JP2000328241A - 多分割スパッタリングターゲット - Google Patents
多分割スパッタリングターゲットInfo
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- JP2000328241A JP2000328241A JP11142232A JP14223299A JP2000328241A JP 2000328241 A JP2000328241 A JP 2000328241A JP 11142232 A JP11142232 A JP 11142232A JP 14223299 A JP14223299 A JP 14223299A JP 2000328241 A JP2000328241 A JP 2000328241A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】異常放電によるノジュール発生量が少なく、ま
た基板へのパーティクル発生量を低減させることができ
る多分割スパッタリングターゲットを提供する。 【解決手段】１枚のバッキングプレート上に複数のター
ゲット部材を配設してなる多分割スパッタリングターゲ
ットにおいて、縦方向及び横方向のように異なる２つの
方向に少なくとも２以上のターゲット部材が配設され、
ターゲット部材が隣接する分割部上の任意の点におい
て、互いに隣接するターゲット部材の数が３以下である
多分割スパッタリングターゲット。
た基板へのパーティクル発生量を低減させることができ
る多分割スパッタリングターゲットを提供する。 【解決手段】１枚のバッキングプレート上に複数のター
ゲット部材を配設してなる多分割スパッタリングターゲ
ットにおいて、縦方向及び横方向のように異なる２つの
方向に少なくとも２以上のターゲット部材が配設され、
ターゲット部材が隣接する分割部上の任意の点におい
て、互いに隣接するターゲット部材の数が３以下である
多分割スパッタリングターゲット。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリング法
により薄膜を製造する際に使用されるスパッタリングタ
ーゲット、特に複数枚のターゲット部材を単一のバッキ
ングプレート上に配置した分割部を有するスパッタリン
グターゲットに関するものである。
により薄膜を製造する際に使用されるスパッタリングタ
ーゲット、特に複数枚のターゲット部材を単一のバッキ
ングプレート上に配置した分割部を有するスパッタリン
グターゲットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の情報社会およびマルチメディアを
支える半導体素子、記録媒体、フラットパネルディスプ
レイ等のデバイスには、多種多様の薄膜が使用されてい
る。薄膜を形成する手段としては、スパッタリング法、
真空蒸着法、CVD 法等があげられる。中でも、スパッタ
リング法は、大面積に均一な膜を成膜するのに有利なた
め、フラットパネルディスプレイ（特に液晶ディスプレ
イ）の分野では多く使用されている。
支える半導体素子、記録媒体、フラットパネルディスプ
レイ等のデバイスには、多種多様の薄膜が使用されてい
る。薄膜を形成する手段としては、スパッタリング法、
真空蒸着法、CVD 法等があげられる。中でも、スパッタ
リング法は、大面積に均一な膜を成膜するのに有利なた
め、フラットパネルディスプレイ（特に液晶ディスプレ
イ）の分野では多く使用されている。
【０００３】近年のフラットパネルディスプレイの大型
化にともない、パネル製造に使用されるガラス基板のサ
イズも大型化している。そのため、薄膜製造の際に使用
されるターゲットも基板サイズに合わせてそのサイズの
大型化が進行している。特に近年、異物（パーティク
ル）発生が少ないことから脚光を浴びている静止対向型
スパッタリング装置用ターゲットでは、ターゲットサイ
ズを基板サイズより一回り大きくする必要があるため、
ターゲットの大型化に対する要求は更に強くなってきて
いる。
化にともない、パネル製造に使用されるガラス基板のサ
イズも大型化している。そのため、薄膜製造の際に使用
されるターゲットも基板サイズに合わせてそのサイズの
大型化が進行している。特に近年、異物（パーティク
ル）発生が少ないことから脚光を浴びている静止対向型
スパッタリング装置用ターゲットでは、ターゲットサイ
ズを基板サイズより一回り大きくする必要があるため、
ターゲットの大型化に対する要求は更に強くなってきて
いる。
【０００４】上述のような用途に使用されるターゲット
として、例えば、インジウムースズ酸化物（ＩＴＯ）タ
ーゲットをあげることができる。しかし、大型のＩＴＯ
ターゲットを製造する場合、成形および焼結に必要な生
産設備が従来の物より大型となるため新たな設備投資を
必要とする上、粉末の成形性はサイズの大型化と共に悪
化するため歩留まりが極端に低下し、結果としてターゲ
ットの製造コストおよび生産性が悪化する。
として、例えば、インジウムースズ酸化物（ＩＴＯ）タ
ーゲットをあげることができる。しかし、大型のＩＴＯ
ターゲットを製造する場合、成形および焼結に必要な生
産設備が従来の物より大型となるため新たな設備投資を
必要とする上、粉末の成形性はサイズの大型化と共に悪
化するため歩留まりが極端に低下し、結果としてターゲ
ットの製造コストおよび生産性が悪化する。
【０００５】他のターゲットにおいても、大型化に関し
て同様なデメリットを有するため、大型のターゲットと
して、複数のターゲット部材をバッキングプレート上に
接合した多分割ターゲットが用いられつつある。
て同様なデメリットを有するため、大型のターゲットと
して、複数のターゲット部材をバッキングプレート上に
接合した多分割ターゲットが用いられつつある。
【０００６】このような分割部を有する大型ターゲット
の分割方法は、一般に、ターゲットを単一方向（縦方
向あるいは横方向）にのみ分割する方法、ターゲット
を縦方向および横方向共に分割する方法に大別される。
上記の方法のうち、縦方向および横方向共に分割した場
合には、ターゲット中に４つのターゲット部材が隣接す
る４部材隣接点を有する構造となっている。
の分割方法は、一般に、ターゲットを単一方向（縦方
向あるいは横方向）にのみ分割する方法、ターゲット
を縦方向および横方向共に分割する方法に大別される。
上記の方法のうち、縦方向および横方向共に分割した場
合には、ターゲット中に４つのターゲット部材が隣接す
る４部材隣接点を有する構造となっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前述したような４つの
ターゲット部材が隣接する４部材隣接点（以降４重点と
称する）を有するターゲットを用いてスパッタリングを
行った場合、前記４重点近傍で異常放電が起こりやす
く、パーティクル発生の原因となっていた。
ターゲット部材が隣接する４部材隣接点（以降４重点と
称する）を有するターゲットを用いてスパッタリングを
行った場合、前記４重点近傍で異常放電が起こりやす
く、パーティクル発生の原因となっていた。
【０００８】また、ＩＴＯターゲットを用いてスパッタ
リングを長時間行った場合に顕著な現象であるが、積算
スパッタリング時間の増加と共にターゲット表面にはノ
ジュールと呼ばれる黒色の異物が析出する。この黒色の
付着物はスパッタリング時の異常放電の原因となりやす
く、またそれ自身が薄膜表面の異物（パーティクル）の
発生源となることが知られている。その結果、長時間ス
パッタリングを行うと、形成された薄膜中に次第に異物
欠陥が発生し、これが液晶表示装置などのフラットパネ
ルディスプレイの製造歩留まり低下の原因となってい
た。
リングを長時間行った場合に顕著な現象であるが、積算
スパッタリング時間の増加と共にターゲット表面にはノ
ジュールと呼ばれる黒色の異物が析出する。この黒色の
付着物はスパッタリング時の異常放電の原因となりやす
く、またそれ自身が薄膜表面の異物（パーティクル）の
発生源となることが知られている。その結果、長時間ス
パッタリングを行うと、形成された薄膜中に次第に異物
欠陥が発生し、これが液晶表示装置などのフラットパネ
ルディスプレイの製造歩留まり低下の原因となってい
た。
【０００９】特に、近年フラットパネルディスプレイの
分野では高精細化が進んでおり、薄膜中の異物欠陥は素
子の動作不良を引き起こすため、重要な課題となってい
た。
分野では高精細化が進んでおり、薄膜中の異物欠陥は素
子の動作不良を引き起こすため、重要な課題となってい
た。
【００１０】このようなＩＴＯターゲット上に発生する
ノジュールを低減する方法の一つとしてＩＴＯ焼結体を
高密度化する方法が知られており、最近ではスパッタリ
ングターゲットとして密度７．０ｇ／ｃｍ3以上のＩＴ
Ｏ焼結体が使用されるようになっている。
ノジュールを低減する方法の一つとしてＩＴＯ焼結体を
高密度化する方法が知られており、最近ではスパッタリ
ングターゲットとして密度７．０ｇ／ｃｍ3以上のＩＴ
Ｏ焼結体が使用されるようになっている。
【００１１】ところが前述したような大型の多分割ター
ゲットでは個々のターゲット部材の焼結密度が高密度化
された場合でも、一体型のターゲットと異なり、特に前
記４重点の近傍で異常放電が起こりやすく、またノジュ
ール発生量も増加するため、基板へのパーティクル付着
量が増加してしまうという問題点があった。
ゲットでは個々のターゲット部材の焼結密度が高密度化
された場合でも、一体型のターゲットと異なり、特に前
記４重点の近傍で異常放電が起こりやすく、またノジュ
ール発生量も増加するため、基板へのパーティクル付着
量が増加してしまうという問題点があった。
【００１２】
【課題を解決するための手段】１枚のバッキングプレー
ト上に複数のターゲット部材を配設してなる多分割スパ
ッタリングターゲットの４重点近傍でのノジュール発生
量を低減させるため、多分割ターゲットの分割の形態に
ついて検討を行った。その結果、ターゲット部材が隣接
する分割部上の任意の点において、互いに隣接するター
ゲット部材の数を３以下とし、４重点を有さない構造と
することにより、異常放電が起こりにくく、基板へのパ
ーティクル発生量を低減することができることを見出し
た。 また、ターゲット部材にＩＴＯを用いた場合に
は、さらにノジュール発生量を低減できるため、基板へ
のパーティクル発生量をより効果的に低減することがで
きることを見出し、本発明を完成した。
ト上に複数のターゲット部材を配設してなる多分割スパ
ッタリングターゲットの４重点近傍でのノジュール発生
量を低減させるため、多分割ターゲットの分割の形態に
ついて検討を行った。その結果、ターゲット部材が隣接
する分割部上の任意の点において、互いに隣接するター
ゲット部材の数を３以下とし、４重点を有さない構造と
することにより、異常放電が起こりにくく、基板へのパ
ーティクル発生量を低減することができることを見出し
た。 また、ターゲット部材にＩＴＯを用いた場合に
は、さらにノジュール発生量を低減できるため、基板へ
のパーティクル発生量をより効果的に低減することがで
きることを見出し、本発明を完成した。
【００１３】即ち、本発明は、１枚のバッキングプレー
ト上に複数のターゲット部材を配設してなる多分割スパ
ッタリングターゲットにおいて、異なる２つの方向に少
なくとも２以上のターゲット部材が配設されるととも
に、ターゲット部材が隣接する分割部上の任意の点にお
いて、互いに隣接するターゲット部材の数が３以下であ
ることを特徴とする多分割スパッタリングターゲット関
する。また、１枚のバッキングプレート上に複数のター
ゲット部材を配設してなる多分割スパッタリングターゲ
ットにおいて、全体の形状が実質的に長方形又は正方形
であり、かつ、その縦方向及び横方向共に各々２以上の
ターゲット部材が配設されるとともに、４つのターゲッ
ト部材が隣接する４部材隣接点を有さないことを特徴と
する分割ターゲットに関するものである。
ト上に複数のターゲット部材を配設してなる多分割スパ
ッタリングターゲットにおいて、異なる２つの方向に少
なくとも２以上のターゲット部材が配設されるととも
に、ターゲット部材が隣接する分割部上の任意の点にお
いて、互いに隣接するターゲット部材の数が３以下であ
ることを特徴とする多分割スパッタリングターゲット関
する。また、１枚のバッキングプレート上に複数のター
ゲット部材を配設してなる多分割スパッタリングターゲ
ットにおいて、全体の形状が実質的に長方形又は正方形
であり、かつ、その縦方向及び横方向共に各々２以上の
ターゲット部材が配設されるとともに、４つのターゲッ
ト部材が隣接する４部材隣接点を有さないことを特徴と
する分割ターゲットに関するものである。
【００１４】本発明が対象とするような大型サイズのタ
ーゲットは、一般に長方形（正方形を含む）あるいは長
方形に準ずる形となっている。長方形に準ずる形とは、
長方形の各角部をＲ５〜１００とした場合も含むものと
する。このような長方形のターゲットの縦方向および横
方向共に２以上に分割されるようなターゲットは、主と
して枚葉式スパッタリング装置に用いられるようなもの
であり、そのサイズの一例として８１０×９１０ｍｍを
例示することができる。
ーゲットは、一般に長方形（正方形を含む）あるいは長
方形に準ずる形となっている。長方形に準ずる形とは、
長方形の各角部をＲ５〜１００とした場合も含むものと
する。このような長方形のターゲットの縦方向および横
方向共に２以上に分割されるようなターゲットは、主と
して枚葉式スパッタリング装置に用いられるようなもの
であり、そのサイズの一例として８１０×９１０ｍｍを
例示することができる。
【００１５】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１６】ここでは、適宜ＩＴＯをターゲット部材と
して使用した場合について説明する。
して使用した場合について説明する。
【００１７】本発明に使用されるスパッタリングターゲ
ットの材料は、特に限定することなく使用することがで
きる。しかし、今後ターゲットサイズが益々大きくなる
ことが予想されるフラットパネルディスプレイの製造に
使用される材料により適している。このような材料とし
ては、例えば、クロム、モリブデン、ＩＴＯ、ＺＡＯ
（アルミニウムー亜鉛酸化物）、酸化マグネシウム等が
あげられる。
ットの材料は、特に限定することなく使用することがで
きる。しかし、今後ターゲットサイズが益々大きくなる
ことが予想されるフラットパネルディスプレイの製造に
使用される材料により適している。このような材料とし
ては、例えば、クロム、モリブデン、ＩＴＯ、ＺＡＯ
（アルミニウムー亜鉛酸化物）、酸化マグネシウム等が
あげられる。
【００１８】例えば、ＩＴＯターゲットを製造する場合
には、一般に酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末とから
なる混合粉末、あるいは酸化スズを酸化インジウム中に
所定量だけ固溶させたＩＴＯ粉末などを、プレス法ある
いはスリップキャスト法により成形し、これを大気中ま
たは酸素雰囲気中で焼結することにより製造されるが、
粉末の種類・形状、成形方法、焼結方法には、特に制限
はない。
には、一般に酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末とから
なる混合粉末、あるいは酸化スズを酸化インジウム中に
所定量だけ固溶させたＩＴＯ粉末などを、プレス法ある
いはスリップキャスト法により成形し、これを大気中ま
たは酸素雰囲気中で焼結することにより製造されるが、
粉末の種類・形状、成形方法、焼結方法には、特に制限
はない。
【００１９】次に、得られたＩＴＯ焼結体を機械的に加
工して多分割ＩＴＯターゲットを構成する個々のターゲ
ット部材を製造する。各部材のサイズおよび形状は、加
工後各ターゲット部材をバッキングプレート上に接合し
た際に４重点を有さない形状であれば特に限定されるも
のではない。好ましくは、３つのターゲット部材が隣接
する３部材隣接点を少なくとも２以上有するように配設
し、これらの３部材隣接点相互間の距離が１ｍｍ以上、
更に好ましくは５ｍｍ以上であるようにすればよい。
工して多分割ＩＴＯターゲットを構成する個々のターゲ
ット部材を製造する。各部材のサイズおよび形状は、加
工後各ターゲット部材をバッキングプレート上に接合し
た際に４重点を有さない形状であれば特に限定されるも
のではない。好ましくは、３つのターゲット部材が隣接
する３部材隣接点を少なくとも２以上有するように配設
し、これらの３部材隣接点相互間の距離が１ｍｍ以上、
更に好ましくは５ｍｍ以上であるようにすればよい。
【００２０】得られた複数枚のターゲット部材を１枚の
バッキングプレート上にボンディングする。本発明に使
用されるバッキングプレートおよび金属接合剤は特に限
定されるものではないが、バッキングプレートとして
は、無酸素銅およびリン酸銅等が、半田材としては、イ
ンジウム半田等を例示することができる。
バッキングプレート上にボンディングする。本発明に使
用されるバッキングプレートおよび金属接合剤は特に限
定されるものではないが、バッキングプレートとして
は、無酸素銅およびリン酸銅等が、半田材としては、イ
ンジウム半田等を例示することができる。
【００２１】このようにして得られた多分割ターゲット
を用いることにより、ターゲット中に４重点を有さず、
３重点のみで構成されるため、異常放電が起こりにく
く、基板へのパーティクル発生量を低減することができ
る。また、上述のようにターゲット部材にＩＴＯを用い
た場合には、さらにノジュール発生量を低減できるた
め、基板へのパーティクル発生量をより効果的に低減す
ることができる。
を用いることにより、ターゲット中に４重点を有さず、
３重点のみで構成されるため、異常放電が起こりにく
く、基板へのパーティクル発生量を低減することができ
る。また、上述のようにターゲット部材にＩＴＯを用い
た場合には、さらにノジュール発生量を低減できるた
め、基板へのパーティクル発生量をより効果的に低減す
ることができる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明を実施例によって更に詳細に説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２３】実施例１ 酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末を重量比で９０：１
０の割合に混合した混合粉末に分散剤、バインダーおよ
びイオン交換水を加えてボールミル混合し、鋳込用スラ
リーを製造した。
０の割合に混合した混合粉末に分散剤、バインダーおよ
びイオン交換水を加えてボールミル混合し、鋳込用スラ
リーを製造した。
【００２４】続いて上記スラリーに消泡剤を添加し、真
空中で脱法処理を実施した。これを３６５×６００×１
０ｍｍの鋳込成形用鋳型に注入し鋳込成形を行った。こ
の成形体を乾燥後３ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力でＣＩＰ処理
して成形体を得た。
空中で脱法処理を実施した。これを３６５×６００×１
０ｍｍの鋳込成形用鋳型に注入し鋳込成形を行った。こ
の成形体を乾燥後３ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力でＣＩＰ処理
して成形体を得た。
【００２５】同様の処理を繰り返し、計６枚の成形体を
得た。
得た。
【００２６】この後、成形体中に存在する分散剤および
バインダーを除去するために、前記成形体を大気焼成炉
内に設置し、以下の条件で脱ワックス処理を実施した。
バインダーを除去するために、前記成形体を大気焼成炉
内に設置し、以下の条件で脱ワックス処理を実施した。
【００２７】脱ワックス温度：４５０℃ 昇温速度：５℃／Ｈｒ 保持時間：１時間 次に、上記脱ワックス後の成形体を常圧純酸素雰囲気炉
内に設置して以下の条件で焼結した。
内に設置して以下の条件で焼結した。
【００２８】 焼結温度：１５００℃ 昇温速度：２５℃／Ｈｒ 焼結時間：５時間 導入酸素線速：８．０ｃｍ／ｍｉｎ． 得られた焼結体の密度をアルキメデス法により測定した
ところ７．１０ｇ／ｃｍ3であった。この焼結体を湿式
加工法により図１に示すようなサイズで厚さ６ｍｍに各
ターゲット部材を加工した。
ところ７．１０ｇ／ｃｍ3であった。この焼結体を湿式
加工法により図１に示すようなサイズで厚さ６ｍｍに各
ターゲット部材を加工した。
【００２９】続いて、インジウム半田を用いて無酸素銅
製のバッキングプレート上に、各サイズのターゲット部
材を図１に示すような配置にボンディングしてターゲッ
ト化した。このターゲットを用いて、以下のスパッタリ
ング条件でスパッタリングして連続放電試験を実施し
た。
製のバッキングプレート上に、各サイズのターゲット部
材を図１に示すような配置にボンディングしてターゲッ
ト化した。このターゲットを用いて、以下のスパッタリ
ング条件でスパッタリングして連続放電試験を実施し
た。
【００３０】ガス圧：５ｍＴｏｒｒ Ａｒ／Ｏ2＝０．１％ スパッタリング中の異常放電発生回数は、極僅かであっ
た。使用後のターゲット表面の状態を図２に示す。ごく
僅かのノジュールが発生したにすぎなかった。
た。使用後のターゲット表面の状態を図２に示す。ごく
僅かのノジュールが発生したにすぎなかった。
【００３１】比較例１ 実施例１同様の方法でＩＴＯ成形体を計６枚得た。この
後、実施例１と同じ条件で、脱ワックス、焼結を行っ
た。得られた焼結体の密度をアルキメデス法により測定
したところ７．１０ｇ／ｃｍ3であった。この焼結体を
湿式加工法により図３に示すようなサイズにで厚さ６ｍ
ｍに各ターゲット部材を加工した。
後、実施例１と同じ条件で、脱ワックス、焼結を行っ
た。得られた焼結体の密度をアルキメデス法により測定
したところ７．１０ｇ／ｃｍ3であった。この焼結体を
湿式加工法により図３に示すようなサイズにで厚さ６ｍ
ｍに各ターゲット部材を加工した。
【００３２】続いて、インジウム半田を用いて無酸素銅
製のバッキングプレートに図３に示すような配置にボン
ディングしてターゲット化した。このターゲットを用い
て、実施例１と同じ条件でスパッタリングして連続放電
試験を実施した。
製のバッキングプレートに図３に示すような配置にボン
ディングしてターゲット化した。このターゲットを用い
て、実施例１と同じ条件でスパッタリングして連続放電
試験を実施した。
【００３３】スパッタリング中に異常放電が多発した。
また、使用後のターゲット表面の状態を図４に示す。タ
ーゲット表面には、多量のノジュールが発生していた。
また、使用後のターゲット表面の状態を図４に示す。タ
ーゲット表面には、多量のノジュールが発生していた。
【００３４】
【発明の効果】本発明の多分割ターゲットを用いること
により、ターゲット中に４重点を有さず、３重点のみで
構成されるため、異常放電が起こりにくく、基板へのパ
ーティクル発生量を低減することができる。
により、ターゲット中に４重点を有さず、３重点のみで
構成されるため、異常放電が起こりにくく、基板へのパ
ーティクル発生量を低減することができる。
【００３５】また、ターゲット部材にＩＴＯを用いた場
合には、さらにノジュール発生量を低減できるため、基
板へのパーティクル発生量をより効果的に低減すること
ができる。
合には、さらにノジュール発生量を低減できるため、基
板へのパーティクル発生量をより効果的に低減すること
ができる。
【図１】 実施例１で得られた焼結体を加工後のサイズ
及びそれらの配置を示すものである。
及びそれらの配置を示すものである。
【図２】 実施例１で得られた多分割スパッタリングを
スパッタリングした後のターゲット表面を示す図であ
る。
スパッタリングした後のターゲット表面を示す図であ
る。
【図３】 比較例１で得られた焼結体の加工後のサイズ
及びそれらの配置を示すものである。
及びそれらの配置を示すものである。
【図４】 比較例１で得られた多分割スパッタリングを
スパッタリングした後のターゲット表面を示す図であ
る。
スパッタリングした後のターゲット表面を示す図であ
る。
Claims (5)
- 【請求項１】 １枚のバッキングプレート上に複数のタ
ーゲット部材を配設してなる多分割スパッタリングター
ゲットにおいて、異なる２つの方向に少なくとも２以上
のターゲット部材が配設されるとともに、ターゲット部
材が隣接する分割部上の任意の点において、互いに隣接
するターゲット部材の数が３以下であることを特徴とす
る多分割スパッタリングターゲット。 - 【請求項２】 全体の形状が実質的に長方形又は正方形
であって、その縦方向及び横方向共に各々２以上に分割
されていることを特徴とする請求項１に記載の多分割ス
パッタリングターゲット。 - 【請求項３】 １枚のバッキングプレート上に複数のタ
ーゲット部材を配設してなる多分割スパッタリングター
ゲットにおいて、全体の形状が実質的に長方形又は正方
形であり、かつ、その縦方向及び横方向共に各々２以上
のターゲット部材が配設されるとともに、４つのターゲ
ット部材が隣接する４部材隣接点を有さないことを特徴
とする多分割スパッタリングターゲット。 - 【請求項４】 ３つのターゲット部材が隣接する３部材
隣接点を少なくとも２以上有し、これらの３部材隣接点
相互間の距離が１ｍｍ以上であることを特徴とする請求
項２又は請求項３に記載の多分割スパッタリングターゲ
ット。 - 【請求項５】 ターゲット部材が実質的に、インジウ
ム、スズおよび酸素からなることを特徴とする請求項１
〜４のいずれか１項に記載の多分割スパッタリングター
ゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11142232A JP2000328241A (ja) | 1999-05-21 | 1999-05-21 | 多分割スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11142232A JP2000328241A (ja) | 1999-05-21 | 1999-05-21 | 多分割スパッタリングターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000328241A true JP2000328241A (ja) | 2000-11-28 |
Family
ID=15310507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11142232A Pending JP2000328241A (ja) | 1999-05-21 | 1999-05-21 | 多分割スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000328241A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008101277A (ja) * | 2008-01-15 | 2008-05-01 | Mitsubishi Materials Corp | スパッタリング用ターゲット及びその製造方法 |
| US7550066B2 (en) | 2004-07-09 | 2009-06-23 | Applied Materials, Inc. | Staggered target tiles |
| KR101000339B1 (ko) * | 2001-10-12 | 2010-12-13 | 토소가부시키가이샤 | 스퍼터링 타겟 |
| WO2012108075A1 (ja) * | 2011-02-08 | 2012-08-16 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット組立体 |
| WO2013114666A1 (ja) * | 2012-01-31 | 2013-08-08 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット組立体 |
-
1999
- 1999-05-21 JP JP11142232A patent/JP2000328241A/ja active Pending
Cited By (12)
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