JP2619017B2 - 複合磁気ヘッド - Google Patents
複合磁気ヘッドInfo
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- JP2619017B2 JP2619017B2 JP63253724A JP25372488A JP2619017B2 JP 2619017 B2 JP2619017 B2 JP 2619017B2 JP 63253724 A JP63253724 A JP 63253724A JP 25372488 A JP25372488 A JP 25372488A JP 2619017 B2 JP2619017 B2 JP 2619017B2
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- erasing
- reproducing
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/265—Structure or manufacture of a head with more than one gap for erasing, recording or reproducing on the same track
- G11B5/2652—Structure or manufacture of a head with more than one gap for erasing, recording or reproducing on the same track with more than one gap simultaneously operative
- G11B5/2654—Structure or manufacture of a head with more than one gap for erasing, recording or reproducing on the same track with more than one gap simultaneously operative for recording or erasing
- G11B5/2655—Structure or manufacture of a head with more than one gap for erasing, recording or reproducing on the same track with more than one gap simultaneously operative for recording or erasing with all the gaps disposed within the track or "guard band" between tracks, e.g. with erase gaps operative on track edges, with wide erase gap followed by narrow write gap
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/193—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features the pole pieces being ferrite or other magnetic particles
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は記録再生ヘツドと消去ヘツドとを一体に連結
した複合磁気ヘツドに係り、特に両磁気ヘツドのギアツ
プ間隔を小さくし、小型で高密度記録再生装置における
クロストークを改善した複合磁気ヘツドに関する。
した複合磁気ヘツドに係り、特に両磁気ヘツドのギアツ
プ間隔を小さくし、小型で高密度記録再生装置における
クロストークを改善した複合磁気ヘツドに関する。
第４図、第５図は従来のバルブタイプの複合磁気ヘツ
ドを示す図で、第４図は磁気ヘツドの平面図、第５図は
第４図のＡ−Ａ線断面図である。
ドを示す図で、第４図は磁気ヘツドの平面図、第５図は
第４図のＡ−Ａ線断面図である。
記録再生ヘツド１と消去ヘツド２は、互いの磁気的な
影響を避けるために非磁性板３を介して一体に連結され
ている。記録再生ヘツド１は、コイル溝４を切削等の機
械加工によつて形成した、例えばフエライトからなる第
１コア半体５と、この第１コア半体５と対向するように
配置された、例えばフエライトからなる第２コア半体６
と、両コア半体5,6の間に介在された、例えば二酸化ケ
イ素からなるギヤツプスペーサ７と、両コア半体5,6の
接合部近傍に設けられた、例えばガラス等の補強部８
と、前記第１コア半体５のコイル溝４上に巻装された励
磁コイル９とから構成されている。
影響を避けるために非磁性板３を介して一体に連結され
ている。記録再生ヘツド１は、コイル溝４を切削等の機
械加工によつて形成した、例えばフエライトからなる第
１コア半体５と、この第１コア半体５と対向するように
配置された、例えばフエライトからなる第２コア半体６
と、両コア半体5,6の間に介在された、例えば二酸化ケ
イ素からなるギヤツプスペーサ７と、両コア半体5,6の
接合部近傍に設けられた、例えばガラス等の補強部８
と、前記第１コア半体５のコイル溝４上に巻装された励
磁コイル９とから構成されている。
一方と、消去ヘツド２は、コイル溝10を切削などの機
械加工によつて形成した、例えばフエライトからなる第
１コア半体11と、この第１コア半体11と対向するように
配置された、例えばフエライトからなる第２コア半体12
と、両コア半体11,12の間に介在された、例えば二酸化
ケイ素からなるギヤツプスペーサ13と、両コア半体11,1
2の接合部近傍に設けられた、例えばガラスなどの補強
部14と、前記第１コア半体11のコイル溝10上に巻装され
た励磁コイル15とから構成されている。
械加工によつて形成した、例えばフエライトからなる第
１コア半体11と、この第１コア半体11と対向するように
配置された、例えばフエライトからなる第２コア半体12
と、両コア半体11,12の間に介在された、例えば二酸化
ケイ素からなるギヤツプスペーサ13と、両コア半体11,1
2の接合部近傍に設けられた、例えばガラスなどの補強
部14と、前記第１コア半体11のコイル溝10上に巻装され
た励磁コイル15とから構成されている。
第４図において、矢印Ｘは磁気デイスク等の磁気記録
媒体（図示せず）の走行方向を示す矢印で、走行方向Ｘ
の上流側に記録再生ヘツド１が、下流側に消去ヘツド２
がそれぞれ配置され、ギヤツプスペーサ７によって形成
される記録再生ヘツド１の磁気ギヤツプとギヤツプスペ
ーサ13によつて形成される消去ヘツド２の磁気ギヤツプ
とは第４図に示すような関係に配置されている。従って
記録再生ヘツドによって磁気デイスクに書き込まれた記
録トラツクは、次の消去ヘツド２によつて端部が一部消
去されてヘツドのオフトラツクマージンを得ていた。
媒体（図示せず）の走行方向を示す矢印で、走行方向Ｘ
の上流側に記録再生ヘツド１が、下流側に消去ヘツド２
がそれぞれ配置され、ギヤツプスペーサ７によって形成
される記録再生ヘツド１の磁気ギヤツプとギヤツプスペ
ーサ13によつて形成される消去ヘツド２の磁気ギヤツプ
とは第４図に示すような関係に配置されている。従って
記録再生ヘツドによって磁気デイスクに書き込まれた記
録トラツクは、次の消去ヘツド２によつて端部が一部消
去されてヘツドのオフトラツクマージンを得ていた。
第６図および第７図は、この種複合磁気ヘツドによる
記録トラツクの形成状態を示す説明図で、第６図は磁気
デイスクの外周側でのトラツクの形成状態を、第７図は
磁気デイスクの内周側でのトラツクの形成状態をそれぞ
れ示している。
記録トラツクの形成状態を示す説明図で、第６図は磁気
デイスクの外周側でのトラツクの形成状態を、第７図は
磁気デイスクの内周側でのトラツクの形成状態をそれぞ
れ示している。
図中の16は記録再生ヘツドの磁気ギヤツプ、17は消去
ヘツドの磁気ギヤツプ、18は記録トラツク、19は磁気デ
イスクの回転中心、20は消去ヘツドによつて消去される
内周側の消去幅、21は隣とのトラツクピツチをそれぞれ
示している。
ヘツドの磁気ギヤツプ、18は記録トラツク、19は磁気デ
イスクの回転中心、20は消去ヘツドによつて消去される
内周側の消去幅、21は隣とのトラツクピツチをそれぞれ
示している。
磁気デイスクには所定の幅を有する円環状の記録帯域
が設けられ、それの外周側と内周側とでは曲率が異なつ
ている。曲率の小さい外周側と曲率の大きい内周側とを
比較すると消去ヘツドによる消去幅20が、外周側よりも
内周側の方が大きく、その結果と、外周側と内周側とで
はトラツクピツチ21が微妙に変化している。このことは
特に小型の磁気デイスクで外周側と内周側とで曲率の変
化の大きい場合に顕著であり、しかも記録再生ヘツドの
磁気ギヤツプ16と消去ヘツド２の磁気ギヤツプ17との間
隔Ｌが大きい場合に顕著である。
が設けられ、それの外周側と内周側とでは曲率が異なつ
ている。曲率の小さい外周側と曲率の大きい内周側とを
比較すると消去ヘツドによる消去幅20が、外周側よりも
内周側の方が大きく、その結果と、外周側と内周側とで
はトラツクピツチ21が微妙に変化している。このことは
特に小型の磁気デイスクで外周側と内周側とで曲率の変
化の大きい場合に顕著であり、しかも記録再生ヘツドの
磁気ギヤツプ16と消去ヘツド２の磁気ギヤツプ17との間
隔Ｌが大きい場合に顕著である。
前述のように径方向の位置によつてトラツクピツチ
（トラツク間隔）が異なると、特に高密度の記録の場合
に支障をきたす。
（トラツク間隔）が異なると、特に高密度の記録の場合
に支障をきたす。
また、最近、高密度化にともない媒体の保磁力が大き
くなり、記録ヘツドで十分オーバライトできない場合が
でてきた。このため、記録のまえに先行して消去するか
たちも提案されている。この場合も前述のような理由の
ため、両ヘツドのギヤツプ間隔を狭くする必要がある。
くなり、記録ヘツドで十分オーバライトできない場合が
でてきた。このため、記録のまえに先行して消去するか
たちも提案されている。この場合も前述のような理由の
ため、両ヘツドのギヤツプ間隔を狭くする必要がある。
このような問題に対処するために、第２コア半体6,12
を研磨によつて薄くして、磁気ギヤツプ16,17の間隔Ｌ
を小さくすることも試みられた。しかし前述のような機
械的な加工の場合、製造上の歩留まりを考慮するとギヤ
ツプ間隔Ｌを0.8mm前後にするのが限度であり、十分な
効果が得られない。
を研磨によつて薄くして、磁気ギヤツプ16,17の間隔Ｌ
を小さくすることも試みられた。しかし前述のような機
械的な加工の場合、製造上の歩留まりを考慮するとギヤ
ツプ間隔Ｌを0.8mm前後にするのが限度であり、十分な
効果が得られない。
このような欠点を解消し、記録再生ヘツドと消去ヘツ
ドを一体化した複合ヘツドにおける両磁気ギヤツプ間隔
を十分小さくし、小型で高密度記録再生装置に適した複
合磁気ヘツドとして、本発明者らは特願昭62−636293号
に示す複合磁気ヘツドを提案した。
ドを一体化した複合ヘツドにおける両磁気ギヤツプ間隔
を十分小さくし、小型で高密度記録再生装置に適した複
合磁気ヘツドとして、本発明者らは特願昭62−636293号
に示す複合磁気ヘツドを提案した。
この複合磁気ヘツドにおいては、記録再生ヘツドと消
去ヘツドを非磁性薄膜で被着した状態で接合した構造か
らなっている。非磁性薄膜を被着することによって、記
録再生ヘツドと再生ヘツドとを接合する非磁性層を極め
て薄くすることができ、これによって、両磁気ギヤツプ
間隔を小さくすることができる。
去ヘツドを非磁性薄膜で被着した状態で接合した構造か
らなっている。非磁性薄膜を被着することによって、記
録再生ヘツドと再生ヘツドとを接合する非磁性層を極め
て薄くすることができ、これによって、両磁気ギヤツプ
間隔を小さくすることができる。
しかしながら、消去ヘツド側の消去能力が低い場合、
所謂クロストークという現象が生じ、複合磁気ヘツドの
記録再生特性が低下する問題がある。
所謂クロストークという現象が生じ、複合磁気ヘツドの
記録再生特性が低下する問題がある。
ここでクロストークには、記録時に消去ヘツドに磁束
が記録再生ヘツドへ漏れるものと、再生時に消去ヘツド
ギヤツプより読み込まれた磁束が記録再生ヘツドに漏れ
るものがある。この現象を示したのが第８図であり、Φ
０は消去ヘツドの記録再生ヘツドと反対側のコアに励磁
する磁束、Φ１は消去ヘツドの記録再生側を通る磁束、
Φ２は記録再生ヘツドの消去ヘツド側を通る磁束、Φ３
は記録再生ヘツドの消去ヘツド側と反対側のコアを通る
磁束である。
が記録再生ヘツドへ漏れるものと、再生時に消去ヘツド
ギヤツプより読み込まれた磁束が記録再生ヘツドに漏れ
るものがある。この現象を示したのが第８図であり、Φ
０は消去ヘツドの記録再生ヘツドと反対側のコアに励磁
する磁束、Φ１は消去ヘツドの記録再生側を通る磁束、
Φ２は記録再生ヘツドの消去ヘツド側を通る磁束、Φ３
は記録再生ヘツドの消去ヘツド側と反対側のコアを通る
磁束である。
第８図から明らかなようにΦ1,Φ2,Φ３は互いに並列
な磁束であり、複合磁気ヘツドの記録再生特性を向上さ
せるにはΦ2,Φ３を減少させることが必要である。
な磁束であり、複合磁気ヘツドの記録再生特性を向上さ
せるにはΦ2,Φ３を減少させることが必要である。
このためには、消去ヘツドの記録再生ヘツドコアの磁
気抵抗を記録再生ヘツドのコアの磁気抵抗に比べて小さ
くする必要がある。
気抵抗を記録再生ヘツドのコアの磁気抵抗に比べて小さ
くする必要がある。
従来、消去ヘツドは記録再生ヘツドに比べてコアの磁
気抵抗が問題となっていなかったためにコスト面等より
多結晶フエライトが使用されており、クロストークを減
少させることができない問題を有していた。
気抵抗が問題となっていなかったためにコスト面等より
多結晶フエライトが使用されており、クロストークを減
少させることができない問題を有していた。
本発明の目的は、上記した従来の複合磁気ヘツドの有
する問題点を解消し、両磁気ギヤツプ間隔を小さくして
小型で高密度記録再生装置に装着するのに適し、しかも
クロストークを解消しうる複合磁気ヘツドを提供するこ
とにある。
する問題点を解消し、両磁気ギヤツプ間隔を小さくして
小型で高密度記録再生装置に装着するのに適し、しかも
クロストークを解消しうる複合磁気ヘツドを提供するこ
とにある。
上記した目的を達成するために、本発明は、記録再生
ヘツドと、消去ヘツドとを非磁性体を介して一体に連結
した複合磁気ヘツドにおいて、前記消去ヘツドを構成す
る２つのコア半体のうち少なくとも記録再生側のコア半
体が単結晶フエライト、例えば、単結晶Mn−Znフエライ
トからなり、該単結晶フエライトの結晶方位｛100｝面
が主磁路形成面とほぼ平行すると共に該結晶方位｛10
0｝面内に存在する＜100＞方向と作動ギヤツプ（磁気ギ
ヤツプ）の形成面とのなす角Θが10゜〜40゜又は80゜〜
120゜となるように構成されていることを特徴とする。
ヘツドと、消去ヘツドとを非磁性体を介して一体に連結
した複合磁気ヘツドにおいて、前記消去ヘツドを構成す
る２つのコア半体のうち少なくとも記録再生側のコア半
体が単結晶フエライト、例えば、単結晶Mn−Znフエライ
トからなり、該単結晶フエライトの結晶方位｛100｝面
が主磁路形成面とほぼ平行すると共に該結晶方位｛10
0｝面内に存在する＜100＞方向と作動ギヤツプ（磁気ギ
ヤツプ）の形成面とのなす角Θが10゜〜40゜又は80゜〜
120゜となるように構成されていることを特徴とする。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の複合磁気ヘツドの一実施例を示す斜
視図である。この複合磁気ヘツドにおいて、記録再生ヘ
ツド31と消去ヘツド32は、互いの磁気的な影響を避ける
ために非磁性層33を介して一体に連結されている。記録
再生ヘツド31は磁気記録媒体（磁気デイスク）の走行方
向のＸの上流側に、消去ヘツド32がそれの下流側にそれ
ぞれ配置されるようにヘツド保持体に組み込まれる。
視図である。この複合磁気ヘツドにおいて、記録再生ヘ
ツド31と消去ヘツド32は、互いの磁気的な影響を避ける
ために非磁性層33を介して一体に連結されている。記録
再生ヘツド31は磁気記録媒体（磁気デイスク）の走行方
向のＸの上流側に、消去ヘツド32がそれの下流側にそれ
ぞれ配置されるようにヘツド保持体に組み込まれる。
記録再生ヘツド31は、コイル溝34を切断等の機械加工
によつて形成した第１コア半体35と、この第１コア半体
35と対向するように配置された第２コア半体36と、両コ
ア半体35,36の間に介在されたギヤツプスペーサ37と、
両コア半体35,36とギヤツプスペーサ37との接合部近傍
に設けられたガラス等の補強部38からなる。コア半体3
5,36はMn−Znフエライトで形成されている。
によつて形成した第１コア半体35と、この第１コア半体
35と対向するように配置された第２コア半体36と、両コ
ア半体35,36の間に介在されたギヤツプスペーサ37と、
両コア半体35,36とギヤツプスペーサ37との接合部近傍
に設けられたガラス等の補強部38からなる。コア半体3
5,36はMn−Znフエライトで形成されている。
一方、消去ヘツド32は、コイル溝39を切断等の機械加
工によつて形成した第１コア半体40と、この第１コア半
体40と対向するように配置された第２コア半体41と、両
コア半体40、の間に介在されたギヤツプスペーサ42との
接合部近傍に設けられたガラス等の補強部43とからな
る。
工によつて形成した第１コア半体40と、この第１コア半
体40と対向するように配置された第２コア半体41と、両
コア半体40、の間に介在されたギヤツプスペーサ42との
接合部近傍に設けられたガラス等の補強部43とからな
る。
上記記録再生ヘツド31と消去ヘツド32とのいずれか又
は双方の面に真空蒸着、スパツタ法等の薄膜作製技術に
より非磁性材料を被着させることにより薄膜からなる非
磁性層33が形成される。
は双方の面に真空蒸着、スパツタ法等の薄膜作製技術に
より非磁性材料を被着させることにより薄膜からなる非
磁性層33が形成される。
このようにして非磁性層33が形成された後、記録再生
ヘツド31と消去ヘツド32が接合される。非磁性層33を形
成する材質としては、アルミナ、ジルコニア、二酸化ケ
イ素と、ベリリウム銅等が挙げられる。
ヘツド31と消去ヘツド32が接合される。非磁性層33を形
成する材質としては、アルミナ、ジルコニア、二酸化ケ
イ素と、ベリリウム銅等が挙げられる。
上記薄膜作製技術により非磁性層33を極めて薄く作製
することができる。したがつて、記録再生ヘツドと消去
ヘツドのギヤツプ間隔を大幅に縮小することができる。
することができる。したがつて、記録再生ヘツドと消去
ヘツドのギヤツプ間隔を大幅に縮小することができる。
ただし、非磁性層33の厚みが薄すぎると、消去ヘツド
32の磁束により記録磁界が非対称となり、再生波形にア
シンメトリーが大きくなるので、0.1mm以下の範囲で１
μｍ以上が好ましい。
32の磁束により記録磁界が非対称となり、再生波形にア
シンメトリーが大きくなるので、0.1mm以下の範囲で１
μｍ以上が好ましい。
ここで消去ヘツド32を構成するコア半体40とコア半体
41の両者又は記録再生側のコア半体41は単結晶Mn−Znフ
エライトからなる。この単結晶Mn−Znフエライトは消去
効率が良く、コア半体材料として極めて有効である。
41の両者又は記録再生側のコア半体41は単結晶Mn−Znフ
エライトからなる。この単結晶Mn−Znフエライトは消去
効率が良く、コア半体材料として極めて有効である。
そして、この単結晶Mn−Znフエライトの結晶方位｛10
0｝面は、主磁路形成面、すなわち、ダンパにおけるΦ
０およびΦ１の磁束により形成される磁路面にほぼ平行
している。また、結晶方位｛100｝面に存在する＜100＞
方向と作動ギヤツプ（ギヤツプスペーサ42によって形成
される磁気ギヤツプ）とのなす角Θが10゜〜40゜又は80
゜〜120゜になるように構成される。
0｝面は、主磁路形成面、すなわち、ダンパにおけるΦ
０およびΦ１の磁束により形成される磁路面にほぼ平行
している。また、結晶方位｛100｝面に存在する＜100＞
方向と作動ギヤツプ（ギヤツプスペーサ42によって形成
される磁気ギヤツプ）とのなす角Θが10゜〜40゜又は80
゜〜120゜になるように構成される。
このような構成からなる単結晶Mn−Znフエライトは、
Mn−Znフエライトのインゴツト（基板）に対し、Θ角の
関係を満足するように切り出し角を選定し、切削加工す
ることによって製造することができる。したがって、消
去効率が良く、安価で加工性の良好なMn−Znフエライト
から本発明で使用される単結晶Mn−Znフエライトを容易
に得ることができる。
Mn−Znフエライトのインゴツト（基板）に対し、Θ角の
関係を満足するように切り出し角を選定し、切削加工す
ることによって製造することができる。したがって、消
去効率が良く、安価で加工性の良好なMn−Znフエライト
から本発明で使用される単結晶Mn−Znフエライトを容易
に得ることができる。
次にコア半体40、41にMnO19 ZnO11 Fe2O370からな
る単結晶Mn−Znフエライトを用い、補強部43に単結晶Mn
−Znフエライトよりも熱膨張係数が低いガラスを用い
た。そして、第２図に示すようにトラツク幅をそれぞれ
30μｍ、30μｍとし、チツプ厚を120μｍ、消去ヘツド3
2のチツプの長さは記録再生側を100μｍ、その反対側を
２μｍとし、コイル溝39は接合面45゜で深さ0.5mm、長
さ1.0mmとした。そして、コア半体40、41を構成する単
結晶Mn−Znフエライトの結晶方位｛100｝面に存在する
＜100＞方向と磁気ギヤツプとのなす角Θを種々変えた
ときの消去能率を調べた。その結果を第３図に示す。な
お、消去能率は、基準ヘツドで記録した信号に1ATの起
磁力で直流消去したときの消し残り信号と元の信号レベ
ルとの比を測定した行った。
る単結晶Mn−Znフエライトを用い、補強部43に単結晶Mn
−Znフエライトよりも熱膨張係数が低いガラスを用い
た。そして、第２図に示すようにトラツク幅をそれぞれ
30μｍ、30μｍとし、チツプ厚を120μｍ、消去ヘツド3
2のチツプの長さは記録再生側を100μｍ、その反対側を
２μｍとし、コイル溝39は接合面45゜で深さ0.5mm、長
さ1.0mmとした。そして、コア半体40、41を構成する単
結晶Mn−Znフエライトの結晶方位｛100｝面に存在する
＜100＞方向と磁気ギヤツプとのなす角Θを種々変えた
ときの消去能率を調べた。その結果を第３図に示す。な
お、消去能率は、基準ヘツドで記録した信号に1ATの起
磁力で直流消去したときの消し残り信号と元の信号レベ
ルとの比を測定した行った。
第３図から明らかなように、上記角Θが10〜40゜又は
80゜〜120゜の場合、消去能率が−25以下を示し、消去
能率が高いことを示している。また、特に角Θが15〜35
゜又は90〜110゜の場合に消去能率が優れている。
80゜〜120゜の場合、消去能率が−25以下を示し、消去
能率が高いことを示している。また、特に角Θが15〜35
゜又は90〜110゜の場合に消去能率が優れている。
このように消去能率が優れていることは、ギヤツプ間
距離が縮小して第８図におけるΦ２、Φ３が大幅に減少
し、消去ヘツドと記録再生ヘツド間のクロストークがな
くなり、記録再生特性が向上する。
距離が縮小して第８図におけるΦ２、Φ３が大幅に減少
し、消去ヘツドと記録再生ヘツド間のクロストークがな
くなり、記録再生特性が向上する。
以上のように本発明によれば、消去ヘツドの２つのコ
ア半体のうち、少なくとも記録再生側のコア半体を単結
晶Mn−Znフエライトとし、その結晶方位｛100｝面に存
在する＜100＞方向を接合面（磁気ギヤツプ）に対して
所定の角度としたので、消去ヘツドの消去能率が向上
し、記録時および再生時に消去ヘツドギヤツプからの磁
束が記録再生ヘツド側に洩れることがなくなり、記録再
生特性が向上する。
ア半体のうち、少なくとも記録再生側のコア半体を単結
晶Mn−Znフエライトとし、その結晶方位｛100｝面に存
在する＜100＞方向を接合面（磁気ギヤツプ）に対して
所定の角度としたので、消去ヘツドの消去能率が向上
し、記録時および再生時に消去ヘツドギヤツプからの磁
束が記録再生ヘツド側に洩れることがなくなり、記録再
生特性が向上する。
第１図は本発明の複合磁気ヘツドの一実施例を示す斜視
図、第２図は第１図による複合磁気ヘツドの実験例を示
すための説明図、第３図は単結晶Mn−Znフエライトの結
晶方位｛100｝面に存在する＜100＞方向と作動ギヤツプ
面とのなす角と消去能率との関係を示すグラフ、第４図
は本発明の複合磁気ヘツドの一実施例を示す平面図、第
５図は第４図のＡ−Ａ線断面図、第６図は複合磁気ヘツ
ドによる記録トラツクの形成状態を磁気デイスクの外周
側で示す説明図、第７図は磁気ヘツドによる磁気デイス
クの内周側でのトラツクの形成状態を示す説明図、第８
図はクロストークの現象を示す説明図である。 31……記録再生ヘツド、32……消去ヘツド、33……非磁
性層、34……コイル溝、35……第１コア半体、36……第
２コア半体、37……ギヤツプスペーサ、38……補強部、
39……コイル溝、40……第１コア半体、41……第２コア
半体、42……ギヤツプスペーサ、43……補強部。
図、第２図は第１図による複合磁気ヘツドの実験例を示
すための説明図、第３図は単結晶Mn−Znフエライトの結
晶方位｛100｝面に存在する＜100＞方向と作動ギヤツプ
面とのなす角と消去能率との関係を示すグラフ、第４図
は本発明の複合磁気ヘツドの一実施例を示す平面図、第
５図は第４図のＡ−Ａ線断面図、第６図は複合磁気ヘツ
ドによる記録トラツクの形成状態を磁気デイスクの外周
側で示す説明図、第７図は磁気ヘツドによる磁気デイス
クの内周側でのトラツクの形成状態を示す説明図、第８
図はクロストークの現象を示す説明図である。 31……記録再生ヘツド、32……消去ヘツド、33……非磁
性層、34……コイル溝、35……第１コア半体、36……第
２コア半体、37……ギヤツプスペーサ、38……補強部、
39……コイル溝、40……第１コア半体、41……第２コア
半体、42……ギヤツプスペーサ、43……補強部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中川 和成 大阪府茨木市丑寅１丁目１番88号 日立 マクセル株式会社内 (72)発明者 三上 寛祐 大阪府茨木市丑寅１丁目１番88号 日立 マクセル株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−4407（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−25810（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−210517（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】記録再生ヘツドと、消去ヘツドとを非磁性
体を介して一体に連結した複合磁気ヘツドにおいて、前
記消去ヘツドを構成する２つのコア半体のうち少なくと
も記録再生側のコア半体が単結晶フエライトからなり、
該単結晶フエライトの結晶方位｛100｝面が主磁路形成
面とほぼ平行すると共に該結晶方位｛100｝面内に存在
する＜100＞方向と作動ギヤツプ（磁気ギヤツプ）の形
成面とのなす角Θが10゜〜40゜又は80゜〜120゜となる
ように構成されていることを特徴とする複合磁気ヘツ
ド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63253724A JP2619017B2 (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | 複合磁気ヘッド |
| US07/419,104 US5057955A (en) | 1988-10-11 | 1989-10-10 | Composite magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63253724A JP2619017B2 (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | 複合磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02101611A JPH02101611A (ja) | 1990-04-13 |
| JP2619017B2 true JP2619017B2 (ja) | 1997-06-11 |
Family
ID=17255262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63253724A Expired - Lifetime JP2619017B2 (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | 複合磁気ヘッド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5057955A (ja) |
| JP (1) | JP2619017B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH1031808A (ja) * | 1996-07-18 | 1998-02-03 | Sony Corp | 磁気ヘッド |
| US6188549B1 (en) | 1997-12-10 | 2001-02-13 | Read-Rite Corporation | Magnetoresistive read/write head with high-performance gap layers |
| JP2005085390A (ja) * | 2003-09-09 | 2005-03-31 | Fuji Photo Film Co Ltd | 複合型磁気ヘッド及びその製造方法 |
| JP4956126B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2012-06-20 | キヤノン株式会社 | 画像形成装置および画像形成装置における通知方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5496012A (en) * | 1978-01-13 | 1979-07-30 | Victor Co Of Japan Ltd | Magnetic head |
| JPS55125519A (en) * | 1979-03-23 | 1980-09-27 | Hitachi Ltd | Magnetic head |
| JPS56163518A (en) * | 1980-05-16 | 1981-12-16 | Hitachi Ltd | Magnetic head |
| JPS5891517A (ja) * | 1981-11-27 | 1983-05-31 | Hitachi Ltd | 磁気記録再生装置 |
| NL8200481A (nl) * | 1982-02-09 | 1983-09-01 | Philips Nv | Magneetkop. |
| JPS60224109A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-08 | Hitachi Ltd | 複合型磁気ヘツドを用いた磁気記録再生装置 |
| JPS61214110A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-24 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気ヘツド |
| US4939608A (en) * | 1985-11-30 | 1990-07-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Low-noise magnetic read/write head |
| JPS63308715A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-16 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッド |
-
1988
- 1988-10-11 JP JP63253724A patent/JP2619017B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-10-10 US US07/419,104 patent/US5057955A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02101611A (ja) | 1990-04-13 |
| US5057955A (en) | 1991-10-15 |
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