KR20180020105A

KR20180020105A - 원통형 실리콘 타깃

Info

Publication number: KR20180020105A
Application number: KR1020170103225A
Authority: KR
Inventors: 마사노리 요스케; 신지 가토
Original assignee: 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤
Priority date: 2016-08-17
Filing date: 2017-08-14
Publication date: 2018-02-27
Also published as: JP2018031074A; JP6930282B2; KR102330631B1

Abstract

원통형 실리콘 타깃은, 다결정 실리콘으로 이루어지는 원통상으로 형성된 원통형 실리콘 타깃이고, 외주면에 나타나는 결정립의 길이 방향이 원통의 중심축을 따라 배치되어 있다. 또, 원통형 실리콘 타깃의 외주면에 있어서, 각 결정립의 상기 중심축을 따른 방향에 있어서의 최장부의 길이를 L 로 하고, 상기 중심축에 직교하는 방향에 있어서의 최장부의 길이를 W 로 한 경우, 외주면의 둘레 방향 100 mm × 중심축을 따른 방향 100 mm 의 범위 내에 있어서의 상기 길이 L 이 10 mm 이상인 상기 결정립이 5 개 이상이고, 이들 결정립의 상기 길이 L 과 상기 길이 W 의 비율 (L/W) 의 평균값이 2.0 이상이면 된다.

Description

원통형 실리콘 타깃{CYLINDRICAL SILICON TARGET}

본 발명은, 스퍼터링 장치에 사용되는 원통형 실리콘 타깃에 관한 것이다.

원통형의 타깃을 회전시키면서 스퍼터를 실시하는 스퍼터링 장치가 알려져 있다. 이와 같은 스퍼터링 장치는, 대면적의 성막에 적합하며, 타깃재의 사용 효율이 매우 높다는 특장이 있다. 일반적으로, 평판형의 타깃은 수십 ％ ∼ 30 ％ 정도의 사용 효율인 데에 대하여, 원통형의 타깃에서는 회전시키면서 스퍼터함으로써, 약 80 ％ 의 매우 높은 사용 효율이 얻어진다. 또, 원통형의 타깃은, 그 내측에 냉각수를 유통시킬 수 있으므로 냉각 효율이 높고, 타깃재에 높은 전력을 인가하여 높은 성막 속도로 막을 형성하는 것이 가능하다.

종래의 실리콘의 원통형 타깃으로는, 예를 들어 특허문헌 1 에 기재되어 있다. 이 특허문헌 1 에는, 기둥상의 기체의 외주면에 용사법에 의해, Si 합금을 주성분으로 하는 타깃층을 적층한 원통형 타깃이 개시되어 있다.

일본 공개특허공보 평5-86462호

타깃에는, 성막의 균일성을 확보하기 위해, 성막 대상의 피처리 부재 등과 거의 동일한 크기이거나, 그것보다 큰 것이 일반적으로 필요해지고 있다. 그리고, 성막 대상의 대형화에 수반하여, 원통형 타깃도 대형화가 요망되고 있지만, 대형화하면 균일한 막두께의 막을 성막하기 어려워진다.

본 발명은, 이와 같은 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 균일한 막두께의 막을 성막할 수 있는 원통형 실리콘 타깃을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 원통형 실리콘 타깃은, 다결정 실리콘으로 이루어지는 원통상으로 형성된 원통형 실리콘 타깃이고, 외주면에 나타나는 결정립의 길이 방향이 원통의 중심축을 따라 배치되어 있다.

원통형 실리콘 타깃에 있어서는, 성막 대상의 성막면에 대하여, 외주면의 중심축 방향 (스퍼터면) 을 따른 선상의 부분이 대향하고, 그 대향부 사이에 플라즈마가 형성된다. 그리고, 원통형 실리콘 타깃의 외주면에서 중심축 방향을 따른 선상의 부분으로부터 타깃 입자가 방출되고, 원통형 실리콘 타깃의 회전에 수반하여, 그 선상의 부분이 순차적으로 둘레 방향으로 이동한다.

본 발명의 원통형 실리콘 타깃은, 스퍼터면이 되는 외주면은, 원통의 중심축을 따라, 즉 성막면과 평행한 방향을 따라 결정립의 길이 방향이 배치되어 있다. 이 때문에, 원통형 실리콘 타깃의 외주면에 있어서 중심축 방향으로 나열되는 각 결정립이 동일한 타이밍에서 방출 (스퍼터) 되어, 원통형 실리콘 타깃의 중심축 방향에 있어서, 균일한 스퍼터 레이트가 얻어지고, 균일한 막두께의 막을 성막할 수 있다.

본 발명의 원통형 실리콘 타깃은, 상기 외주면에 있어서, 각 결정립의 상기 중심축을 따른 방향에 있어서의 최장부의 길이를 L 로 하고, 상기 중심축에 직교하는 방향에 있어서의 최장부의 길이를 W 로 한 경우, 상기 외주면의 둘레 방향 100 mm × 상기 중심축을 따른 방향 100 mm 의 범위 내에 있어서의 상기 길이 L 이 10 mm 이상인 상기 결정립이 5 개 이상이고, 이들 결정립의 상기 길이 L 과 상기 길이 W 의 비율 (L/W) 의 평균값이 2.0 이상이면 된다.

본 발명의 원통형 실리콘 타깃은, 상기 중심축에 대하여 수직인 단면에 있어서의 상기 결정립의 평균 결정립 직경이 2 mm 이상, 10 mm 이하이면 된다.

외주면의 임의의 둘레 방향 100 mm × 중심축을 따른 방향 100 mm 의 범위 내에 있어서, 중심축을 따른 방향 (길이 방향) 의 결정립의 최장부의 길이 L 이 10 mm 이상인 결정립이 5 개 이상이고, 길이 L 이 10 mm 이상인 각 결정립의 비율 (L/W) 의 평균값이 2.0 이상인 결정 조직을 갖는 원통형 실리콘 타깃으로 함으로써, 원통형 실리콘 타깃의 외주면 (대향면) 에 있어서 중심축을 따른 결정립의 면적 비율을 충분히 높게 할 수 있고, 균일한 막두께의 막을 성막할 수 있다.

본 발명의 원통형 실리콘 타깃에 의하면, 외주면에 있어서 중심축 방향으로 나열되는 각 결정립을 동일한 타이밍에서 방출할 수 있으므로, 중심축 방향에 있어서 균일한 스퍼터 레이트가 얻어지고, 균일한 막두께의 막을 성막할 수 있다.

도 1 은 본 발명의 실시형태의 원통형 실리콘 타깃을 나타내는 모식도이다.
도 2 는 다결정 실리콘 잉곳의 제조에 사용하는 제조 장치의 모식도이다.
도 3 은 실시예의 성막 조건을 설명하는 모식도이다.

이하, 본 발명의 원통형 실리콘 타깃의 실시형태에 대해 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시형태는, 본 발명에 관련된 원통형 실리콘 타깃의 일례이다.

도 1 에 나타내는 본 실시형태의 원통형 실리콘 타깃 (10) 은, 다결정 실리콘으로 이루어지고, 원통상으로 형성되어 있고, 외주면이 스퍼터면이 된다. 이와 같은 원통상의 원통형 실리콘 타깃 (10) 은, 외주면의 중심축 (O) 방향을 따른 선상의 부분이 성막 대상의 성막면 (15) 에 대향하여 배치되고, 그 선상의 부분과 성막면 (15) 의 대향부 사이에 플라즈마가 형성된다. 그리고, 성막면 (15) 에 대향하는 선상의 부분으로부터 타깃 입자가 방출되고, 원통형 실리콘 타깃 (10) 의 회전에 수반하여, 그 선상의 부분을 순차적으로 둘레 방향으로 이동시키면서, 성막면 (15) 에 막을 성막한다.

본 실시형태의 원통형 실리콘 타깃 (10) 은, 외주면에 나타나는 다결정 실리콘의 결정립의 길이 방향이, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 원통의 중심축 (O) 을 따라 배치되어 있다. 즉, 스퍼터면이 되는 원통형 실리콘 타깃 (10) 의 외주면에, 성막 대상의 성막면 (15) 과 평행한 방향으로 결정립의 길이 방향이 따르는 결정 조직이 형성되어 있기 때문에, 성막면 (15) 과 대향하는 외주면의 선상의 부분을 따라, 각 결정립의 길이 방향이 배치된다. 이 때문에, 그 선상의 부분에 있어서 결정립계를 최대한 줄일 수 있고, 중심축 (O) 방향을 따라 나열되는 각 결정립이 동일한 타이밍에서 방출 (스퍼터) 된다. 따라서, 중심축 (O) 방향에 있어서 균일한 스퍼터 레이트가 얻어지고, 성막면 (15) 의 전체면에 균일한 막두께의 막을 성막할 수 있다.

또, 원통형 실리콘 타깃 (10) 의 외주면에 있어서, 다결정 실리콘의 각 결정립이 중심축 (O) 을 따른 방향에 있어서의 최장부의 길이를 L 로 하고, 중심축 (O) 에 직교하는 방향에 있어서의 최장부의 길이를 W 로 한 경우, 외주면의 둘레 방향 100 mm × 중심축 (O) 을 따른 방향 100 mm 의 범위 내에 있어서의 길이 L 이 10 mm 이상인 결정립이 5 개 이상이고, 이들 길이 L 이 10 mm 이상인 결정립의 길이 L 과 길이 W 의 비율 (L/W) 의 평균값이 2.0 이상인 원통형 실리콘 타깃 (10) 으로 함으로써, 원통형 실리콘 타깃 (10) 의 외주면에 있어서 중심축 (O) 을 따른 결정립의 면적 비율을 충분히 높게 할 수 있고, 성막면 (15) 의 전체면에 균일한 막두께의 막을 성막할 수 있다.

다음으로, 상기 서술한 구성의 원통형 실리콘 타깃 (10) 을 제조하는 방법의 일 실시형태에 대해 설명한다. 본 실시형태에서는, 1 축 방향으로 긴 결정 조직을 갖는 다결정 실리콘 잉곳을 주조하고, 이 다결정 실리콘 잉곳을 코어링하고, 추가로 외주 및 단면 (端面) 을 만능 연삭반으로 연삭하여, 원통상으로 형성함으로써, 원통형 실리콘 타깃 (10) 을 제조한다. 1 축 방향으로 긴 결정 조직은, 일방향 응고법에 있어서, 응고 개시 온도, 응고 속도, 응고시의 온도 구배 등을 제어함으로써, 냉각 방향으로 결정을 성장시켜 형성된다.

도 2 에 다결정 실리콘 잉곳의 제조 장치 (101) 의 일례를 나타낸다. 이 제조 장치 (101) 는, 바닥 아래에 바닥면 히터 (21) 를 구비하고, 그 위에 냉각판 (31) 이 형성되어 있고, 이 냉각판 (31) 에 냉각용 아르곤 가스의 하부 공급관 (32) 이 접속되어 있다. 냉각판 (31) 상에는 석영제의 주형 (41) 이 재치 (載置) 되어 있고, 주형 (41) 의 외주부에는, 하부 히터 (22) 와 상부 히터 (23) 가 형성되어 있다. 또, 주형 (41) 의 소정 깊이 위치마다 복수의 열전쌍 (51) 이 형성되어 있고, 열전쌍 (51) 에 의한 온도 결과에 기초하여, 바닥면 히터 (21), 하부 히터 (22) 및 상부 히터 (23) 는 개개의 출력 조정이 가능하게 되어 있다.

또, 제조 장치 (101) 에는, 주형 (41) 의 상면을 향하여 배치된 상부 공급관 (61) 과, 다수의 세공을 갖는 확산판 (62) 이 형성되어 있고, 이 상부 공급관 (61) 과 확산판 (62) 을 통하여 주형 (41) 의 주위에 아르곤 (Ar) 가스가 공급된다. 주형 (41) 과 히터 (21 ∼ 23) 의 전체는 단열재 (71) 에 의해 덮여져 있다.

다음으로, 이와 같이 구성된 제조 장치 (101) 를 사용하여 다결정 실리콘 잉곳을 주조하는 방법에 대해 설명한다.

먼저, 주형 (41) 의 내부에 실리콘 원료 (도시 생략) 를 장입한다. 실리콘 원료로는, 예를 들어 순도 99.9999 ％ 의 고순도 실리콘을 분쇄하여 얻어진 괴상의 청크가 사용된다. 또한, 실리콘 원료에는, 필요에 따라 보론 (B) 등의 도펀트가 첨가된다.

상부 공급관 (61) 을 통하여 주형 (41) 의 주위에 아르곤 가스가 공급되면, 주형 (41) 의 주위가 산소를 배제한 분위기로 유지된다. 그리고, 산소를 배제한 분위기하에서, 주형 (41) 에 장입된 실리콘 원료를 히터 (21 ∼ 23) 로 가열, 용융시켜 실리콘 융액 (80) 으로 한다.

이어서, 히터 (21 ∼ 23) 의 출력을 조정하면서, 냉각판 (31) 에 하부 공급관 (32) 으로부터 냉각용 아르곤 가스를 도입하여, 주형 (41) 의 바닥부를 냉각시킴으로써, 주형 (41) 내의 실리콘 융액 (80) 을 주형 (41) 의 바닥면에서 상부를 향하여 0.1 ∼ 0.3 mm/min 의 응고 속도로, 부분적으로 또한 시간 경과적으로 순차적으로 응고시킴으로써, 주형 (41) 의 바닥면에 대하여 수직 방향으로 일방향 응고된 주조 조직을 갖는 다결정 실리콘 잉곳을 육성한다. 또한, 일방향 응고에 의해 산소 등의 불순물은 잉곳의 단부 (端部) (상부) 에 모아지고, 최종 응고부에 농축되므로, 이 부분을 컷함으로써 불순물량이 적은 다결정 실리콘 잉곳을 얻을 수 있다.

이와 같이 하여 얻어진 다결정 실리콘 잉곳은, 1 축 방향으로 긴 결정 조직을 갖고, 각 결정립의 길이 방향이 1 축 방향을 따라 배치된다. 이 다결정 실리콘 잉곳에 대해, 원통의 중심부를 결정립의 길이 방향 (중심축 (O) 방향) 으로 도려낸 후, 외주 및 단면을 연마 가공함으로써, 결정립의 길이 방향 (성장 방향) 이 원통의 중심축 (O) 을 따라 배치된 원통형 실리콘 타깃 (10) 이 얻어진다.

원통형 실리콘 타깃 (10) 을 사용하여, 성막면 (15) 의 전체면에 균일한 막두께의 막을 성막하려면, 중심축 (O) 을 따른 방향 (1 축 방향) 의 결정 배향뿐만 아니라, 중심축 (O) 에 대하여 수직인 단면의 결정 배향을 고려하는 것이 바람직하다. 즉, 원통형 실리콘 타깃 (10) 의 외주면의 중심축 (O) 을 따른 방향에서 동일한 결정 배향이 계속되는 결정립을 얻을 뿐만 아니라, 중심축 (O) 에 대하여 수직인 단면에 있어서도 동일한 결정 배향이 계속되는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 중심축 (O) 에 대하여 수직인 단면에 있어서 결정립의 평균 결정립 직경이 2 mm 이상 또한 10 mm 이하가 되는 결정 배향이 바람직하다. 중심축 (O) 에 대하여 수직인 단면에 있어서의 결정립의 평균 결정립 직경이 2 mm 이상이면, 성막면 (15) 의 전체면에 균일한 막두께의 막을 성막하는 것이 가능해진다. 한편, 평균 결정립 직경이 10 mm 를 초과하면, 다결정 실리콘 잉곳을 가공하여 원통형 실리콘 타깃 (10) 을 얻을 때에, 균열이 발생하기 쉬워진다. 균일한 막두께의 막을 성막하는 것을 고려하면, 보다 바람직하게는 평균 결정립 직경이 2 mm 이상, 7 mm 이하이다.

또한, 본 실시형태의 원통형 실리콘 타깃 (10) 에서는, 중심축 (O) 에 대하여 수직인 단면을 포함하는 임의의 위치의 단면에 있어서, 동일한 평균 결정립 직경을 얻을 수 있다.

또한, 다결정 실리콘 잉곳을 주조할 때, 응고 속도를 완만하게 하면 (상기 실시형태에서는, 강고 속도를 0.1 mm/min 미만보다 느리게 하면), 결정립이 1 축 방향뿐만 아니라, 그 1 축 방향에 직교하는 방향으로도 크게 성장하고, 1 축 방향으로 긴 결정립과 짧은 결정립이 혼재하여, 1 축 방향으로 긴 결정 조직을 갖는 다결정 실리콘 잉곳의 육성이 곤란해진다. 한편, 응고 속도를 0.3 mm/min 을 초과하는 속도로 한 경우에도, 1 축 방향으로 긴 결정 조직을 갖는 다결정 실리콘 잉곳이 얻어지지 않는다.

또한, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에 있어서 다양한 변경을 부가하는 것이 가능하다.

예를 들어, 상기 실시형태에서는, 도 2 에 나타내는 제조 장치 (101) 를 사용하여, 1 축 방향으로 긴 결정 조직을 갖는 다결정 실리콘 잉곳을 주조하는 것으로 하였지만, 이것에 한정되지는 않으며, 도가니 내에 저류시킨 실리콘 융액으로부터, 종결정을 사용하여 다결정 실리콘의 실리콘 잉곳을 일방향 응고시키면서 끌어올려 제조하는 인상 연속 일방향 응고 주조 등, 다른 구조의 제조 장치를 사용하여 다결정 실리콘 잉곳을 제조해도 된다.

실시예

본 발명의 유효성을 확인하기 위해 실시한 확인 실험의 결과에 대해 설명한다.

도 2 에 나타내는 제조 장치 (101) 와 동일한 장치를 사용하여, 1 축 방향으로 긴 결정 조직을 갖는 다결정 실리콘 잉곳을 제조하였다. 이하, 도 2 를 참조하여 설명하면, 원료로서 순도 99.9999 ％ 의 고순도 실리콘 (Si) 에, 도펀트로서 순도 99.99 ％ 의 보론 (B) 을 첨가한 것을 사용하고, 이것을 석영제의 주형 (41) 내에 장입하고, 아르곤 (Ar) 가스를 도입하여 노 내의 압력을 6700 Pa 로 하고, 히터 (21 ∼ 23) 에 의해 원료를 가열하여 용융시켜 실리콘 융액 (80) 으로 하였다. 그리고, 그 실리콘 융액 (80) 을 열전쌍 (51) 에 의한 온도 관리에 의해, 실리콘의 용융점 바로 위인 1480 ℃ ∼ 1510 ℃ 로 유지하고, 이 상태에서 주형 (41) 의 바닥면, 주형 (41) 의 하부, 및 주형 (41) 의 상부의 히터 (21 ∼ 23) 의 출력을 조정하면서, 주형 (41) 의 바닥면을 냉각판 (31) 을 통하여 도입한 아르곤 가스로 냉각시키고, 주형 (41) 내의 용융 고순도 실리콘을 주형 (41) 의 바닥면에서 주형 (41) 의 상부를 향하여 부분적으로 또한 시간 경과적으로 순차적으로 응고시킴으로써, 주형 (41) 의 바닥면에 대하여 수직 방향으로 일방향 응고된 주조 조직을 갖는 다결정 실리콘 잉곳을 제조하였다.

다결정 실리콘 잉곳은, 직경 180 mm × 높이 220 mm 의 치수이고, 또한 도펀트용의 보론을 200 ppm 의 비율로 함유하는 고순도의 다결정 실리콘 잉곳이다. 또, 응고 속도를 0.01 ∼ 1 mm/min 으로 조정함으로써, 4 종류의 다결정 실리콘 잉곳을 형성하였다.

상세하게는, 표 1 에 나타내는 다결정 실리콘 잉곳 No.1 의 응고 속도를 0.50 mm/min, 다결정 실리콘 잉곳 No.2 의 응고 속도를 0.05 mm/min, 다결정 실리콘 잉곳 No.3 의 응고 속도를 0.15 mm/min, 다결정 실리콘 잉곳 No.4 의 응고 속도를 0.28 mm/min, 다결정 실리콘 잉곳 No.5 의 응고 속도를 0.30 mm/min 으로 하였다.

얻어진 각 다결정 실리콘 잉곳을 그 축 방향 (높이 방향) 으로 직경 135 mm 로 코어링한 후, 외주면 및 단면을 만능 연삭반으로 연삭하여, 외경 155 mm, 내경 135 mm, 길이 (높이) 199.8 mm 의 원통형 실리콘 타깃을 제조하였다. 그리고, 얻어진 원통형 실리콘 타깃의 외주면에 있어서의 결정 조직 관찰을 실시하여, 외주면의 임의의 둘레 방향 100 mm × 중심축을 따른 방향 100 mm 의 범위 내에 있어서의 각 결정립에 대해, 중심축 방향을 따른 방향에 있어서의 최장부의 길이 L 과, 그 길이 L 에 직교하는 방향에 있어서의 최장부의 길이 W 의 치수를 노기스로 측정하였다. 그리고, 그 범위 내에 있어서의 길이 L 이 10 mm 이상인 결정립의 개수와, 이들 길이 L 이 10 mm 이상인 각 결정립의 비율 (L/W) 의 평균값을 산출하였다.

또, 각 원통형 실리콘 타깃의 중심축에 대하여 수직인 단면 전체면의 결정 조직 관찰을 실시하고, 노기스로 각 결정립의 최장부의 길이를 측정하여, 그 평균을 산출하였다.

또, 동일한 조건으로 제조한 원통형 실리콘 타깃을 3 피스씩 준비하고, 도 3 에 이점쇄선으로 나타내는 바와 같이, 3 피스의 원통형 실리콘 타깃을 티타늄 (Ti) 제의 배킹 튜브 (11) 에 인듐 (In) 으로 본딩하여, 외경 (Do) ＝ 155 mm, 내경 (Di) ＝ 135 mm, 전체 길이 (L0) ＝ 600 mm 의 원통형 실리콘 타깃 (10A) 을 제조하였다.

그리고, 이 원통형 실리콘 타깃 (10A) 을 사용하여 유리 기판에 스퍼터링을 실시하였다. 스퍼터링은, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 길이 (L1) ＝ 450 mm 의 시트 (91) 상에 가로 세로 S ＝ 20 mm 의 유리 기판 (92) 을 원통형 실리콘 타깃 (10A) 의 중심축 (O) 방향으로 등간격으로 5 장 나열하여 실시하고, 출력 8.3 kW/m 로 실시하여, 각 유리 기판 (92) 의 표면에 500 nm 의 막두께를 목적으로 한 실리콘 박막을 형성하였다. 그리고, 각 유리 기판 (92) 의 막두께를 단차 측정기를 사용하여 1 점씩 측정하여, 5 장의 유리 기판 (92) 의 막두께의 편차를 계산하였다. 막두께의 편차는, 측정한 막두께의 5 점의 평균값과, 측정한 막두께의 5 점 중 최대값과 최소값을 사용하여 하기의 식으로부터 산출하였다.

막두께의 편차 (± ％) ＝ {(최대값 － 최소값) ÷ (5 점의 평균값)} × 100 ÷ 2

결과를 표 1 에 나타낸다.

표 1 로부터 알 수 있는 바와 같이, 원통형 실리콘 타깃의 외주면 중, 둘레 방향 100 mm × 중심축을 따른 방향 100 mm 의 범위 내에 나타나는 길이 L 이 10 mm 이상인 결정립이 5 개 이상이고, 이들 길이 L 이 10 mm 이상인 결정립에 대해, 비율 (L/W) 의 평균값이 2.0 이상인 No.3 이나 No.4 의 원통형 실리콘 타깃에서는, 막두께의 편차를 7 ％ 미만으로 억제할 수 있어, 원통형 실리콘 타깃의 중심축 방향에 있어서, 보다 균일한 막두께의 막을 성막할 수 있다. No.5 에 있어서도, 길이 L 이 10 mm 이상인 결정립이 5 개 이상이고, 비율 (L/W) 의 평균값이 2.0 이상이며, 막두께의 편차가 8.4 ％ 로 균일한 막두께의 막을 성막할 수 있었다. 또, 막두께의 편차가 낮은 No.3, No.4, No.5 에 있어서는, 단면의 결정립의 평균 결정립 직경도 2 mm 이상 또한 10 mm 이하였다.

10, 10A : 원통형 실리콘 타깃
11 : 배킹 튜브
15 : 성막면
21 : 바닥면 히터
22 : 하부 히터
23 : 상부 히터
31 : 냉각판
32 : 하부 공급관
41 : 주형
51 : 열전쌍
61 : 상부 공급관
62 : 확산판
71 : 단열재
80 : 실리콘 융액
91 : 시트
92 : 유리 기판
101 : 다결정 실리콘 잉곳의 제조 장치

Claims

다결정 실리콘으로 이루어지는 원통상으로 형성된 원통형 실리콘 타깃이고, 외주면에 나타나는 결정립의 길이 방향이 원통의 중심축을 따라 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 원통형 실리콘 타깃.
제 1 항에 있어서,
상기 외주면에 있어서, 각 결정립의 상기 중심축을 따른 방향에 있어서의 최장부의 길이를 L 로 하고, 상기 중심축에 직교하는 방향에 있어서의 최장부의 길이를 W 로 한 경우, 상기 외주면의 둘레 방향 100 mm × 상기 중심축을 따른 방향 100 mm 의 범위 내에 있어서의 상기 길이 L 이 10 mm 이상인 상기 결정립이 5 개 이상이고, 이들 결정립의 상기 길이 L 과 상기 길이 W 의 비율 (L/W) 의 평균값이 2.0 이상인 것을 특징으로 하는 원통형 실리콘 타깃.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 중심축에 대하여 수직인 단면에 있어서의 상기 결정립의 평균 결정립 직경이 2 mm 이상, 10 mm 이하인 것을 특징으로 하는 원통형 실리콘 타깃.