JPS63263614A - 磁気ヘツドコア - Google Patents
磁気ヘツドコアInfo
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- JPS63263614A JPS63263614A JP9719387A JP9719387A JPS63263614A JP S63263614 A JPS63263614 A JP S63263614A JP 9719387 A JP9719387 A JP 9719387A JP 9719387 A JP9719387 A JP 9719387A JP S63263614 A JPS63263614 A JP S63263614A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は磁気ディスクや磁気カード、磁気テープなどの
磁気記録媒体に対する情報の書き込み、読み出しに用い
られる磁気ヘッドに関する。
磁気記録媒体に対する情報の書き込み、読み出しに用い
られる磁気ヘッドに関する。
[従来の技術]
磁気ディスク装置での情報の書き込み、読み出しに用い
られる磁気ヘッドとしては例えばUSP−382341
6に示されている様な浮上型ヘッドが多く使用されてい
る。この浮上型ヘッドは、スライダーと該スライダーの
後端部に取り付けられた磁気コアとを備える0通常のコ
アは、磁気記録媒体に対面する部位にギャップ部を有す
ると共に、中央に窓孔を備える。そして、この窓孔を通
して巻線がコアに巻き付けられる。通常のコアは、I型
半割体とC型半割体とをガラスで接着して成る。C型半
割体は、接合される側に凹部を有し、それ故に外観がC
字形に類似した形状である、■型半割体は、略々直方体
形状であり、それ故に1字に類似した形状である。C型
半訂体と■型半割体とを接合すると、C型半割体の上記
凹部が巻線挿通用の窓孔を形成する。
られる磁気ヘッドとしては例えばUSP−382341
6に示されている様な浮上型ヘッドが多く使用されてい
る。この浮上型ヘッドは、スライダーと該スライダーの
後端部に取り付けられた磁気コアとを備える0通常のコ
アは、磁気記録媒体に対面する部位にギャップ部を有す
ると共に、中央に窓孔を備える。そして、この窓孔を通
して巻線がコアに巻き付けられる。通常のコアは、I型
半割体とC型半割体とをガラスで接着して成る。C型半
割体は、接合される側に凹部を有し、それ故に外観がC
字形に類似した形状である、■型半割体は、略々直方体
形状であり、それ故に1字に類似した形状である。C型
半訂体と■型半割体とを接合すると、C型半割体の上記
凹部が巻線挿通用の窓孔を形成する。
浮上型磁気ヘッドは、磁気ディスクが静止している時に
はスプリングの力で軽く磁気ディスクに接触している。
はスプリングの力で軽く磁気ディスクに接触している。
また磁気ディスクが回転している時には、磁気ディスク
表面の空気が動いてスライダー下面を持ち上げる力が作
用する。そのため磁気ヘッドは回転中は浮上し磁気ディ
スクから離れている。一方磁気ディスクの回転をスター
トする時及びストップする時には、磁気ヘッドは磁気デ
、イスク上を摺動する。磁気ディスクの回転を止める時
の接触の状況を説明すると、回転数を落してきた時にそ
の表面の空気の流れも次第に遅くなる。そして磁気ヘッ
ドの浮力が失われた時磁気ヘッドはディスク面に衝突す
ると共にその反動でとび上り、またディスク面に落る。
表面の空気が動いてスライダー下面を持ち上げる力が作
用する。そのため磁気ヘッドは回転中は浮上し磁気ディ
スクから離れている。一方磁気ディスクの回転をスター
トする時及びストップする時には、磁気ヘッドは磁気デ
、イスク上を摺動する。磁気ディスクの回転を止める時
の接触の状況を説明すると、回転数を落してきた時にそ
の表面の空気の流れも次第に遅くなる。そして磁気ヘッ
ドの浮力が失われた時磁気ヘッドはディスク面に衝突す
ると共にその反動でとび上り、またディスク面に落る。
この様な運動を何度が繰り返した上で、磁気ヘッドはデ
ィスク上を引きずられる様にして停止する。この様な起
動、停止時の衝撃に磁気ヘッドは耐える必要があり、そ
の性能をC8S性(Contact 5tart 5t
op)と呼ぶことが多い。
ィスク上を引きずられる様にして停止する。この様な起
動、停止時の衝撃に磁気ヘッドは耐える必要があり、そ
の性能をC8S性(Contact 5tart 5t
op)と呼ぶことが多い。
高透磁率酸化物磁性材料であるフェライトで構成された
磁気コアは比較的良好な耐CSS性を示すが、飽和磁束
密度が小さく、高保磁力の記録媒体に対して充分に記録
出来ないという欠点がある。すなわち比較的飽和磁束密
度Bsの高いMn−ZnフェライトでもBsは高々5.
500〜6.0OOG程度であり、Bs≧8000Gの
得られる金属磁性膜を磁気ギャップ部に配置したものの
方が望ましい、この−例としてフェライトで構成される
コアギャップ部にのみ高飽和磁束密度の金属磁性膜を設
けた磁気ヘッドが知られている。
磁気コアは比較的良好な耐CSS性を示すが、飽和磁束
密度が小さく、高保磁力の記録媒体に対して充分に記録
出来ないという欠点がある。すなわち比較的飽和磁束密
度Bsの高いMn−ZnフェライトでもBsは高々5.
500〜6.0OOG程度であり、Bs≧8000Gの
得られる金属磁性膜を磁気ギャップ部に配置したものの
方が望ましい、この−例としてフェライトで構成される
コアギャップ部にのみ高飽和磁束密度の金属磁性膜を設
けた磁気ヘッドが知られている。
[発明が解決しようとする問題点]
この磁性薄膜としてはセンダスト合金がしばしば用いら
れる。このセンダスト膜は、スパッタリングなどの成膜
法によって形成される。C型半割体にスパッタリングし
た場合、C型半割体の凹部のうち、磁気ギャップ面と非
平行な面(以下、斜面という)では、スパッタ時に析出
速度が小さくなり、それ故に製造されたコアにおいては
センダストの膜厚がこの斜面部分において小さくなるこ
とが認められた。このように膜厚が小さいと、磁気抵抗
が大きくなり、再生出力が減少する原因となる。
れる。このセンダスト膜は、スパッタリングなどの成膜
法によって形成される。C型半割体にスパッタリングし
た場合、C型半割体の凹部のうち、磁気ギャップ面と非
平行な面(以下、斜面という)では、スパッタ時に析出
速度が小さくなり、それ故に製造されたコアにおいては
センダストの膜厚がこの斜面部分において小さくなるこ
とが認められた。このように膜厚が小さいと、磁気抵抗
が大きくなり、再生出力が減少する原因となる。
[問題点を解決するための手段]
本発明の磁気ヘッドのコアはたがいに接合されてコアを
形成する半割体を備えている。一方の第1の半割体は、
他方の第2の半割体に接合された際に巻線挿通用窓孔を
形成するための凹部を有する。そして、第1及び第2の
半割体の接合部の一端には磁気ギャップが形成される。
形成する半割体を備えている。一方の第1の半割体は、
他方の第2の半割体に接合された際に巻線挿通用窓孔を
形成するための凹部を有する。そして、第1及び第2の
半割体の接合部の一端には磁気ギャップが形成される。
また、第1及び第2の半割体のうち少なくとも第1の半
割体の接合側の面にはセンダスト膜が設けられる。そし
て、この第1の半割体のセンダスト膜は、ギャップ面で
は半割体表面と略垂直な柱状晶より成り、凹部の斜面に
おいては半割体表面に対してギャップ部を指向した方向
もしくはそれと反対方向に傾斜した柱状晶より成る。
割体の接合側の面にはセンダスト膜が設けられる。そし
て、この第1の半割体のセンダスト膜は、ギャップ面で
は半割体表面と略垂直な柱状晶より成り、凹部の斜面に
おいては半割体表面に対してギャップ部を指向した方向
もしくはそれと反対方向に傾斜した柱状晶より成る。
[作用]
本発明者等が種々の検討を重ねたところ、柱状晶より成
るセンダスト膜においては次の磁気特性を有しているこ
とが認められた。すなわち、該センダスト膜の柱状晶が
基板表面に傾斜していると、該傾斜した方向又はそれと
反対方向の膜面的透磁率は、基板表面と垂直な柱状晶よ
り成るセンダスト膜の膜面的透磁率よりも大きい。
るセンダスト膜においては次の磁気特性を有しているこ
とが認められた。すなわち、該センダスト膜の柱状晶が
基板表面に傾斜していると、該傾斜した方向又はそれと
反対方向の膜面的透磁率は、基板表面と垂直な柱状晶よ
り成るセンダスト膜の膜面的透磁率よりも大きい。
本発明においては、半割体の凹部斜面において基板表面
に対し、センダスト膜の柱状晶がギャップを指向した方
向又はこれと反対方向に傾斜したものとなっている。そ
のため、この凹部斜面における膜厚が小さくとも、セン
ダスト膜の磁気抵抗が小灸くなる。これにより再生出力
が増大する。
に対し、センダスト膜の柱状晶がギャップを指向した方
向又はこれと反対方向に傾斜したものとなっている。そ
のため、この凹部斜面における膜厚が小さくとも、セン
ダスト膜の磁気抵抗が小灸くなる。これにより再生出力
が増大する。
以下本発明の好ましい態様について詳細に説明する。
第1図は本発明の磁気ヘッドのコアを拡大して模式的に
示す断面図、第2図及び第3図はそれぞれセンダスト膜
の断面における金属組織を示す顕微鏡写真である。第4
図はコアの斜視図、第5図はコアを装着した磁気ヘッド
の斜視図、第6図はギャップ部の平面図である。第7図
は本発明のコアの製造方法を示す。
示す断面図、第2図及び第3図はそれぞれセンダスト膜
の断面における金属組織を示す顕微鏡写真である。第4
図はコアの斜視図、第5図はコアを装着した磁気ヘッド
の斜視図、第6図はギャップ部の平面図である。第7図
は本発明のコアの製造方法を示す。
まず′、本発明に係る磁気ヘッドの構成について説明す
る。
る。
第5図のように、磁気ヘッド1は非磁性スライダー2と
コア3とを備えている。コア3はスライダー2の2本の
空気ベアリング面4.5の一方の面4に形成されたスリ
ット6中に、ガラス等でモールド固定されている。7は
巻線を示す。
コア3とを備えている。コア3はスライダー2の2本の
空気ベアリング面4.5の一方の面4に形成されたスリ
ット6中に、ガラス等でモールド固定されている。7は
巻線を示す。
占ア3は、第1.4図のように、第1の半割体11と第
2の半割体12とを有する。第1の半割体11は、凹部
13を有するC型半割体であり、第2の半割体12は直
方体状のI型半割体である。半割体11.12の接合側
の面にはセンダスト膜14.15がスパッタリング法に
より被着されでおり、このセンダスト膜14.15を有
する面同志がガラス16を介して接合される。コア3の
接合面のうち一方は磁気ギャップ17となりており、好
ましくはギャップ面と垂直な断面形状が台形となる。第
6図の寸法Gはギャップの間隔を示す。符号13aは凹
部13の斜面を示す。
2の半割体12とを有する。第1の半割体11は、凹部
13を有するC型半割体であり、第2の半割体12は直
方体状のI型半割体である。半割体11.12の接合側
の面にはセンダスト膜14.15がスパッタリング法に
より被着されでおり、このセンダスト膜14.15を有
する面同志がガラス16を介して接合される。コア3の
接合面のうち一方は磁気ギャップ17となりており、好
ましくはギャップ面と垂直な断面形状が台形となる。第
6図の寸法Gはギャップの間隔を示す。符号13aは凹
部13の斜面を示す。
センダストlI!14.15は1層のみでも良いが、透
磁率の周波数特性を改善するために例えばSiO+層の
ような絶縁層を介して2層もしくはそれ以上の多層積層
構造としても良い。
磁率の周波数特性を改善するために例えばSiO+層の
ような絶縁層を介して2層もしくはそれ以上の多層積層
構造としても良い。
センダスト膜は、C型半割体にのみ設けても良い。さら
に、ギャップ部においては、センダスト膜は図示の通り
台形の上辺11aと斜辺ttb、11cの双方の部分に
成膜しても良く、台形の上辺11aに相当する部分にの
み成膜しても良い。
に、ギャップ部においては、センダスト膜は図示の通り
台形の上辺11aと斜辺ttb、11cの双方の部分に
成膜しても良く、台形の上辺11aに相当する部分にの
み成膜しても良い。
センダスト膜の好ましい組成は重量%でAu4〜8%、
Si8〜11%、Fe81〜88%である。高透磁率を
得る目的でAj25〜7%、Si8.5〜10%、Fe
83〜86.5%が好ましい、センダスト膜は、合計の
厚さが1〜10μm程度とするのが好適である。中間絶
縁層の5i(h膜厚は0.02〜0.1μmが充分に絶
縁を維持出来かつ全体の膜中に占めるF e−An−3
i膜の割合を低下させなく好ましい。
Si8〜11%、Fe81〜88%である。高透磁率を
得る目的でAj25〜7%、Si8.5〜10%、Fe
83〜86.5%が好ましい、センダスト膜は、合計の
厚さが1〜10μm程度とするのが好適である。中間絶
縁層の5i(h膜厚は0.02〜0.1μmが充分に絶
縁を維持出来かつ全体の膜中に占めるF e−An−3
i膜の割合を低下させなく好ましい。
半割体11.12の望ましい材質は酸化マンガンと酸化
亜鉛よりなるMn−Znフェライトである。
亜鉛よりなるMn−Znフェライトである。
センダスト膜の柱状晶の方向は、このセンダスト膜をス
パッタリングにて成膜するに際し、ターゲットを柱状晶
の成長させたい方向の延長方向に位置させれば良い。第
1図のI型半割体のように、センダスト膜の柱状晶がす
べて略垂直となるものは、図においてターゲットを右手
方向延長位置にセットすれば良い。
パッタリングにて成膜するに際し、ターゲットを柱状晶
の成長させたい方向の延長方向に位置させれば良い。第
1図のI型半割体のように、センダスト膜の柱状晶がす
べて略垂直となるものは、図においてターゲットを右手
方向延長位置にセットすれば良い。
本発明では、ギャップ部(第6図の場合では、辺11a
の部分)では柱状晶が半割体表面に対し80〜110°
とりわけ85°〜95°の範囲となる垂直柱状晶が好適
であり、前記凹部13の斜面13aでは半割体表面に対
し30°〜80°とりわけ45°〜85°の範囲となる
ように傾斜した柱状晶であるのが好ましい。第1図のθ
はこの柱状晶の角度を示す。第1図では、柱状晶はギャ
ップ部を指向した方向に傾斜しているが、これと反対方
向に傾斜していても良い。
の部分)では柱状晶が半割体表面に対し80〜110°
とりわけ85°〜95°の範囲となる垂直柱状晶が好適
であり、前記凹部13の斜面13aでは半割体表面に対
し30°〜80°とりわけ45°〜85°の範囲となる
ように傾斜した柱状晶であるのが好ましい。第1図のθ
はこの柱状晶の角度を示す。第1図では、柱状晶はギャ
ップ部を指向した方向に傾斜しているが、これと反対方
向に傾斜していても良い。
第2図及び第3図はC型半割体のギヤツブ部平打面(辺
11aの面)及び斜面13aにおけるセンダスト膜の金
属組織を示す顕微鏡写真である。
11aの面)及び斜面13aにおけるセンダスト膜の金
属組織を示す顕微鏡写真である。
第2図の通り、ギャップ部では垂直な柱状晶であり、第
3図の通り斜面13aでは約75°に傾斜した柱状晶で
ある。
3図の通り斜面13aでは約75°に傾斜した柱状晶で
ある。
半割体11.12同志を結合するガラスは、磁気コアを
スライダーに固定するのに使用されるガラスよりも高軟
化点のものが望ましい。具体的にはかかるガラスとして
は軟化点350℃以上、熱膨張係数150xlO””d
eg−’以下が適しており、該物性を示すガラス組成と
しては、Pb055.8.5i0237.1、K2O7
,1重量%が挙げられる。
スライダーに固定するのに使用されるガラスよりも高軟
化点のものが望ましい。具体的にはかかるガラスとして
は軟化点350℃以上、熱膨張係数150xlO””d
eg−’以下が適しており、該物性を示すガラス組成と
しては、Pb055.8.5i0237.1、K2O7
,1重量%が挙げられる。
スライダー材としてはCaTiO3が機械的特性に優れ
適している。CaTi0aの熱膨張係数は105〜11
0 X 10−’deg−’でありビッカース硬度は8
50kg/mrr?である。このCaTiO3スライダ
ー材を用い磁気コアを埋設固定する場合のガラスとして
は熱膨張係数91X10−’deg−’で軟化点446
℃程度のものを用い540℃でガラスを加熱流入させる
ことにより、ガラス中にクラックを生じない良好な磁気
ヘッドが得られる。
適している。CaTi0aの熱膨張係数は105〜11
0 X 10−’deg−’でありビッカース硬度は8
50kg/mrr?である。このCaTiO3スライダ
ー材を用い磁気コアを埋設固定する場合のガラスとして
は熱膨張係数91X10−’deg−’で軟化点446
℃程度のものを用い540℃でガラスを加熱流入させる
ことにより、ガラス中にクラックを生じない良好な磁気
ヘッドが得られる。
ギャップ部における半割体の形状を台形とすることの利
点は次の通りである。即ち、この半割体のギャップ部の
形状が三角形であると、三角形の頂点同志が向き合った
、それ故にギャップ部の平面視形状がX型となったコア
となるのであるが、このようなX型のコアでは、三角形
の頂点部分でのセンダスト膜の膜厚が他の部分での膜厚
よりも極度に薄くなり、このために再生出力が低下する
ようになり易い、これに対し、台形状であると、半割体
の互いに向き合う頂点部分(第6図の11aの部分)が
平行面となり、この部分でのセンダスト膜厚が減少せず
、再生出力が低下しないのである。
点は次の通りである。即ち、この半割体のギャップ部の
形状が三角形であると、三角形の頂点同志が向き合った
、それ故にギャップ部の平面視形状がX型となったコア
となるのであるが、このようなX型のコアでは、三角形
の頂点部分でのセンダスト膜の膜厚が他の部分での膜厚
よりも極度に薄くなり、このために再生出力が低下する
ようになり易い、これに対し、台形状であると、半割体
の互いに向き合う頂点部分(第6図の11aの部分)が
平行面となり、この部分でのセンダスト膜厚が減少せず
、再生出力が低下しないのである。
台形の形状としては、第6図に示した台形斜辺と台形上
辺との交叉角aが45°〜75°程度となるようにし、
トラック幅T胃が7〜30μm程度となるようにするの
が好適である。
辺との交叉角aが45°〜75°程度となるようにし、
トラック幅T胃が7〜30μm程度となるようにするの
が好適である。
かかる磁気コアは第7図(a)〜(e)に示した工程に
より容易に作製することが出来る。該工程を概略説明す
ると以下である。まずW形状の溝39.40を加工した
Mn−Znフェライト基板37.38を用意する。次に
頂点部を(C)図のc−c ’の点線部まで研磨加工を
程し所定のトラック幅Twを得る。該加工基板42上に
Fe−Al2−3i膜41を成膜する。成膜は5i(h
を介し積層した多層膜あるいは単層膜いずれをも採用す
ることが出来る。この成膜された一対の基板・37.3
8は所定のギャップ長Gを得るための絶縁層をはさみ(
図では省略)、巻線窓孔部44に置かれたボンディング
ガラス棒45を加熱流入させる事により一対の接合を行
なう。この後接合ブロックは所定の厚さになる様切断さ
れ磁気コアを得る。
より容易に作製することが出来る。該工程を概略説明す
ると以下である。まずW形状の溝39.40を加工した
Mn−Znフェライト基板37.38を用意する。次に
頂点部を(C)図のc−c ’の点線部まで研磨加工を
程し所定のトラック幅Twを得る。該加工基板42上に
Fe−Al2−3i膜41を成膜する。成膜は5i(h
を介し積層した多層膜あるいは単層膜いずれをも採用す
ることが出来る。この成膜された一対の基板・37.3
8は所定のギャップ長Gを得るための絶縁層をはさみ(
図では省略)、巻線窓孔部44に置かれたボンディング
ガラス棒45を加熱流入させる事により一対の接合を行
なう。この後接合ブロックは所定の厚さになる様切断さ
れ磁気コアを得る。
具体的な実施例を次に説明する。
第7図に示した手順に従ってコアを製造した。
このコアの大きさ及び構成は次の通りである。
半割体の材買: Mn−ZnフェライトMnO30
ZnO15moj2%
残部 Fe20a
半割体の大きさ: 第4図に記入の通り。
センダスト膜組成: Fe 85wt%AJ!
6wt% St 9 wt% ギャップ部における センダスト膜の厚さ: 単層3μm 凹部斜面における センダスト膜の厚さ: 単層2μm ギャップ部の構成: 第6図に示した台形形状であり、
寸法は同図 に記入の通り、但し、 Tww13μm G−0,7μm − ボンディングガラス: Pb0 55.8wt%Si
0237. 1wt%・ に 207.1 冑t% 軟化点 590℃ 熱膨張係数 97x 10−’deg −’ なお、ギャップ部では柱状晶は90°、傾斜面では45
°の角度である。
6wt% St 9 wt% ギャップ部における センダスト膜の厚さ: 単層3μm 凹部斜面における センダスト膜の厚さ: 単層2μm ギャップ部の構成: 第6図に示した台形形状であり、
寸法は同図 に記入の通り、但し、 Tww13μm G−0,7μm − ボンディングガラス: Pb0 55.8wt%Si
0237. 1wt%・ に 207.1 冑t% 軟化点 590℃ 熱膨張係数 97x 10−’deg −’ なお、ギャップ部では柱状晶は90°、傾斜面では45
°の角度である。
このコアに、21ターンの巻線を施し、次いでCaTi
Os製のスライダに装着した。装着した状態の斜視図は
第5図の通りであり、寸法は同図に記入されている。
Os製のスライダに装着した。装着した状態の斜視図は
第5図の通りであり、寸法は同図に記入されている。
この磁気ヘッドの再生特性の測定結果は第1表の通りで
ある。なお、試験条件は次の通りである。
ある。なお、試験条件は次の通りである。
ディスク: Co−N1スパッタディスク(
保磁力8500e) ディスク回転数: 3600rpm周波数:
2.5MHz 記録電流: 60mA 浮上量= 0.3μm センダスト膜の斜面における柱状晶の角度のみを変えた
他は上記と同様の構成の磁気ヘッドについて、’[4B
変換特性を同様にして測定した。結果を第1表に示す。
保磁力8500e) ディスク回転数: 3600rpm周波数:
2.5MHz 記録電流: 60mA 浮上量= 0.3μm センダスト膜の斜面における柱状晶の角度のみを変えた
他は上記と同様の構成の磁気ヘッドについて、’[4B
変換特性を同様にして測定した。結果を第1表に示す。
第1表
(※)凹部の斜面における半割体表面と柱状晶とのなす
角度。
角度。
なお、NO,5の半割体の模式的な断面を第8図に示す
、 。
、 。
第1表より、柱状晶が傾斜していると著しく再生出力が
向上することが明らかである。
向上することが明らかである。
〔効果]
以上の通り、本発明のコアは、コアのセンダスト膜の柱
状晶の方向が適切とされており(該センダスト膜の膜面
内方向の透磁率が高い、従って、本発明によれば磁気ヘ
ッドの再生出力を高いものとすることができる。
状晶の方向が適切とされており(該センダスト膜の膜面
内方向の透磁率が高い、従って、本発明によれば磁気ヘ
ッドの再生出力を高いものとすることができる。
第1図は本発明の実施例に係るコアの模式的な断面図、
第2図及び第3図はセンダスト膜の金属組織を示す顕微
鏡写真、第4図はコアの斜視図、第5図はスライダの斜
視図、第6図はギャップ部の平面図、第7図はコアの製
造説明図、第8図は比較例を示す模式的な断面図である
。 1・・・磁気ヘッド、 2・・・スライダー、3・
・・コア、 11.12・・・半割体。 代理人 弁理士 瓜 野 剛 第1図 第4図 第7図 (C) ム1 (d) (e)
第2図及び第3図はセンダスト膜の金属組織を示す顕微
鏡写真、第4図はコアの斜視図、第5図はスライダの斜
視図、第6図はギャップ部の平面図、第7図はコアの製
造説明図、第8図は比較例を示す模式的な断面図である
。 1・・・磁気ヘッド、 2・・・スライダー、3・
・・コア、 11.12・・・半割体。 代理人 弁理士 瓜 野 剛 第1図 第4図 第7図 (C) ム1 (d) (e)
Claims (2)
- (1)他方の半割体に接合された際に巻線挿通用窓孔を
形成するための凹部を有する第1の半割体; 該第1の半割体の凹部を有する側に接合されてコアを形
成し、このコアの一方の端部に磁気ギャップが形成され
る第2の半割体; 第1及び第2の半割体のうち少なくとも第1の半割体の
接合側の面に設けられたセンダスト膜; を備え、該第1の半割体のギャップ面では、センダスト
膜は半割体表面と略垂直な柱状晶より成り、該凹部のう
ちギャップ面と非平行な面では半割体表面に対してギャ
ップ部を指向した方向もしくはそれと反対方向に傾斜し
た柱状晶より成る磁気ヘッドコア。 - (2)コア半割体の材質はフェライトである特許請求の
範囲第1項に記載の磁気ヘッドコア。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9719387A JPS63263614A (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 磁気ヘツドコア |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9719387A JPS63263614A (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 磁気ヘツドコア |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63263614A true JPS63263614A (ja) | 1988-10-31 |
Family
ID=14185751
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9719387A Pending JPS63263614A (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 磁気ヘツドコア |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63263614A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0413207A (ja) * | 1990-04-28 | 1992-01-17 | Hitachi Metals Ltd | 複合型磁気ヘッド |
-
1987
- 1987-04-20 JP JP9719387A patent/JPS63263614A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0413207A (ja) * | 1990-04-28 | 1992-01-17 | Hitachi Metals Ltd | 複合型磁気ヘッド |
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