JPS62295208A - 磁気デイスク装置用浮上型磁気ヘツド - Google Patents
磁気デイスク装置用浮上型磁気ヘツドInfo
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- JPS62295208A JPS62295208A JP13781786A JP13781786A JPS62295208A JP S62295208 A JPS62295208 A JP S62295208A JP 13781786 A JP13781786 A JP 13781786A JP 13781786 A JP13781786 A JP 13781786A JP S62295208 A JPS62295208 A JP S62295208A
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Landscapes
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は固定磁気ディスク装置に係り、特に性能および
信頼性に優れた浮上型磁気ヘッドに関する。
信頼性に優れた浮上型磁気ヘッドに関する。
磁気ディスク装置での情軸の書き込み、読み出しに用い
られる磁気ヘッドとしては例えばUSP−382341
6、特公昭57−569号に示されている様な浮上型ヘ
ッドが多く使用されている。この浮上型ヘッドにおいて
はスライダーの後端部に磁気変換ギャップを設け、全体
は高透磁率の酸化物磁性材料で構成されている。浮上型
磁気ヘッドは、磁気ディスクが静止している時にはスプ
リングの力で軽く磁気ディスクに接触している。また磁
気ディスクが回転している時には、磁気ディスク表面の
空気が動いてスライダー下面を持ち上げる力が作用する
。そのため磁気ヘッドは回転中は浮上し磁気ディスクか
ら離れている。一方磁気ディスクの回転を開始する時お
よび止める時には、磁気ヘッドは磁気ディスク上を摺動
する。磁気ディスクの回転を止める時の接触の状況を説
明すると、回転数を落してきた時にその表面の空気の流
れも次第に遅くなる。そして磁気ヘッドの浮力が失われ
た時磁気ヘッドはディスク面に衝突すると共にその反動
でとび上り、またディスク面に落る。この様な運動を何
度か繰り返した上で、磁気ヘッドはディスク上を引きず
られる様にして停止する。この様な起動、停止時の衝撃
に磁気ヘッドは耐える必要があり、その性能をCSS性
(Contact 5tartStop)と呼ぶことが
多い。この高透磁率酸化物磁性材料であるフェライトで
構成された浮上磁気ヘッドは比較的良好な耐CSS性を
示すが、飽和磁束密度が小さく、高保磁力の記録媒体に
対して充分に記録出来ないという欠点がある。すなわち
比較的飽和磁束密度B、の高いMn −Znフェライト
でもB、は高々5.500〜6,000 G程度であり
、B。
られる磁気ヘッドとしては例えばUSP−382341
6、特公昭57−569号に示されている様な浮上型ヘ
ッドが多く使用されている。この浮上型ヘッドにおいて
はスライダーの後端部に磁気変換ギャップを設け、全体
は高透磁率の酸化物磁性材料で構成されている。浮上型
磁気ヘッドは、磁気ディスクが静止している時にはスプ
リングの力で軽く磁気ディスクに接触している。また磁
気ディスクが回転している時には、磁気ディスク表面の
空気が動いてスライダー下面を持ち上げる力が作用する
。そのため磁気ヘッドは回転中は浮上し磁気ディスクか
ら離れている。一方磁気ディスクの回転を開始する時お
よび止める時には、磁気ヘッドは磁気ディスク上を摺動
する。磁気ディスクの回転を止める時の接触の状況を説
明すると、回転数を落してきた時にその表面の空気の流
れも次第に遅くなる。そして磁気ヘッドの浮力が失われ
た時磁気ヘッドはディスク面に衝突すると共にその反動
でとび上り、またディスク面に落る。この様な運動を何
度か繰り返した上で、磁気ヘッドはディスク上を引きず
られる様にして停止する。この様な起動、停止時の衝撃
に磁気ヘッドは耐える必要があり、その性能をCSS性
(Contact 5tartStop)と呼ぶことが
多い。この高透磁率酸化物磁性材料であるフェライトで
構成された浮上磁気ヘッドは比較的良好な耐CSS性を
示すが、飽和磁束密度が小さく、高保磁力の記録媒体に
対して充分に記録出来ないという欠点がある。すなわち
比較的飽和磁束密度B、の高いMn −Znフェライト
でもB、は高々5.500〜6,000 G程度であり
、B。
≧8000 Gの得られる金属磁性膜を磁気ギャップ部
に配置したものの方が望ましい。この−例として特開昭
58−14311号に開示された様に、フェライトで構
成される浮上型磁気ヘッドの磁気変換ギャップ部にのみ
高飽和磁束密度の金属磁性膜を設けた磁気ヘッドが提案
されている。しかし、この例では磁気変換部に所定の巻
線を施した後のインダクタンスが大きく、その為共振周
波数が低下し高周波での記録再生が付和となる欠点があ
る。この場合インダクタンスの大きいことは磁気ヘッド
全体が磁性体で構成されていることに基づく。従って低
インダクタンスとするために磁気回路を小さく構成する
必要がある。すなわち全体を磁性材料で構成せず、磁気
コアを非磁性のスライダー中に埋設固着した構成の浮上
型磁気ヘッドとして米国特許3,562.444号に一
例が開示されている。また発明者等は特願昭60−40
055号にて磁気コアを非磁性スライダー中に埋設した
磁気ヘッドの望ましい形状について提案した。以上の点
から高保磁力の媒体に対して充分に記録可能でかつイン
ダクタンスの小さな浮上型磁気ヘットを得るにはギヤ・
7ブ部に高B、の薄膜磁性材を成膜した磁気コアを非磁
性スライダー中に埋設したものが優れており、発明者等
により特開昭60−154130に開示されている。さ
らに埋設されるべき磁気コアのギヤツブ部の構造として
X型に斜交したものを特願昭60−40063号にて提
案した。しかしながらこのX型構造では後に詳述する様
に再生出力が低いという問題点がある。発明者はこの再
生出ノJが低い原因について種々検討の結果後に詳述す
る様にガラスボンディング時に高B、磁性膜に著しい歪
を生じ特性が劣化していることに起因することが判明し
た。
に配置したものの方が望ましい。この−例として特開昭
58−14311号に開示された様に、フェライトで構
成される浮上型磁気ヘッドの磁気変換ギャップ部にのみ
高飽和磁束密度の金属磁性膜を設けた磁気ヘッドが提案
されている。しかし、この例では磁気変換部に所定の巻
線を施した後のインダクタンスが大きく、その為共振周
波数が低下し高周波での記録再生が付和となる欠点があ
る。この場合インダクタンスの大きいことは磁気ヘッド
全体が磁性体で構成されていることに基づく。従って低
インダクタンスとするために磁気回路を小さく構成する
必要がある。すなわち全体を磁性材料で構成せず、磁気
コアを非磁性のスライダー中に埋設固着した構成の浮上
型磁気ヘッドとして米国特許3,562.444号に一
例が開示されている。また発明者等は特願昭60−40
055号にて磁気コアを非磁性スライダー中に埋設した
磁気ヘッドの望ましい形状について提案した。以上の点
から高保磁力の媒体に対して充分に記録可能でかつイン
ダクタンスの小さな浮上型磁気ヘットを得るにはギヤ・
7ブ部に高B、の薄膜磁性材を成膜した磁気コアを非磁
性スライダー中に埋設したものが優れており、発明者等
により特開昭60−154130に開示されている。さ
らに埋設されるべき磁気コアのギヤツブ部の構造として
X型に斜交したものを特願昭60−40063号にて提
案した。しかしながらこのX型構造では後に詳述する様
に再生出力が低いという問題点がある。発明者はこの再
生出ノJが低い原因について種々検討の結果後に詳述す
る様にガラスボンディング時に高B、磁性膜に著しい歪
を生じ特性が劣化していることに起因することが判明し
た。
このため高B、磁性膜に生じる内部応力を緩和するには
膜厚を薄くすることで解決出来るが、ギャップ部の構造
として特願昭60−40063号に提案した構造ではト
ラック幅と膜厚を任意に独立して選定する事が出来ない
。従って定められたトランク幅を得るにはある程度膜厚
を厚くしておかねばならないという制約がある。かかる
欠点を解消するギャップ部の構造として特開昭61−4
3707号明細書中第10図に示された台形状の構造と
する事により可能である。しかしながら上記明細書第1
0図の構造では磁性薄膜とフェライト基板の接合面が磁
気ギャップ線と平行になっているのでいわゆる形状効果
により再生出力の周波数特性にうねりを生じ好ましくな
い。
膜厚を薄くすることで解決出来るが、ギャップ部の構造
として特願昭60−40063号に提案した構造ではト
ラック幅と膜厚を任意に独立して選定する事が出来ない
。従って定められたトランク幅を得るにはある程度膜厚
を厚くしておかねばならないという制約がある。かかる
欠点を解消するギャップ部の構造として特開昭61−4
3707号明細書中第10図に示された台形状の構造と
する事により可能である。しかしながら上記明細書第1
0図の構造では磁性薄膜とフェライト基板の接合面が磁
気ギャップ線と平行になっているのでいわゆる形状効果
により再生出力の周波数特性にうねりを生じ好ましくな
い。
従って磁気ディスク用の望ましい磁気ヘッドとして備え
るべき1)高保持力の媒体に対して充分な記録が可能で
2)低インダクタンスであり3)高Bs1ff性膜に極
度の歪を生じず高再生出力を示し4)耐C8S性に優れ
るという点を満たすには、特開昭60−154130号
に開示された非磁性スライダー中に磁気コアを埋設し耐
CSS性に優れ、インダクタンスを小さくし、かつ磁性
膜に著しい応力を生じない様に膜厚を薄く出来る構造で
かつ形状効果を生じない様に構成する必要があった。
るべき1)高保持力の媒体に対して充分な記録が可能で
2)低インダクタンスであり3)高Bs1ff性膜に極
度の歪を生じず高再生出力を示し4)耐C8S性に優れ
るという点を満たすには、特開昭60−154130号
に開示された非磁性スライダー中に磁気コアを埋設し耐
CSS性に優れ、インダクタンスを小さくし、かつ磁性
膜に著しい応力を生じない様に膜厚を薄く出来る構造で
かつ形状効果を生じない様に構成する必要があった。
本発明の目的は前述した従来技術の欠点を解消し優れた
磁気ディスク用磁気ヘッドを提供する事を目的とする。
磁気ディスク用磁気ヘッドを提供する事を目的とする。
上記目的を達成するため本発明の構成は磁気ギャップ部
を台形状の構造としかつ形状効果を生じない様に高B、
磁性膜が成膜されるべき平たん部の面粗さを適切に選ぶ
ことにより実質上形状効果を生じない様にした磁気コア
を、耐C8S性に優れた非磁性スライダー中に埋設固着
する事を特徴とするものである。以下に詳述する。
を台形状の構造としかつ形状効果を生じない様に高B、
磁性膜が成膜されるべき平たん部の面粗さを適切に選ぶ
ことにより実質上形状効果を生じない様にした磁気コア
を、耐C8S性に優れた非磁性スライダー中に埋設固着
する事を特徴とするものである。以下に詳述する。
〔参考例1〕
磁気コアの望ましい構成としてはMn −Znフェライ
ト上にFe AI Si膜を成膜したものが望まし
い。畜B、膜を成膜すべき基板材としては高熱膨張係数
の非磁性材料がしばしば用いられる。かかる熱膨張係数
の非磁性材料としては米国特許4.540.638に開
示されたMn0−Ni0系セラミツクが適している。こ
のMnO:NiO= 50 : 50mo1%で熱膨張
係数130 X 10−’ deg−’の基板およびB
+o=5000G、2.5 MHzの透石佐率1400
のFIn−Znフェライト基板上にFe−Al −Si
膜を成膜した磁気ヘッドについて比較した。かかる磁気
コアは第7図に概略を示した工程により作製する事が出
来る。すなわち第7図(a)の基板半対1 (Iコア
)を用意する。該半対にはW形状の溝2をダイシング材
で加工する。さらにfb1図で同様にもう一方の半対(
Cコア)3に〜4を加工する。この’f&(a)図の■
コア半対5上にFe−Al−3i膜6をスパッタにて成
膜する。さらに中間絶縁膜としてSi02膜7を同様に
スパックにて成膜し、次にFe 46 Si膜8を
成膜した積層構造とした。
ト上にFe AI Si膜を成膜したものが望まし
い。畜B、膜を成膜すべき基板材としては高熱膨張係数
の非磁性材料がしばしば用いられる。かかる熱膨張係数
の非磁性材料としては米国特許4.540.638に開
示されたMn0−Ni0系セラミツクが適している。こ
のMnO:NiO= 50 : 50mo1%で熱膨張
係数130 X 10−’ deg−’の基板およびB
+o=5000G、2.5 MHzの透石佐率1400
のFIn−Znフェライト基板上にFe−Al −Si
膜を成膜した磁気ヘッドについて比較した。かかる磁気
コアは第7図に概略を示した工程により作製する事が出
来る。すなわち第7図(a)の基板半対1 (Iコア
)を用意する。該半対にはW形状の溝2をダイシング材
で加工する。さらにfb1図で同様にもう一方の半対(
Cコア)3に〜4を加工する。この’f&(a)図の■
コア半対5上にFe−Al−3i膜6をスパッタにて成
膜する。さらに中間絶縁膜としてSi02膜7を同様に
スパックにて成膜し、次にFe 46 Si膜8を
成膜した積層構造とした。
Fe−Aj!−Si膜の組成は重量%でAl3〜7%、
Si7〜11%、Fe82〜90%である。高透磁率ヲ
得ル目的でAl.5〜6.5%、Si8.0〜10.5
%、Fe83〜87%が好ましい。また中間絶縁層のS
iO□膜厚は0.02〜0.1μmが充分に1色縁を維
持出来かつ全体の膜中に占めるFe−Al −Si膜の
割合を低下させなく好ましい。
Si7〜11%、Fe82〜90%である。高透磁率ヲ
得ル目的でAl.5〜6.5%、Si8.0〜10.5
%、Fe83〜87%が好ましい。また中間絶縁層のS
iO□膜厚は0.02〜0.1μmが充分に1色縁を維
持出来かつ全体の膜中に占めるFe−Al −Si膜の
割合を低下させなく好ましい。
次に成膜された基板9上にガラスを乗せ電気炉中で加熱
しガラス10を溝内に流入させる。好ましいガラスとし
ては後に述べるスライダー中への磁気コアの埋設固着時
にギャップ寸法の変化が生じない様な高軟化点のガラス
が望ましい。かがるガラスとしては軟化点590℃1熱
膨張係数97X 10−’ deg−’が適しており、
該物性を示すガラス組成トシテハ、PbO55,8,S
iOz37.1. Kz07.1重量%が良い。次にガ
ラス1oを流入させたコア面を研削加工し所定のトラッ
ク幅11を得る迄研削する。−男手対のCコアはFe−
Aff −Si膜を成膜せず1378図と同一のトラッ
ク幅となる様加工を施した後にf図に示す様に両灯のト
ラック位置を合せた後接合され、切断し磁気コアを得る
。この様に作製した磁気コア記録媒体対向面はg図に示
す様にIコア側基板19およびCコア側基板18上に成
膜されたFe−Ajl!−3i膜13. 15はSiO
□絶縁層14を介し斜めに斜交しその角度θは60°で
ある。ギャップ長16は任意に選ぶ事が出来るがトラッ
ク幅17を所定(通常10〜20μm)の寸法にするに
は膜厚を余り薄く出来ない。すなわちIコア側基板19
の頂点部は先端が鋭角なため膜厚を薄くすると頂点と磁
気ギャップ間でFe−Al−Si膜が必要以下に薄くな
り磁気コアとしての役割を果さない。本参考例では1層
当りの膜厚を5μmとし0.05μmのSi02絶縁膜
を介して8層積層した。ギャップ長は0.8μmとしト
ラック幅を18μmに加工した磁気コアを得た。
しガラス10を溝内に流入させる。好ましいガラスとし
ては後に述べるスライダー中への磁気コアの埋設固着時
にギャップ寸法の変化が生じない様な高軟化点のガラス
が望ましい。かがるガラスとしては軟化点590℃1熱
膨張係数97X 10−’ deg−’が適しており、
該物性を示すガラス組成トシテハ、PbO55,8,S
iOz37.1. Kz07.1重量%が良い。次にガ
ラス1oを流入させたコア面を研削加工し所定のトラッ
ク幅11を得る迄研削する。−男手対のCコアはFe−
Aff −Si膜を成膜せず1378図と同一のトラッ
ク幅となる様加工を施した後にf図に示す様に両灯のト
ラック位置を合せた後接合され、切断し磁気コアを得る
。この様に作製した磁気コア記録媒体対向面はg図に示
す様にIコア側基板19およびCコア側基板18上に成
膜されたFe−Ajl!−3i膜13. 15はSiO
□絶縁層14を介し斜めに斜交しその角度θは60°で
ある。ギャップ長16は任意に選ぶ事が出来るがトラッ
ク幅17を所定(通常10〜20μm)の寸法にするに
は膜厚を余り薄く出来ない。すなわちIコア側基板19
の頂点部は先端が鋭角なため膜厚を薄くすると頂点と磁
気ギャップ間でFe−Al−Si膜が必要以下に薄くな
り磁気コアとしての役割を果さない。本参考例では1層
当りの膜厚を5μmとし0.05μmのSi02絶縁膜
を介して8層積層した。ギャップ長は0.8μmとしト
ラック幅を18μmに加工した磁気コアを得た。
かかる磁気コアの概観図を第8図に示す。
20は非磁性あるいはMn −Znフェライト磁性基板
(磁極)、21はFe−へl−3i4貞層BA、22は
ガラスを示す。この様に−して得られた磁気コアは第9
図に示すスライダー23中に設けられたスリソト中に埋
設され第2のガラスで固着され浮上型磁気ヘッドを得る
。凸条24,25は空気ベアリング面であり、ディスク
の回転に伴ない磁気ヘッドの浮上を司どる役割を果して
いる。スライダー材としてはCaTiO3が機械的特性
に優れ適している。
(磁極)、21はFe−へl−3i4貞層BA、22は
ガラスを示す。この様に−して得られた磁気コアは第9
図に示すスライダー23中に設けられたスリソト中に埋
設され第2のガラスで固着され浮上型磁気ヘッドを得る
。凸条24,25は空気ベアリング面であり、ディスク
の回転に伴ない磁気ヘッドの浮上を司どる役割を果して
いる。スライダー材としてはCaTiO3が機械的特性
に優れ適している。
CaTiO3の熱膨張係数は105〜110xlO−7
deg−’でありビッカース硬度は850kg/酊2で
ある。このCaTi0.、スライダー材を用い磁気コア
を埋設固着する場合のガラスとしては熱膨張係数91
X 10−’ deg−’で軟化点446℃程度のもの
を用い540℃でガラスを加熱流入させることにより、
ガラス中にクラックを生じない良好な磁気ヘッドが得ら
れる。この様にして得られた磁気ヘッドの再生出力の記
録電流特性を第6図に示す。
deg−’でありビッカース硬度は850kg/酊2で
ある。このCaTi0.、スライダー材を用い磁気コア
を埋設固着する場合のガラスとしては熱膨張係数91
X 10−’ deg−’で軟化点446℃程度のもの
を用い540℃でガラスを加熱流入させることにより、
ガラス中にクラックを生じない良好な磁気ヘッドが得ら
れる。この様にして得られた磁気ヘッドの再生出力の記
録電流特性を第6図に示す。
試験条件は保(nカフ000eのCo−Niスパフタデ
ィスクを用い浮上ff10.3μm、ディスクの回転数
3600rpmでコイルの巻数は28ターン、周波数2
、5 MHzである。曲線1は基板を上記Mn −Zn
フェライトとした場合であり、Mn0−Ni0系非磁性
酸化吻を基板とした場合の曲vA2より大きな再生出力
を示している。従って使用すべき基板材料としてはMn
−Znフェライトの方が適しており本発明の構成要件
の一つである。
ィスクを用い浮上ff10.3μm、ディスクの回転数
3600rpmでコイルの巻数は28ターン、周波数2
、5 MHzである。曲線1は基板を上記Mn −Zn
フェライトとした場合であり、Mn0−Ni0系非磁性
酸化吻を基板とした場合の曲vA2より大きな再生出力
を示している。従って使用すべき基板材料としてはMn
−Znフェライトの方が適しており本発明の構成要件
の一つである。
〔参考例2〕
上記参考例1に述べたごとく基板材としてはMn−Zn
フェライトの方が優れるが、一方磁気ギャソプ部の構造
としては、上記X型ではFe−Al−3i膜およびMn
−Znフェライトの熱膨張係数の著しい差異に起因した
Fe−AN−Si膜への応力が著しく磁気特性が損われ
る。磁気コアそのものは第8図に示したように極めて小
さくかつ複雑な形状のためFe−Al−3i膜に加わっ
た応力を111定することは困難であるが、基板材料に
発生する結晶粒の脱落から応力の著しい事が容易に推測
される。本参考例に用いたMn −Znフェライトの熱
膨張係数は115 X I O−’ deg−’であり
、一方Fe−Aff −Siの熱膨張係数は156X1
0−7deg−菫と著しく異なる。参考例1と同様に作
製した磁気ヘッドで膜厚を変えた場合の結果を第1表に
示す。磁気ベッドの寸法はトラック幅18μm1ギヤツ
ブ、ZO,Sμm、ギャップ深さは8μmである。
フェライトの方が優れるが、一方磁気ギャソプ部の構造
としては、上記X型ではFe−Al−3i膜およびMn
−Znフェライトの熱膨張係数の著しい差異に起因した
Fe−AN−Si膜への応力が著しく磁気特性が損われ
る。磁気コアそのものは第8図に示したように極めて小
さくかつ複雑な形状のためFe−Al−3i膜に加わっ
た応力を111定することは困難であるが、基板材料に
発生する結晶粒の脱落から応力の著しい事が容易に推測
される。本参考例に用いたMn −Znフェライトの熱
膨張係数は115 X I O−’ deg−’であり
、一方Fe−Aff −Siの熱膨張係数は156X1
0−7deg−菫と著しく異なる。参考例1と同様に作
製した磁気ヘッドで膜厚を変えた場合の結果を第1表に
示す。磁気ベッドの寸法はトラック幅18μm1ギヤツ
ブ、ZO,Sμm、ギャップ深さは8μmである。
第 1 表
再生出力の試験条件は参考例1と同一ディスクを用い、
浮上量0.3μm、回転数360Orpmでコイルの巻
数は28ターンで周波数は2.5MHzである。
浮上量0.3μm、回転数360Orpmでコイルの巻
数は28ターンで周波数は2.5MHzである。
結晶粒の脱落は第8図に示した磁気コアを観察すること
により容易に知れる。第10図に結晶粒の脱落の様子を
示したが図中黒点で示した箇所に脱落が認められた。従
って第1表に示した様に全体のFe−A#−Si膜厚を
20μm以下とすることによりガラスボンディング時に
発生する応力を小さく出来、再生比カニよ向上する。第
1表に示されたごとくさらに膜厚を薄くすると脱落は失
くなりFe−Al−3i膜への応力も一層緩和されるが
、X型構造では頂点部での膜厚が他のトラック部の膜厚
より極度に薄くなりこのため再生出力が低下するという
問題点を生じる。従って20μm以下の膜厚でFe−A
l−Si膜に加わる応力を滅しる事が出来るものの、再
生出力を低下させないギャップ部の構造として従来のX
型構造以外のものへと変換する必要のある事が容易に判
る。
により容易に知れる。第10図に結晶粒の脱落の様子を
示したが図中黒点で示した箇所に脱落が認められた。従
って第1表に示した様に全体のFe−A#−Si膜厚を
20μm以下とすることによりガラスボンディング時に
発生する応力を小さく出来、再生比カニよ向上する。第
1表に示されたごとくさらに膜厚を薄くすると脱落は失
くなりFe−Al−3i膜への応力も一層緩和されるが
、X型構造では頂点部での膜厚が他のトラック部の膜厚
より極度に薄くなりこのため再生出力が低下するという
問題点を生じる。従って20μm以下の膜厚でFe−A
l−Si膜に加わる応力を滅しる事が出来るものの、再
生出力を低下させないギャップ部の構造として従来のX
型構造以外のものへと変換する必要のある事が容易に判
る。
〔実施例1〕
本発明は磁気ギャップと平行部を有する金型形Mn −
Znフェライト基板上にFe−ΔJ −3i膜を成膜し
、かつ成膜されるべき平行部の基+5.而粗さを形状効
果を実質的に生じない様にした事を特徴とする。本発明
の金型形構造は第1図に示したトpなギャップ部の構造
であり、Mn −Znフェライト基板28.29は平行
部30.31を有しておりその両側は斜めに切除されて
いる。Fe−A I −3i膜32.33は該平行部3
0.31上および両側の斜め部に成膜されるが、場合に
よっては平行部のみに成膜しても差し支えない。また左
右一対のC9lコア両方に成膜しても良いし、あるいは
1コアのみに成膜しても差し支えない。かかる磁気コア
は第2図に示した工程により容易に作製することが出来
る。該工程を概略説明すると以下である。
Znフェライト基板上にFe−ΔJ −3i膜を成膜し
、かつ成膜されるべき平行部の基+5.而粗さを形状効
果を実質的に生じない様にした事を特徴とする。本発明
の金型形構造は第1図に示したトpなギャップ部の構造
であり、Mn −Znフェライト基板28.29は平行
部30.31を有しておりその両側は斜めに切除されて
いる。Fe−A I −3i膜32.33は該平行部3
0.31上および両側の斜め部に成膜されるが、場合に
よっては平行部のみに成膜しても差し支えない。また左
右一対のC9lコア両方に成膜しても良いし、あるいは
1コアのみに成膜しても差し支えない。かかる磁気コア
は第2図に示した工程により容易に作製することが出来
る。該工程を概略説明すると以下である。
まずW形状の溝39.40を加工したMn −Znフェ
ライト基板37.38を用意する。次に頂点部を(イ)
−(o)の点線部迄研摩加工を施こし所定のトラック幅
Twを得る。該加工基板42上にPe−Al−Si膜4
1を成膜する。成膜はSiO□を介し積層した多層膜あ
るいは単層膜いずれをも採用することが出来る。この成
膜された一対の基板38.39は所定のギャップ長G0
を得るための絶縁層をはさみ(図では省略)巻線窓部4
4に置かれたガラス棒45を加熱流入させる事により一
対の接合を行なう。この後接合ブロックは所定の厚さに
なる様切所され磁気コアを得る。本実施例では熱膨張係
数97 X 10−’ deg−1、軟化点590℃の
ガラス棒を用い730℃に加熱しボンディングを行なっ
た。なおFe−Al −3i膜を成膜する前の平行部4
3は通常実施されている様な完全な鏡面仕上げとはせず
に面粗さとして平均200人となる様に加工した。かか
る加工は研摩時の砥粒径、研摩テーブル、加圧力等条件
を変え比較的容易に求める事が出来る。また膜厚は一層
5μmのものを0.05μmのSing絶縁層を介し4
N積層した。組成はAl6.0、Si9.5残部Fe重
量%である。
ライト基板37.38を用意する。次に頂点部を(イ)
−(o)の点線部迄研摩加工を施こし所定のトラック幅
Twを得る。該加工基板42上にPe−Al−Si膜4
1を成膜する。成膜はSiO□を介し積層した多層膜あ
るいは単層膜いずれをも採用することが出来る。この成
膜された一対の基板38.39は所定のギャップ長G0
を得るための絶縁層をはさみ(図では省略)巻線窓部4
4に置かれたガラス棒45を加熱流入させる事により一
対の接合を行なう。この後接合ブロックは所定の厚さに
なる様切所され磁気コアを得る。本実施例では熱膨張係
数97 X 10−’ deg−1、軟化点590℃の
ガラス棒を用い730℃に加熱しボンディングを行なっ
た。なおFe−Al −3i膜を成膜する前の平行部4
3は通常実施されている様な完全な鏡面仕上げとはせず
に面粗さとして平均200人となる様に加工した。かか
る加工は研摩時の砥粒径、研摩テーブル、加圧力等条件
を変え比較的容易に求める事が出来る。また膜厚は一層
5μmのものを0.05μmのSing絶縁層を介し4
N積層した。組成はAl6.0、Si9.5残部Fe重
量%である。
該磁気コアを第9図に示したCaTi0+ (熱膨張係
数108 X 10−0−7de’)スライダー中に熱
膨張係数91 X 10−’ deg−1、軟化点44
6℃のガラスを用い540℃に加熱し埋設固着した。か
くして得られた磁気ヘッドのトラック幅は17μm、ギ
ャップ長0.8μm、ギャップ深さは8μmである。該
磁気ヘッドを参考例2のテディスクを用い、参考例2と
同一試験条件で測定した場合の2.5 Mtlzにおけ
る再生出力は0.82mVとX型構造で得られたより高
い値を示した。
数108 X 10−0−7de’)スライダー中に熱
膨張係数91 X 10−’ deg−1、軟化点44
6℃のガラスを用い540℃に加熱し埋設固着した。か
くして得られた磁気ヘッドのトラック幅は17μm、ギ
ャップ長0.8μm、ギャップ深さは8μmである。該
磁気ヘッドを参考例2のテディスクを用い、参考例2と
同一試験条件で測定した場合の2.5 Mtlzにおけ
る再生出力は0.82mVとX型構造で得られたより高
い値を示した。
〔実施例2〕
実施例1と同−Mn −Znフェライ)W板を用い、同
一組成のFe−Al−Si膜を5μmで2層積層した。
一組成のFe−Al−Si膜を5μmで2層積層した。
この場合平行部43をその面粗さが異なる様加工を施し
た。該成膜基板は実施例1と同一ガラスで接合され、さ
らに同−CaTi0..スライダー中に同一ガラスで固
着した。該磁気ヘッドのギャップ部の寸法も実施例2と
同一となる様加工し、さらに同一条件での再生出力を測
定した。結果は第2表に示すごと<2.5MHzでの再
生出力はいずれもX型構造より高い値を示した。
た。該成膜基板は実施例1と同一ガラスで接合され、さ
らに同−CaTi0..スライダー中に同一ガラスで固
着した。該磁気ヘッドのギャップ部の寸法も実施例2と
同一となる様加工し、さらに同一条件での再生出力を測
定した。結果は第2表に示すごと<2.5MHzでの再
生出力はいずれもX型構造より高い値を示した。
第 2 表
しかしながら平行部の平均面粗さが40人の試料では明
瞭な形状効果が認められ再生出力の周波数特性にうねり
を生じた。このうねり現象については本来の磁気ギャッ
プと平行なMn −ZnフェライトとFe−Al−3t
膜の接合部があると生じるとされており、この好ましく
ない効果を避けるため、接合部を斜めにした構造が特開
昭61 34707 、特開昭60−229210等に
開示されている。しかしこれらの構成では磁気コア作製
が煩雑であり、かつ斜めの部分に成膜されたFe A
l −Si膜の磁気特性は必ずしも良好でないという欠
点を生じる。第3図は第2表に示した磁気ヘッドの再生
出力の周波数特性を示したものであり、曲vA3は平行
部の平均面粗さ40人の試料、曲線4は130人の平均
面粗さの試料である。この様に40人の平均面粗さでは
形状効果のため周波数特性にうねりを生じ好ましくない
。5・80,800人の平均面粗さの試料については1
30人と同様にうねりは認められなかった。この様にあ
る程度面粗さを粗クシておくとミクロに眺めると本来の
磁気ギャップと平行なMn −ZnフェライトとFe
Af Si膜の接合面が不平行となっており、実質
的に形状効果を示さないものと考えられる。しかし余り
面粗さを荒くすると金属磁性膜の厚さの精度が悪くなり
好ましくない。該精度としては10%以下が望ましいと
考えられることから平均面粗さはFe−Af −s;膜
厚の10%以下となる方が望ましい。
瞭な形状効果が認められ再生出力の周波数特性にうねり
を生じた。このうねり現象については本来の磁気ギャッ
プと平行なMn −ZnフェライトとFe−Al−3t
膜の接合部があると生じるとされており、この好ましく
ない効果を避けるため、接合部を斜めにした構造が特開
昭61 34707 、特開昭60−229210等に
開示されている。しかしこれらの構成では磁気コア作製
が煩雑であり、かつ斜めの部分に成膜されたFe A
l −Si膜の磁気特性は必ずしも良好でないという欠
点を生じる。第3図は第2表に示した磁気ヘッドの再生
出力の周波数特性を示したものであり、曲vA3は平行
部の平均面粗さ40人の試料、曲線4は130人の平均
面粗さの試料である。この様に40人の平均面粗さでは
形状効果のため周波数特性にうねりを生じ好ましくない
。5・80,800人の平均面粗さの試料については1
30人と同様にうねりは認められなかった。この様にあ
る程度面粗さを粗クシておくとミクロに眺めると本来の
磁気ギャップと平行なMn −ZnフェライトとFe
Af Si膜の接合面が不平行となっており、実質
的に形状効果を示さないものと考えられる。しかし余り
面粗さを荒くすると金属磁性膜の厚さの精度が悪くなり
好ましくない。該精度としては10%以下が望ましいと
考えられることから平均面粗さはFe−Af −s;膜
厚の10%以下となる方が望ましい。
〔実施例3〕
本発明のような磁気コアの接合および該コアをスライダ
ー中に埋設固着する場合の2種のガラスを用いるには、
埋設固着の際双方のガラスの軟化点および熱膨張係数を
適切に選ばないと磁気コアのギャップが埋設固着時に変
化したり、あるいはガラスにクラックを生じたりし好ま
しくない。本発明のようにスライダーにCaTi0z
(熱膨張係数105〜110 X 10−’ deg−
’)かつ基板として熱膨張係数110〜115 X 1
0−’ deg−’のMn −Znフェライトを用いる
場合には、スライダーへの埋設固着の際のガラスとして
は熱膨張係数85〜95 X 10−0−6de1、軟
化点430〜460”Cのガラスを540℃程度で用い
る事がガラスクラックのない固着を行なわしめるに適す
る事が知れている。しかしながらこのガラスを用いる場
合、磁気コアの接合に用いるガラスとしてどの程度の物
性のものが好ましいかは明確でなかった。第3表はスラ
イダーへの埋設固着ガラスとして熱膨張係数92 X
10−’ deg−1、軟化点445℃のガラスを用い
540℃で固着した場合の結果であり、磁気コアを得る
場合の接合ガラスとして異なる物性のものを用いている
。
ー中に埋設固着する場合の2種のガラスを用いるには、
埋設固着の際双方のガラスの軟化点および熱膨張係数を
適切に選ばないと磁気コアのギャップが埋設固着時に変
化したり、あるいはガラスにクラックを生じたりし好ま
しくない。本発明のようにスライダーにCaTi0z
(熱膨張係数105〜110 X 10−’ deg−
’)かつ基板として熱膨張係数110〜115 X 1
0−’ deg−’のMn −Znフェライトを用いる
場合には、スライダーへの埋設固着の際のガラスとして
は熱膨張係数85〜95 X 10−0−6de1、軟
化点430〜460”Cのガラスを540℃程度で用い
る事がガラスクラックのない固着を行なわしめるに適す
る事が知れている。しかしながらこのガラスを用いる場
合、磁気コアの接合に用いるガラスとしてどの程度の物
性のものが好ましいかは明確でなかった。第3表はスラ
イダーへの埋設固着ガラスとして熱膨張係数92 X
10−’ deg−1、軟化点445℃のガラスを用い
540℃で固着した場合の結果であり、磁気コアを得る
場合の接合ガラスとして異なる物性のものを用いている
。
第 3 表
第3表の結果から判る様に接合ガラスとして熱膨張係数
97 X 10−’ deg−1、軟化点590℃のガ
ラスを用いる事により、スライダーへの埋設固着時のギ
ャップ長の変化もなくクランクの生じない良好な磁気ヘ
ッドを得る事が出来る。接合ガラスとして軟化点が低す
ぎると埋設固着時に、接合ガラスの粘性が低下しギャッ
プ長が変化する。また接合ガラスの熱膨張係数が合致し
ていないと接合ガラスに応力が集中しクランクを生じる
。実施例では熱膨張係数97 X 10−’ deg−
1、軟化点590℃のものが良好であったが、通常±5
%の物性の変動は許容される。
97 X 10−’ deg−1、軟化点590℃のガ
ラスを用いる事により、スライダーへの埋設固着時のギ
ャップ長の変化もなくクランクの生じない良好な磁気ヘ
ッドを得る事が出来る。接合ガラスとして軟化点が低す
ぎると埋設固着時に、接合ガラスの粘性が低下しギャッ
プ長が変化する。また接合ガラスの熱膨張係数が合致し
ていないと接合ガラスに応力が集中しクランクを生じる
。実施例では熱膨張係数97 X 10−’ deg−
1、軟化点590℃のものが良好であったが、通常±5
%の物性の変動は許容される。
〔実施例4〕
磁気ディスク用の浮上型ヘッドはたえずディスクとの7
11突を操り返すのでContact 5tart 5
top時の信頼性が重要である。第4図はスライダー材
についてC8Sテストを行なった場合のディスクの損傷
度である。媒体は、5.25インチのCo−Ni[性層
のスパッタディスクを用いた。表面には潤滑層としてカ
ーボンを約300人スパッタリングで形成しである。C
8Sテストのサイクルタイムは第5図に示すi、ffl
りである。ディスクの損傷度は第9図の凸条部すなわち
空気−・アリング面全面に渡ってディスク面に傷が発生
した場合を10として評価した。第4図中、1は従来浮
上型磁気ヘッドの非磁性材料として用いられているA
’ 20:l TiCセラミック、2は本発明のCa
Ti0.、を示す。この結果から容易に知れる様に本発
明に用いたCaTiO2はCSS性に優れ、高い信頼性
を有する。
11突を操り返すのでContact 5tart 5
top時の信頼性が重要である。第4図はスライダー材
についてC8Sテストを行なった場合のディスクの損傷
度である。媒体は、5.25インチのCo−Ni[性層
のスパッタディスクを用いた。表面には潤滑層としてカ
ーボンを約300人スパッタリングで形成しである。C
8Sテストのサイクルタイムは第5図に示すi、ffl
りである。ディスクの損傷度は第9図の凸条部すなわち
空気−・アリング面全面に渡ってディスク面に傷が発生
した場合を10として評価した。第4図中、1は従来浮
上型磁気ヘッドの非磁性材料として用いられているA
’ 20:l TiCセラミック、2は本発明のCa
Ti0.、を示す。この結果から容易に知れる様に本発
明に用いたCaTiO2はCSS性に優れ、高い信頼性
を有する。
以上詳述した様に本発明の磁気ディスク用浮上型磁気ヘ
ッドは高い再生出力を示し、形状効果による再生出力の
うねりがなくかつ高い信頼性を有する磁気ヘッドとして
工業上利用価値が極めて大きい。特にCo−Niスパッ
タディスク等の薄膜を媒体とした嵩密度記録用磁気ディ
スク装置に用いた場合高出力、高信頼性の磁気ヘッドと
して有用である。
ッドは高い再生出力を示し、形状効果による再生出力の
うねりがなくかつ高い信頼性を有する磁気ヘッドとして
工業上利用価値が極めて大きい。特にCo−Niスパッ
タディスク等の薄膜を媒体とした嵩密度記録用磁気ディ
スク装置に用いた場合高出力、高信頼性の磁気ヘッドと
して有用である。
第1図は本発明の磁気ヘッドのギヤツブ部の構造を示す
概略図、第2図は第1図の磁気ヘッドの得るための工程
図、第3図は本発明の÷は気ヘッドにおいて基板の平行
部の平均面粗さが異なる場合の再生出力の周波数特性を
示す。第4図は本発明および従来使用されている非磁性
スライダーのCSS試験の回数とディスク1員傷度を示
す。1は従来材、2は本発明材、第5図はCSS試験の
サイクルタイムを示す図。第6図は記録電流と再生出力
の関係を示す。第7図は従来のX型の磁気コアの製造工
程図であり第8図は得られた磁気コアの概観図を示す。 第9図は磁気コアを埋設すべきスライダーおよび埋設さ
れた状態を示す図。第10図は従来の磁気コアの基板の
脱落を示す。 28、 29 :Mn−Znフェライト基板、32.3
3:Fe−AA−Si膜、ao、3t:基板の平行部、
35ニドラック幅、36:ガラス。 第1図 第3図 周波数(MHz) 第21!! (C) (d) 第4図 相対CSS回数 第5図 一第6 図 記録電流(mA) 第7図 (f) (9) 第8図 第9図
概略図、第2図は第1図の磁気ヘッドの得るための工程
図、第3図は本発明の÷は気ヘッドにおいて基板の平行
部の平均面粗さが異なる場合の再生出力の周波数特性を
示す。第4図は本発明および従来使用されている非磁性
スライダーのCSS試験の回数とディスク1員傷度を示
す。1は従来材、2は本発明材、第5図はCSS試験の
サイクルタイムを示す図。第6図は記録電流と再生出力
の関係を示す。第7図は従来のX型の磁気コアの製造工
程図であり第8図は得られた磁気コアの概観図を示す。 第9図は磁気コアを埋設すべきスライダーおよび埋設さ
れた状態を示す図。第10図は従来の磁気コアの基板の
脱落を示す。 28、 29 :Mn−Znフェライト基板、32.3
3:Fe−AA−Si膜、ao、3t:基板の平行部、
35ニドラック幅、36:ガラス。 第1図 第3図 周波数(MHz) 第21!! (C) (d) 第4図 相対CSS回数 第5図 一第6 図 記録電流(mA) 第7図 (f) (9) 第8図 第9図
Claims (5)
- (1)磁気ギャップと平行部を有しかつ平行部が記録再
生トラックとなる様に平行部の両側を斜めに切除した台
形型Mn−Znフェライトからなり、該磁極の一方ある
いは両方にFe−Al−Si磁性膜を成膜し、ガラスで
接合した磁気コアをCaTiO_3スライダー中に接合
ガラスより低軟化点のガラスで埋設固着した事を特徴と
する磁気ディスク装置用浮上型磁気ヘッド。 - (2)特許請求範囲記載第1項においてFe−Al−S
iを成膜するMn−Znフェライトのギャップ部と平行
な部分の面粗さを平均で40Å以上でかつFe−Al−
Si膜厚の10%以下の大きさの平均面粗さとした事を
特徴とする浮上型磁気ヘッド。 - (3)特許請求範囲記載第2項においてAl3〜7、S
i7〜11重量%残部Feを主成分としあるいは他の添
加物を含有するFe−Al−Si膜を熱膨張係数110
〜115×10^−^7deg^−^1のMn−Znフ
ェライト基板上に成膜し、熱膨張係数85〜95×10
^−^7deg^−^1、軟化点430〜460℃のガ
ラスを用いて熱膨張係数105〜110×10^−^7
deg^−^1のCaTiO_3スライダー中に埋設固
着した事を特徴とする浮上型磁気ヘッド。 - (4)特許請求範囲記載第3項において熱膨張係数92
〜102×10^−^7deg^−^1、軟化点560
〜620℃のガラスを用いて磁気コアを接合する事を特
徴とする磁気ヘッド。 - (5)特許請求範囲第4項においてCo−Ni系スパッ
タディスクを用いた固定磁気ディスク装置に用いる事を
特徴とする浮上型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13781786A JPS62295208A (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | 磁気デイスク装置用浮上型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13781786A JPS62295208A (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | 磁気デイスク装置用浮上型磁気ヘツド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62295208A true JPS62295208A (ja) | 1987-12-22 |
Family
ID=15207546
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13781786A Pending JPS62295208A (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | 磁気デイスク装置用浮上型磁気ヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62295208A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0583985A2 (en) * | 1992-08-19 | 1994-02-23 | Komag, Inc. | Method of making magnetic recording head slider and the resulting slider |
US5673156A (en) * | 1993-06-21 | 1997-09-30 | Komag, Inc. | Hard disk drive system having virtual contact recording |
-
1986
- 1986-06-13 JP JP13781786A patent/JPS62295208A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0583985A2 (en) * | 1992-08-19 | 1994-02-23 | Komag, Inc. | Method of making magnetic recording head slider and the resulting slider |
EP0583985A3 (en) * | 1992-08-19 | 1995-08-09 | Komag Inc | Method of manufacturing the slider of a magnetic recording head and the resulting head. |
US5673156A (en) * | 1993-06-21 | 1997-09-30 | Komag, Inc. | Hard disk drive system having virtual contact recording |
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