JP2008101277A - スパッタリング用ターゲット及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】優先結晶成長方向に結晶成長された柱状晶の多結晶シリコンであって、含まれる不可避不純物量が10ppm以下であることを特徴とする。また、比抵抗値の面内分布幅が10%未満であることを特徴とする。さらに、前記不可避不純物は、Al、Fe、C、Nの少なくとも一つであることを特徴とする。
【選択図】図2
Description
また、Fe、Co、Ni系合金のターゲットとしては、一方向凝固させたインゴットを加工してターゲットとする技術が特開昭63−238268号公報や特許公報第2952853号に提案されている。
このスパッタリング用ターゲットでは、比抵抗値の面内分布幅が10%未満であるので、電気抵抗のばらつきが少ない。
さらに、本発明のスパッタリング用ターゲットは、不可避不純物がAl(アルミニウム)とされている。
なお、一方向凝固の凝固スピードは、5mm/min以下に制御することが望ましい。これは、凝固スピードが上記スピードより速いと応力歪みや不純物の残留が発生し易く、これによる反りが制御できないためである。
このシリコンターゲットT1は、柱状晶の多結晶シリコンであって、一方向凝固によって不可避不純物が最終凝固部に濃縮されるため、含まれる不可避不純物量が、10ppm以下である。なお、この不可避不純物は、Al、Fe、C及びNである。また、シリコンターゲットT1の上記柱状晶は、結晶の優先結晶成長方向である面方位(001)面近傍になるように配置されて結晶成長されている。なお、優先結晶成長方向としては、上記(001)面に垂直な面、(011)面、(111)面などがある。
上記実施形態では、角形板状のシリコンターゲットT1を用いたが、他の外形、特に円形板状であっても構わない。なお、角形ターゲットに対しては角形インゴットで製造し、丸形ターゲットに対しては丸形のインゴットで製造する。
また、ドーパントにはBを用いたP型インゴットを用いたが、他の元素あるいはP(リン)を添加したN型インゴット等であっても構わない。
C シリコンインゴット
L シリコン融液
T1 シリコンターゲット
T2 大型角形ターゲット
Claims (7)
- 優先結晶成長方向に結晶成長された柱状晶の多結晶シリコンであって、含まれる不可避不純物量が10ppm以下であることを特徴とするスパッタリング用ターゲット。
- 請求項1に記載のスパッタリング用ターゲットにおいて、
比抵抗値の面内分布幅が10%未満であることを特徴とするスパッタリング用ターゲット。 - 請求項1又は請求項2に記載のスパッタリング用ターゲットにおいて、
前記不可避不純物は、Al、Fe、C、Nの少なくとも一つであることを特徴とするスパッタリング用ターゲット。 - 請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のスパッタリング用ターゲットにおいて、
前記不可避不純物は、Alであることを特徴とするスパッタリング用ターゲット。 - 請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のスパッタリング用ターゲットにおいて、
素材が角形又は円形であることを特徴とするスパッタリング用ターゲット。 - ルツボ内で溶解させたシリコンを下部から上方に凝固スピードを5mm/min以下として一方向凝固させてシリコンインゴットを作製する工程と、該シリコンインゴットを凝固方向に直交する方向にスライスしてシリコンターゲットを作製する工程と、を有し、請求項1から請求項5のいずれかに記載のスパッタリング用ターゲットを製造することを特徴とするスパッタリング用ターゲットの製造方法。
- 請求項6に記載のスパッタリング用ターゲットの製造方法において、
前記シリコンターゲットを複数枚並べて大型角形ターゲットとする工程を有していることを特徴とするスパッタリング用ターゲットの製造方法。
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