JPH05342524A - 磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH05342524A JPH05342524A JP15221592A JP15221592A JPH05342524A JP H05342524 A JPH05342524 A JP H05342524A JP 15221592 A JP15221592 A JP 15221592A JP 15221592 A JP15221592 A JP 15221592A JP H05342524 A JPH05342524 A JP H05342524A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気ギャップ近傍部に高飽和磁束密度の金属
磁性薄膜を配した磁気ヘッドにおいて、溶着ガラスと窒
素を含む金属磁性薄膜との反応を充分に抑制し、且、磁
気記録特性に何らの悪影響をも与えない磁気ヘッド、及
び、その製造方法を提示すること。 【構成】 金属磁性薄膜を、フェライトよりなる磁気コ
ア半体８ａ，８ｂ側の第１層９ａ，９ｂが窒素を含み、
溶着ガラス１２ａ，１２ｂ側の第２層１０ａ，１０ｂが
窒素を含まない磁性材より構成した。また、第１の金属
薄膜１６の被着後、一旦磁気コア半体１５に加熱処理を
施すことにより、溶着時における第１の金属薄膜１６と
第２の金属薄膜１７間の拡散を防止した。
磁性薄膜を配した磁気ヘッドにおいて、溶着ガラスと窒
素を含む金属磁性薄膜との反応を充分に抑制し、且、磁
気記録特性に何らの悪影響をも与えない磁気ヘッド、及
び、その製造方法を提示すること。 【構成】 金属磁性薄膜を、フェライトよりなる磁気コ
ア半体８ａ，８ｂ側の第１層９ａ，９ｂが窒素を含み、
溶着ガラス１２ａ，１２ｂ側の第２層１０ａ，１０ｂが
窒素を含まない磁性材より構成した。また、第１の金属
薄膜１６の被着後、一旦磁気コア半体１５に加熱処理を
施すことにより、溶着時における第１の金属薄膜１６と
第２の金属薄膜１７間の拡散を防止した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体に対して
磁気コアを摺動させて磁気記録または再生を行う磁気ヘ
ッドに関し、特に磁気コアが主にフェライトよりなり、
磁気ギャップ近傍部に高飽和磁束密度の金属磁性薄膜を
配した磁気ヘッドに関するものである。
磁気コアを摺動させて磁気記録または再生を行う磁気ヘ
ッドに関し、特に磁気コアが主にフェライトよりなり、
磁気ギャップ近傍部に高飽和磁束密度の金属磁性薄膜を
配した磁気ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年ＶＴＲ（ビデオテープレコーダ）や
ＤＡＴ（デジタルオーデイオテープレコーダ）等の機器
においては、磁気記録の高密度化を図るために抗磁力の
高い磁気記録媒体を用いる様になり、これに伴い磁気ヘ
ッドとしては、主にフェライトから形成された磁気コア
の磁気ギャップに面する突き合わせ面にセンダトやアモ
ルファスなどの高飽和磁束密度の磁性薄膜を、真空薄膜
形成法により成膜、被着した磁気ヘッド、所謂ＭＩＧ
（メタル・イン・ギャップ）ヘッドが用いられる様にな
ってきた。
ＤＡＴ（デジタルオーデイオテープレコーダ）等の機器
においては、磁気記録の高密度化を図るために抗磁力の
高い磁気記録媒体を用いる様になり、これに伴い磁気ヘ
ッドとしては、主にフェライトから形成された磁気コア
の磁気ギャップに面する突き合わせ面にセンダトやアモ
ルファスなどの高飽和磁束密度の磁性薄膜を、真空薄膜
形成法により成膜、被着した磁気ヘッド、所謂ＭＩＧ
（メタル・イン・ギャップ）ヘッドが用いられる様にな
ってきた。
【０００３】図７は、この種のＭＩＧヘッドの構成例を
示す図であり、図中１ａ．１ｂは夫々フェライトからな
る磁気コア半体、３は巻線窓、４ａ，４ｂは夫々センダ
スト薄膜、５は巻線溝、６は溶着ガラス、７は磁気記録
媒体摺動面、ｇは磁気ギャップである。
示す図であり、図中１ａ．１ｂは夫々フェライトからな
る磁気コア半体、３は巻線窓、４ａ，４ｂは夫々センダ
スト薄膜、５は巻線溝、６は溶着ガラス、７は磁気記録
媒体摺動面、ｇは磁気ギャップである。
【０００４】一方、より磁気特性を向上させるため、ま
た、耐摩耗性を向上させるために、上述の磁性薄膜とし
て窒素を含む磁性薄膜を用いることが提案されている。
た、耐摩耗性を向上させるために、上述の磁性薄膜とし
て窒素を含む磁性薄膜を用いることが提案されている。
【０００５】窒素を磁性薄膜中に含ませる手法として
は、磁性薄膜の生成時におけるスパッタガスをアルゴン
（Ａｒ）と窒素（Ｎ）とを含むガスとし、反応性スパッ
タリング法により形成することが一般的である。
は、磁性薄膜の生成時におけるスパッタガスをアルゴン
（Ａｒ）と窒素（Ｎ）とを含むガスとし、反応性スパッ
タリング法により形成することが一般的である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、窒素入り薄
膜の場合、溶着ガラスとの反応が激しく、特に、Ｆｅ−
Ａｌ−Ｓｉ系センダスト薄膜の場合、Ｎ2 を添加するこ
とにより、反応性が急激に激しくなり、気泡を生じてし
まう。
膜の場合、溶着ガラスとの反応が激しく、特に、Ｆｅ−
Ａｌ−Ｓｉ系センダスト薄膜の場合、Ｎ2 を添加するこ
とにより、反応性が急激に激しくなり、気泡を生じてし
まう。
【０００７】この気泡が磁気記録媒体と摺接する部分に
も発生し、磁気記録媒体を傷つけたり、磁性分の剥離に
ともない磁気ヘッドの多くの磁性分が付着し、ドロップ
アウト等の原因となっていた。これらの原因により、一
般に窒素入りの金属磁性薄膜を用いるＭＩＧヘッドにお
いては、不良率が高くなっていた。
も発生し、磁気記録媒体を傷つけたり、磁性分の剥離に
ともない磁気ヘッドの多くの磁性分が付着し、ドロップ
アウト等の原因となっていた。これらの原因により、一
般に窒素入りの金属磁性薄膜を用いるＭＩＧヘッドにお
いては、不良率が高くなっていた。
【０００８】窒素入りの金属磁性薄膜が、溶着ガラスと
の反応性が激しい理由は現在のところ完全には解明され
ていないが、以下の理由であると考えられる。
の反応性が激しい理由は現在のところ完全には解明され
ていないが、以下の理由であると考えられる。
【０００９】即ち、センダスト膜を例にとった場合、Ｎ
2 が含まれていると、一般のセンダスト膜の様に安全な
不働態膜が形成されにくく、深く酸化されやすくなる。
そのため、溶着ガラスとの境界で、磁性膜がガラス中の
酸素の取り込むために気泡が発生するのではないかと考
えられる。
2 が含まれていると、一般のセンダスト膜の様に安全な
不働態膜が形成されにくく、深く酸化されやすくなる。
そのため、溶着ガラスとの境界で、磁性膜がガラス中の
酸素の取り込むために気泡が発生するのではないかと考
えられる。
【００１０】この対策としては、第１に反応しない溶着
ガラスを選択すること、第２に反応防止膜を設けその膜
厚を厚くすること等が考えられる。
ガラスを選択すること、第２に反応防止膜を設けその膜
厚を厚くすること等が考えられる。
【００１１】しかしながら、窒素入りのセンダスト膜の
場合には反応が激しく、反応しない溶着ガラスを選択す
ることは事実上不可能である。
場合には反応が激しく、反応しない溶着ガラスを選択す
ることは事実上不可能である。
【００１２】また、反応防止膜として金属薄膜やセラミ
ック薄膜を厚く形成すれば、反応を防止することは可能
であり、特に、Ｃｒ2 Ｏ3 やＣｒ膜はガラスに溶けず、
保護膜としては最適であるが、これらＣｒ2 Ｏ3 やＣｒ
膜は磁気記録媒体に対する耐摩耗性が非常に良く、溶着
ガラスやギャップ材のＳｉＯ2 膜に比し摩耗しないた
め、磁気記録媒体摺動面において凸部となってしまう。
そのため、この凸部により磁気記録媒体を傷つけてしま
うことがある。
ック薄膜を厚く形成すれば、反応を防止することは可能
であり、特に、Ｃｒ2 Ｏ3 やＣｒ膜はガラスに溶けず、
保護膜としては最適であるが、これらＣｒ2 Ｏ3 やＣｒ
膜は磁気記録媒体に対する耐摩耗性が非常に良く、溶着
ガラスやギャップ材のＳｉＯ2 膜に比し摩耗しないた
め、磁気記録媒体摺動面において凸部となってしまう。
そのため、この凸部により磁気記録媒体を傷つけてしま
うことがある。
【００１３】特に、溶着ガラスと磁性薄膜との境界にお
ける保護膜を磁気ギャップ用非磁性膜とに兼用する場合
においては、磁気ギャップ部に凸部が生じることにな
り、磁気記録媒体の剥離が進み、磁気ギャップ部分に剥
離した磁性粉が付着することになり、致命的な欠点とな
る。
ける保護膜を磁気ギャップ用非磁性膜とに兼用する場合
においては、磁気ギャップ部に凸部が生じることにな
り、磁気記録媒体の剥離が進み、磁気ギャップ部分に剥
離した磁性粉が付着することになり、致命的な欠点とな
る。
【００１４】そのため、保護膜としては１００Å程度し
か、その厚みをとることができず、溶着ガラスと磁性薄
膜との反応を充分に抑圧することは不可能であった。
か、その厚みをとることができず、溶着ガラスと磁性薄
膜との反応を充分に抑圧することは不可能であった。
【００１５】本発明は上述の如き背景下において、磁気
コアが主にフェライトよりなり磁気ギャップ近傍部に高
飽和磁束密度の金属磁性薄膜を配した磁気ヘッドにおい
て、溶着ガラスと窒素を含む金属磁性薄膜との反応を充
分に抑制し、且、磁気記録特性に何らの悪影響をも与え
ない磁気ヘッド、及び、その製造方法を提示することを
目的とする。
コアが主にフェライトよりなり磁気ギャップ近傍部に高
飽和磁束密度の金属磁性薄膜を配した磁気ヘッドにおい
て、溶着ガラスと窒素を含む金属磁性薄膜との反応を充
分に抑制し、且、磁気記録特性に何らの悪影響をも与え
ない磁気ヘッド、及び、その製造方法を提示することを
目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】斯かる目的下において、
本発明の磁気ヘッドにおいては、フェライトよりなる一
対の磁気コア半体の少なくとも一方に金属磁性薄膜を被
着し、溶着ガラスにより該一対の磁気コア半体を前記金
属磁性薄膜及び磁気ギャップを介して接合してなる磁気
ヘッドにおいて、前記金属磁性薄膜を、フェライト側の
第１層が窒素を含み、前記溶着ガラス側の第２層が窒素
を含まない磁性材より構成している。
本発明の磁気ヘッドにおいては、フェライトよりなる一
対の磁気コア半体の少なくとも一方に金属磁性薄膜を被
着し、溶着ガラスにより該一対の磁気コア半体を前記金
属磁性薄膜及び磁気ギャップを介して接合してなる磁気
ヘッドにおいて、前記金属磁性薄膜を、フェライト側の
第１層が窒素を含み、前記溶着ガラス側の第２層が窒素
を含まない磁性材より構成している。
【００１７】また、本発明による磁気ヘッドの製造方法
においては、フェライトよりなる一対の磁気コア半体の
少なくとも一方に窒素を含む第１の金属磁性薄膜を被着
し、該第１の金属薄膜の被着された磁気コア半体を加熱
処理し、該加熱処理後に窒素を含まない第２の金属磁性
薄膜を前記第１の金属磁性薄膜上に被着し、該第２の金
属磁性薄膜の被着後、溶着ガラスにより該一対の磁気コ
ア半体を前記第１，第２の金属磁性薄膜及び磁気ギャッ
プを介して接合する。
においては、フェライトよりなる一対の磁気コア半体の
少なくとも一方に窒素を含む第１の金属磁性薄膜を被着
し、該第１の金属薄膜の被着された磁気コア半体を加熱
処理し、該加熱処理後に窒素を含まない第２の金属磁性
薄膜を前記第１の金属磁性薄膜上に被着し、該第２の金
属磁性薄膜の被着後、溶着ガラスにより該一対の磁気コ
ア半体を前記第１，第２の金属磁性薄膜及び磁気ギャッ
プを介して接合する。
【００１８】
【作用】上述の如き磁気ヘッドの構成によれば、溶着ガ
ラスと磁性薄膜との間に厚い反応防止膜を設けることな
く、窒素入り磁性薄膜と溶着ガラスとの反応を抑圧する
ことができる。
ラスと磁性薄膜との間に厚い反応防止膜を設けることな
く、窒素入り磁性薄膜と溶着ガラスとの反応を抑圧する
ことができる。
【００１９】また、上記第１の金属薄膜の被着後、一旦
磁気コア半体を加熱処理を施すことにより、溶着時にお
ける第１の金属薄膜と第２の金属薄膜間の拡散を防止
し、上記磁性薄膜と溶着ガラスとの反応の抑圧効果を更
に高めることができる。
磁気コア半体を加熱処理を施すことにより、溶着時にお
ける第１の金属薄膜と第２の金属薄膜間の拡散を防止
し、上記磁性薄膜と溶着ガラスとの反応の抑圧効果を更
に高めることができる。
【００２０】
【実施例】図１は本発明の一実施例の磁気ヘッドを磁気
記録媒体摺動面から見た図であり、図２はその要部拡大
図である。
記録媒体摺動面から見た図であり、図２はその要部拡大
図である。
【００２１】図中、８ａ，８ｂは夫々フェライトからな
る磁気コア半体であり、これらの夫々の端面には窒素を
含有するセンダスト薄膜９ａ，９ｂが被着されている。
そして、この窒素を含有するセンダスト薄膜９ａ，９ｂ
上には、更に窒素を含有しないセンダスト薄膜１０ａ，
１０ｂが磁性保護膜として被着されている。
る磁気コア半体であり、これらの夫々の端面には窒素を
含有するセンダスト薄膜９ａ，９ｂが被着されている。
そして、この窒素を含有するセンダスト薄膜９ａ，９ｂ
上には、更に窒素を含有しないセンダスト薄膜１０ａ，
１０ｂが磁性保護膜として被着されている。
【００２２】１１ａ，１１ｂは反応防止膜であり、その
厚みは１００Å程度である。１２ａ，１２ｂは夫々溶着
ガラスであり、反応防止膜１１ａ，１１ｂはこの溶着ガ
ラス１２ａ，１２ｂと窒素を含有しないセンダスト薄膜
１０ａ，１０ｂとの間に介在することになる。
厚みは１００Å程度である。１２ａ，１２ｂは夫々溶着
ガラスであり、反応防止膜１１ａ，１１ｂはこの溶着ガ
ラス１２ａ，１２ｂと窒素を含有しないセンダスト薄膜
１０ａ，１０ｂとの間に介在することになる。
【００２３】本実施例の磁気ヘッドにおいて、保護用磁
性薄膜１０ａ，１０ｂの厚みは１００Å以上１μｍ以下
としている。この理由を以下に説明する。
性薄膜１０ａ，１０ｂの厚みは１００Å以上１μｍ以下
としている。この理由を以下に説明する。
【００２４】即ち、保護用磁性薄膜１０ａ，１０ｂの厚
みが１００Åとなると、ガラス溶着の際の温度５００℃
〜６００℃によって第１層目の窒素を含有するセンダス
ト薄膜９ａ，９ｂと、第２層目の窒素を含有しない保護
用センダスト薄膜１０ａ，１０との間に拡散が生じ、Ｎ
2 が保護用磁性薄膜１０ａ，１０ｂにも移動し、磁気記
録媒体摺動面に前述のような大きなガラス気泡が生じて
しまう可能性が高くなる。
みが１００Åとなると、ガラス溶着の際の温度５００℃
〜６００℃によって第１層目の窒素を含有するセンダス
ト薄膜９ａ，９ｂと、第２層目の窒素を含有しない保護
用センダスト薄膜１０ａ，１０との間に拡散が生じ、Ｎ
2 が保護用磁性薄膜１０ａ，１０ｂにも移動し、磁気記
録媒体摺動面に前述のような大きなガラス気泡が生じて
しまう可能性が高くなる。
【００２５】また、一方、保護用磁性薄膜１０ａ，１０
ｂの厚みが１μｍ以上となってしまうと、下記の如き問
題が残る可能性がある。
ｂの厚みが１μｍ以上となってしまうと、下記の如き問
題が残る可能性がある。
【００２６】即ち、１つには、高周波域の特性向上のた
めに用いられている窒素を含有するセンダスト膜の特性
が磁気ヘッド自体の特性として充分に引き出せない点で
ある。
めに用いられている窒素を含有するセンダスト膜の特性
が磁気ヘッド自体の特性として充分に引き出せない点で
ある。
【００２７】また、窒素を含有するセンダスト膜９ａ，
９ｂの硬さは９００〜１０００（ＨV ）程度であり、窒
素を含有しないセンダスト膜１０ａ，１０ｂの硬さは５
００〜７００（ＨV ）程度であり、窒素を含有しないセ
ンダスト膜の厚みが１μｍ以上となってしまうと、両層
の間で段差が発生し、磁気記録媒体を損傷する原因とな
る可能性がある。尚、窒素を含有しないセンダスト膜の
厚みが１μｍ以下の場合、窒素を含有するセンダスト膜
９ａ，９ｂによってささえられ、段差は殆どなくなるこ
とが確認されている。
９ｂの硬さは９００〜１０００（ＨV ）程度であり、窒
素を含有しないセンダスト膜１０ａ，１０ｂの硬さは５
００〜７００（ＨV ）程度であり、窒素を含有しないセ
ンダスト膜の厚みが１μｍ以上となってしまうと、両層
の間で段差が発生し、磁気記録媒体を損傷する原因とな
る可能性がある。尚、窒素を含有しないセンダスト膜の
厚みが１μｍ以下の場合、窒素を含有するセンダスト膜
９ａ，９ｂによってささえられ、段差は殆どなくなるこ
とが確認されている。
【００２８】尚、反応防止膜１１ａ，１１ｂとしては前
述したＣｒ2 Ｏ3 膜やＣｒ膜を用いている。
述したＣｒ2 Ｏ3 膜やＣｒ膜を用いている。
【００２９】次に、上述した図１、図２に示す磁気ヘッ
ドの製造方法についてず３（Ａ）〜（Ｆ）を用いて説明
する。
ドの製造方法についてず３（Ａ）〜（Ｆ）を用いて説明
する。
【００３０】まず、図３（Ａ）に示す様にフェライト板
１５に加工を施す。これは後工程において成膜すること
も考慮しつつ、トラック溝１３及び巻線溝１４を形成す
る工程である。
１５に加工を施す。これは後工程において成膜すること
も考慮しつつ、トラック溝１３及び巻線溝１４を形成す
る工程である。
【００３１】次に、図３（Ｂ）に示す様に、第１層目の
磁性薄膜１６として、Ｆｅ８５wt％（重量パーセン
ト），Ａｌ４wt％，Ｓｉ９wt％，Ｎ2 ２wt％よりなる磁
性薄膜１６を５μｍ被着させる。ここで、窒素を含有す
るセンダストについてはａｒに窒素を添加したガス内に
おいて反応性スパッタリングを行うことにより形成し
た。
磁性薄膜１６として、Ｆｅ８５wt％（重量パーセン
ト），Ａｌ４wt％，Ｓｉ９wt％，Ｎ2 ２wt％よりなる磁
性薄膜１６を５μｍ被着させる。ここで、窒素を含有す
るセンダストについてはａｒに窒素を添加したガス内に
おいて反応性スパッタリングを行うことにより形成し
た。
【００３２】この、スパッタリング直後においては、図
３（Ｂ）に示すピースは上記第１層目の磁性薄膜１６側
に反り返る。即ち、−５〜−１０×１０9 （dyn/cm2 ）
もの大きな応力が生じている。このままでは、後の突き
合わせ工程においてギャップ長の精度が出ないため、応
力除去用のポストアニールを４００℃〜４５０℃程度で
行う。
３（Ｂ）に示すピースは上記第１層目の磁性薄膜１６側
に反り返る。即ち、−５〜−１０×１０9 （dyn/cm2 ）
もの大きな応力が生じている。このままでは、後の突き
合わせ工程においてギャップ長の精度が出ないため、応
力除去用のポストアニールを４００℃〜４５０℃程度で
行う。
【００３３】この時の熱処理により、（１１０）の強度
が高くなり、配向性が増し、結晶子も大きくなる。この
様子を図４，図５に示す。図４は第１層目の磁性薄膜１
６のスパッタリング直後のＸ線回析結果、図５は上記４
００℃〜４５０℃の熱処理を２時間行った後のＸ線回析
結果を夫々示す。
が高くなり、配向性が増し、結晶子も大きくなる。この
様子を図４，図５に示す。図４は第１層目の磁性薄膜１
６のスパッタリング直後のＸ線回析結果、図５は上記４
００℃〜４５０℃の熱処理を２時間行った後のＸ線回析
結果を夫々示す。
【００３４】これは、図３（Ｂ）に示す工程で被着され
た第１層目の磁性薄膜１６が、熱処理により再配列し、
原子レベルの移動が発生していることを示している。第
１層目の磁性薄膜１６の成膜中に、Ｎ2 の添加をやめる
等して、窒素を含有しない磁性薄膜を第１層の磁性薄膜
上に成膜した場合においても、前述の様に応力除去の熱
処理や、ガラス溶着時において、膜内で原子レベルの移
動が活性化し、窒素を含有しない磁性薄膜にも窒素が拡
散する。
た第１層目の磁性薄膜１６が、熱処理により再配列し、
原子レベルの移動が発生していることを示している。第
１層目の磁性薄膜１６の成膜中に、Ｎ2 の添加をやめる
等して、窒素を含有しない磁性薄膜を第１層の磁性薄膜
上に成膜した場合においても、前述の様に応力除去の熱
処理や、ガラス溶着時において、膜内で原子レベルの移
動が活性化し、窒素を含有しない磁性薄膜にも窒素が拡
散する。
【００３５】本実施例では、これに伴う気泡の発生によ
り、窒素を含有しない磁性薄膜を保護膜として設ける効
果が減退するのを防止するために、窒素を含有する第１
層目の磁性薄膜１６の成膜後において、応力除去のため
の熱処理を一旦行い、膜内の原子の再配列を行った後、
第２層目の保護膜としての窒素を含有しない磁性薄膜１
７の被着を行う様にした。
り、窒素を含有しない磁性薄膜を保護膜として設ける効
果が減退するのを防止するために、窒素を含有する第１
層目の磁性薄膜１６の成膜後において、応力除去のため
の熱処理を一旦行い、膜内の原子の再配列を行った後、
第２層目の保護膜としての窒素を含有しない磁性薄膜１
７の被着を行う様にした。
【００３６】ここで、上述の応力除去熱処理を４００℃
〜４５０℃にて行うことにより、その後のガラス溶着温
度約５５０℃と温度が近いので、このガラス溶着時には
拡散が発生しにくい。図６は約５５０℃の熱処理を２時
間行った後のＸ線回析結果を示す。
〜４５０℃にて行うことにより、その後のガラス溶着温
度約５５０℃と温度が近いので、このガラス溶着時には
拡散が発生しにくい。図６は約５５０℃の熱処理を２時
間行った後のＸ線回析結果を示す。
【００３７】図５，図６から明らかな様に、４００℃〜
４５０℃による応力除去熱処理後の回析結果は、約５５
０℃の熱処理を２時間行った後の回析結果とほぼ同様で
あり、原子配列が殆ど変化していないことがわかる。
４５０℃による応力除去熱処理後の回析結果は、約５５
０℃の熱処理を２時間行った後の回析結果とほぼ同様で
あり、原子配列が殆ど変化していないことがわかる。
【００３８】そして、上記４００℃〜４５０℃による応
力除去熱処理後、図３（Ｃ）に示す様に保護膜としての
窒素を含有しない磁性薄膜１７の被着を行い、図３
（Ｄ）に示す工程にて、磁気ギャップとなるギャップ材
及び上述した反応防止膜よりなる薄膜１８をこの第２層
目の磁性薄膜１７上に被着しする。
力除去熱処理後、図３（Ｃ）に示す様に保護膜としての
窒素を含有しない磁性薄膜１７の被着を行い、図３
（Ｄ）に示す工程にて、磁気ギャップとなるギャップ材
及び上述した反応防止膜よりなる薄膜１８をこの第２層
目の磁性薄膜１７上に被着しする。
【００３９】そして、その後図３（Ｅ）に示す様に溶着
に都合の良い寸法に毎に切断し、図（Ｆ）に示す様に５
５０℃で２時間かけて、低融点ガラス１９で溶着し、更
に図３（Ｆ）のＡ，Ｂ線に沿って切断することにより図
１，図２に示した本実施例のヘッドを得る。
に都合の良い寸法に毎に切断し、図（Ｆ）に示す様に５
５０℃で２時間かけて、低融点ガラス１９で溶着し、更
に図３（Ｆ）のＡ，Ｂ線に沿って切断することにより図
１，図２に示した本実施例のヘッドを得る。
【００４０】尚、磁性膜１６，１７中にＲｕを若干、例
えば０．０５wt％添加することにより、溶着ガラスとの
反応性がより少なくなり、本発明の効果を一層高めるこ
とができる。
えば０．０５wt％添加することにより、溶着ガラスとの
反応性がより少なくなり、本発明の効果を一層高めるこ
とができる。
【００４１】
【発明の効果】以上、説明した様に本発明の磁気ヘッド
によれば、磁気コアが主にフェライトよりなり磁気ギャ
ップ近傍部に高飽和磁束密度の金属磁性薄膜を配した磁
気ヘッドにおいて、金属磁性薄膜を、フェライト側の第
１層が窒素を含み、前記溶着ガラス側の第２層が窒素を
含まない磁性材より構成することにより、溶着ガラスと
窒素を含む金属磁性薄膜との反応を充分に抑制し、且、
磁気記録特性に何らの悪影響をも与えない磁気ヘッドを
得ることができる。
によれば、磁気コアが主にフェライトよりなり磁気ギャ
ップ近傍部に高飽和磁束密度の金属磁性薄膜を配した磁
気ヘッドにおいて、金属磁性薄膜を、フェライト側の第
１層が窒素を含み、前記溶着ガラス側の第２層が窒素を
含まない磁性材より構成することにより、溶着ガラスと
窒素を含む金属磁性薄膜との反応を充分に抑制し、且、
磁気記録特性に何らの悪影響をも与えない磁気ヘッドを
得ることができる。
【００４２】また、本発明の磁気ヘッドの製造方法によ
れば、第１の金属薄膜の被着された磁気コア半体を加熱
処理し、該加熱処理後に窒素を含まない第２の金属磁性
薄膜を前記第１の金属磁性薄膜上に被着することによ
り、溶着時における第１の金属薄膜と第２の金属薄膜間
の拡散を防止し、上記磁性薄膜と溶着ガラスとの反応の
抑圧効果を更に高めることができる。
れば、第１の金属薄膜の被着された磁気コア半体を加熱
処理し、該加熱処理後に窒素を含まない第２の金属磁性
薄膜を前記第１の金属磁性薄膜上に被着することによ
り、溶着時における第１の金属薄膜と第２の金属薄膜間
の拡散を防止し、上記磁性薄膜と溶着ガラスとの反応の
抑圧効果を更に高めることができる。
【図１】本発明の一実施例の磁気ヘッドを磁気記録媒体
摺動面から見た図である。
摺動面から見た図である。
【図２】図１に示される磁気ヘッドの要部拡大図であ
る。
る。
【図３】図１及び図２に示される磁気ヘッドの製造工程
を示す図である。
を示す図である。
【図４】図３の製造工程中、第１層目の磁性薄膜のスパ
ッタリング直後のＸ線回析結果を示す図。
ッタリング直後のＸ線回析結果を示す図。
【図５】図３の製造工程中、４００℃〜４５０℃の熱処
理を２時間行った後のＸ線回析結果を示す図である。
理を２時間行った後のＸ線回析結果を示す図である。
【図６】図３の製造工程中、ガラス溶着のための５５０
℃の熱処理を２時間行った後のＸ線回析結果を示す図で
ある。
℃の熱処理を２時間行った後のＸ線回析結果を示す図で
ある。
【図７】従来の磁気ヘッドの一構成例を示す斜視図であ
る。
る。
８ａ，８ｂ フェライトコアからなる磁気コア半体 ９ａ，９ｂ 窒素を含有するセンダスト薄膜（第１層） １０ａ，１０ｂ 窒素を含有しないセンダスト薄膜（第
２層） １１ａ，１１ｂ 反応防止膜 １２ａ，１２ｂ 溶着ガラス １５ フェライト板 １６ 第１層目の金属磁性薄膜 １７ 第２層目の金属磁性薄膜 １９ 低融点（溶着）ガラス
２層） １１ａ，１１ｂ 反応防止膜 １２ａ，１２ｂ 溶着ガラス １５ フェライト板 １６ 第１層目の金属磁性薄膜 １７ 第２層目の金属磁性薄膜 １９ 低融点（溶着）ガラス
Claims (7)
- 【請求項１】 フェライトよりなる一対の磁気コア半体
の少なくとも一方に金属磁性薄膜を被着し、溶着ガラス
により該一対の磁気コア半体を前記金属磁性薄膜及び磁
気ギャップを介して接合してなる磁気ヘッドであって、 前記金属磁性薄膜はフェライト側の第１層が窒素を含
み、前記溶着ガラス側の第２層が窒素を含まないことを
特徴とする有する磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記金属磁性薄膜の第２層はＦｅ−Ａｌ
−Ｓｉを主成分とする組成であることを特徴とする請求
項１の磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記金属磁性薄膜の第１層もまたＦｅ−
Ａｌ−Ｓｉを主成分とする組成であることを特徴とする
請求項２の磁気ヘッド。 - 【請求項４】 前記金属磁性薄膜の第１層及び第２層に
は夫々Ｒｕが添加されていることを特徴とする請求項３
の磁気ヘッド。 - 【請求項５】 前記金属磁性薄膜の第１層の厚みが、１
００Å以上１μｍ以下であることを特徴とする請求項１
の磁気ヘッド。 - 【請求項６】 前記金属磁性薄膜と前記溶着ガラスと保
護膜が形成されており、前記保護膜の一部が前記磁気ギ
ャップを構成することを特徴とする請求項１の磁気ヘッ
ド。 - 【請求項７】 フェライトよりなる一対の磁気コア半体
の少なくとも一方に窒素を含む第１の金属磁性薄膜を被
着し、 該第１の金属薄膜の被着された磁気コア半体を加熱処理
し、 該加熱処理後に窒素を含まない第２の金属磁性薄膜を、
前記第１の金属磁性薄膜上に被着し、 該第２の金属磁性薄膜の被着後、溶着ガラスにより該一
対の磁気コア半体を前記第１，第２の金属磁性薄膜及び
磁気ギャップを介して接合することを特徴とする磁気ヘ
ッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15221592A JPH05342524A (ja) | 1992-06-11 | 1992-06-11 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15221592A JPH05342524A (ja) | 1992-06-11 | 1992-06-11 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05342524A true JPH05342524A (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=15535595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15221592A Pending JPH05342524A (ja) | 1992-06-11 | 1992-06-11 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05342524A (ja) |
-
1992
- 1992-06-11 JP JP15221592A patent/JPH05342524A/ja active Pending
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