JP5583794B2 - スパッタリングターゲット組立体 - Google Patents

スパッタリングターゲット組立体 Download PDF

Info

Publication number
JP5583794B2
JP5583794B2 JP2012556750A JP2012556750A JP5583794B2 JP 5583794 B2 JP5583794 B2 JP 5583794B2 JP 2012556750 A JP2012556750 A JP 2012556750A JP 2012556750 A JP2012556750 A JP 2012556750A JP 5583794 B2 JP5583794 B2 JP 5583794B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
target
pieces
sputtering target
backing plate
assembly
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2012556750A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2012108075A1 (ja
Inventor
一成 高橋
了 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JX Nippon Mining and Metals Corp
Original Assignee
JX Nippon Mining and Metals Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JX Nippon Mining and Metals Corp filed Critical JX Nippon Mining and Metals Corp
Priority to JP2012556750A priority Critical patent/JP5583794B2/ja
Publication of JPWO2012108075A1 publication Critical patent/JPWO2012108075A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5583794B2 publication Critical patent/JP5583794B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414Targets
    • H01J37/3417Arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414Targets
    • H01J37/3423Shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3435Target holders (includes backing plates and endblocks)

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

本発明は、ピース張り合わせ部に起因するパーティクル発生による不良を低減するためのスパッタリングターゲット組立体、特にFPD用スパッタリングターゲット組立体に関する。
透明導電膜形成用ITO、ZnO系、In−ZnO系、MgO系等の薄膜は、液晶ディスプレイ、タッチパネル、ELディスプレイ等を中心とする表示デバイスの透明電極として広く用いられている。多くの場合ITO等の透明導電膜形成用酸化物薄膜はスパッタリングによって形成される。
近年、大型FPD(フラットパネルディスプレー)用の透明導電膜形成にはインライン方式のスパッタリング装置が使用されており、第8世代以降では幅150〜300mm、長さ1500mm以上のターゲット板を数枚から十数枚並べて、そのターゲットの前を大型のガラス基板が移動して成膜される。
この様な大きなターゲットを一枚物のターゲット板として作製することは困難であるため、通常、長さ方向に数分割したターゲットピースをバッキングプレート上で張り合わせて単一のターゲット−バッキングプレート接合体とし、これをさらに複数個、幅方向に整列させて大型化するのが一般的である。
しかし、このターゲット−バッキングプレート接合体を幅方向に配列することにより大型化することができるが、前記長さ方向に数分割したターゲットピースは、隣接するターゲット−バッキングプレート接合体のターゲットピース間の分割線が整列することになる。この分割線にはターゲットピース同士の隙間があり、各ターゲットピースの高さは、わずかながらも違いがある故に分割線を境とした段差も生じるので、この分割線からスパッタリング中にノジュールが発生し易く、膜上にパーティクルと呼ばれるゴミの多く付着した部分が筋状に発生する原因となり歩留まりが低下する。
通常、製造のし易さから、同一寸法のターゲットピースを製造し、これをバッキングプレート上で張り合わせるのであるが、この場合、ターゲットピースはきれいに整列していて、一見すると見栄えは良いものの、ピースとピースの間の分割線が全て整列するために、整列したターゲットピース部分にノジュールが集中し、結果として膜上にパーティクルと呼ばれるゴミの付着が特定位置に集中し、歩留まりが低下する問題がある。
従来は、ターゲット自体の生産性向上に注力していたことと、大型FPDの生産量が未だ少なかったために、このような問題は、顕在化することなく長い間見落とされていたが、近年、大型FPDの生産量が増大するにつれ、このような成膜不良が多く生じるようになり、実際に生産性の低下につながる事例が発生するようになっていた。
従来技術を見ると、下記特許文献1には、長方形の大きなターゲット板を多数のタイルから構成されるターゲット組立体からなり、各タイルは3つ以下のタイルの間隙で合流するように構成され、熱サイクル中のタイルの不整列を防止することが記載されている。この場合、長方形、正方形、六角形、扇形でも良いとされている。
この文献1では、多数のタイルを密に配置し、それらが位置ずれしないようにすることが目的であり、スパッタリング中のノジュール発生や膜上のパーティクルを防止するための対策は採られていない。この文献1のターゲット組立体の具体例を示す図6、図7、図8、図9、図10のいずれを見ても、タイルは少なくとも一つ置きに、タイルの接合部が整列している。このようなターゲット組立体は、結果としてスパッタリング中のノジュール発生や膜上のパーティクルを増加させる原因となる。
下記特許文献2には、円盤型の分割ターゲットが記載され、中心は円形の分割片で、周辺に4個の扇形(中心部が欠如した)の分割片から構成されている。このそれぞれの分割片の接合部に段差を設けて接合する提案がなされている。このような円盤型の分割ターゲットは、大型FPD(フラットパネルディスプレー)用のターゲット組立体を製造するには不向きである。
また、文献2の分割ターゲットは一つ置きに、タイルの接合部が整列している。このような構造を持つターゲットは、結果としてスパッタリング中のノジュール発生や膜上のパーティクルを増加させる原因となる問題を有している。
下記特許文献3には、円盤型の分割ターゲットが記載され、中心は円形の分割片で、周辺に2個の扇形(中心部が欠如した)の分割片から構成されている。このそれぞれの分割片の接合部に切り込みを入れて斜めに接合する提案がなされている。このような円盤型の分割ターゲットは、前記文献2と同様に、大型FPD(フラットパネルディスプレー)用のターゲット組立体を製造するには不向きである。
また、文献3の分割ターゲットは一つ置きに、タイルの接合部が整列している。このような構造を持つターゲットは、結果としてスパッタリング中のノジュール発生や膜上のパーティクルを増加させる原因となる問題を有している。
上記いずれの文献も、一枚のバッキングプレートに配列したもので、分割ターゲットであることは共通しているが、ターゲット−バッキングプレート接合体を幅方向に配列することにより大型化した場合の問題解決には至っておらず、スパッタリング中のノジュール発生や膜上のパーティクルを増加させる原因を減少させる対策は採られていないという問題を有している。
特開2006−22404号公報 特開平5−263234号公報 特開平5−17867号公報
本発明は、ターゲットピース張り合わせ部に起因するパーティクル発生による不良を低減することができる大型化したスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体、特にFPD用スパッタリングターゲット組立体を提供することを課題とする。
上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、スパッタリングターゲットを矩形の複数のピースから構成し、これをバッキングプレートに貼り付け、この複数のピースの形状と配列を工夫することにより、大型のスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体を作製し、ピース張り合わせ部に起因するパーティクル発生による不良を低減することができるスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体からなるスパッタリングターゲット組立体、特にFPD用スパッタリングターゲット組立体を提供することができるとの知見を得た。
このような知見に基づき、本発明は、
1)幅100mm以上、長さ1000mm以上である矩形のターゲット板として、分割線が幅方向になるように3個以上のターゲットピースAに分割されており、この分割ターゲットピースAを、長さ方向にバッキングプレート上に張り合わせてスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bを構成し、さらにこの接合体Bを幅方向に3個以上整列させたスパッタリングターゲット組立体であって、各個の接合体Bをスパッタリングターゲット組立体として配列する際に、接合体Bに存在する3個のターゲットピース間の分割線が、隣接する分割ターゲットピース間の分割線と同位置にならないように設置することを特徴とするスパッタリングターゲット組立体、を提供する。
2)また、本発明は、
一つのスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bにおいて、各分割ターゲットピースAの長さの相違が50mm以上であることを特徴とする上記1)記載のスパッタリングターゲット組立体、を提供する。
3)また、本発明は、
一つのスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bにおいて、各分割ターゲットピースAの長さの相違が100mm以上であることを特徴とする上記1)記載のスパッタリングターゲット組立体、を提供する。
4)また、本発明は、
一つのスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bのターゲットピース間の分割線と、隣接するスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bのターゲットピース間の分割線が平行であり、該隣接する分割線の平行間隔が50mm以上であることを特徴とする上記1)〜3)のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット組立体、を提供する。
5)また、本発明は、
一つのスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bのターゲットピース間の分割線と、隣接するスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bのターゲットピース間の分割線が平行であり、隣接する分割線の平行間隔が100mm以上であることを特徴とする上記1)〜3)のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット組立体、を提供する。
6)さらに、本発明は、
一つのスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bに使用される3個以上の矩形のターゲットピースAが、他のスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bの3個以上の矩形のターゲットピースAと同一寸法のターゲットピースAからなることを特徴とする上記1)〜5)のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット組立体、を提供する。
このように調整した本発明のスパッタリングターゲットは、スパッタリングターゲットを矩形の複数のピースから構成し、これをバッキングプレートに貼り付け、この複数のピースの形状と配列を工夫することにより、大型のスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体を作製し、ピース張り合わせ部に起因するパーティクル発生による不良を低減することができるスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体からなるスパッタリングターゲット組立体、特にFPD用スパッタリングターゲット組立体を提供することができ、成膜の歩留まりを向上させ、製品の品質を高めることができるという大きな利点を有する。
実施例1のスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体からなるスパッタリングターゲット組立体を使用して成膜した場合のパーティクルの発生状況を示す図である。 比較例1のスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体からなるスパッタリングターゲット組立体を使用した成膜した場合のパーティクルの発生状況を示す図である。 幅が同一であり、長さが相違する3個ターゲットピースをバッキングプレートに接合した例を示す図である。
本発明のスパッタリングターゲット組立体は、一枚のターゲットが幅100mm以上、長さ1000mm以上である矩形のターゲットを、分割線が幅方向になるように3個以上のターゲットピースAに分割すると共に、この分割ターゲットピースAを、長さ方向にバッキングプレート上に張り合わせてスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bを構成し、さらにこの組立体Bを幅方向に3個以上整列させたスパッタリングターゲット組立体であり、各個の接合体Bをスパッタリングターゲット組立体として配列する際に、接合体Bに存在する3個のターゲットピース間の分割線が、隣接する分割ターゲットピース間の分割線と同位置にならないように(整列しないように)設置するスパッタリングターゲット組立体であり、ターゲット(ターゲットピース)の配列構造に特徴を有するターゲットアッセンブリと言うこともできる。
これはFPD用スパッタリングターゲットとして好適であり、パーティクルの発生が少なく、歩留まりを向上させることができる大型のスパッタリングターゲットアッセンブリの主たる要件を満たすものである。
図3に、幅が同一であり、長さが相違する3個ターゲットピースA1,A2,A3を、バッキングプレート上に取り付けた代表例を示す。それぞれのターゲットピースA1,A2,A3の間には分割線が存在する。この分割線は、ターゲットピースが、それぞれ別個に作製されるためにできる隙間である。
このように、本発明ではターゲットピースの長さを変え、ターゲットを並べた時のターゲットピース間の分割線がずれるように組み合わせたターゲット−バッキングプレート接合体で、ずれるように組み合わせることで、分割線の部分に起因するパーティクルを分散させ歩留まりを向上することが可能となる。
また、本発明のスパッタリング装置は、一つのスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bにおいて、各分割ターゲットピースAの長さの相違を50mm以上に、さらには100mm以上とすることができる。本発明のスパッタリングターゲット組立体は、これを達成することができる。これは、できるだけターゲットピースの接合位置がずれるように組み合わせるためである。
また、本発明のスパッタリングターゲット組立体は、一つのスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bのターゲットピース間の分割線と、隣接するスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bのターゲットピース間の分割線が平行であり、該隣接する接合位置の平行間隔を50mm以上に、さらには100mm以上とすることが望ましい。これもできるだけターゲットピースの接合位置が整列せずに、ずれるように組み合わせるためである。
さらに、本発明は、3枚以上の矩形のターゲットピースAに使用される分割ターゲットが、同一寸法の3種以上の分割ターゲットから構成することができる。
ターゲットの生産性から見ると、同形状のターゲットピースAであることが望ましいと言える。異形状のターゲットピースの製造は、製造コストを増加させる原因となるからである。本願発明は、上記の通り3種類以上とすることを提案するが、これらは、いずれも矩形であり、上記特許文献に示すような、煩雑さと製造コストの増加を招くことがないという利点を有する。
また、本発明の場合、同形状のターゲットピースAは3種類で済む利点を有する。後述する実施例に示すように、矩形のターゲットピースAを、異なる寸法の矩形のターゲットピースA1、A2、A3の3種類を作製し、これらをバッキングプレートに配列して接合した場合、その組み合わせの一として、ターゲットピースA1、A2、A3という配列、その組み合わせの二として、ターゲットピースA3、A1、A2という配列、その組み合わせの三として、ターゲットピースA2、A3、A1という配列が可能である。
これらの組み合わせは、隣接するスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体との位置関係上、各ターゲットピース間の分割線が整列することがない。これは、本発明の場合、同形状のターゲットピースAは、最低で3種類で済むということを意味し、製造コストを低減できるものである。
また、矩形のターゲットピースAを、異なる寸法の矩形のターゲットピースA1、A2、A3、A4の4種類を作製し、これらをバッキングプレートに配列して接合した場合、その組み合わせの一として、ターゲットピースA1、A2、A3、A4という配列、その組み合わせの二として、ターゲットピースA2、A3、A4、A1という配列、その組み合わせの三として、ターゲットピースA3、A4、A1、A2という配列、その組み合わせの四として、ターゲットピースA4、A1、A2、A3という配列が可能である。
この場合、同形状のターゲットピースAは4種類であり、4種類のターゲット接合体の全ての組み合わせにおいて、それらの位置関係上、各ターゲットピース間の分割線が整列することがない。さらに、この4種類のターゲットピースを使用して、3種類までのターゲットにおいて各ターゲットピース間の分割線が整列することがないように配列する場合には、ターゲットの配列の組み合わせを飛躍的に増加させることができる。
以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。
(実施例1)
200mm×1500mmのターゲット板を長さ300mm、500mm、700mmの長さのピースの張り合わせにより、図1に示すようにバッキングプレート上に接合して、3種のスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体を作製し、そしてスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体の組み合わせにより、図1の左側の図に示すように、これらを3セット並べた時、ターゲットピース間の分割線がずれるようにX、Y、Zにセットしてスパッタリングターゲット組立体とした。必要に応じて、このX、Y、Zセットを繰り返すことができる。
このスパッタリングターゲット組立体を用いて、1300mm×1500mmのガラス基板に成膜を行い、パーティクル数を測定した。ガラス基板を均等な5つの領域に分けてパーティクル数を測定した。その結果、図1の右側に示すように、11〜19ヶの範囲に収まり、製品として十分に使用可能であった。
インラインスパッタ装置では、長尺のスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体を数本並べて1セットとして成膜を行うが、通常各ターゲットを同じ寸法のピースを張り合わせることにより作製されるため、これらを数本並べた場合、同じ位置にターゲットピース間の分割線が並んで(整列して)しまい、成膜するとパーティクルがその位置付近に集中し、製品歩留まりが低下する。
本発明は、この問題を解決することができ、前記の通りターゲットピースAの長さを変え、スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体を並べた時の、ターゲットピース間の分割線が各ターゲットでずれるように組み合わせることで、ターゲットピース間の分割線に起因するパーティクルを分散させ、歩留まりを向上することができる。
(比較例1)
200mm×1500mmのスパッタリングターゲット板を、同一長さ500mmのピースA43個で、各バッキングプレート上に接合して作製し、これを3枚/セットとしてスパッタリングターゲット組立体とし、これをスパッタリング装置に装着した。そして、このターゲットを用いて1300mm×1500mmのガラス基板に成膜した。そして実施例と同様のパーティクル比較を行った。
図2に、バッキングプレートに、同寸法のターゲットピースを配列したターゲット−バッキングプレート接合体とパーティクルの発生状況を示す。図2の右側に示すように、ターゲットピース間の分割線に相当する領域におけるパーティクル数が28ヶ、29ヶと高く、この領域は製品として使用できなかった。
上記の実施例、比較例から明らかなように、矩形のスパッタリングターゲットを構成する各ピースの長さを変え、各バッキングプレート上にターゲットを並べた時のターゲットピース間の分割線を、各ターゲットでずれるように組み合わせることで、張り合わせ部分に起因するパーティクルを分散させることは、極めて重要であり、製品の歩留まりを向上させることができる大きなメリットを有する。
本発明の大型のスパッタリングターゲット−バッキングプレートからなるスパッタリングターゲット組立体は、各バッキングプレート上に、スパッタリングターゲットを矩形の複数のピースAを張り付けて接合体Bを構成し、この複数のピースの形状と配列を工夫することにより、ターゲットピース間の分割線に起因するパーティクル発生による不良率を低減することができるという優れた効果を有するので、特に大型FPDを製造する為のインライン方式スパッタリング装置用スパッタリングターゲットアッセンブリとして有用である。

Claims (5)

  1. 幅100mm以上、長さ1000mm以上である矩形のターゲット板として、分割線が幅方向になるように3個以上のターゲットピースAに分割されており、この分割ターゲットピースAを、長さ方向にバッキングプレート上に張り合わせてスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bを構成し、さらにこの接合体Bを幅方向に3個以上整列させたスパッタリングターゲット組立体であって、各個の接合体Bをスパッタリングターゲット組立体として配列する際に、接合体Bに存在する3個のターゲットピース間の分割線が、隣接する分割ターゲットピース間の分割線と同位置にならないように設置し、かつ一つのスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bにおいて、各分割ターゲットピースAの長さの相違が50mm以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット組立体。
  2. 一つのスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bにおいて、各分割ターゲットピースAの長さの相違が100mm以上であることを特徴とする請求項1記載のスパッタリングターゲット組立体。
  3. 一つのスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bのターゲットピース間の分割線と、隣接するスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bのターゲットピース間の分割線が平行であり、該隣接する分割線の平行間隔が50mm以上であることを特徴とする請求項1〜2のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット組立体。
  4. 一つのスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bのターゲットピース間の分割線と、隣接するスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bのターゲットピース間の分割線が平行であり、隣接する分割線の平行間隔が100mm以上であることを特徴とする請求項1〜2のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット組立体。
  5. 一つのスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bに使用される3個以上の矩形のターゲットピースAが、他のスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bの3個以上の矩形のターゲットピースAと同一寸法のターゲットピースAからなることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット組立体。
JP2012556750A 2011-02-08 2011-09-21 スパッタリングターゲット組立体 Active JP5583794B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012556750A JP5583794B2 (ja) 2011-02-08 2011-09-21 スパッタリングターゲット組立体

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011024546 2011-02-08
JP2011024546 2011-02-08
JP2012556750A JP5583794B2 (ja) 2011-02-08 2011-09-21 スパッタリングターゲット組立体
PCT/JP2011/071418 WO2012108075A1 (ja) 2011-02-08 2011-09-21 スパッタリングターゲット組立体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2012108075A1 JPWO2012108075A1 (ja) 2014-07-03
JP5583794B2 true JP5583794B2 (ja) 2014-09-03

Family

ID=46638309

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012556750A Active JP5583794B2 (ja) 2011-02-08 2011-09-21 スパッタリングターゲット組立体

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5583794B2 (ja)
KR (1) KR101311664B1 (ja)
CN (1) CN103380228B (ja)
TW (1) TWI544100B (ja)
WO (1) WO2012108075A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013114666A1 (ja) 2012-01-31 2013-08-08 Jx日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット組立体
EP2947175A1 (en) * 2014-05-21 2015-11-25 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG CuSn, CuZn and Cu2ZnSn sputter targets
CN106337167A (zh) * 2016-08-30 2017-01-18 芜湖映日科技有限公司 多片拼接靶材绑定方法
TWI707054B (zh) * 2018-03-20 2020-10-11 友威科技股份有限公司 非連續型磁性濺鍍靶材裝置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5190630A (en) * 1989-03-01 1993-03-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Sputtering target
JP2000328241A (ja) * 1999-05-21 2000-11-28 Tosoh Corp 多分割スパッタリングターゲット
JP2004143548A (ja) * 2002-10-25 2004-05-20 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 多分割スパッタリングターゲット組立体
JP2006022404A (ja) * 2004-07-09 2006-01-26 Applied Materials Inc 食い違いアレイのターゲットタイル
JP2008025031A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Applied Materials Inc マルチカソード設計用冷却暗部シールド

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01290767A (ja) * 1988-05-17 1989-11-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 多成分薄膜製造装置
US7550066B2 (en) * 2004-07-09 2009-06-23 Applied Materials, Inc. Staggered target tiles
US20080017501A1 (en) * 2006-07-21 2008-01-24 Makoto Inagawa Cooled dark space shield for multi-cathode design

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5190630A (en) * 1989-03-01 1993-03-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Sputtering target
JP2000328241A (ja) * 1999-05-21 2000-11-28 Tosoh Corp 多分割スパッタリングターゲット
JP2004143548A (ja) * 2002-10-25 2004-05-20 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 多分割スパッタリングターゲット組立体
JP2006022404A (ja) * 2004-07-09 2006-01-26 Applied Materials Inc 食い違いアレイのターゲットタイル
JP2008025031A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Applied Materials Inc マルチカソード設計用冷却暗部シールド

Also Published As

Publication number Publication date
TW201233834A (en) 2012-08-16
WO2012108075A1 (ja) 2012-08-16
KR20130063489A (ko) 2013-06-14
CN103380228A (zh) 2013-10-30
JPWO2012108075A1 (ja) 2014-07-03
CN103380228B (zh) 2016-02-03
KR101311664B1 (ko) 2013-09-25
TWI544100B (zh) 2016-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7288427B2 (ja) タイル張り状ディスプレイとその製造方法
JP5583794B2 (ja) スパッタリングターゲット組立体
WO2016082364A1 (zh) 有机电致发光显示器件、其驱动方法及相关装置
WO2014114178A1 (zh) 用于oled显示屏的像素结构及其金属掩膜板
WO2016065770A1 (zh) 一种有机电致发光显示器件、其驱动方法及显示装置
CN102819987B (zh) 一种oled无缝拼接显示屏及拼接方法
US20160284262A1 (en) Array substrate and method for manufacturing the same, flexible display device and electronic product
CN101498853B (zh) 液晶面板母板及其切割方法
CN1718846A (zh) 交错阵列式靶砖
TWM474256U (zh) 複合掩膜版組件
TWI576451B (zh) 用於濺鍍之分離靶裝置及使用其之濺鍍方法
JP5913382B2 (ja) スパッタリングターゲット組立体
CN103668055A (zh) 一种掩模组件
US9644256B2 (en) Mask assembly and thin film deposition method using the same
CN202141824U (zh) 彩色滤光片、液晶面板以及液晶显示器
US20130114025A1 (en) Liquid crystal display panel
JP2000204468A (ja) 多分割スパッタリングタ―ゲット
KR20120094086A (ko) Ito 스퍼터링 타깃
CN104570458B (zh) 液晶显示面板及液晶显示装置
CN104880863A (zh) 区域化偏光结构及其制作方法、液晶显示面板
JP5841823B2 (ja) ターゲットアッセンブリ及びスパッタリングターゲット
CN203658702U (zh) 一种玻璃基板
US20240272488A1 (en) Liquid crystal display panels and methods of manufacturing the same
CN102419491B (zh) 液晶显示装置、液晶显示模组及其制造方法
CN102290416A (zh) 平面显示面板的数组基板

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140701

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140716

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5583794

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250