰの関係を示す図である。

【図５】媒体保磁力とオ−バライトとの関係を示すグラ
フである。

【図６】周波数特性を示すグラフである。

【図７】Ｉ型コアブロックとＣ型コアブロックとを組合
せた後、接合用ガラス棒を巻線窓内に挿入した図を表わ
す図である。

【図８】浮上型複合磁気ヘッドの磁気コアをスライダ−
のスリットに保持するための第二のガラスを充填する工
程を表わす図である。

【図９】両膜の平行型磁気コアのトラック面を浮上面側
からみた磁気ギャップ近傍の拡大図である。

【図１０】疑似ピ−ク信号を持つ孤立再生波形を表わす
図である。

【図１１】ＶＴＲ用で採用されている磁気ヘッドの構成
を示す一例である。

【図１２】ＶＴＲ用で採用されている磁気ヘッドの構成
を示す一例である。

【符号の説明】

１　　Ｃ型コア ２　　Ｉ型コア ３　　金属磁性薄膜 ４　　金属磁性薄膜 ５　　磁気ギャップ １１　　スライダ− １２　　スリット １３　　磁気コア １４　　二次ガラス １５　　サイドレ−ル １６　　サイドレ−ル ２１　　Ｃ型コア片 ２２　　Ｉ型コア片 ２３　　金属磁性薄膜 ２４　　金属磁性薄膜 ２５　　磁気ギャップ ２６　　切欠き ２７　　巻線窓 ２８　　接合ガラス Ｔｗ　　トラック幅 Ｇｌ　　ギャップ長さ Ｇｄ　　ギャップ深さ Ｄ　　　　切欠き深さ θ　　　　エ−ペックス角 Ｃｗ　　磁気コア幅

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　両側にサイドレ−ルを有する非磁性セ
   ラミックからなるスライダ−と、前記サイドレ−ルの一
   方に設けられたスリットと、そのスリット内にガラスに
   より固定された一対のコア片からなる磁気コアとを有し
   、前記磁気コアは、強磁性酸化物からなる一対のコア片
   の対向面が平行に配置されて磁気ギャップを形成してい
   ると共に、一対のコア片の対向面の両方に厚さ５μｍ以
   下の金属磁性薄膜が形成されており、前記磁気コアのト
   ラック面にトラック幅を規制する切り欠きが設けられて
   おり、その切り欠きの深さが前記磁気ギャップの深さ以
   上である浮上型磁気ヘッドにおいて、前記磁気ギャツプ
   の深さが、その磁気ギャップ深さを規制する側のコア片
   の金属磁性薄膜の膜厚以下であること特徴とする浮上型
   複合磁気ヘッド。