CN1718846A - 交错阵列式靶砖 - Google Patents

Abstract

一溅镀靶(80)，特别是用于溅镀沉积一靶材料至复数个大长方形面板，其中复数个靶砖(32)是以二维非长方形阵列黏着至一背板(34)上面，如此，该等砖能够以不超过三片砖的方式在复数个空隙(84)会合，借此，可以锁定该等砖来防止该等砖在黏着以及重复热循环时过度对准不良。该等长方形砖可以配置成复数个交错列或配置成一人字形或锯齿状图案。复数个六角形和三角形砖亦能提供本发明许多优点。在一圆形靶(150)可以借由在中心具备交错偏移(156)的方式配置复数个扇形砖(154)。

Description

交错阵列式靶砖

技术领域

一般而言，本发明有关溅镀材料。具体说，本发明是有关一种靶，其含有由靶材料所构成的多数砖。

背景技术

溅镀、或者称为物理气相沉积(PVD)，被广泛地用在半导体集成电路的商业领域，用以沉积金属和相关材料。图1是说明一典型的DC磁控管等离子体反应器10的剖面图，包含一电气接地真空室12，其中一靶14是借由电绝缘体16加以真空密封。一DC电源供应件18对该靶14供应相对于该室12或该室12内的一接地溅镀遮蔽物为负的偏压，来激发一氩溅镀工作气体成为一等离子体。然而应注意亦已知有RF溅镀。该带正电的氩离子被吸至该偏压的靶14而溅镀材料从该靶14溅镀至一基板20上，该基板20是被支撑于与该靶14相对的一托架22的上面。位于该靶的后面的一磁控管24，发射一与该靶14的前表面平行的磁场来捕捉电子，借此可以增加该等离子体的密度并加速该溅镀的速度。现代化的溅镀反应器，该磁控管可以比较小并沿着该靶14的背部扫描。甚至可以使用一大磁控管来扫描，用以改良侵蚀和沉积的均匀性。

虽然可以使用铝、钛、和铜靶来形成单一整体构件，但是用以溅镀其他材料诸如钼、铬、以及铟钖氧化物(ITO)的靶，更通常的方法是将该材料的一溅镀层借由溅射涂布、或是黏着在一较不昂贵并较容易机械加工靶背板上来形成。

用以溅镀至圆形的硅晶片上的溅镀反应器已有很大的发展。这些年来，硅晶片的尺寸已从50毫米直径增加至300毫米。溅镀靶或是甚至其溅镀材料必须增大，用以在该晶片的全面提供更均匀的沉积。通常，晶片溅镀靶用于一些诸如铝和铜等是由一单一的圆形构件形成，或是用于较困难的材料时，则是在一背板上形成单一的的连续溅镀层。

早在1990年，溅镀反应器已被发展，是用以将薄膜晶体管(TFT)电路形成在玻璃基板上来作为大型显示器用途，诸如作为电脑显示器或电视屏幕用途的液晶显示器(LCDs)。在美国专利5,565,071 Demaray等人揭示如此的一反应器，以引用的方式并入本文中。该技术随后被应用在其他型式的显示器，诸如等离子体显示器和包含有机发光二极管(OLEDs)的有机半导体，以及应用在其他面板组成，诸如塑胶和聚合物。一些早期的反应器设计来使用于尺寸约为400毫米×600毫米的面板。通常，认为形成具有单一连续溅镀层的如此大的靶是无法达成的。替代地，是将溅镀材料的多数砖，各自黏着在一单一靶背板上。平板靶的最初的尺寸，该等砖的能够制造的尺寸，足够延伸至该靶的短方向全面，因此该等砖在该背板上形成一维阵列。

因为所生产的平板显示器尺寸逐渐增加，以及明白将多数个显示器制造在一单一玻璃板上并随后进行切割才具有经济规模，使得该面板的尺寸逐渐增加。商业上可以购得的平板制造设备，其可以溅镀至具有一最小限度尺寸为1.8米的面板，而用于具有尺寸为2米×2米甚至更大的面板的设备，是可以预期的。使用于如此大的靶，可能须要图2的一平面图所说明的二维阵列砖配置。长方形靶砖32是配置成长方形阵列而黏着在一靶背板34上。Tepman在美国专利申请案第10/863,152号，申请日期2004年6月7日，其中如此一大靶的二维磁控管扫描是以引用的方式并入本文中。

如图2的该平面图所示，一长方形靶30包含以长方形阵列配置的一多数个长方形靶砖32并黏着在一靶背板34上。该砖尺寸是取决于包含制造该砖的容易度的数个参数，而该等砖的数目可以是4×5，但是该等砖32可以是例如75毫米×90毫米的尺寸，如此，一较大的面板须要一3×3阵列。若是该砖材料难以加工，诸如铬或钼，在该砖阵中该等砖的数目甚至可以更大。该图示的靶背板34通常为四方形来和该被溅射涂布的面板的形状和尺寸一致，但是该靶背板34的复数个角36可以是圆形的或是其角度与支撑该靶背板34的室体一致，而该靶背板34包含来自该室体一延伸部38，该延伸部38包含一电终端用以对该靶供应电力、以及用以提供冷却该靶30的冷却流体的复数个管接头。如图3的剖面说明，用于平板溅镀的该靶背板34通常是由二金属板42、44所构成，例如由钛以熔接或是黏着在一起。因为该靶背板34比用于晶片制程的通常的靶背板更为复杂，用以该非常大的面板尺寸时，与其通常的冷却槽不如具有一背侧真空室为佳，如此可以使该非常大的靶30全面的压力差异减少至最小。该等板42、44其中之一，其构成具有复数个线性冷却槽46，借此该冷却流体可以循环。亦可能是其他形式背板34和冷却槽46。

该砖32是黏着在该背板34的室侧面上，该等砖32之间形成有一间隙48。通常该等砖32具有直角的长方形，其中位于该砖阵列周围的斜角边缘的该等砖32可能是例外。谋求使该间隙48来消除制造上的变动而可能0在至0.5毫米之间。邻接的砖32可能直接紧靠但是不会互相施力。另一方面，该间隙48的宽度不会大于该等离子体暗区，该等离子体暗区通常是对应该等离子体鞘层的厚度并且通常比较大，以通常压力的氩工作气体而言约大0.5毫米。在区域小于该等离子体暗区的最小限度距离时无法形成等离子体。结果，当该砖32被溅镀时在下面的钛背板34不会被溅镀。

回到图2，该砖32是配置在一长方形轮廓40内，该长方形轮廓40是大约与该靶预定被溅镀的面积一致或大一些。图1的该磁控管24是以该轮廓40为对象进行扫描。使用遮蔽物或是其他构件来防止该背板34的无砖表面因暴露于高密度等离子体而被溅镀到。明显地，不希望溅镀到用来支撑钼或其他砖的一铝背板34。即使该背板34是由该等靶砖32相同材料所构成亦不希望被溅镀到。该背板34具有复杂结构，并且希望在一组砖32用完后能够重新装设使用，来使用于一组新的砖32，所以应避免溅镀到该背板34。

随着面板尺寸的增加，图2的该长方形砖的配置会出现困难。已知有数种方法可以用来将复数个靶砖黏着在背板上。图4说明一种普遍的方法，包括一装置其含有二个加热台60、62。将该等砖32以溅镀面朝下方的方式放置在一工作台60上。将一铟涂层64漆在各砖32的背面上。该加热桌60将该具有涂层的砖32加热至约200℃，远高于铟的熔点156℃，因此铟熔融在该等砖32上而形成一均匀的熔融层。同样地，将该背板34放置在另外一加热台62上并漆上一铟涂层66，加热至约200℃。在铟64、66都处于熔融状态下将砖32从该第一工作台60移开，并以该等熔融的铟涂层面对面而该溅镀面朝上的方式反向地放置在该背板34的上面。经过冷却，该铟固化而将该等砖32黏着在该背板34上。

该转移操作必须进行得相当快，在转移时在该砖32上的铟涂层64不可以固化。较小的靶时可以使用手工转移。然而，随着该靶和该等砖增大，使用一转移工装用具来抓住该等砖的边缘，并使用一起重机来举起该工装用具并将其移动至该第二工作台。

不容易操作如此大的机械结构来得到希望程度的对准，特别是以不大于0.5毫米来分隔该等砖。替代地，如图5的该平面图对4片砖32之间的一角落区40的说明，该4片砖32是以一长方形阵列配置而倾向各自互相滑动，由于具有不同的砖与砖之间的间隙48而对准不良。更重大的是该4片砖之间的角落变为比希望大许多。一空隙(interstice)是意指位于三个或更多砖间的界面的一点或一范围，因而一空隙不包括位于二砖之间的线。实际上对空隙72的较佳定义为表示复数个砖32间的最大间隙。结果，该等对准不良砖32的该空隙72的最宽点可能大于该等离子体暗区，例如为1毫米，因此该等离子体可能会往该背板34传送。该间隙若只是稍微大于该等离子体暗区，在该间隙的该等离子体状态可能不稳定而结果产生间断性发送电弧。即使该电弧只限制对砖材料，但是该电弧有可能将该靶材料熔化成粒子(而非原子)而产生污染性粒子。若该等离子体到达该背板，将会溅镀到该背板。若是该等砖和背板是不同材料，面板溅镀将会带来材料污染。而且，面板溅镀将使其不容易再利用该背板来作为一重新装设的靶。即使该等离子体未直接到达该背板，一超过尺寸的空隙72会使该等离子体溅镀到朝向该空隙的该等砖32的该等侧面。该侧面溅镀将该空隙72更为扩大而使面板溅镀变差。

该等靶砖和该背板之间的材料不同时会因为不同热膨胀而产生一类似的问题。当该被黏着的组件冷却至室温，该不同的热膨胀有可能造成该组件弯曲。因为该固态铟的柔软性，该弯曲可以被推压出该被黏着的组件。然而，通常该推压力是无法控制的程序而在推压时该等砖可能会互相滑动，有可能产生如图5的不希望的砖配置。

已发展借由一导电橡胶件来将黏着复数个砖至被板的技术，其能够在较低的温度施行。如此黏着加工服务，可以委托Thermal Conductive Bonding公司(位于San Jose，California)。然而，对于较大阵列的靶砖，橡胶黏着并没有完成消除该对准不良的问题。

发明内容

本发明是提供一种靶，特别是一种有用的一长方形靶，包含复数个长方形靶砖，其等以一非长方形二维阵列方式被黏着在一靶背板上。

该等长方形砖可以被配置成复数个交错列，如此只有三片砖在一空隙会合，而且该等砖中只有二个具有与该空隙相邻的锐角。在该列配置的一具体例，一列可以包含只有复数个全砖，然而一邻接的列具有少一数目的全砖且有二半砖在该等末端上。在该列配置的另外一具体例，全数列皆具有相同数目的全砖和一片部分砖，该等部分砖是配置在相邻列的相反末端上。在该列配置的另外一具体例，偏位(offset)会造成沿着该列出现小于该等砖长度的10％但是大于0.5％的交错现象(staggering)。

或者，该等长方形砖可以配置成一人字形或锯齿状图案，全数长方形砖具有一1∶2或1∶N的尺寸比例而方形砖是配置在该长方形轮廓的周围。

或者，该等砖可以是一具有密集填入结构的六角形。

而且，或者该等砖可以是三角形，最好是在该长方形轮廓内具有复数个等腰三角形。

本发明可以应用在具有多数砖的圆形靶，特别是该等具有扇形砖的圆形靶。该等扇形靶可以接近中心处以交错连接方式合会是有利的。

本发明的另外一态样，该等靶砖的最外的该等角被弯曲成半径为6.5至12.5厘米，用以对应由位于该等角附近的磁控管所产生的该等离子体轨迹的曲度。该等弯曲角可以应用在一单砖靶和一维、二维阵列的复数个砖。

附图说明

图1是一习知等离子体溅镀反应器的一概略剖面图。

图2是一由二维阵列复数个靶砖所形成长方形靶的一平面图。

图3是一黏着在含有冷却槽的习知靶背板的复数个靶砖架构的一剖面图。

图4是说明一黏着复数个靶砖至一背板的习知方法的一概略图。

图5是说明一具有该习知长方形配置的复数个靶砖的一问题的一平面图。

图6是含有配置成复数个交错列的复数个长方形靶砖的本发明的第一具体例的一平面图。

图7是含有配置成复数个交错列长方形砖的第二具体例的一平面图，其中具有相同尺寸的部分末端砖其配置在相邻列的相反末端。

图8是一第三具体例的一平面图，其中包含复数个长方形砖，该等复数个长方形砖以复数个交错列的方式接近但是未精确地配置在同维，该等复数个长方形砖在该等列之间具有一减少的偏位。

图9是含有配置成一人字形或一锯齿形的长方形砖的一第三具体例的一平面图。

图10是含有复数个六角形砖的一第四具体例的一平面图。

图11是含有复数个三角形砖的一第五具体例的一平面图。

图12是使用于一圆形靶的本发明的一具体例的一平面图。

具体实施方式

依据本发明所制成的靶，可以避免习知以长方形阵列方式配置复数个砖所构成该等靶的许多问题点。替代地，如图6的说明，本发明的一具体例的一靶80，包含复数个长方形砖32，其各自至少在其溅镀面具有相同组成，并以交错列方式配置而且黏着在该靶背板34上。在该具体例，一列的该等砖32皆在列方向对相邻列的该等砖32偏位。在该等列的一些列，该等末端砖82在列方向的长度只有相对应该等全砖32的一部分。在该具体例，最好是该等末端砖82的长度为一半全长减去在该等砖间的希望间隙的尺寸，如此只需要砖32、82等二种尺寸。虽然在转移至以及黏着于背板34时该等砖32、82仍然会在列方向滑动，但是在垂直方向的移动受到限制。结果，位于角落的砖32、82之间的空隙84，非常不可能会发展至异常的尺寸。而且，各空隙84是由三片砖32、82构成，而且该等砖32、82中对该空隙84只有二个锐角。因此，与如图1所示先前技术的具有四锐角的四片砖比较时，等离子体发送电弧较不强烈。

该靶80包含一些含有N数目的全砖32的列，并交替地包含数列含有N-1数目全砖32和二片半砖82的列。其中的一因数是该排数目与该列数目的比例，其中的一因数是排数目和列数目的比例，该全砖32的高宽比决定了由该砖32、82所覆盖的可使用靶面积的高宽比。

图7是一密切相关的靶90的平面图，其具有复数个长方形砖92，是配置成全数列皆具有N数目全砖92和一片部分砖94。该等部分砖94是配置在相邻列的相反末端上，而且在列方向具有长同长度，因此只需要二种尺寸的砖。该等部分砖94的长度在列方向不限定为对应全砖92长度的一半。即使该等全砖92为方形，该靶的可使用面积的长宽比几乎可以借由改变该等部分砖94的列方向的尺寸来自由选择。

在靶80、90两者中，该等全砖32是借由将同样方向的砖32排列成平行四边形的方式来配置。

另外一相关具体例的一靶100如图8的底视平面图的说明。一背板102包含伸出超越该室的该轮廓的一位于相反侧的延伸部104、106，并具有一外部水道连接件使冷却液体可以直接从一侧流至另一侧以及有角度隅角108。六个通常为长方形砖是借由铟或聚合物黏合剂以预先决定的交错二维配置、且在该等砖110间具有约0.5毫米的间隙的方式黏着在该背板102上。然而，该配置可以减小一偏位112的偏位量，该偏位112是位于四片砖110的偏位连接114的相邻行之间，该偏位小于沿着该偏位112方向的该等砖长度的10％。该偏位应大于该间隙，例如乘以至少2至4的因数，而且，最好是大于该等砖110的联合侧边长度的0.5％，虽然该偏位小至0.2％仍可以使用。从以通常的方法形成该等砖110的观点而言，该减小偏位量的偏位112是有利的。大于该等希望砖的复数个砖胚(tile blanks)是借由在模具中实施高等温加压(HIP)，其是一种烧结的形式。该等砖胚的边缘通常含有最多不纯物，随后借由机器去除来形成希望的砖形。以最小有效偏位112所形成砖110可以去除四点连接，其可以使用一尺寸的模具和砖胚来形成，且靶材料废料最少。

图示的该等砖110亦可以具有复数个圆形的外角116，亦即该等砖110阵列的该等角。该弯曲半径可以在6.5至12.5厘米之间，是取决于配合该磁控管的该等角的弯曲。在前述引用的Tepman的专利文献中，包含一涡状的等离子体轨迹，其形成在一磁极性的一内部磁极与该相对磁极性的外部磁极之间，该内部磁极与该外部磁极之间并具有实质上不变的间隙，其界定该等离子体的轨迹。该等磁极件包含以弯曲90度及180度区段连接成而复数个线性区段。该等砖110的该等外侧角116，最好是与接近该等角116的该等离子体轨迹的弯曲一致。

一类似的弯曲的外部角应用于复数个砖的一维长方形阵列或是一单一长方形靶砖是有利的，若该等砖可以制造得足够大，其等是较佳的配置。

本发明的一第三具体例的一靶120如图9所示，具有配置成一人字形配置的复数个长方形砖，或者，称为一锯齿形配置。如图9所示的方位，该人字形图案包含具有1∶2高宽比的复数个砖122，并在该等砖122之间具有经过考虑的任何希望间隙。在该人字形图案，该复数个砖122配置成在垂直方向和在水平方向皆具有复数个路径，该等路径是通过位于一第一末端上的一第一砖的该短边，通过一第二砖的该长边，接着通过位于一第二末端的一第三片砖的该短边，该第二末端是位于该第二砖的第一末端的相反侧。随后，该图案重复。从通过下方左侧往上面右侧的斜向观察，可以看到复数个V形臂章图案沿着斜线配置的复数个对邻接的砖122。在该等长方形图案周边需要数片半砖124。应注意位于上侧右角的一全砖126可以替代该精确人字形图案的二片半砖。

该人字形图案具有许多联锁角并因此只允许累积极微的滑移。只需要二种尺寸的砖完成此严密性。然而，图示的该简单的人字形图案的该等砖在高宽比的弹性非常小，因此该砖的可用面积的总高比被限制在小整数比。若几乎任意高宽比的长方形靶砖可以在该人字形图的一边排成一列时，该高宽比可以更自由选择。(不同尺寸复数个砖的一类似边列可以使用在其他长方形配置，可以更容易得到一任意的高宽比)。该人字形图案的特征，是复数个对垂直方向1∶2的砖配置成一平行四边形图案。无然如何，有更复杂的人字形图案，其中该等砖具有高宽比为1∶N，N为一大于1的整数。

上述所有长方形的具体例，参照图6至9，该二维阵列内部的一砖从该沿着一线周围紧靠的其他六砖离去，不管其等是全砖或部分砖，来对照在图1的在该长方形配置中有四片砖紧靠。

全部前述所采用的图案通为长方形。相对地，图10的平面图所示的一靶130，包含配置成密集填入结构的复数个正六角形砖132，或者，其特征为一菱形结构图案一对侧边排列成长方形。制造非长方形的砖并不是习用的。然而，如上述，许多高温金属的靶可以借由在一模具内烧结粉末来形成。该模具的形状可以和所希望的非长方形一样，在该具体例为一六角形，虽然尺寸须稍微大一些，来允许去除边缘和修直。将该等六角形砖132安装成一长方形须要复数个额外边缘件。然而，在图10，该等边缘件可以限制为二种形状的砖，沿着相反边缘的一组为梯形砖134，其为半六角形，而沿着另外相反边缘的一组为五角形砖136。虽然图示为正六角形，但是在全部内角维持60度的情况下，该等可以沿着复数个对相反侧的边伸出或缩进。即使正六角形具有一固定的高宽比，但是可以变化该五角形砖136的平行边的长度，如此可以使总高宽比更自由。当奇数紧靠的六角形砖132的图示方位的奇数列，其一砖可以分割成二片使用于该等边缘的梯形砖134时，可以限制该等砖132、134、136的尺寸。该六角形配置可以产生三片砖132紧靠的空隙138(包含适用于边缘砖134、136)。各该等紧靠于复数个角的紧靠砖具有一120度的外钝角。与本发明的长方形图案类似，在该配置内的各六角形砖132是沿着一线紧靠其他六片砖，不管其等是全砖或是半砖。

上述的该长方形和六角形砖分别具有90度和60度的内角。有可能将该等形状修改成更斜的形状。然而，如此斜形状须要增加边缘件。

图11是说明另外一靶140的平面图，其含有复数个三角形砖。在图示的该具体例，各列包含相同形状等腰三角形的交替的三角形砖142、144，但是配置成与图示水平的列方向垂直但是方向相反。二直角三角形砖146配置在该等砖的边缘而具有希望的整体长方形。若在各列有复数个配对砖142、144，亦即各为N，那么，该正三角形末端砖148具有相同形状，即使该等砖的顶部和底部须加区别。结果，只须要二种尺寸的砖142、144、以及146。一等腰三角形144、146的垂直方向顶点，紧靠另一同样方向的等腰三角形砖144、146的底部，借此内空隙148邻接三锐角顶点以及各自的四片砖144、146的一平侧边。虽然一更普通的等腰三角形设计，其三角可以具有不同的底边对侧边比，然而，一正三角形设计时，该靶的总高宽比的弹性极小。在该图示的三角形配置，该等图案内部的各砖142或144是沿着一线紧靠四片其他三角砖，不管该等砖是全砖或部分砖。最好是将该三角形阵列的一边缘排成一列，不管是等腰三角形或是正三角形，可以具有复数个长方形砖的任意高宽比，借此可以具有一任意的靶高宽比。

该图示三角形配置的特征为，即使是没有长方形的配置，亦可以得到没有长方形构件的一长方形配置。

上述的全部具体例中任一例皆包含复数个砖的二维阵列，该等砖是配置和黏着在该背板上，如此，该等砖的边缘与如图2所示复数个砖的长方形二维格栅并不一致。

有可能是其他复数个三角形和复数个交错图案，但是图11等边三角形设计具有一大的最小顶角和最小数量的额外的边缘件。

本发明对于具有最小尺寸大于1.8米的大的长方形靶最为有用。然而，本发明亦可以应用在仍然要铺砖的较小的靶。特别是应用在该靶背板比图示简单而未具有冷却槽的较小的靶。本发明亦可以应用在使用于晶片溅镀的圆形靶，例如在图12的图示，一晶片溅镀靶150，包含一圆形的背板152，其上面黏着四片扇状靶150，该等扇状靶间具有预定间隙。一偏位156位于一交错连接处158，该偏位比较小并类似图8的该长方形阵列，为该等扇形砖154的半径长度的0.5％至10％。该扇形砖154具有圆形的外边缘，二直的半径侧边会合于位于该交错连接处158的顶点，其接近并未和该背板152的中心一致。各该等扇形砖154的形状是接近但未精确为90度的扇形。

本发明的用途不只是用于诸如钼、铬、和钨以及硅等不容易制成大尺寸靶的耐火金属。同样地，本发明对更复杂组成的靶如铟锡氧化物(ITO)是有用的，其通常是在氧环境的存在下，由一铟氧化物和锡氧化物的混合物的靶溅镀而成的。而且，该使用于具有高-k值、铁电性、压电层的钙钛矿(pervskite)材料，可以从一含有诸如铅、锆和钛的烧结混合的靶，在氧的存在下溅镀而成。

不仅如此，本发明亦可以使用于更多普通金属，诸如铝、铜、和钛，特别是当使用一希望重新装设的靶背板。亦即，本发明不限于该靶的组成。本发明进而可以应用于使用在RF溅镀的靶，如绝缘靶，其可以使用来溅镀金属氧化物，如前述的钙钛矿。本发明而言一磁控管并非绝对必要的。而且，本发明可以应用在圆形靶，虽然须要多种变化的边缘件。

虽然本发明是以具有直侧边的平面体的基础来叙述，应了解只要总形状可以描述成长方形及其他，该等边缘可以具有更复杂的剖面，如阶梯状。同样地，无论是有意或无意的，该形状的该等角可以带有几分圆形。

本发明借由少许增加该等靶砖复杂性以及制造，可以提供较少的砖对准不良并且可以改良溅镀性能。

Claims (39)

1.一种溅镀靶，包含复数个靶砖，该等靶砖含有一共同溅镀组成且各自成形以配置在一非长方形二维阵列中。

2.如权利要求1所述的溅镀靶，其特征在于该等砖各自具有长方形形状且该二维阵列是非长方形。

3.如权利要求2所述的溅镀靶，其特征在于在该阵列中的该等砖的复数个外角具有曲度在6.5至12.5厘米间的圆角。

4.如权利要求2和3所述的溅镀靶，其特征在于该等砖是配置成复数个交错列。

5.如权利要求4所述的溅镀靶，其特征在于该等交错列配置成可沿着该等列的该等砖的一长度的0.5％至10％之间偏位。

6.如权利要求2所述的溅镀靶，其特征在于该等砖是配置成一人字形图案。

7.如权利要求1或2所述的溅镀靶，其特征在于该阵列具有最小尺寸为至少1.8米的一长方形。

8.如权利要求1或2所述的溅镀靶，其特征在于该等砖是配置在一大致为长方形轮廓的内部。

9.如权利要求8所述的溅镀靶，其特征在于该长方形轮廓具有复数个曲度在6.5至12.5厘米间的圆角。

10.一种溅镀靶，包含复数个大致为长方形的靶砖，该等靶砖各自成形以配置在一由该等砖的交错阵列所构成的二维阵列中。

11.如权利要求10所述的溅镀靶，其特征在于该等砖是配置在一大致为长方形轮廓的内部。

12.如权利要求11所述的溅镀靶，其特征在于该大致长方形轮廓具有复数个半径在6.5至12.5厘米间的角。

13.如权利要求10至12所述的溅镀靶，其特征在于该等交错列配置成可沿着该等列的该等砖的一长度的0.5％至10％之间偏位。

14.如权利要求10至12之任一所述的溅镀靶，其特征在于该复数个的个数为6。

15.如权利要求14所述的溅镀靶，其特征在于该等交错列配置成可沿着该等列的该等砖的一长度的0.5％至10％之间偏位。

16.一种铺砖溅镀靶，包含：

一靶背板；以及

复数个砖，包含一共同溅镀组成，固定在该板上，并配置在一非长方形二维阵列中。

17.如权利要求16所述的溅镀靶，其特征在于该等砖各自具有长方形形状且该二维阵列是非长方形。

18.如权利要求17所述的溅镀靶，其特征在于在该阵列中的该等砖的复数个外角是曲度在6.5至12.5厘米间的圆角。

19.如权利要求17或18所述的溅镀靶，其特征在于该等砖是配置成复数个交错列。

20.如权利要求19所述的溅镀靶，其特征在于该等交错列配置成可沿着该等列的该等砖的一长度的0.5％至10％之间偏位。

21.如权利要求17所述的溅镀靶，其特征在于该等砖是配置成人字形图案。

22.如权利要求16或17所述的溅镀靶，其特征在于该阵列具有最小尺寸为至少1.8米的一长方形。

23.一种溅镀靶，包含：

一靶背板；以及

复数个砖，包含一共同溅镀组成，该等砖是固定在该板上并配置在二维阵列中，使得该等砖的边缘不与任一长方形格栅一致。

24.如权利要求23所述的溅镀靶，其特征在于该等砖是配置在一大致长方形轮廓的内部。

25.如权利要求23或24所述的溅镀靶，其特征在于该大致长方形轮廓具有半径在6.5至12.5厘米之间的复数个角。

26.如权利要求23至25所述的溅镀靶，其特征在于该等砖各自为长方形形状且该二维阵列是非长方形。

27.一种铺砖溅镀靶，包含：

一大致长方形靶背板；

复数个长方形砖，该等砖是固定在该板上并配置在二维非长方形阵列中。

28.如权利要求27所述的溅镀靶，其特征在于该等砖是配置成邻接的该三片砖的其中二片砖的直角与该三片砖的一第三片砖的一直边在一空隙会合。

29.如权利要求27所述的溅镀靶，其特征在于该等砖是配置成复数个交错列，各该等列具有一第一长度的一宽度，全部该等砖具有复数个第一边其等垂直延伸至长度与该第一长度相等的该等列。

30.如权利要求28或29所述的溅镀靶，其特征在于全部该等砖除了位于该阵列周围的以外，具有复数个第二边其等垂直延伸至长度与该第二长度相等的该等列。

31.一种圆形靶，包含：

一背板；

复数个扇形砖，黏着在该背板上并各自会合于接近该背板中心的交错连接处。

32.如权利要求31所述的靶，其特征在于该复数个的个数为4，并具有一偏位其位于复数个砖的该交错连接处，该偏位为该等扇形砖的一半径长度的0.5％至10％之间。

33.一种等离子体溅镀反应器，包含：

一真空室；

一支撑件，用以支撑一预定被溅射涂布的长方形基板；

一靶背板，真空封接至位于该支撑件相反侧的该室；

复数个长方形溅镀砖，包含预定溅镀在该基板上的一材料，并以一非长方形二维阵列的方式黏着至该背板上。

34.如权利要求33所述的反应器，其特征在于该等长方形砖是配置成复数个交错列。

35.如权利要求33所述的反应器，其特征在于该等长方形砖是配置成一人字形图案。

36.一种溅镀方法，包含以下步骤：

将一靶背板黏贴至一溅镀室，该靶背板上黏贴有复数个砖其包含一共同溅镀材料并配置成二维非长方形阵列，以及

在该室中激发一溅镀工作气体成为一等离子体，用以溅射该等砖并沉积该等材料至配置在该靶背板相反侧的一基板上。

37.如权利要求36所述的溅镀方法，其特征在于该基板为长方形而该等砖是配置在一长方形轮廓的内部。

38.如权利要求36或37所述的溅镀方法，其特征在于该基板是作为一个或更多个显示器用。

39.如权利要求36至38之任一项所述的溅镀方法，其特征在于该等砖是长方形。

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