JPS6337819A - 磁気デイスク装置用浮上型磁気ヘツド - Google Patents
磁気デイスク装置用浮上型磁気ヘツドInfo
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- JPS6337819A JPS6337819A JP18047786A JP18047786A JPS6337819A JP S6337819 A JPS6337819 A JP S6337819A JP 18047786 A JP18047786 A JP 18047786A JP 18047786 A JP18047786 A JP 18047786A JP S6337819 A JPS6337819 A JP S6337819A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3176—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps
-
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、固定磁気ディスク装置に使用する浮上型磁気
ヘッドに係り、特に性能および信頼性を改良した浮上型
磁気ヘッドに関するものである。
ヘッドに係り、特に性能および信頼性を改良した浮上型
磁気ヘッドに関するものである。
磁気ディスク装置に使用する磁気ヘッドとしては1例え
ばUSP−3823416号、または特公昭57−56
9号公報に開示されているような浮上型磁気ヘッドが使
用される。この浮上型磁気ヘッドは、磁気ディスクの静
止時においてはばね力によって磁気ディスク表面に接触
しているが。
ばUSP−3823416号、または特公昭57−56
9号公報に開示されているような浮上型磁気ヘッドが使
用される。この浮上型磁気ヘッドは、磁気ディスクの静
止時においてはばね力によって磁気ディスク表面に接触
しているが。
磁気ディスクの回転時においては、磁気ディスク表面の
空気流によって浮上する。而して磁気ディスクが回転か
ら停止に至るまでには、前記磁気ヘッドは磁気ディスク
表面に落下2反動による上昇を繰返した後、磁気ディス
ク上を摺動して停止する。磁気ヘッドには上記起動、停
止時の衝撃に耐える性能が要求され、これをC8S性(
Con tac tStart 5top)と称する。
空気流によって浮上する。而して磁気ディスクが回転か
ら停止に至るまでには、前記磁気ヘッドは磁気ディスク
表面に落下2反動による上昇を繰返した後、磁気ディス
ク上を摺動して停止する。磁気ヘッドには上記起動、停
止時の衝撃に耐える性能が要求され、これをC8S性(
Con tac tStart 5top)と称する。
磁気ヘッド全体を例えば高透磁率酸化物磁性材料である
フェライトで構成したものは、耐C8S性が良好である
が、飽和磁束密度が小さく、高保磁力の記録媒体に対す
る記録性能が不充分であるという欠点があり、高飽和磁
束密度を有する金属磁性膜を磁気間隙に配設するのが望
ましいとされている。この−例として特開昭58−14
311号公報に開示される磁気ヘッドがあるが、磁気変
換部に巻線後のインダクタンスが大きく、共振周波数が
低下するため、高周波領域における記録再生機能が不充
分であるという問題点がある。この改良例として全体を
磁性材料とせず、磁気コアを非磁性材料からなるスライ
ダ中に埋設固着した構成のものがある(例えばUSP−
3562444号、特開昭60−154130号公報等
)。一方磁気コアの磁気間隙部の構造としては、その上
端面の外観からX型と称されるものがある。本出願人に
よる特願昭60−40063号によるものもその一例で
あり9例えば第9図に拡大図で示す。同図は記録媒体と
の対向面の平面図であり、■コア側基板1およびCコア
側基板2上に成膜した金属磁性膜3,4は絶縁層5を介
して斜めに斜交し、その角度θを60゜に形成しである
。6は接合ガラスであり、前記基板1.2を接合する。
フェライトで構成したものは、耐C8S性が良好である
が、飽和磁束密度が小さく、高保磁力の記録媒体に対す
る記録性能が不充分であるという欠点があり、高飽和磁
束密度を有する金属磁性膜を磁気間隙に配設するのが望
ましいとされている。この−例として特開昭58−14
311号公報に開示される磁気ヘッドがあるが、磁気変
換部に巻線後のインダクタンスが大きく、共振周波数が
低下するため、高周波領域における記録再生機能が不充
分であるという問題点がある。この改良例として全体を
磁性材料とせず、磁気コアを非磁性材料からなるスライ
ダ中に埋設固着した構成のものがある(例えばUSP−
3562444号、特開昭60−154130号公報等
)。一方磁気コアの磁気間隙部の構造としては、その上
端面の外観からX型と称されるものがある。本出願人に
よる特願昭60−40063号によるものもその一例で
あり9例えば第9図に拡大図で示す。同図は記録媒体と
の対向面の平面図であり、■コア側基板1およびCコア
側基板2上に成膜した金属磁性膜3,4は絶縁層5を介
して斜めに斜交し、その角度θを60゜に形成しである
。6は接合ガラスであり、前記基板1.2を接合する。
G1.Twは各々ギャップ長およびトラック幅である。
上記のようなX型構造のものにおいて、金属磁性膜3.
4の膜厚は20μm以下にすることにより、接合ガラス
6によるガラスボンディング時に発生する応力を小さく
することができ、再生出力が向上し、基板1. 2を構
成する材料の結晶粒の脱落が減少する。しかしながら、
第9図からも明らかなように、ギャップ長Glは任意に
選定することができるが、トラック幅TWを通常10〜
20μmの寸法にするためには、前記金属磁性膜3.4
の膜厚をあまり薄くすることができない。
4の膜厚は20μm以下にすることにより、接合ガラス
6によるガラスボンディング時に発生する応力を小さく
することができ、再生出力が向上し、基板1. 2を構
成する材料の結晶粒の脱落が減少する。しかしながら、
第9図からも明らかなように、ギャップ長Glは任意に
選定することができるが、トラック幅TWを通常10〜
20μmの寸法にするためには、前記金属磁性膜3.4
の膜厚をあまり薄くすることができない。
すなわち、■コア側の基板lの頂点部は先端が鋭角であ
るため、膜厚を薄くすると頂点部における膜厚が他のト
ラック部の膜厚より極度に薄くなり。
るため、膜厚を薄くすると頂点部における膜厚が他のト
ラック部の膜厚より極度に薄くなり。
再生出力が低下することとなり不都合である。このため
トラック幅Twと前記膜厚とを任意に独立して選定する
ことができず、定められたトラック幅TWを得るために
は、前記膜厚はある程度厚くしておく必要があるという
制約がある。このような欠点を改良する磁気間隙部の構
造として、特開昭61−43707号公報に記載のよう
な台形状のものが開示されている。しかし上記構造のも
のにおいては、磁性薄膜とフエライ+−i板との接合面
が磁気間隙線と平行に配設しであるため、いわゆる形状
効果により再生出力の周波数特性にうねりを生ずるとい
う問題点がある。
トラック幅Twと前記膜厚とを任意に独立して選定する
ことができず、定められたトラック幅TWを得るために
は、前記膜厚はある程度厚くしておく必要があるという
制約がある。このような欠点を改良する磁気間隙部の構
造として、特開昭61−43707号公報に記載のよう
な台形状のものが開示されている。しかし上記構造のも
のにおいては、磁性薄膜とフエライ+−i板との接合面
が磁気間隙線と平行に配設しであるため、いわゆる形状
効果により再生出力の周波数特性にうねりを生ずるとい
う問題点がある。
本発明は上記従来の問題点を解消し、(1)高保磁力の
記録媒体に対しても充分記録可能であり、(2)低イン
ダクタンスであり、(3)高飽和磁束密度を有する金属
磁性膜に不都合な歪を発生させることなく高再生出力を
示し、(4)耐CSS性に優れた磁気ディスク装置用浮
上型磁気ヘッドを提供することを目的とする。
記録媒体に対しても充分記録可能であり、(2)低イン
ダクタンスであり、(3)高飽和磁束密度を有する金属
磁性膜に不都合な歪を発生させることなく高再生出力を
示し、(4)耐CSS性に優れた磁気ディスク装置用浮
上型磁気ヘッドを提供することを目的とする。
上記従来技術に存在する問題点を解消するために1本発
明においては、下記の技術的手段を採用したのである。
明においては、下記の技術的手段を採用したのである。
A、磁気記録媒体との対向面に磁気間隙が出現するよう
に基板の上端部を突合せ配設し、前記磁気間隙が磁気記
録再生トラックとなるように前記基板上端縁部を斜めに
切除して前記基板上端面部を台形に形成し、前記磁気間
隙に臨む基板の上端部の少な(とも一方に磁性薄膜を成
膜し。
に基板の上端部を突合せ配設し、前記磁気間隙が磁気記
録再生トラックとなるように前記基板上端縁部を斜めに
切除して前記基板上端面部を台形に形成し、前記磁気間
隙に臨む基板の上端部の少な(とも一方に磁性薄膜を成
膜し。
前記両基板を接合ガラスを介して接合して構成した磁気
ヘッドを、スライダ中に設けたスリット中に固着ガラス
を介して埋設固着してなる磁気ディスク装置用浮上型磁
気ヘッドにおいて。
ヘッドを、スライダ中に設けたスリット中に固着ガラス
を介して埋設固着してなる磁気ディスク装置用浮上型磁
気ヘッドにおいて。
B、前記磁気間隙に臨む基板端面の平均面粗さを40Å
以上でありかつ前記磁性薄膜の膜厚の10%以下に形成
する。
以上でありかつ前記磁性薄膜の膜厚の10%以下に形成
する。
C1磁性薄膜を/13〜7重量%、Si7〜11重量%
、Fe残部を主成分とし、あるいは他の添加物を含有す
るFe−Al1−3i合金で構成する。
、Fe残部を主成分とし、あるいは他の添加物を含有す
るFe−Al1−3i合金で構成する。
D、基板をMnO67〜90モル%、Ni010〜33
モル%を含み岩塩型結晶構造を有するMnO−NiOセ
ラミックス、あるいはCab。
モル%を含み岩塩型結晶構造を有するMnO−NiOセ
ラミックス、あるいはCab。
Z r Oz 、Alz 031 ■205 、B
a O。
a O。
Yt 03およびCuOの1種または2種以上を10モ
ル%以下含有する上記MnO−NiOセラミックスで構
成する。
ル%以下含有する上記MnO−NiOセラミックスで構
成する。
E、スライダを線膨張係数85〜95 X 10−’/
”Cの安定化ZrO□で構成する。
”Cの安定化ZrO□で構成する。
F、接合ガラスを線膨張係数92〜102XIO−’/
℃、軟化点560〜620℃のガラスで構成する。
℃、軟化点560〜620℃のガラスで構成する。
G、固着ガラスを線膨張係数85〜95X10−7/℃
、軟化点430〜460℃のガラスで構成する。
、軟化点430〜460℃のガラスで構成する。
本発明において、磁気間隙に臨む基板の端面の平均面粗
さが40人未満では、形状効果のため周波数特性にうね
りを生ずるため不都合である。一方上記平均面粗さが磁
性薄膜の膜厚の10%を越えると、磁性薄膜の膜厚精度
が低下するため好ましくない。
さが40人未満では、形状効果のため周波数特性にうね
りを生ずるため不都合である。一方上記平均面粗さが磁
性薄膜の膜厚の10%を越えると、磁性薄膜の膜厚精度
が低下するため好ましくない。
基板材料を構成するMnO−NiOセラミックスにおけ
る主成分であるMnOは、材料の硬度を低下させて、研
削性および切削性を向上させるために67モル%以上含
有させるのが望ましい、一方MnOの含有率が90モル
%を越えると、材料の焼結性が低下すると共に気孔量が
増加するため好ましくない。またC a O、Z r
Oz + A l 2031Vz Os 、Bad、Y
z 03 、CuOを含有させると、材料の焼結性を向
上させ、気孔量を減少させるのに有効であり、BaOは
切削性を向上させる作用を有する。しかし上記酸化物の
含有量が10モル%を越えると、材料の硬度を高めて、
研削性および切削性を低下させるため、10モル%以下
、とりわけ6モル%以下とするのが好ましい。
る主成分であるMnOは、材料の硬度を低下させて、研
削性および切削性を向上させるために67モル%以上含
有させるのが望ましい、一方MnOの含有率が90モル
%を越えると、材料の焼結性が低下すると共に気孔量が
増加するため好ましくない。またC a O、Z r
Oz + A l 2031Vz Os 、Bad、Y
z 03 、CuOを含有させると、材料の焼結性を向
上させ、気孔量を減少させるのに有効であり、BaOは
切削性を向上させる作用を有する。しかし上記酸化物の
含有量が10モル%を越えると、材料の硬度を高めて、
研削性および切削性を低下させるため、10モル%以下
、とりわけ6モル%以下とするのが好ましい。
なお上記酸化物は1種のみならず、2種以上を含有させ
てもよい。また1種のみ含有させる場合には、硬度増大
作用がそれ程大きくない、焼結促進作用が高い、水に不
溶性である。切削時に粒子脱落のおそれが極めて小さい
等の理由から、CaOが最も好ましい。上記酸化物を2
種類使用する場合には、CaOとZrO□とを併せて含
有させた方がCaOおよびZrO□を各々単独で含有さ
せるよりも、材料の硬度を増大させる度合が小さいと共
に、焼結性を向上させて気孔量を減少させるため好まし
い。
てもよい。また1種のみ含有させる場合には、硬度増大
作用がそれ程大きくない、焼結促進作用が高い、水に不
溶性である。切削時に粒子脱落のおそれが極めて小さい
等の理由から、CaOが最も好ましい。上記酸化物を2
種類使用する場合には、CaOとZrO□とを併せて含
有させた方がCaOおよびZrO□を各々単独で含有さ
せるよりも、材料の硬度を増大させる度合が小さいと共
に、焼結性を向上させて気孔量を減少させるため好まし
い。
なお本発明において、上記MnO−NiOセラミックス
の結晶構造を岩塩型としたのは、下記の理由による。す
なわち、上記合金はスピネル型結晶構造をとりうるので
あるが、岩塩型とすることにより、線膨張係数が磁性薄
膜に近似し、気孔が減少するようになるからである。
の結晶構造を岩塩型としたのは、下記の理由による。す
なわち、上記合金はスピネル型結晶構造をとりうるので
あるが、岩塩型とすることにより、線膨張係数が磁性薄
膜に近似し、気孔が減少するようになるからである。
〔実施例1〕
第1図は本発明の実施例における磁気間隙部の拡大平面
図である。同図において、11.12は各々基板であり
、MnO−NiOセラミックスからなり、+f1気記録
媒体(図示せず)と対向する上端部を突合せ配設し、磁
気間隙13を形成するための平行部14.15を備える
と共に、平行部14.15の両側は斜めに切除して略台
形に形成する。次に16.17は磁性薄膜であり、Fe
−Aj2−Si合金により構成し、前記平行部14゜1
5および前記台形を形成する斜辺部に成膜する。
図である。同図において、11.12は各々基板であり
、MnO−NiOセラミックスからなり、+f1気記録
媒体(図示せず)と対向する上端部を突合せ配設し、磁
気間隙13を形成するための平行部14.15を備える
と共に、平行部14.15の両側は斜めに切除して略台
形に形成する。次に16.17は磁性薄膜であり、Fe
−Aj2−Si合金により構成し、前記平行部14゜1
5および前記台形を形成する斜辺部に成膜する。
なお上記磁性薄膜16.17は平行部14.15のみに
設けてもよく、また左右1対のC1■コアを形成する基
板11.12の少なくとも一方に設けることができる。
設けてもよく、また左右1対のC1■コアを形成する基
板11.12の少なくとも一方に設けることができる。
18は接合ガラスであり。
Gで、Twは各々ギャップ長およびトラック幅である。
上記におけるMnO−NiOセラミックスによる基板1
1.12の成形は1例えば下記の工程によった。すなわ
ち市販の試薬特級のM n CO3およびNiOを、M
n○:NiOがモル比で70:30になるように秤量し
、純水を加えてボールミル中で24時間粉砕した後、N
Z雰囲気中にて900°cx4時間の仮焼を行った。こ
れを3311×40菖鳳X14mmのフ゛ロック状に3
ton/cmzの圧力で成形し、−次焼成を行った後、
11000atのAr雰囲気中にて1200℃×1時間
の熱間静水圧プレス(HI P)処理を行った。得られ
た焼結体はX vA回折結果から岩塩型結晶構造を有し
ていることが認められた。
1.12の成形は1例えば下記の工程によった。すなわ
ち市販の試薬特級のM n CO3およびNiOを、M
n○:NiOがモル比で70:30になるように秤量し
、純水を加えてボールミル中で24時間粉砕した後、N
Z雰囲気中にて900°cx4時間の仮焼を行った。こ
れを3311×40菖鳳X14mmのフ゛ロック状に3
ton/cmzの圧力で成形し、−次焼成を行った後、
11000atのAr雰囲気中にて1200℃×1時間
の熱間静水圧プレス(HI P)処理を行った。得られ
た焼結体はX vA回折結果から岩塩型結晶構造を有し
ていることが認められた。
第2図(a)〜(e)は磁気コアの製造工程の説明図で
ある。まず第2図(al (blに示すように前記M
n O−NiOセラミックスからなる基板21.22の
合せ面21a、22aに、横断面形状がW形の溝23.
24を設ける。次に第2図(c)に示すように合せ面2
1 a (22a)を点線部まで研磨加工して。
ある。まず第2図(al (blに示すように前記M
n O−NiOセラミックスからなる基板21.22の
合せ面21a、22aに、横断面形状がW形の溝23.
24を設ける。次に第2図(c)に示すように合せ面2
1 a (22a)を点線部まで研磨加工して。
所定のトラック幅Twを得る。第2図(d)はFe−A
l−Si合金により磁性薄膜25を?I23(24)お
よび合せ面21a(22a)に設けた状態を示す。成膜
はSiO□を介して積層した多層膜とする他、単層膜と
してもよい。このようにして成膜した1対の基板21.
22は、第2図(elに示すように、所定のギャップ長
GEを得るための絶縁層(図示せず)を前記合せ面21
a、22a間に挟んで突合せ1巻線窓部26に挿入した
ガラス棒27を加熱流入させて、接合合体する。この後
接合ブロックを所定の厚さに切断して第3図に示すよう
な磁気コア28に成形する。図中の数字は各部の寸法を
龍で表わしたものである。
l−Si合金により磁性薄膜25を?I23(24)お
よび合せ面21a(22a)に設けた状態を示す。成膜
はSiO□を介して積層した多層膜とする他、単層膜と
してもよい。このようにして成膜した1対の基板21.
22は、第2図(elに示すように、所定のギャップ長
GEを得るための絶縁層(図示せず)を前記合せ面21
a、22a間に挟んで突合せ1巻線窓部26に挿入した
ガラス棒27を加熱流入させて、接合合体する。この後
接合ブロックを所定の厚さに切断して第3図に示すよう
な磁気コア28に成形する。図中の数字は各部の寸法を
龍で表わしたものである。
上記実施例においては、Fe−Al−Si合金による磁
性薄膜25を成膜する前の基板21.22の平行部29
(第2図(dl参照)の面粗さは、平均200人とした
。また磁性薄膜25は1層5μmのものを0.05μm
のSiO□絶縁層を介して4層積層した。また接合ガラ
スとしては、後述するスライダ中への磁気コアの埋設固
着時に磁気間隙の寸法が変化しないよう、高軟化点を有
するガラスが望ましい。このようなガラスとしては。
性薄膜25を成膜する前の基板21.22の平行部29
(第2図(dl参照)の面粗さは、平均200人とした
。また磁性薄膜25は1層5μmのものを0.05μm
のSiO□絶縁層を介して4層積層した。また接合ガラ
スとしては、後述するスライダ中への磁気コアの埋設固
着時に磁気間隙の寸法が変化しないよう、高軟化点を有
するガラスが望ましい。このようなガラスとしては。
例えば軟化点590℃、線膨張係数97X10−7/”
Cが適しており、このような物性を示すガラス組成は、
PbO55,8重量%、 S i Oz 37.1重
量%、に、07.1重量%がある。
Cが適しており、このような物性を示すガラス組成は、
PbO55,8重量%、 S i Oz 37.1重
量%、に、07.1重量%がある。
次に上記のようにして形成した磁気コア28を第4図に
示すように、安定化ZrO2を主相とするセラミックス
(線膨張整数90 x 10−7/”c)によって構成
したスライダ3oのスリット31内に挿入し、磁気コア
28の上部に0.5φX5ffに形成した線膨張係数9
1 x 10−7/”c、軟化点446℃のガラス棒を
載置して、540tに加熱して埋設固着した。このよう
にして得られた磁気ヘッドのトラック幅は17μm、ギ
ヤノブ長0.8μm、ギャップ深さは8μmであった。
示すように、安定化ZrO2を主相とするセラミックス
(線膨張整数90 x 10−7/”c)によって構成
したスライダ3oのスリット31内に挿入し、磁気コア
28の上部に0.5φX5ffに形成した線膨張係数9
1 x 10−7/”c、軟化点446℃のガラス棒を
載置して、540tに加熱して埋設固着した。このよう
にして得られた磁気ヘッドのトラック幅は17μm、ギ
ヤノブ長0.8μm、ギャップ深さは8μmであった。
上記のようにして形成した磁気ヘッドにおけるインダク
タンスの周波数特性は、第8図に示すように50MHz
以上の高周波領域において、 Mn−Znフェライトか
らなる基板を使用したものと比較して優れた特性を示し
た。なお試験条件は保iffカフ00 0eのCoNi
スパッタディスクを使用し、浮上量0.3μm、ディス
ク回転数3600rpm 、コイル巻数28ターンであ
る。
タンスの周波数特性は、第8図に示すように50MHz
以上の高周波領域において、 Mn−Znフェライトか
らなる基板を使用したものと比較して優れた特性を示し
た。なお試験条件は保iffカフ00 0eのCoNi
スパッタディスクを使用し、浮上量0.3μm、ディス
ク回転数3600rpm 、コイル巻数28ターンであ
る。
〔実施例2〕
前記実施例1と同様にFeAJ−3i合金膜を5μmで
2層積層した。この場合前記第2図(d)における平行
部29の面粗さが異なるように加工した。その他は前記
実施例1と同様である。磁気ヘッドとしての再生出力は
第1表に示すように何れもX型構造のものより高い値を
示している。
2層積層した。この場合前記第2図(d)における平行
部29の面粗さが異なるように加工した。その他は前記
実施例1と同様である。磁気ヘッドとしての再生出力は
第1表に示すように何れもX型構造のものより高い値を
示している。
第 1 表
しかしながら平行部の平均面粗さが40人のものにおい
ては、明瞭な形状効果が認められ、再生出力の周波特性
にうねりが発生している。第5図は相対再生出力と周波
数との関係を示す線図であり1曲線A、Bは各々平行部
の平均面粗さ130人、40人に対応するものである。
ては、明瞭な形状効果が認められ、再生出力の周波特性
にうねりが発生している。第5図は相対再生出力と周波
数との関係を示す線図であり1曲線A、Bは各々平行部
の平均面粗さ130人、40人に対応するものである。
図から明らかなように曲線Bは高周波数領域においてう
ねりを示し、磁気ヘッドの特性を低下させる原因となり
好ましくない。曲線Aについてはうねりの発生が認めら
れない。平均面粗さ580人、800人のものについて
も130人と同様にうねりは認められなかった。すなわ
ち平行部の面粗さをある程度粗くしておくことにより、
前記第1図における本来の磁気間隙13と平行である基
板11.12と磁性薄膜16.17との接合面がミクロ
的に非平行となり、実質的な形状効果の現われるのを防
止するものと考えられる。しかし一方あまり面粗さが粗
くなると、磁性薄膜の厚さの精度を低下させるので好ま
しくない。
ねりを示し、磁気ヘッドの特性を低下させる原因となり
好ましくない。曲線Aについてはうねりの発生が認めら
れない。平均面粗さ580人、800人のものについて
も130人と同様にうねりは認められなかった。すなわ
ち平行部の面粗さをある程度粗くしておくことにより、
前記第1図における本来の磁気間隙13と平行である基
板11.12と磁性薄膜16.17との接合面がミクロ
的に非平行となり、実質的な形状効果の現われるのを防
止するものと考えられる。しかし一方あまり面粗さが粗
くなると、磁性薄膜の厚さの精度を低下させるので好ま
しくない。
〔実施例3〕
本発明におけるように磁気コアの接合と、この磁気コア
のスライダ中への埋設固着と2種類のガラスを使用する
場合には、接合ガラスと固着ガラスの軟化点および線膨
張係数を適切に選定しないと、磁気コアの磁気間隙が埋
設固着時に変化したり、ガラスにクラックを生じたりし
て不都合である。本発明のようにスライダとして線膨張
係数85〜95 X 10−’/’Cの安定化ZrO,
および基板として線膨張係数120〜140X10−’
/℃のMnO−Ni○セラミックスを使用する場合には
、スライダ中に磁気コアを埋設固着する際の固着ガラス
としては、線膨張係数85〜95×10−’/℃、軟化
点430〜460℃のガラスを540℃程度で加熱して
使用するのが、ガラスにクランクを発生することなく固
着を行なうのに適当であるとされている。しかし上記ガ
ラスを固着ガラスとして使用する場合に、磁気コアの接
合に使用する接合ガラスに必要な物性が不明確であった
。第2表は接合ガラスの物性を変化させた場合の状況を
示す表であり、固着ガラスは何れも線膨張係数92 X
10−7/℃、軟化点445℃を使用し、540℃で
固着した場合の結果である。
のスライダ中への埋設固着と2種類のガラスを使用する
場合には、接合ガラスと固着ガラスの軟化点および線膨
張係数を適切に選定しないと、磁気コアの磁気間隙が埋
設固着時に変化したり、ガラスにクラックを生じたりし
て不都合である。本発明のようにスライダとして線膨張
係数85〜95 X 10−’/’Cの安定化ZrO,
および基板として線膨張係数120〜140X10−’
/℃のMnO−Ni○セラミックスを使用する場合には
、スライダ中に磁気コアを埋設固着する際の固着ガラス
としては、線膨張係数85〜95×10−’/℃、軟化
点430〜460℃のガラスを540℃程度で加熱して
使用するのが、ガラスにクランクを発生することなく固
着を行なうのに適当であるとされている。しかし上記ガ
ラスを固着ガラスとして使用する場合に、磁気コアの接
合に使用する接合ガラスに必要な物性が不明確であった
。第2表は接合ガラスの物性を変化させた場合の状況を
示す表であり、固着ガラスは何れも線膨張係数92 X
10−7/℃、軟化点445℃を使用し、540℃で
固着した場合の結果である。
以下余白
第2表
第2表から明らかなように、N12,3においては、埋
設固着前後においてギャップ長が変化するため、磁気ヘ
ッドとしての特性を劣化させるため不都合である。また
!1h4.5においては、上記ギヤ・7プ長の変化は認
められないが、接合ガラスにクラックを発生させるため
好ましくない。これらに対し、隘1に示すものを使用す
れば、スライダへの埋設固着時におけるギャップ長の変
化がなく。
設固着前後においてギャップ長が変化するため、磁気ヘ
ッドとしての特性を劣化させるため不都合である。また
!1h4.5においては、上記ギヤ・7プ長の変化は認
められないが、接合ガラスにクラックを発生させるため
好ましくない。これらに対し、隘1に示すものを使用す
れば、スライダへの埋設固着時におけるギャップ長の変
化がなく。
かつ接合ガラスにクラックの生じない良好な磁気ヘッド
を得ることができる。接合ガラスの軟化点が低すぎると
、磁気コアの埋設固着時に接合ガラスの粘性が低下して
ギャップ長が変化するので好ましくない。また接合ガラ
スと固着ガラスとの線膨張係数の差が大きいと、接合ガ
ラスに応力が集中してクラックを生ずるので不都合であ
る。本実施例においては、線膨張係数97 X 10−
7/’C。
を得ることができる。接合ガラスの軟化点が低すぎると
、磁気コアの埋設固着時に接合ガラスの粘性が低下して
ギャップ長が変化するので好ましくない。また接合ガラ
スと固着ガラスとの線膨張係数の差が大きいと、接合ガ
ラスに応力が集中してクラックを生ずるので不都合であ
る。本実施例においては、線膨張係数97 X 10−
7/’C。
軟化点590℃のものが良好であったが、これらの数値
は通常±5%の変動は許容される。
は通常±5%の変動は許容される。
〔実施例4〕
第6図は磁気ヘッドを構成するスライダ材についてC8
Sテストを行なった場合のディスクの損傷度を示す図で
ある。媒体には5.25inのC。
Sテストを行なった場合のディスクの損傷度を示す図で
ある。媒体には5.25inのC。
−N i[膜層のスパッタディスクを使用し1表面には
潤滑層としてカーボンを約300人スパッタリングで形
成しである。CSSテストのサイクルタイムは第7図に
示す通りである。ディスクの損傷度は、前記第4図に示
すスライダ30の突条部30a、すなわち空気ベアリン
グ面全面に亘ってディスク面に傷が発生した場合を10
として評価しである。第6図においてA、B、Cは夫々
スライダの構成材料が安定化ZrO,,CaTi0iお
よびA 120z T i Cに対応するものである
。
潤滑層としてカーボンを約300人スパッタリングで形
成しである。CSSテストのサイクルタイムは第7図に
示す通りである。ディスクの損傷度は、前記第4図に示
すスライダ30の突条部30a、すなわち空気ベアリン
グ面全面に亘ってディスク面に傷が発生した場合を10
として評価しである。第6図においてA、B、Cは夫々
スライダの構成材料が安定化ZrO,,CaTi0iお
よびA 120z T i Cに対応するものである
。
同図から明らかなように1本発明の磁気ヘッドを構成す
る安定化ZrO□ (A)はCSS性に優れ。
る安定化ZrO□ (A)はCSS性に優れ。
高い信頼性を有することがわかる。
ZrChを安定化させるためには、 YZ 03 。
MgO,CaO等の安定化剤を添加するのであるが、こ
れらの安定化剤を添加しない場合には。
れらの安定化剤を添加しない場合には。
2400℃以上の高温では立方晶(C相)であり。
約1200〜2400°Cでは正方晶(を相)となり、
それ以下〜常温では単斜晶(m相)となる。
それ以下〜常温では単斜晶(m相)となる。
また上記安定化剤の量が掻めて少ない場合には。
ZrO,は常温ではm相となるが、安定化剤の量の増加
によりC相が常温でも存在するようになり。
によりC相が常温でも存在するようになり。
更に安定化剤の量の増加により常温でもC相が存在する
ことになる。従って本発明のスライダにおいては、Zr
O,を常温でC相とするに足りる安定化剤を含有させる
ことが好ましく、この含有量としてはY、03の場合に
は5〜20モル%であることが望ましい。ただしMgO
やCaOを同時に含有させても差支えない。
ことになる。従って本発明のスライダにおいては、Zr
O,を常温でC相とするに足りる安定化剤を含有させる
ことが好ましく、この含有量としてはY、03の場合に
は5〜20モル%であることが望ましい。ただしMgO
やCaOを同時に含有させても差支えない。
なお上記安定化剤が過剰に含まれた場合には。
立方晶ZrO2の中にY4 Z r3012のようなZ
rO□−Y2O3の化合物が析出して、摺動性の劣化お
よび強度の低下を招来する。従って20モル%以上のY
2O3を含有させることは望ましくない。一方安定化剤
の量が少ないと、上記のようにC相やm相が現われ、常
温でm相が出現すると体積膨張を伴なう。この結果、ス
ライダへの膜付け、パターン付けの際の数百℃までの加
熱や。
rO□−Y2O3の化合物が析出して、摺動性の劣化お
よび強度の低下を招来する。従って20モル%以上のY
2O3を含有させることは望ましくない。一方安定化剤
の量が少ないと、上記のようにC相やm相が現われ、常
温でm相が出現すると体積膨張を伴なう。この結果、ス
ライダへの膜付け、パターン付けの際の数百℃までの加
熱や。
その後の冷却に起因してm相が出現し、スライダの反り
やパターンのずれが発生するおそれがある。
やパターンのずれが発生するおそれがある。
よって安定化剤の下限値は5モル%である。
また安定化ZrO,としては結晶粒径を12μm以下と
すると加工時のチッピングが少なくて望ましい。このよ
うに結晶粒を微細化させるためには、主相中にIVa、
Va、Via族の元素の炭化物およびアルミナ(酸化ア
ルミニウム)からなる群から選ばれた1種または2種以
上の化合物(炭化物または酸化物)の微粒子を分散させ
ることにより、焼成時におけるZrO2の結晶粒の成長
を抑制するのが望ましい。第6図に示す安定化ZrO2
としては、Zr0z83モル%、YzC)+7モル%、
A I!z O:15モル%、TiC5モル%の組成
のものを使用し、線膨張係数は90×10−’/”C,
ビッカース硬度は1400kg/m■2であった。
すると加工時のチッピングが少なくて望ましい。このよ
うに結晶粒を微細化させるためには、主相中にIVa、
Va、Via族の元素の炭化物およびアルミナ(酸化ア
ルミニウム)からなる群から選ばれた1種または2種以
上の化合物(炭化物または酸化物)の微粒子を分散させ
ることにより、焼成時におけるZrO2の結晶粒の成長
を抑制するのが望ましい。第6図に示す安定化ZrO2
としては、Zr0z83モル%、YzC)+7モル%、
A I!z O:15モル%、TiC5モル%の組成
のものを使用し、線膨張係数は90×10−’/”C,
ビッカース硬度は1400kg/m■2であった。
本発明は以上記述のような構成および作用であるから、
高い再生出力を示し、形状効果による再生出力のうねり
を生ずることなく、CSS性に優れ、かつ高い信頼性を
有するという効果がある。
高い再生出力を示し、形状効果による再生出力のうねり
を生ずることなく、CSS性に優れ、かつ高い信頼性を
有するという効果がある。
従って浮上型磁気ヘッドとして工業上の利用価値が極め
て大きい。特にCoNiスパッタディスク等の薄膜を媒
体とする高密度記録用磁気ディスり装置に使用した場合
には、高出力、高信頼性の磁気ヘッドとして有効である
。
て大きい。特にCoNiスパッタディスク等の薄膜を媒
体とする高密度記録用磁気ディスり装置に使用した場合
には、高出力、高信頼性の磁気ヘッドとして有効である
。
第1図は本発明の実施例における磁気間隙部の拡大平面
図、第2図(al〜(elは同磁気コアの製造工程の説
明図、第3図は同磁気コアを示す拡大斜視図、第4図は
本発明の実施例を示すスライダの斜視図、第5図は相対
再生出力と周波数との関係を示す線図、第6図はディス
ク損傷度と相対CSS回数との関係を示す図、第7図は
C8Sサイクルタイムを表わす図、第8図はインダクタ
ンスと周波数との関係を示す線図、第9図は従来の磁気
ヘッドにおける磁気間隙部の拡大平面図である。 11.12:基板、 13:磁気間隙。 14.15:平行部、16.17:磁性薄膜。 18:接合ガラス、 28:磁気コア。 30ニスライダ。 特許出願人 日立金属株式会社 代 理 人 弁理士 森1)寛 $ 3 区 第 5[2) 第 6 区 相対CSS回数 第 7 図 /!′l衷杖 (間Hz) 第 9[2]
図、第2図(al〜(elは同磁気コアの製造工程の説
明図、第3図は同磁気コアを示す拡大斜視図、第4図は
本発明の実施例を示すスライダの斜視図、第5図は相対
再生出力と周波数との関係を示す線図、第6図はディス
ク損傷度と相対CSS回数との関係を示す図、第7図は
C8Sサイクルタイムを表わす図、第8図はインダクタ
ンスと周波数との関係を示す線図、第9図は従来の磁気
ヘッドにおける磁気間隙部の拡大平面図である。 11.12:基板、 13:磁気間隙。 14.15:平行部、16.17:磁性薄膜。 18:接合ガラス、 28:磁気コア。 30ニスライダ。 特許出願人 日立金属株式会社 代 理 人 弁理士 森1)寛 $ 3 区 第 5[2) 第 6 区 相対CSS回数 第 7 図 /!′l衷杖 (間Hz) 第 9[2]
Claims (2)
- (1)磁気記録媒体との対向面に磁気間隙が出現するよ
うに基板の上端部を突合せ配設し、前記磁気間隙が磁気
記録再生トラックとなるように前記基板上端縁部を斜め
に切除して前記基板上端面部を台形に形成し、前記磁気
間隙に臨む基板の上端部の少なくとも一方に磁性薄膜を
成膜し、前記両基板を接合ガラスを介して接合して構成
した磁気ヘッドを、スライダ中に設けたスリット中に固
着ガラスを介して埋設固着してなる磁気ディスク装置用
浮上型磁気ヘッドにおいて、(i)前記磁気間隙に臨む
基板端面の平均面粗さを40Å以上でありかつ前記磁性
薄膜の 膜厚の10%以下に形成し、 (ii)磁性薄膜をAl3〜7重量%、Si7〜11重
量%、Fe残部を主成分とし、ある いは他の添加物を含有するFe−Al−Si合金で構成
し、 (iii)基板をMnO67〜90モル%、NiO10
〜33モル%を含み岩塩型結 晶構造を有するMnO−NiOセラミック ス、あるいはCaO、ZrO_2、Al_2O_3、V
_2O_5、BaO、Y_2O_3およびCuOの1種
または2種以上を10モル%以下含 有する上記MnO−NiOセラミックスで 構成し、 (iv)スライダを線膨張係数85〜95×10^−^
7/℃の安定化ZrO_2で構成し、 (v)接合ガラスを線膨張係数92〜102×10^−
^7/℃、軟化点560〜620℃のガラスで構成し、 (vi)固着ガラスを線膨張係数85〜95×10^−
^7/℃、軟化点430〜460℃のガラスで構成した ことを特徴とする磁気ディスク装置用浮上型磁気ヘッド
。 - (2)磁気記録媒体がCo−Ni系スパッタディスクで
ある固定磁気ディスク装置に使用する特許請求の範囲第
1項記載の磁気ディスク装置用浮上型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18047786A JPS6337819A (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | 磁気デイスク装置用浮上型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18047786A JPS6337819A (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | 磁気デイスク装置用浮上型磁気ヘツド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6337819A true JPS6337819A (ja) | 1988-02-18 |
Family
ID=16083905
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18047786A Pending JPS6337819A (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | 磁気デイスク装置用浮上型磁気ヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6337819A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0287314A (ja) * | 1988-09-24 | 1990-03-28 | Ngk Insulators Ltd | 固定磁気ディスク装置用コアスライダの製造法 |
EP0510690A2 (en) * | 1991-04-25 | 1992-10-28 | Nec Corporation | Magnetic head |
CN106964920A (zh) * | 2017-03-10 | 2017-07-21 | 湖南科美达电气股份有限公司 | 一种介质盒的制作工装及制作方法 |
-
1986
- 1986-07-31 JP JP18047786A patent/JPS6337819A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0287314A (ja) * | 1988-09-24 | 1990-03-28 | Ngk Insulators Ltd | 固定磁気ディスク装置用コアスライダの製造法 |
EP0510690A2 (en) * | 1991-04-25 | 1992-10-28 | Nec Corporation | Magnetic head |
CN106964920A (zh) * | 2017-03-10 | 2017-07-21 | 湖南科美达电气股份有限公司 | 一种介质盒的制作工装及制作方法 |
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