JPS61289512A - 磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 印　産業上の利用分野 本発明はＶＴＲ等において使用する磁気ヘッドの製造方
法に関するものである。

（ロ）従来の技術 家庭用Ｖ　Ｔ　ＲＫ用いられている記録媒体（磁気テー
プ）はＣｏ−γＦｅｚＯａから成るものが主に使用され
ているが、商品化されている８ミリビデオには抗磁力の
高い（ＨＣ＝１４００〜１５００エルステッド）メタル
ープが用いられている。

記録再生装置を小型化するためＫは記録密度を高める必
要性があることから信号の記録波長を短かくすることが
できる記録媒体が要求されてきたためである。一方、こ
のメタルテープに記録する磁気ヘッドとしては従来のフ
ェライトヘッドではフェライトの飽和磁束密度が高々５
５００ガウス程度であることから磁気飽和現象が発生す
るためメタルテープの性能を十分に生かすことができな
い。

そこで磁気飽和現象の最も生じ易い作動ギャップ近傍部
分をフェライトよりも飽和磁化の大きな磁性材ｉ（例え
ばパーマロイ、センダスト、アモルファス磁性体）で構
成した複合型の磁気ヘッドが例えば特開昭５８−１７５
１２２号公報に示されている。ところで、斯種の磁気ヘ
ッドは第３図に示すようにフェライト（１）と金属磁性
体（２）が接する部分（境界線）が作動ギャップ（３）
と平行であるとすると、前記境界線部分が擬似ギャップ
として働くという不都合が生じるため、フェライト（１
）のギャップ形成用衝き合せ面にそれぞれ半円状凹溝（
４）（第４図）又はＶ字状の溝（５）（第５図）を形成
し、これらの溝（４）（５＋に金属磁性体（２）を施こ
すのが良いという提案もある。しかし、第４図、第５図
の構成はフェライト（１）のギャップ形成用衝き合せ面
に溝を形成しなけ１＋ばならないと共に、その溝に深い
部分と浅い部分が存在するため深い部分には多量の金属
磁性材料を堆積しなければならない。このような厚みの
大きい推潰は一般に製造上困難である。このような点か
ら、第２図に示す如く斜めに金属磁性体（２）を配する
構造が注目されている。

これによれば金属磁性体（２１とフェライト（１）の境
界Ｍ（６）が十分斜めＫなっているため作動ギャップ（
３）とは平行にならず、まｆｃ製造も以下に述べるよう
に比較的簡単となる。

このような磁気ヘッドを作る従来の方法を第３図に示す
。第３図において、（ａ）で７エライトウエハ（７）Ｋ
斜めに切込んだ部分（８ａ）を有する第１溝（８）を加
工形成し、次いで（ｂ）において金属磁性材料の薄膜（
９）を形成する。（Ｃ）では前記薄膜の形成された面を
研磨し、その上にギャップを形成する非磁性体を成膜す
る。（ｄ）ではトラック規制溝（１０１、ガラス挿入溝
１υ、巻線溝■の各溝加工を施こす。（６）は前記工程
を経たウェハ（７）を略同様に形成されたウェハ（７１
と合体すると共にガラス挿入溝０υにガラス棒を挿入し
、加熱炉に入れて、これを溶解し、ウェハ（７バπの接
合を行なう。（ｆ）では、東線のウェハが長く同様な部
分が多数あるのを単位ブロックに分断した様子を示して
いる。（１３１はガラスである。

（ｇ）ではその単位ブロックにＲ付は加工を施し、（ｈ
）では更に１つずつのへラドチップに分断する。

ぐ＼）発明が解決しようとする問題点 上記の製造方法の如く、フェライトウェハ（７）に斜め
に第１溝（８）を加工し、その溝にセンダスト等の金属
磁性体の薄膜（９）を形成したものでは、溶着ガラスａ
３と接する薄膜部分が多くなる。センダスト、アモルフ
ァス、パーマロイ等の金属はガラスに拡散しにくいので
、金属磁性体の薄膜（９）と溶着ガラスαＪの境界は接
合力が弱く、巧く接合できない。ガラスは強固な共有結
合からなる均質勢力的な三次元網目構造をもっており、
その破壊は弾性限界内で起り、殆んど塑性変形を示さな
い。従って、破面を起すエネルギーは、他のｍｔ＋変形
を起す金属材料に比べて小さく実用強度は６〜５に９／
−である。一方、センダストとガラスとの間に生じる熱
応力ｆはｆ＝α・Ｅ−Ｔ（ここでαは熱膨張係数、Ｅは
ヤング率、Ｔは温度）の式からｆ＝４０Ｘ　１Ｏ−７Ｘ
７４３Ｘ　１０３Ｘ８００＝２３７７ｋｔｉ／　ｄ　＊
　２３．８　ｋｑ／−となり、これは前述したガラスの
許容応力６〜５に９／−を明らかに越えている。従って
、溶着時にセンダストとガラスを直接溶着すると、加熱
後の収縮により生じる応力によってひび割れを起す。第
２図のようにガラス（１３と薄膜（２）との接する面積
が多いものについては、一層、その現象が生じ易くなる
ので、対策が必要である。

に）問題点を解決する六めの手段 本発明ではセンダスト等の金属磁性体の薄膜上に８１０
２等の酸化物非磁性体膜を十分な厚みで形成し、この酸
化非磁性体膜を介して前記薄膜を溶着ガラスと接するよ
うＫなす。

（ホ）作　用 ガラスの溶着時に８ｉ０ｚ等の酸化物非磁性体はガラス
内に拡散しやすく、しかも応力に対し緩衝材としての役
割を演じる。

（へ）実施例 全体の工程の流れとしては、第３図の従来例と基本的に
同じであ夛、同一部分には同一の記号を付しである。特
に相違するところは第１図（ｂ）の工程において、セン
ダスト等の金属磁性体の薄膜（９＋の上に８　ｉ０２膜
（１５１を形成し、次の（Ｃ）で鏡面研磨すると共に、
ギャップ用８１０２膜を形成することにより、第１溝（
８）の傾斜部（８ａ）には十分厚い５１０２膜を形成し
ている点である。尚、第１溝（８）のピッチ幅は４６０
μｍであり、その傾斜部（８ａ）の角度は３０°、深さ
は７０μｍ、幅は１２６μｍである。薄膜（９）は１５
μｍｏ厚さにスパッタリングで形成され、その上に施さ
れる８ｉ０２膜しは０．１５μｍ、更にギャップ用８ｉ
０ｚは０．１５μｍにそれぞれスパッタリングで成膜す
る。

第１溝（８）の傾斜部（８ａ）は０，３μｍｏ８ｉ０２
膜をもつことになる。＜６）でのガラスの溶着は８００
℃の温度で行なった。

熱膨張係数に関してＳ　ｉＯｚ膜（至）は金属磁性体薄
膜（９）とガラスαＪとの間にある。しかも８ｉ０２膜
はガラスに拡散しやすくガラス（１３ｆの表面で圧縮応
力層となる。よってガラス（１＆と金属磁性体薄膜［９
＋との間の熱応力は５ｉ０２膜によって緩衝されること
になる。尚、金属磁性体薄膜（９）をセンダストで形成
し、一方、酸化物非磁性体として上述の通り８１０２を
用いた場合には酸化物非磁性体の膜厚を実施例のように
少くとも０．３μｍにしなければならないことを確認し
た。尚、本発明を実施するのに８ｉ０ｚの代シｌＩＣＡ
ｌ２Ｏ３、Ｔｉ０ｚ、ＭｏＯ３、ＷＯ３、ＺＲＯｚ、Ｔ
ａ２Ｏ３等も同様に有効であった。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を実施した磁気ヘッドの製造方法を示す
図である。第２図は本発明が対象とする磁剣ヘッドのテ
ープ当接面を示す正面図である。 第３図、第４図および第５図は従来の磁気ヘッドのテー
プ当接面側からみた正面図である。第３図は従来の磁気
ヘッドの製造方法を示す図である。 （３）・・・・・・ギャップ、（６）・・・・・・境界
線、（７）・・・・・・フェライトウェハ、（８）・・
・・・・第１溝、（８Ｂ）・・・・・・傾斜ＩＥ（９）
・・・・・・金属磁性体薄膜、αα・・・・・・トラッ
ク幅規制溝、（社）・・・・・・ガラス挿入溝、（至）
・・・・・・ガラス、巴・・・・・・８１０２膜。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）高固有抵抗の磁性体にテープ当接面におけるギャ
   ップを挾んで片側又は両側に金属磁性の薄膜を斜めに付
   設して前記薄膜と前記磁性体の境界線が前記ギャップの
   アジマスと異なるようにした磁気ヘッドを製造する方法
   であって、高固有抵抗の磁性体ウェハに斜めに切り込ん
   だ部分を有する第１溝を形成する工程、前記第１溝を形
   成した面に金属磁性の薄膜を形成する工程、前記薄膜上
   に酸化物非磁性体層を形成する工程、前記第１溝以外の
   部分が少くともフェライトに達するまで前記第１溝があ
   る面を鏡面研磨する工程、前記鏡面研磨された後の前記
   面に所定厚の酸化物磁性体層を形成する工程、前記工程
   を経たウェハの前記第１溝の底部を該底部に沿ってくり
   抜いた第２溝とトラック幅規制用の第３溝を形成する工
   程、このウェハと対になるウェハを合体し溶着ガラスで
   結合する工程、この台体物を切断してヘッドチップを形
   成する工程を有する磁気ヘッドの製造方法。