JPH0586462A - スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法 - Google Patents
スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法Info
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- JPH0586462A JPH0586462A JP3159128A JP15912891A JPH0586462A JP H0586462 A JPH0586462 A JP H0586462A JP 3159128 A JP3159128 A JP 3159128A JP 15912891 A JP15912891 A JP 15912891A JP H0586462 A JPH0586462 A JP H0586462A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ターゲット１１は、柱状基体１２と、基体１
２の外周面１２ａに積層された中間層１３，１４と、中
間層１４の外周面に積層されたＡｌ含有Ｓｉ合金のター
ゲット層１５とから構成される。基体はステンレススチ
ール、Ｃｕ合金から選択された少なくとも１種、中間層
はＭｏ，Ｔｉ，Ｗ，Ｎｉから選択された少なくとも１
種、中間層の最外層はＮｉを主成分とする。また、中間
層は複数の層とし、基体は筒状であるとしてもよい。ま
た、ターゲットの製造方法は、溶射法により基体の外周
面に中間層とターゲット層を順次積層する。 【効果】 ターゲット層が基体から剥離するのを防止す
ることができ、耐腐食性及び冷却効率を高めることがで
きる。また、ターゲット層の機械加工をする必要がなく
なり、該ターゲット層と基体との軸合わせも不要にな
る。したがって、長尺の円筒状のターゲットを容易に製
造することが可能になる。
２の外周面１２ａに積層された中間層１３，１４と、中
間層１４の外周面に積層されたＡｌ含有Ｓｉ合金のター
ゲット層１５とから構成される。基体はステンレススチ
ール、Ｃｕ合金から選択された少なくとも１種、中間層
はＭｏ，Ｔｉ，Ｗ，Ｎｉから選択された少なくとも１
種、中間層の最外層はＮｉを主成分とする。また、中間
層は複数の層とし、基体は筒状であるとしてもよい。ま
た、ターゲットの製造方法は、溶射法により基体の外周
面に中間層とターゲット層を順次積層する。 【効果】 ターゲット層が基体から剥離するのを防止す
ることができ、耐腐食性及び冷却効率を高めることがで
きる。また、ターゲット層の機械加工をする必要がなく
なり、該ターゲット層と基体との軸合わせも不要にな
る。したがって、長尺の円筒状のターゲットを容易に製
造することが可能になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、基体の外周面に溶射
法によりＳｉ合金のターゲット層を形成したスパッタリ
ング用ターゲット及びその製造方法に関するものであ
る。
法によりＳｉ合金のターゲット層を形成したスパッタリ
ング用ターゲット及びその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、Ｓｉ合金をターゲット層としたＤ
Ｃスパッタリング用ターゲット（以下、単にターゲット
と略称する）としてはプレーナ型（円板状もしくは角板
状）のターゲットが広く使用されている。しかし、この
ターゲットは、材料の使用効率が２０％以下と非常に低
く、また連続スパッタリングや長尺物のスパッタリング
ができない等の欠点もあるために、最近では円筒状のタ
ーゲットが用いられつつある。
Ｃスパッタリング用ターゲット（以下、単にターゲット
と略称する）としてはプレーナ型（円板状もしくは角板
状）のターゲットが広く使用されている。しかし、この
ターゲットは、材料の使用効率が２０％以下と非常に低
く、また連続スパッタリングや長尺物のスパッタリング
ができない等の欠点もあるために、最近では円筒状のタ
ーゲットが用いられつつある。
【０００３】図２は円筒状のターゲットの一例を示す断
面図である。このターゲット１は、円筒状のステンレス
製のバッキングチューブ（基体）２の外周面２ａに、溶
射法によりＳｉ合金のターゲット層３を均一に形成した
ものである。
面図である。このターゲット１は、円筒状のステンレス
製のバッキングチューブ（基体）２の外周面２ａに、溶
射法によりＳｉ合金のターゲット層３を均一に形成した
ものである。
【０００４】このターゲット１は、材料の使用効率が８
０〜９０％程度と非常に高く、またガラス面や鏡面等の
広い部分に均一にスパッタリングすることができること
から、今後益々利用分野が広がる可能性があるターゲッ
トである。
０〜９０％程度と非常に高く、またガラス面や鏡面等の
広い部分に均一にスパッタリングすることができること
から、今後益々利用分野が広がる可能性があるターゲッ
トである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のター
ゲット１を用いてスパッタリングした場合、スパッタ中
にターゲット層３がバッキングチューブ２から剥離する
という問題があった。
ゲット１を用いてスパッタリングした場合、スパッタ中
にターゲット層３がバッキングチューブ２から剥離する
という問題があった。
【０００６】その理由は、ターゲット層３とバッキング
チューブ２との熱膨張係数が異なるために、スパッタリ
ング毎にターゲット層３とバッキングチューブ２がそれ
ぞれ膨張・収縮を繰り返し、ターゲット層３とバッキン
グチューブ２との接合強度が低下することによる。この
接合強度がさらに低下した場合、ターゲット層３に割れ
が発生したり、また容易にバッキングチューブ２から剥
離したり等の不具合が生じることとなり、製品の品質に
悪影響を及ぼすこととなる。
チューブ２との熱膨張係数が異なるために、スパッタリ
ング毎にターゲット層３とバッキングチューブ２がそれ
ぞれ膨張・収縮を繰り返し、ターゲット層３とバッキン
グチューブ２との接合強度が低下することによる。この
接合強度がさらに低下した場合、ターゲット層３に割れ
が発生したり、また容易にバッキングチューブ２から剥
離したり等の不具合が生じることとなり、製品の品質に
悪影響を及ぼすこととなる。
【０００７】この発明は上記の事情に鑑みてなされたも
のであって、以上の問題を有効に解決することができる
Ｓｉ合金のスパッタリング用ターゲット及びその製造方
法を提供することにある。
のであって、以上の問題を有効に解決することができる
Ｓｉ合金のスパッタリング用ターゲット及びその製造方
法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は次の様なスパッタリング用ターゲット及
びその製造方法を採用した。
に、この発明は次の様なスパッタリング用ターゲット及
びその製造方法を採用した。
【０００９】すなわち、請求項１記載のスパッタリング
用ターゲットは、柱状の基体と、当該基体の外周面に形
成された中間層と、該中間層の外周面に形成され少なく
ともＡｌを含むＳｉ合金を主成分とするターゲット層と
からなることを特徴としている。
用ターゲットは、柱状の基体と、当該基体の外周面に形
成された中間層と、該中間層の外周面に形成され少なく
ともＡｌを含むＳｉ合金を主成分とするターゲット層と
からなることを特徴としている。
【００１０】また、請求項２記載のスパッタリング用タ
ーゲットは、請求項１記載のスパッタリング用ターゲッ
トにおいて、前記基体は、ステンレススチール、Ｃｕ合
金から選択された少なくとも１種を主成分とすることを
特徴としている。
ーゲットは、請求項１記載のスパッタリング用ターゲッ
トにおいて、前記基体は、ステンレススチール、Ｃｕ合
金から選択された少なくとも１種を主成分とすることを
特徴としている。
【００１１】また、請求項３記載のスパッタリング用タ
ーゲットは、請求項１記載のスパッタリング用ターゲッ
トにおいて、前記中間層は、Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗ，Ｎｉから
選択された少なくとも１種を主成分とすることを特徴と
している。
ーゲットは、請求項１記載のスパッタリング用ターゲッ
トにおいて、前記中間層は、Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗ，Ｎｉから
選択された少なくとも１種を主成分とすることを特徴と
している。
【００１２】また、請求項４記載のスパッタリング用タ
ーゲットは、請求項１，２または３記載のスパッタリン
グ用ターゲットにおいて、前記中間層は、複数の層から
なることを特徴としている。
ーゲットは、請求項１，２または３記載のスパッタリン
グ用ターゲットにおいて、前記中間層は、複数の層から
なることを特徴としている。
【００１３】また、請求項５記載のスパッタリング用タ
ーゲットは、請求項４記載のスパッタリング用ターゲッ
トにおいて、前記中間層の最外層は、Ｎｉを主成分とす
ることを特徴としている。
ーゲットは、請求項４記載のスパッタリング用ターゲッ
トにおいて、前記中間層の最外層は、Ｎｉを主成分とす
ることを特徴としている。
【００１４】また、請求項６記載のスパッタリング用タ
ーゲットは、請求項１または２記載のスパッタリング用
ターゲットにおいて、前記基体は、筒状であることを特
徴としている。
ーゲットは、請求項１または２記載のスパッタリング用
ターゲットにおいて、前記基体は、筒状であることを特
徴としている。
【００１５】また、請求項７記載のスパッタリング用タ
ーゲットの製造方法は、柱状の基体の外周面に、溶射法
により、中間層と、少なくともＡｌを含むＳｉ合金を主
成分とするターゲット層を順次積層することを特徴とし
ている。
ーゲットの製造方法は、柱状の基体の外周面に、溶射法
により、中間層と、少なくともＡｌを含むＳｉ合金を主
成分とするターゲット層を順次積層することを特徴とし
ている。
【００１６】また、請求項８記載のスパッタリング用タ
ーゲットの製造方法は、請求項７記載のスパッタリング
用ターゲットの製造方法において、前記基体は、筒状で
あることを特徴としている。
ーゲットの製造方法は、請求項７記載のスパッタリング
用ターゲットの製造方法において、前記基体は、筒状で
あることを特徴としている。
【００１７】以下、この発明を更に詳細に説明する。前
記基体としては次の様な特性、すなわち、非磁性、機械
的強度大、熱伝導率良、耐食性良、耐熱性良、熱膨張係
数小等の特性を備えた材料が好ましい。また、前記中間
層としては次の様な特性、すなわち、非磁性、基体との
なじみが良、熱膨張係数小（Ｓｉ系合金に近似）、他の
層と反応し難い等の特性を備えた材料が好ましい。
記基体としては次の様な特性、すなわち、非磁性、機械
的強度大、熱伝導率良、耐食性良、耐熱性良、熱膨張係
数小等の特性を備えた材料が好ましい。また、前記中間
層としては次の様な特性、すなわち、非磁性、基体との
なじみが良、熱膨張係数小（Ｓｉ系合金に近似）、他の
層と反応し難い等の特性を備えた材料が好ましい。
【００１８】ここで、前記基体の主成分を、ステンレス
スチール、Ｃｕ合金から選択された少なくとも１種とし
たのは、酸化性または還元性の雰囲気においてこれらの
材料が腐食し難いからであり、また、熱伝導性が良好で
あることより冷却効率を高めることができるからであ
る。
スチール、Ｃｕ合金から選択された少なくとも１種とし
たのは、酸化性または還元性の雰囲気においてこれらの
材料が腐食し難いからであり、また、熱伝導性が良好で
あることより冷却効率を高めることができるからであ
る。
【００１９】また、ターゲット層の主成分を、少なくと
もＡｌを含むＳｉ合金としたのは、Ｓｉ単体ではＳｉが
真性半導体であるために電気抵抗が高くＤＣスパッタが
できないが、少なくともＡｌを含むＳｉ合金とすること
により電気抵抗を低下させてターゲット層の電気伝導性
を確保することができるからである。また、Ａｌを加え
ることによりＳｉ合金の機械的強度及び耐熱性が高ま
り、前記ターゲット層に割れが発生したり、また容易に
バッキングチューブから剥離したり等の不具合が解消さ
れる。
もＡｌを含むＳｉ合金としたのは、Ｓｉ単体ではＳｉが
真性半導体であるために電気抵抗が高くＤＣスパッタが
できないが、少なくともＡｌを含むＳｉ合金とすること
により電気抵抗を低下させてターゲット層の電気伝導性
を確保することができるからである。また、Ａｌを加え
ることによりＳｉ合金の機械的強度及び耐熱性が高ま
り、前記ターゲット層に割れが発生したり、また容易に
バッキングチューブから剥離したり等の不具合が解消さ
れる。
【００２０】また、中間層の主成分をＭｏ，Ｔｉ，Ｗ，
Ｎｉから選択された少なくとも１種としたのは、これら
の元素が基体とターゲット層のいずれとも反応し難いか
らである。
Ｎｉから選択された少なくとも１種としたのは、これら
の元素が基体とターゲット層のいずれとも反応し難いか
らである。
【００２１】前記中間層を複数の層とした場合、例え
ば、前記基体と接合する層は、非磁性、基体とのなじみ
が良、熱膨張係数小（Ｓｉ合金に近似）、他の層と反応
し難い（脆い金属間化合物を形成しない）等の特性を備
えていることが好ましい。また、ターゲット層と接合す
る層は、非磁性、耐酸化性、熱膨張係数小（Ｓｉ合金に
近似）、他の層と反応し難い（Ｓｉと反応し難く脆い金
属間化合物を形成しない）等の特性を備えていることが
好ましい。
ば、前記基体と接合する層は、非磁性、基体とのなじみ
が良、熱膨張係数小（Ｓｉ合金に近似）、他の層と反応
し難い（脆い金属間化合物を形成しない）等の特性を備
えていることが好ましい。また、ターゲット層と接合す
る層は、非磁性、耐酸化性、熱膨張係数小（Ｓｉ合金に
近似）、他の層と反応し難い（Ｓｉと反応し難く脆い金
属間化合物を形成しない）等の特性を備えていることが
好ましい。
【００２２】また、前記溶射法としては、プラズマ溶射
法が好適に用いられる。このプラズマ溶射法は、不活性
ガス雰囲気中もしくは大気中において発生したプラズマ
を用いて溶融したターゲット材料を基体の外周面に均一
に溶射する方法である。
法が好適に用いられる。このプラズマ溶射法は、不活性
ガス雰囲気中もしくは大気中において発生したプラズマ
を用いて溶融したターゲット材料を基体の外周面に均一
に溶射する方法である。
【００２３】例えば、Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗ，Ｎｉのいずれか
１種を含む中間層を形成する場合、上記の元素の微粒子
を所定量とり、プラズマ発生用トーチにて発生させたプ
ラズマ中にこの微粒子を導入して溶融させる。溶融した
上記元素はプラズマにより基体の表面に吹き付けられて
該表面で固化し、該表面上に上記元素の均一な層を形成
する。
１種を含む中間層を形成する場合、上記の元素の微粒子
を所定量とり、プラズマ発生用トーチにて発生させたプ
ラズマ中にこの微粒子を導入して溶融させる。溶融した
上記元素はプラズマにより基体の表面に吹き付けられて
該表面で固化し、該表面上に上記元素の均一な層を形成
する。
【００２４】また、少なくともＡｌを含むＳｉ合金を主
成分とするターゲット層を形成する場合、Ｓｉの微粒子
とＡｌの微粒子をそれぞれ所定量とり、これらを均一に
混合させて混合粉体とし、プラズマ発生用トーチにて発
生させたプラズマ中にこの混合粉体を導入してＳｉを軟
化させると同時にＡｌを溶融させる。軟化したＳｉや溶
融したＡｌはプラズマにより基体の表面に吹き付けられ
て該表面で固化し、該表面上にＳｉとＡｌが均一に混じ
った合金相を形成する。
成分とするターゲット層を形成する場合、Ｓｉの微粒子
とＡｌの微粒子をそれぞれ所定量とり、これらを均一に
混合させて混合粉体とし、プラズマ発生用トーチにて発
生させたプラズマ中にこの混合粉体を導入してＳｉを軟
化させると同時にＡｌを溶融させる。軟化したＳｉや溶
融したＡｌはプラズマにより基体の表面に吹き付けられ
て該表面で固化し、該表面上にＳｉとＡｌが均一に混じ
った合金相を形成する。
【００２５】
【作用】この発明の請求項１記載のスパッタリング用タ
ーゲットでは、基体と、少なくともＡｌを含むＳｉ合金
を主成分とするターゲット層との間に接合強度の大きい
中間層を形成することにより、前記ターゲット層が基体
から剥離するのを防止する。
ーゲットでは、基体と、少なくともＡｌを含むＳｉ合金
を主成分とするターゲット層との間に接合強度の大きい
中間層を形成することにより、前記ターゲット層が基体
から剥離するのを防止する。
【００２６】また、請求項２記載のスパッタリング用タ
ーゲットでは、前記基体の主成分をステンレススチー
ル、Ｃｕ合金から選択された少なくとも１種とすること
により、耐腐食性及び冷却効率を高める。
ーゲットでは、前記基体の主成分をステンレススチー
ル、Ｃｕ合金から選択された少なくとも１種とすること
により、耐腐食性及び冷却効率を高める。
【００２７】また、請求項３記載のスパッタリング用タ
ーゲットでは、前記中間層の主成分を、Ｍｏ，Ｔｉ，
Ｗ，Ｎｉから選択された少なくとも１種とすることによ
り、基体とのなじみが改善されてターゲット層の剥離の
恐れがなくなる。
ーゲットでは、前記中間層の主成分を、Ｍｏ，Ｔｉ，
Ｗ，Ｎｉから選択された少なくとも１種とすることによ
り、基体とのなじみが改善されてターゲット層の剥離の
恐れがなくなる。
【００２８】また、請求項４記載のスパッタリング用タ
ーゲットでは、前記中間層を複数の層とすることによ
り、それぞれの層をその層に必要な機能を有する材料で
構成することができる。
ーゲットでは、前記中間層を複数の層とすることによ
り、それぞれの層をその層に必要な機能を有する材料で
構成することができる。
【００２９】また、請求項５記載のスパッタリング用タ
ーゲットでは、前記中間層の最外層をＮｉを主成分とす
ることにより、この最外層とターゲット層とは反応し難
くなり、脆い金属間化合物を形成することがなくなる。
ーゲットでは、前記中間層の最外層をＮｉを主成分とす
ることにより、この最外層とターゲット層とは反応し難
くなり、脆い金属間化合物を形成することがなくなる。
【００３０】また、請求項６記載のスパッタリング用タ
ーゲットでは、前記基体を筒状とすることにより、ター
ゲットの使用効率が高まる。
ーゲットでは、前記基体を筒状とすることにより、ター
ゲットの使用効率が高まる。
【００３１】また、請求項７記載のスパッタリング用タ
ーゲットの製造方法では、溶射法を用いて各層を順次積
層することにより、各層間の接合強度が向上し、冷却効
率も向上する。また、ターゲット層の機械加工をする必
要がなくなり、該ターゲット層と基体との軸合わせも不
要となる。したがって、長尺の円筒状のターゲットを容
易かつ速やかに製造することが可能になる。
ーゲットの製造方法では、溶射法を用いて各層を順次積
層することにより、各層間の接合強度が向上し、冷却効
率も向上する。また、ターゲット層の機械加工をする必
要がなくなり、該ターゲット層と基体との軸合わせも不
要となる。したがって、長尺の円筒状のターゲットを容
易かつ速やかに製造することが可能になる。
【００３２】また、請求項８記載のスパッタリング用タ
ーゲットの製造方法では、前記基体を筒状とすることに
より、基体を円筒状に加工する工程が削減される。
ーゲットの製造方法では、前記基体を筒状とすることに
より、基体を円筒状に加工する工程が削減される。
【００３３】
【実施例】以下、本発明の一実施例について説明する。
図１は、円筒状のターゲット１１の断面図である。この
ターゲット１１は、円筒状のバッキングチューブ（基
体）１２の外周面１２ａに、第１の中間層１３、第２の
中間層１４、ターゲット層１５が順次積層されている。
図１は、円筒状のターゲット１１の断面図である。この
ターゲット１１は、円筒状のバッキングチューブ（基
体）１２の外周面１２ａに、第１の中間層１３、第２の
中間層１４、ターゲット層１５が順次積層されている。
【００３４】ここで、バッキングチューブ１２はステン
レススチールを主成分とし、第１の中間層１３はＭｏを
主成分とし、第２の中間層１４はＮｉを主成分とし、タ
ーゲット層１５はＡｌを含むＳｉ合金を主成分としたも
のである。
レススチールを主成分とし、第１の中間層１３はＭｏを
主成分とし、第２の中間層１４はＮｉを主成分とし、タ
ーゲット層１５はＡｌを含むＳｉ合金を主成分としたも
のである。
【００３５】次に、ターゲット１１の製造方法について
説明する。まず、外径１５０ｍｍ、内径１２０ｍｍ、長
さ５００ｍｍの形状のステンレススチール製のバッキン
グチューブ１２を用意し、このバッキングチューブ１２
の外周面１２ａに、プラズマ溶射法によりＭｏからなる
第１の中間層１３を約３０μｍ、Ｎｉからなる第２の中
間層１４を約２０μｍ、Ａｌを５％含むＳｉ合金からな
るターゲット層１５を約５ｍｍ順次積層する。
説明する。まず、外径１５０ｍｍ、内径１２０ｍｍ、長
さ５００ｍｍの形状のステンレススチール製のバッキン
グチューブ１２を用意し、このバッキングチューブ１２
の外周面１２ａに、プラズマ溶射法によりＭｏからなる
第１の中間層１３を約３０μｍ、Ｎｉからなる第２の中
間層１４を約２０μｍ、Ａｌを５％含むＳｉ合金からな
るターゲット層１５を約５ｍｍ順次積層する。
【００３６】前記プラズマ溶射法の条件は、下記の通り
である。 （ａ）第１の中間層１３及び第２の中間層１４の溶射条
件 ガ ス ：混合ガス（Ａｒ＋Ｈｅ＋Ｈ2） プラズマアーク電圧：４５Ｖ アーク電流：４５０Ａ ガ ス 量：５０ｌ／ｍｉｎ （ｂ）ターゲット層１５の溶射条件 ガ ス ：混合ガス（Ａｒ＋Ｈｅ＋Ｈ2） プラズマアーク電圧：５０Ｖ アーク電流：５００Ａ ガ ス 量：６０ｌ／ｍｉｎ
である。 （ａ）第１の中間層１３及び第２の中間層１４の溶射条
件 ガ ス ：混合ガス（Ａｒ＋Ｈｅ＋Ｈ2） プラズマアーク電圧：４５Ｖ アーク電流：４５０Ａ ガ ス 量：５０ｌ／ｍｉｎ （ｂ）ターゲット層１５の溶射条件 ガ ス ：混合ガス（Ａｒ＋Ｈｅ＋Ｈ2） プラズマアーク電圧：５０Ｖ アーク電流：５００Ａ ガ ス 量：６０ｌ／ｍｉｎ
【００３７】以上により、バッキングチューブ１２の外
周面１２ａに、プラズマ溶射法により第１の中間層１
３、第２の中間層１４、ターゲット層１５を順次積層し
たターゲット１１を製造することができる。
周面１２ａに、プラズマ溶射法により第１の中間層１
３、第２の中間層１４、ターゲット層１５を順次積層し
たターゲット１１を製造することができる。
【００３８】また、前記バッキングチューブ１２及び前
記各層の熱膨張率を測定した結果は、バッキングチュー
ブ１２では１２×１０-6／℃、第１の中間層では５．１
×１０-6／℃、第２の中間層１４では１３．３×１０-6
／℃、ターゲット層１５では９．６×１０-6／℃であ
る。
記各層の熱膨張率を測定した結果は、バッキングチュー
ブ１２では１２×１０-6／℃、第１の中間層では５．１
×１０-6／℃、第２の中間層１４では１３．３×１０-6
／℃、ターゲット層１５では９．６×１０-6／℃であ
る。
【００３９】表１は、本発明のターゲット（実施例）と
従来のターゲット（比較例）の特性を比較したものであ
る。
従来のターゲット（比較例）の特性を比較したものであ
る。
【００４０】
【表１】
【００４１】表１から明らかな様に、本発明のターゲッ
ト（実施例）では、使用効率、剥離に至るまでの出力共
に従来のもの（比較例）と比べて大幅に向上しているこ
とがわかる。したがって、ターゲット層の機械的強度が
高まり欠陥も少なくなり、基体とターゲット層との接合
強度も向上していることがわかる。
ト（実施例）では、使用効率、剥離に至るまでの出力共
に従来のもの（比較例）と比べて大幅に向上しているこ
とがわかる。したがって、ターゲット層の機械的強度が
高まり欠陥も少なくなり、基体とターゲット層との接合
強度も向上していることがわかる。
【００４２】以上説明した様に、このターゲット１１で
は、円筒状のバッキングチューブ１２の外周面１２ａ
に、プラズマ溶射法により第１の中間層１３、第２の中
間層１４、ターゲット層１５を順次積層してなることと
したので、ターゲット層１５自体の機械的強度を大幅に
向上させるとともに該ターゲット層１５とバッキングチ
ューブ１２との接合強度も大幅に向上させることがで
き、したがって、ターゲット層１５の諸特性を従来のも
のと比べて大幅に向上させることができ、ターゲット層
１５がバッキングチューブ１２から剥離するのを防止す
ることができる。また、ターゲット層１５の厚みが制約
されることもない。
は、円筒状のバッキングチューブ１２の外周面１２ａ
に、プラズマ溶射法により第１の中間層１３、第２の中
間層１４、ターゲット層１５を順次積層してなることと
したので、ターゲット層１５自体の機械的強度を大幅に
向上させるとともに該ターゲット層１５とバッキングチ
ューブ１２との接合強度も大幅に向上させることがで
き、したがって、ターゲット層１５の諸特性を従来のも
のと比べて大幅に向上させることができ、ターゲット層
１５がバッキングチューブ１２から剥離するのを防止す
ることができる。また、ターゲット層１５の厚みが制約
されることもない。
【００４３】また、このターゲット１１の製造方法で
は、バッキングチューブ１２とターゲット層１５との接
合強度を大幅に向上させることができるので、冷却効率
を大幅に向上させることができる。また、筒状のバッキ
ングチューブ１２を用いたので、円筒状に加工する工程
を省くことができる。
は、バッキングチューブ１２とターゲット層１５との接
合強度を大幅に向上させることができるので、冷却効率
を大幅に向上させることができる。また、筒状のバッキ
ングチューブ１２を用いたので、円筒状に加工する工程
を省くことができる。
【００４４】
【発明の効果】以上説明した様に、この発明の請求項１
記載のスパッタリング用ターゲットによれば、柱状の基
体と、当該基体の外周面に形成された中間層と、該中間
層の外周面に形成され少なくともＡｌを含むＳｉ合金を
主成分とするターゲット層とからなることとしたので、
中間層が接合強度を高め、前記ターゲット層が基体から
剥離するのを防止することができる。
記載のスパッタリング用ターゲットによれば、柱状の基
体と、当該基体の外周面に形成された中間層と、該中間
層の外周面に形成され少なくともＡｌを含むＳｉ合金を
主成分とするターゲット層とからなることとしたので、
中間層が接合強度を高め、前記ターゲット層が基体から
剥離するのを防止することができる。
【００４５】また、請求項２記載のスパッタリング用タ
ーゲットによれば、請求項１記載のスパッタリング用タ
ーゲットにおいて、前記基体は、ステンレススチール、
Ｃｕ合金から選択された少なくとも１種を主成分とした
ので、耐腐食性及び冷却効率を高めることができる。
ーゲットによれば、請求項１記載のスパッタリング用タ
ーゲットにおいて、前記基体は、ステンレススチール、
Ｃｕ合金から選択された少なくとも１種を主成分とした
ので、耐腐食性及び冷却効率を高めることができる。
【００４６】また、請求項３記載のスパッタリング用タ
ーゲットによれば、請求項１記載のスパッタリング用タ
ーゲットにおいて、前記中間層は、Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗ，Ｎ
ｉから選択された少なくとも１種を主成分としたので、
基体とのなじみが改善されてターゲット層の剥離の恐れ
がなくなる。
ーゲットによれば、請求項１記載のスパッタリング用タ
ーゲットにおいて、前記中間層は、Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗ，Ｎ
ｉから選択された少なくとも１種を主成分としたので、
基体とのなじみが改善されてターゲット層の剥離の恐れ
がなくなる。
【００４７】また、請求項４記載のスパッタリング用タ
ーゲットによれば、請求項１，２または３記載のスパッ
タリング用ターゲットにおいて、前記中間層は、複数の
層からなることとしたので、それぞれの層をその層に必
要な機能を有する材料で構成することができる。
ーゲットによれば、請求項１，２または３記載のスパッ
タリング用ターゲットにおいて、前記中間層は、複数の
層からなることとしたので、それぞれの層をその層に必
要な機能を有する材料で構成することができる。
【００４８】また、請求項５記載のスパッタリング用タ
ーゲットによれば、請求項４記載のスパッタリング用タ
ーゲットにおいて、前記中間層の最外層は、Ｎｉを主成
分とすることとしたので、この最外層とターゲット層と
は反応し難くなり、脆い金属間化合物を形成することが
なくなる。
ーゲットによれば、請求項４記載のスパッタリング用タ
ーゲットにおいて、前記中間層の最外層は、Ｎｉを主成
分とすることとしたので、この最外層とターゲット層と
は反応し難くなり、脆い金属間化合物を形成することが
なくなる。
【００４９】また、請求項６記載のスパッタリング用タ
ーゲットによれば、請求項１または２記載のスパッタリ
ング用ターゲットにおいて、前記基体は、筒状であるこ
ととしたので、ターゲットの使用効率を高めることがで
きる。
ーゲットによれば、請求項１または２記載のスパッタリ
ング用ターゲットにおいて、前記基体は、筒状であるこ
ととしたので、ターゲットの使用効率を高めることがで
きる。
【００５０】また、請求項７記載のスパッタリング用タ
ーゲットの製造方法によれば、柱状の基体の外周面に、
溶射法により、中間層と、少なくともＡｌを含むＳｉ合
金を主成分とするターゲット層を順次積層することとし
たので、各層間の接合強度を向上させることができ、冷
却効率も向上させることができる。また、ターゲット層
の機械加工をする必要がなくなり、該ターゲット層と基
体との軸合わせも不要になる。したがって、長尺の円筒
状のターゲットを容易に製造することが可能になる。
ーゲットの製造方法によれば、柱状の基体の外周面に、
溶射法により、中間層と、少なくともＡｌを含むＳｉ合
金を主成分とするターゲット層を順次積層することとし
たので、各層間の接合強度を向上させることができ、冷
却効率も向上させることができる。また、ターゲット層
の機械加工をする必要がなくなり、該ターゲット層と基
体との軸合わせも不要になる。したがって、長尺の円筒
状のターゲットを容易に製造することが可能になる。
【００５１】また、請求項８記載のスパッタリング用タ
ーゲットの製造方法によれば、請求項７記載のスパッタ
リング用ターゲットの製造方法において、前記基体は、
筒状であることとしたので、基体を円筒状に加工する工
程が削減される。
ーゲットの製造方法によれば、請求項７記載のスパッタ
リング用ターゲットの製造方法において、前記基体は、
筒状であることとしたので、基体を円筒状に加工する工
程が削減される。
【図１】本発明のスパッタリング用ターゲットの断面図
である。
である。
【図２】従来のスパッタリング用ターゲットの断面図で
ある。
ある。
１１ スパッタリング用ターゲット １２ バッキングチューブ（円筒状の基体） １２ａ 外周面 １３ 第１の中間層 １４ 第２の中間層 １５ ターゲット層
Claims (8)
- 【請求項１】 柱状の基体と、当該基体の外周面に形成
された中間層と、該中間層の外周面に形成され少なくと
もＡｌを含むＳｉ合金を主成分とするターゲット層とか
らなることを特徴とするスパッタリング用ターゲット。 - 【請求項２】 前記基体は、ステンレススチール、Ｃｕ
合金から選択された少なくとも１種を主成分とすること
を特徴とする請求項１記載のスパッタリング用ターゲッ
ト。 - 【請求項３】 前記中間層は、Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗ，Ｎｉか
ら選択された少なくとも１種を主成分とすることを特徴
とする請求項１記載のスパッタリング用ターゲット。 - 【請求項４】 前記中間層は、複数の層からなることを
特徴とする請求項１，２または３記載のスパッタリング
用ターゲット。 - 【請求項５】 前記中間層の最外層は、Ｎｉを主成分と
することを特徴とする請求項４記載のスパッタリング用
ターゲット。 - 【請求項６】 前記基体は、筒状であることを特徴とす
る請求項１または２記載のスパッタリング用ターゲッ
ト。 - 【請求項７】 柱状の基体の外周面に、溶射法により、
中間層と、少なくともＡｌを含むＳｉ合金を主成分とす
るターゲット層を順次積層することを特徴とするスパッ
タリング用ターゲットの製造方法。 - 【請求項８】 前記基体は、筒状であることを特徴とす
る請求項７記載のスパッタリング用ターゲットの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3159128A JPH0586462A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3159128A JPH0586462A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0586462A true JPH0586462A (ja) | 1993-04-06 |
Family
ID=15686857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3159128A Pending JPH0586462A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0586462A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007002330A1 (en) * | 2005-06-22 | 2007-01-04 | Guardian Industries Corp. | Sputtering target with slow-sputter layer under target material |
| JP2010197272A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Jeol Ltd | 電子顕微鏡の試料コーティング方法 |
| WO2015002253A1 (ja) | 2013-07-05 | 2015-01-08 | Ａｇｃセラミックス株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| KR20180020105A (ko) | 2016-08-17 | 2018-02-27 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 원통형 실리콘 타깃 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5633476A (en) * | 1979-08-21 | 1981-04-03 | Siemens Ag | Fixing of target material |
| JPS61115667A (ja) * | 1984-11-07 | 1986-06-03 | Mitsubishi Metal Corp | スパツタリング用タ−ゲツトを冷却板に接合する方法 |
| WO1991007519A1 (en) * | 1989-11-08 | 1991-05-30 | The Boc Group, Inc. | Method for coating substrates with silicon based compounds |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP3159128A patent/JPH0586462A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5633476A (en) * | 1979-08-21 | 1981-04-03 | Siemens Ag | Fixing of target material |
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| WO2015002253A1 (ja) | 2013-07-05 | 2015-01-08 | Ａｇｃセラミックス株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| KR20180020105A (ko) | 2016-08-17 | 2018-02-27 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 원통형 실리콘 타깃 |
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