JPS61214110A - 磁気ヘツド - Google Patents
磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS61214110A JPS61214110A JP60054119A JP5411985A JPS61214110A JP S61214110 A JPS61214110 A JP S61214110A JP 60054119 A JP60054119 A JP 60054119A JP 5411985 A JP5411985 A JP 5411985A JP S61214110 A JPS61214110 A JP S61214110A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- magnetic
- melting point
- low melting
- point glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/21—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features the pole pieces being of ferrous sheet metal or other magnetic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/265—Structure or manufacture of a head with more than one gap for erasing, recording or reproducing on the same track
- G11B5/2652—Structure or manufacture of a head with more than one gap for erasing, recording or reproducing on the same track with more than one gap simultaneously operative
- G11B5/2654—Structure or manufacture of a head with more than one gap for erasing, recording or reproducing on the same track with more than one gap simultaneously operative for recording or erasing
- G11B5/2655—Structure or manufacture of a head with more than one gap for erasing, recording or reproducing on the same track with more than one gap simultaneously operative for recording or erasing with all the gaps disposed within the track or "guard band" between tracks, e.g. with erase gaps operative on track edges, with wide erase gap followed by narrow write gap
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気ヘッドに係り、特にコア半体と、それの磁
気ギャップと対向する側面に被着した高飽和磁束密度を
有する金属磁性薄膜とを備えたコア半体を有する磁気ヘ
ッドに関するものである。
気ギャップと対向する側面に被着した高飽和磁束密度を
有する金属磁性薄膜とを備えたコア半体を有する磁気ヘ
ッドに関するものである。
第３図は、この種磁気ヘッドの斜視図である。
この磁気ヘッドは、第１コア半体１と、第２コア半体２
と、前記＠１：Ｉア半体１に形成された巻線窓３に巻装
される励磁コイル（図示せず）とから主に構成されてい
る。
と、前記＠１：Ｉア半体１に形成された巻線窓３に巻装
される励磁コイル（図示せず）とから主に構成されてい
る。
前記第１コア半体ｌは、＠１コア基体４と、それの磁気
ギャップ５と対向する側に被着された高飽和磁束密度を
有する金属磁性材からなる稟１磁性薄膜６とから構成さ
れている。前記第２コア牛体２も同様に、第２コア基体
７と、それの磁気ギャップ５と対向する側π被着された
高飽和磁束密度る有する金属磁性材からなる第２磁性薄
膜８とから構成されている。
ギャップ５と対向する側に被着された高飽和磁束密度を
有する金属磁性材からなる稟１磁性薄膜６とから構成さ
れている。前記第２コア牛体２も同様に、第２コア基体
７と、それの磁気ギャップ５と対向する側π被着された
高飽和磁束密度る有する金属磁性材からなる第２磁性薄
膜８とから構成されている。
前記第１コア基体４ならびに第２コア基体７の材料とし
ては、基体中の空孔が少なく、数台な結晶構造を有して
いることから単結晶マンガン−亜鉛フェライトが賞月さ
れている。
ては、基体中の空孔が少なく、数台な結晶構造を有して
いることから単結晶マンガン−亜鉛フェライトが賞月さ
れている。
一方、第１磁性薄膜６ならびに第２磁性博膜８の材料と
しては鉄、ニッケル、コバルトツクループから選択され
た１種以上の元素とリン、炭素。
しては鉄、ニッケル、コバルトツクループから選択され
た１種以上の元素とリン、炭素。
ホウ素、ケイ素のグループから選択されたＩＰ！１以上
の元素とからなる合金、またはこれを主成分として、ア
ルミニウム、ゲルマニウム、ベリリウム。
の元素とからなる合金、またはこれを主成分として、ア
ルミニウム、ゲルマニウム、ベリリウム。
スズ、インジウム、モリブデン、タングステン、チタン
、マンガン、クロム、ジルコニウム、ハフニウム、ニオ
ブなどの元素を添加した合金、あるいはコバルト、ジル
コニウムを主成分として、前述の添加元素を含んだ合金
などがある。
、マンガン、クロム、ジルコニウム、ハフニウム、ニオ
ブなどの元素を添加した合金、あるいはコバルト、ジル
コニウムを主成分として、前述の添加元素を含んだ合金
などがある。
そし℃、従来Ｑ、５ｕｍ以下の狭い磁気ギャップ５の形
成には、この磁気ギャップ５の突き合せ面ＫＳｉＯ，を
用いて磁気ギャップ５が形成され、磁気ギャップ５以外
の８ｇ１、第２コア半体１．２部分は樹脂、あるいは低
融点ガラスによって接合されていた。
成には、この磁気ギャップ５の突き合せ面ＫＳｉＯ，を
用いて磁気ギャップ５が形成され、磁気ギャップ５以外
の８ｇ１、第２コア半体１．２部分は樹脂、あるいは低
融点ガラスによって接合されていた。
ところが、磁気ギャップ５の突き合せ面はＳｉＯ。
と第１．第２磁性薄膜６，８が接触しているだけで実質
的には接合されておらず、両者の接合は磁気ギャップ５
以外の第１．第２コア牛体１．２と樹脂あるいは低融点
ガラスによって接着されていた。
的には接合されておらず、両者の接合は磁気ギャップ５
以外の第１．第２コア牛体１．２と樹脂あるいは低融点
ガラスによって接着されていた。
このために後工程で磁気記録媒体との摺接面な研摩する
際に、接合面からＳｉｎ、薄膜が剥離して適正なギャッ
プ長が得られない欠点があった。
際に、接合面からＳｉｎ、薄膜が剥離して適正なギャッ
プ長が得られない欠点があった。
また、磁気ギャップ５の突き合せ面に蒸着、あるいはス
パッタリングでガラス薄膜を形成し、７００〜８００℃
の温度でガラスを溶着して接合されていた。
パッタリングでガラス薄膜を形成し、７００〜８００℃
の温度でガラスを溶着して接合されていた。
ところが、非晶質磁性合金を第１．第２磁性薄膜６，８
に用いると、７００〜８００°Ｃの作業温度でこの非晶
質磁性合金が結晶化してしまい、磁気特性が劣化する欠
点がある。また第１．第２コア半体１，２の接合のため
にガラス薄膜の成分を低融点ガラスにすると溶着によっ
てこの低融点ガラスと非晶質磁性合金の第１．第２磁性
薄膜６，８が化学反応を生じ、やはり磁気特性が劣化す
る欠点があった。
に用いると、７００〜８００°Ｃの作業温度でこの非晶
質磁性合金が結晶化してしまい、磁気特性が劣化する欠
点がある。また第１．第２コア半体１，２の接合のため
にガラス薄膜の成分を低融点ガラスにすると溶着によっ
てこの低融点ガラスと非晶質磁性合金の第１．第２磁性
薄膜６，８が化学反応を生じ、やはり磁気特性が劣化す
る欠点があった。
本発明はかかる従来の欠点を解消しようとするもので、
その目的とするところは、磁気ギャップが強固に接合さ
れ、優れた磁気特性を有する磁気ヘッドを提供するにあ
る。
その目的とするところは、磁気ギャップが強固に接合さ
れ、優れた磁気特性を有する磁気ヘッドを提供するにあ
る。
前述の目的を達成するために本発明は、コア半体のギャ
ップ突き合せ対向面に、低融点ガラスの成分と金属磁性
薄膜の成分とが化学反応するのを抑制する非磁性薄膜を
形成し、その非磁性薄膜上に低融点ガラス薄膜を形成し
たものである。
ップ突き合せ対向面に、低融点ガラスの成分と金属磁性
薄膜の成分とが化学反応するのを抑制する非磁性薄膜を
形成し、その非磁性薄膜上に低融点ガラス薄膜を形成し
たものである。
第１図は本発明の実施例に係・る磁気ヘッドの分解斜視
図、第２図は第１図の組立斜視図である。
図、第２図は第１図の組立斜視図である。
第１図および第２図において、符号１から符号８は第３
図のものと同一のものな示す。９は磁気ギャップ５の突
き合せ対向面に形成されたＳｉｎ。
図のものと同一のものな示す。９は磁気ギャップ５の突
き合せ対向面に形成されたＳｉｎ。
などの非磁性薄膜、１０は非磁性薄膜８の上に形成され
た樹脂、低融点ガラスなどの低融点ガラス薄膜である。
た樹脂、低融点ガラスなどの低融点ガラス薄膜である。
この第１図、第２図の磁気ヘッドと８ｇ３図の従来の磁
気ヘッドとの相違する点は、第１コア半体１と第２コア
牛体２の接合面に非磁性薄膜９、低融点ガラス薄膜１０
を形成した点である。
気ヘッドとの相違する点は、第１コア半体１と第２コア
牛体２の接合面に非磁性薄膜９、低融点ガラス薄膜１０
を形成した点である。
（実施例１）
第１図に示すように第１コア半体１と第２コア半体２の
ギャップ突き合せ対向面にまず５ｉ０２をスパッタリン
グによって０ｅＯ０５ｕ ｍの非磁性薄膜９な形成する
。
ギャップ突き合せ対向面にまず５ｉ０２をスパッタリン
グによって０ｅＯ０５ｕ ｍの非磁性薄膜９な形成する
。
この時のスパッタリング条件はＲＦ電力ＩＫＷ。
雰囲気は１０％の酸素を含むアルゴン圧が５ Ｘ １０
”）Ｔｏｒｒである。
”）Ｔｏｒｒである。
さらに、この非磁性薄膜９の上に、低融点ガラスＰｂＯ
（８５，０重量％） −Ｂ、０３ （１１，５重量％）
−８ｉｎ、 （３，５重量％）をスパッタリングによっ
て０．０１５ ｕ ｍの低融点ガラス薄膜１０を形成す
る。
（８５，０重量％） −Ｂ、０３ （１１，５重量％）
−８ｉｎ、 （３，５重量％）をスパッタリングによっ
て０．０１５ ｕ ｍの低融点ガラス薄膜１０を形成す
る。
この時の低融点ガラスのスパッタリング条件はＲＦ電力
０．２ＫＷ、雰囲気は１０％の酸素を含むアルゴン圧が
５ Ｘ １Ｏ−３ＴＯｒｒである。
０．２ＫＷ、雰囲気は１０％の酸素を含むアルゴン圧が
５ Ｘ １Ｏ−３ＴＯｒｒである。
その後巻線窓３、コアのパック部分を加熱を必要としな
い低融点ガラス薄膜１０で接合し、ギャップを接合する
。これによって生じたギャップ長は０．１７Ｌ１ｍであ
った。
い低融点ガラス薄膜１０で接合し、ギャップを接合する
。これによって生じたギャップ長は０．１７Ｌ１ｍであ
った。
（実施例２）
スパッタリングてよって形成するＳｉｎ、の非磁性薄膜
９の膜厚を０．０６Ｌ１ｍ、低融点ガラス薄膜ｌＯの膜
厚を０．００５ ｕ ｍとして実施例１と同一条件でギ
ャップを接合した。この時生じたギャップ長は０．１９
ｕｍであった。
９の膜厚を０．０６Ｌ１ｍ、低融点ガラス薄膜ｌＯの膜
厚を０．００５ ｕ ｍとして実施例１と同一条件でギ
ャップを接合した。この時生じたギャップ長は０．１９
ｕｍであった。
（比較例１）
スパッタリングによって形成するＳ ｉｏ、の非磁性薄
膜９のＭ厚を０．０１５ ｕ ｍ、低融点ガラス薄膜１
０のＭ厚をｏ、ｏｓ ｕ ｍとして実施例１と同一条件
でギャップを接合した。
膜９のＭ厚を０．０１５ ｕ ｍ、低融点ガラス薄膜１
０のＭ厚をｏ、ｏｓ ｕ ｍとして実施例１と同一条件
でギャップを接合した。
この様に低融点ガラス薄膜１０の膜厚が、非磁性薄膜９
の膜厚よりも厚い場合は、非磁性薄膜９のＳｉｏ、と低
融点ガラス薄膜１０の低融点ガラスが反応するだけでな
く１ｍｘ 、第２磁性薄膜６，８の非晶質合金と反応し
、磁気特性を劣化させる。
の膜厚よりも厚い場合は、非磁性薄膜９のＳｉｏ、と低
融点ガラス薄膜１０の低融点ガラスが反応するだけでな
く１ｍｘ 、第２磁性薄膜６，８の非晶質合金と反応し
、磁気特性を劣化させる。
このために低融点ガラス薄膜［０の膜厚は、非磁性薄膜
９の膜厚の１／２以下にする必要がある。
９の膜厚の１／２以下にする必要がある。
（比較例２）
低融点ガラス薄膜ＩＯを形成せずに非磁性薄膜９を０．
０６５ ｕ ｍ形成してギャップを接合した。この結果
ギャップ長は０．２ ｕ ｍであった。
０６５ ｕ ｍ形成してギャップを接合した。この結果
ギャップ長は０．２ ｕ ｍであった。
なお、実施例１，２、比較例１，２で用いた低融点ガラ
ス薄膜ＩＯの低融点ガラスは熱膨張係数αは１１０ Ｘ
ｔｏ”７／’Ｃ、ガラス転移点３０５°Ｃ１軟化点３
５５°０１作業温夏は４３０°Ｃであった。
ス薄膜ＩＯの低融点ガラスは熱膨張係数αは１１０ Ｘ
ｔｏ”７／’Ｃ、ガラス転移点３０５°Ｃ１軟化点３
５５°０１作業温夏は４３０°Ｃであった。
また、非磁性薄膜９に用いた非晶質合金の結晶化温度は
５３０’Ｃであった。
５３０’Ｃであった。
この４！！に低融点ガラス薄膜ｌＯの軟化点３５５℃は
作業温度４３０°Ｃよりも低いために磁気ギャップ５の
接合は強固になり、非磁性薄膜９に用いる非晶質合金の
結晶化温度５３０°Ｃは作業温度４３０°Ｃよりも高い
ために磁気特性が劣化することはない。
作業温度４３０°Ｃよりも低いために磁気ギャップ５の
接合は強固になり、非磁性薄膜９に用いる非晶質合金の
結晶化温度５３０°Ｃは作業温度４３０°Ｃよりも高い
ために磁気特性が劣化することはない。
本発明は前述のような構成になつ℃おり、磁気ギャップ
が強固に接合され、磁気特性の劣化が防止できる磁気ヘ
ッドを得ることができる。
が強固に接合され、磁気特性の劣化が防止できる磁気ヘ
ッドを得ることができる。
第１図および第２図は本発明の実施例に係る磁気ヘッド
を示すもので、第１図は出猟ヘッドの分解ＩＩ＋視図、
＠２図は第１図の組立斜視図、第３図は従来の磁気ヘッ
ドを示す斜視図である。 １．２・・・・・・コア半体、５・・・・・・磁気ギャ
ップ、６゜８・・・・・・磁性薄膜、９・・・・・・非
磁性薄膜、ＩＯ・・・・・・低融点ガラス薄膜。 ５・ ６１幌ギヤツフ。
を示すもので、第１図は出猟ヘッドの分解ＩＩ＋視図、
＠２図は第１図の組立斜視図、第３図は従来の磁気ヘッ
ドを示す斜視図である。 １．２・・・・・・コア半体、５・・・・・・磁気ギャ
ップ、６゜８・・・・・・磁性薄膜、９・・・・・・非
磁性薄膜、ＩＯ・・・・・・低融点ガラス薄膜。 ５・ ６１幌ギヤツフ。
Claims (1)
- 少なくとも磁気ギャップ近傍の高飽和磁束密度を有する
非晶質金属磁性薄膜を備えたコア半体を磁気ギャップを
介して接合してなる磁気ヘッドにおいて、前記コア半体
のギャップ突き合せ対向面に、低融点ガラスの成分と前
記金属磁性薄膜の成分との化学反応を抑制する非磁性薄
膜を形成し、その非磁性薄膜上に低融点ガラス薄膜を形
成したことを特徴とする磁気ヘッド。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60054119A JPS61214110A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 磁気ヘツド |
| EP86103654A EP0195411A3 (en) | 1985-03-20 | 1986-03-18 | Magnetic head |
| US07/201,397 US4941064A (en) | 1985-03-20 | 1988-05-26 | Magnetic head having a pair of cores in which the opposing surfaces thereof are coated with a non-magnetic layer and a low melting point glass layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60054119A JPS61214110A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61214110A true JPS61214110A (ja) | 1986-09-24 |
Family
ID=12961707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60054119A Pending JPS61214110A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 磁気ヘツド |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4941064A (ja) |
| EP (1) | EP0195411A3 (ja) |
| JP (1) | JPS61214110A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5170301A (en) * | 1988-08-03 | 1992-12-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic head having core parts joined by low-melting point crystallized glass with composite gap |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6288109A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-22 | Hitachi Ltd | アモルフアス磁性合金磁気ヘツドおよびその製法 |
| JP2619017B2 (ja) * | 1988-10-11 | 1997-06-11 | 日立マクセル株式会社 | 複合磁気ヘッド |
| EP0725387B1 (en) * | 1991-04-19 | 1998-09-02 | Sony Corporation | Magnetic head producing method |
| US5309306A (en) * | 1991-06-10 | 1994-05-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Complex magnetic head |
| DE69314178T2 (de) * | 1992-07-17 | 1998-04-09 | Ampex Systems Corp | Zusammengesetzter metall- und ferritwandlerkopf und herstellungsverfahren dafür |
| JP3447164B2 (ja) * | 1995-12-08 | 2003-09-16 | 松下電器産業株式会社 | 磁気記録再生装置 |
| US8465853B2 (en) * | 2004-03-24 | 2013-06-18 | Marvell World Trade Ltd. | Glassy metal disk |
| US8665559B2 (en) * | 2012-03-19 | 2014-03-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Magnetic head |
| DE102018116896B4 (de) * | 2018-07-12 | 2024-05-23 | Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover | Magnetkopf, Verfahren zur Speicherung von Information sowie Erzeugnis |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4182643A (en) * | 1977-07-05 | 1980-01-08 | Control Data Corporation | Method of forming gaps in magnetic heads |
| NL8003518A (nl) * | 1980-06-18 | 1982-01-18 | Philips Nv | Magneetkop, werkwijze voor het vervaardigen van een magneetkop. |
| JPS58179925A (ja) * | 1982-04-14 | 1983-10-21 | Pioneer Electronic Corp | 磁気ヘツド及びその製造方法 |
| JPS59107414A (ja) * | 1982-12-09 | 1984-06-21 | Tdk Corp | 磁気ヘツド |
| US4755898A (en) * | 1983-06-13 | 1988-07-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Amorphous magnetic head |
| JPS6020306A (ja) * | 1983-07-15 | 1985-02-01 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッド |
| JPS60145514A (ja) * | 1984-01-05 | 1985-08-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘツド |
-
1985
- 1985-03-20 JP JP60054119A patent/JPS61214110A/ja active Pending
-
1986
- 1986-03-18 EP EP86103654A patent/EP0195411A3/en not_active Withdrawn
-
1988
- 1988-05-26 US US07/201,397 patent/US4941064A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5170301A (en) * | 1988-08-03 | 1992-12-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic head having core parts joined by low-melting point crystallized glass with composite gap |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0195411A2 (en) | 1986-09-24 |
| US4941064A (en) | 1990-07-10 |
| EP0195411A3 (en) | 1989-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61214110A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPS63191310A (ja) | 複合磁気ヘツド | |
| JPS62162206A (ja) | 磁気ヘツド | |
| US5038242A (en) | Magnetic head containing a barrier layer | |
| JPS61211807A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPS63298806A (ja) | 複合磁気ヘッド | |
| JPH0586462A (ja) | スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法 | |
| JPH0376102A (ja) | 多層磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘッド | |
| KR950011127B1 (ko) | 자기헤드 | |
| KR930001146B1 (ko) | 자기헤드(Magnetic Head) | |
| JPS6020306A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH0461308A (ja) | 磁性合金膜の製造方法 | |
| JPS6231008A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPH0833979B2 (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPS63112809A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPH02192006A (ja) | 磁気ヘッドとその製造方法 | |
| JPH02258614A (ja) | 低アルゴン含有ＳｉＯ↓２析着膜とその製造方法 | |
| JPH0620210A (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH08171704A (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH05342524A (ja) | 磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH06203315A (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH07244814A (ja) | 複合基板積層型磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH02254606A (ja) | 複合型磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH0668423A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH0628621A (ja) | 磁気ヘッド |