TWI518196B - Sputtering target - Google Patents

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TWI518196B TW100146434A TW100146434A TWI518196B TW I518196 B TWI518196 B TW I518196B TW 100146434 A TW100146434 A TW 100146434A TW 100146434 A TW100146434 A TW 100146434A TW I518196 B TWI518196 B TW I518196B
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Yuichiro Nakamura
Kazuhiro Seki
Nobuhito Makino
Yoshikazu Kumahara
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Jx Nippon Mining & Metals Corp
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Description

濺鍍靶
本發明係關於一種藉由濺鍍法製作透明導電膜時所使用之濺鍍靶，尤其係由多片靶材構成且具有分割部之ITO、IZO、IGZO等之陶瓷濺鍍靶。
透明導電膜形成用ITO、IZO、IGZO等之薄膜已被廣泛用作以液晶顯示器、觸控面板、EL顯示器等為中心的顯示裝置之透明電極。多數情況下ITO、IZO、IGZO等之透明導電膜形成用氧化物薄膜係藉由濺鍍而形成。於以下之說明中，主要將ITO靶用於代表例進行說明。
就ITO(Indium Tin Oxide)薄膜而言，由於高導電率、高穿透率之特徵，故已用於平板用顯示電極等中。近年來，隨著平板顯示器(FPD)之大型化而強烈要求ITO靶之大型化。
然而，由於用以製作大型ITO之新設備投資或翹曲等原因所致之產率下降，故ITO靶之大型化非常困難。因此，目前大型ITO靶係使用將多個小型之ITO構件接合而成之多分割靶。
ITO等之陶瓷靶與金屬相比並不具有強度(硬度、柔軟性、抗張力)，因此於鄰近配置時，即便有少許接觸亦會產生碎屑(碎片)。又，因此並不接觸配置，而是使分割靶各自之間隙隔開0.1 mm～0.5 mm左右。
而且，於對向之分割靶之緣部進行C加工或R加工。即便如此，於支持板上配置多分割靶之情形時亦必須相當小心。
另一方面，已知，若使用以上述方式配置之多分割靶進行長時間之濺鍍，則於靶之表面、尤其是分割部部分會有被稱作瘤塊(nodule)的被認為是銦之低級氧化物之黑色附著物析出，而容易導致異常放電，從而成為薄膜表面之微粒產生源。
對此，已有如下記載：藉由將銦或各種合金填滿空隙部分之方法，可抑制濺鍍時之瘤塊之產生或異常放電。
例如，於專利文獻1中揭示有：向空隙部分填充與靶主體之銦與錫之原子數比相等之銦-錫合金的方法。然而，為此，必須測定靶主體之銦與錫之原子數比，且每次均須根據該結果而調整注入之銦-錫合金之組成，因此於靶之生產性上存在問題。
又，因向空隙部注滿銦-錫合金，故存在形成於其上部之膜之電氣特性與形成於其他部分之膜之電氣特性不同的問題。
又，於專利文獻2中揭示有向空隙部分填充銦之方法，於專利文獻3中揭示有向空隙部分填充熔點高於接合材料之合金的方法。
然而，於該等方法中，由於向空隙部注滿銦等，因此存在形成於其上部之膜之電氣特性與形成於其他部分之膜之電氣特性不同的問題。
於專利文獻4中揭示有：向空隙部分填充構成元素與金屬氧化物燒結體相同但為其他組成之材料的方法。然而，於氧量較少之情形時，由於具有與通常之合金大致相同之特性，故存在形成於其上部之膜之電氣特性與形成於其他部分之膜之電氣特性不同的問題；又，反之，於氧量多之情形時，由於與ITO之特性大致相同，故存在於低溫下無法熔解並流入至空隙部分之問題。
上述說明皆係基於向分割靶之間隙(空隙部)導入填充劑而避免間隙之產生之構思而獲得。
然而，填充材本身由於具有填充之特殊性，故難以製成與靶材同質之材料，必然會產生分界，從而難以抑制或減少分割部之瘤塊之產生。
專利文獻1：日本特開平01-230768號公報
專利文獻2：日本特開平08-144052號公報
專利文獻3：日本特開2000-144400號公報
專利文獻4：日本特開2010-106330號公報
本發明之課題在於提供一種即便在對分割陶瓷靶進行連續濺鍍時，亦可抑制瘤塊之產生或異常放電，並且可獲得形成於與空隙部分對向之基板上的膜之特性與其他部分之膜之特性沒有差異、即膜特性之均一性較高的膜之陶瓷製濺鍍靶，尤其是FPD用濺鍍靶。
為解決上述問題，本發明者等人經過潛心研究之後得出如下之觀點：由多個分割靶構成陶瓷製濺鍍靶並對該多個分割靶之緣部進行加工，藉此排列分割靶而製作大型之靶，從而可提供一種可減少起因於各分割靶之緣部的微粒之產生所致之不良的濺鍍靶、尤其是FPD用濺鍍靶。
基於上述觀點，本發明提供
(1)一種濺鍍靶，係將多個分割靶排列於支持板上並與該支持板接合而構成，其特徵在於：於已排列之多個各分割靶之表面，具有自距離該分割靶側面23.0 mm～0.10 mm之位置起朝分割靶之側面向下傾斜的5～40°之推拔(taper)。
又，本發明提供
(2)如上述(1)之濺鍍靶，其具有朝分割靶之側面向下傾斜的10～30°之推拔。
又，本發明提供
(3)如上述(1)或(2)之濺鍍靶，其中，分割靶側面之自平坦面起的最大深度為2.0 mm以下，該最大深度係藉由向下傾斜之推拔而形成。
又，本發明提供
(4)如上述(1)或(2)之濺鍍靶，其中，分割靶側面之自平坦面起的最大深度為1.0 mm以下，該最大深度係藉由向下傾斜之推拔而形成。
又，本發明提供
(5)如上述(1)至(4)中任一項之濺鍍靶，其中，分割靶間之空隙為0.05～1.0 mm。
又，本發明提供
(6)如上述(1)至(4)中任一項之濺鍍靶，其中，分割靶間之空隙為0.1～0.5 mm。
又，本發明提供
(7)如上述(1)至(6)中任一項之濺鍍靶，其中，分割靶為陶瓷製靶。
以上述方式調整而成之本發明之濺鍍靶，可提供一種即便在對分割靶進行連續濺鍍時亦可抑制瘤塊之產生或異常放電，並且可獲得形成於與空隙部分對向之基板上的膜之特性與其他部分之膜之特性沒有差異、即膜特性之均一性較高的膜之濺鍍靶，尤其是FPD用濺鍍靶，且具有可改善成膜之產率並提高產品品質的較大優點。
又，應可容易理解，雖然該發明尤其對ITO靶、IZO靶、IGZO靶等陶瓷靶有效，但亦可適用於較易產生瘤塊之金屬製靶。
本發明之濺鍍靶係將多個分割靶排列於支持板上並與該支持板接合而構成者，且具有自距離已排列之多個各分割靶之側面23.0 mm～0.10 mm之位置起朝靶之側面向下傾斜的5～40°之推拔。再者，此種情形「向下」係指「朝向支持板側」。
於俯視觀察時，靶一般呈矩形，故可對應於其將多個長方形之分割靶排列而進行製作。然而，分割靶並不限定於長方形，當然亦可為其他形狀，例如正方形、三角形、扇型、或適當組合該等形狀而進行製作。本申請案發明包含該等情形。
對支持板進行接合時，亦可使用由銦或銦合金所構成之硬焊填充金屬(brazing filler metal)而形成。作為其他方法，可使用熱噴塗法、鍍敷法等。於形成被覆層之後，對例如由銅或銅合金等所構成之支持板使用由銦或銦合金所構成之硬焊填充金屬進行接合。
將本申請案發明之代表例示於圖1。圖1係形成有自距離分割靶側面5 mm之位置起朝靶之側面向下11.3°之角度的推拔(斜面)者。於此種情形時，如圖1所示，靶緣部之自靶平坦面至推拔(斜面)之最深部的距離為1 mm。
作為另一例，於形成自距離分割靶側面2.5 mm之位置起朝靶之側面向下11.3°之角度的推拔(斜面)之情形時，如圖1所示，靶緣部之自靶平坦面至推拔(斜面)之最深部的距離為0.5 mm。
本發明之濺鍍靶之上述推拔面可於上述範圍內任意選擇，但作為用以抑制瘤塊之產生之更佳形態，推薦形成朝靶之側面向下傾斜之10～30°之推拔。其原因在於，經過各種實驗可知，推拔之面積之變寬與深度之變淺有益於防止瘤塊。
又，關於分割靶側面之藉由向下傾斜之推拔而形成之自靶平坦面起的最大深度，較佳為2.0 mm以下。進而理想的是，靶側面之緣部之自平坦面起之最大深度為1.0 mm以下，進而自平坦面起之最小深度為0.1 mm以上。
又，本發明中分割靶間之空隙為1.0 mm以下之範圍。分割靶間之空隙較佳為0.05～1.0 mm，分割靶間之空隙進而較佳為0.1～0.5 mm。分割靶間之空隙較小之情形時，若於支持板上排列多個分割靶，則會因分割靶之接觸而容易產生碎屑，故必須小心。
根據濺鍍靶之材料，存在不易產生碎屑之材料，於此種情形時無須設置空隙。即，使空隙為0 mm。於使該空隙為0 mm之情形時，形成有朝分割靶之側面向下傾斜之5～40°之推拔的分割靶，與設置有空隙之情形相同，亦可大幅抑制瘤塊之產生。
根據此種現象可推測，即便於在支持板上使各分割靶互相密接排列之情形時，若於分割靶之側面存在少許間隙，則該間隙亦會成為瘤塊之產生原因。藉由使用本申請案發明，於上述情形時亦具有可抑制瘤塊產生之效果。本申請案發明包含未設置空隙之情形(空隙：0 mm)。
又，於靶之濺鍍時及冷卻時，雖會重複產生若干熱膨脹與收縮，但由於分割靶之空隙具有適度調整上述熱膨脹與收縮之功能，因而亦具有可防止靶之龜裂或破損之效果。
又，分割靶可較佳地應用於陶瓷製靶、尤其是ITO、IZO、IGZO靶。
先前，於支持板上排列分割靶之情形時，為了防止因靶相互之接觸所致之碎屑，而會隔開少許間隔而配置，並且對靶之上端之緣部進行R加工或C加工(45°之切口加工)。將該情形示於圖2。圖2之上左為實施了R加工之情形，圖2之中左為實施了C加工之情形。又，將實施了本申請案發明之推拔加工之情形示於圖2之下圖以供參考。
對上述緣部進行過R加工之情形及進行過C加工之情形中，於各分割靶之鄰近部形成加工槽，且大幅地凹陷，故較易堆積瘤塊(再附著)。自靶之壽命(target life)初期～50%為止，瘤塊逐漸堆積於加工槽中。將該概念圖(以粒「○」表示瘤塊)示於圖2之中央。
然而，若靶壽命達到50～100%，則瘤塊受到再濺鍍，靶之分割部較淺地凹陷而成為接近平坦之形狀，幾乎看不到瘤塊之堆積。
本申請案發明於該現象中獲得重大啟發。即，獲得如下之觀點：即便於分割靶存在空隙(space)，經過C加工或R加工之情形下，藉由自初期之階段起即形成「該C加工或R加工之加工槽已消失之靶壽命達到50～100%之情形時」的表面形狀，可抑制瘤塊之產生。
上述觀點即為賦予一種「以某種程度較寬且較淺地朝分割靶之側面向下傾斜」之推拔。經過多次實驗可知，賦予一種「自距離已排列之多個各分割靶之側面23.0 mm～0.10 mm之位置起朝靶之側面向下傾斜的5～40°之推拔」之方法甚為有效。對此，雖存在更佳之條件，但上述之範圍係本申請案發明之基礎。
實施例
以下，基於實施例及比較例進行說明。再者，本實施例僅為一例，本發明絲毫不受該例之限制。即，本發明僅受申請專利範圍所限制，且包含本發明所含之實施例以外之各種變形。
(實施例1)
作為原料，將比表面積為5m2/g之氧化銦粉末與氧化錫粉末以重量比9：1之比例混合，將混合而成之混合粉末放入壓製用模具中，以700 Kg/cm2之壓力進行成形，製作ITO成形體。其次，將該ITO成形體於氧環境中以升溫速度5℃/min自室溫升溫至1500℃後，於1500℃之溫度下保持20小時，其後進行爐內冷卻，由此燒結。
對以此種方式獲得之燒結體之表面進行研磨，進而將側邊以金剛石切割器切斷為127 mm×254 mm之尺寸。
進而如圖1所示，形成自距離分割靶側面5 mm之位置起朝靶之側面向下11.3°之角度的推拔(斜面)。於此種情形時，如圖1所示，靶緣部之自靶平坦面至推拔(斜面)之最深部的距離為1 mm。製作2片此種加工體。
其次，將無氧銅製之支持板設置於設定為200℃之加熱板上，使用銦作為硬焊填充金屬進行塗佈，使其厚度成為約0.2 mm。於該支持板上，使2片ITO燒結體冷卻後以具有0.3 mm之空隙之方式相對地設置彼此之接合面，並放置冷卻至室溫為止。
將該靶安裝於SHINCRON製造之磁控濺鍍裝置(BSC-7011)，輸入功率係DC電源下為2.3 W/cm2、氣壓係0.6 Pa、濺鍍氣體為氬(Ar)且氣體流量為300 sccm，進行至濺鍍累計電量為160 WHr/cm2為止。調查濺鍍中之瘤塊之產生狀況。又，以Landmark Technology製造之微電弧監控器(MAM Genesis)測定微電弧產生次數(次)。
關於微電弧之判定基準，檢測電壓為100 V以上、釋放能量(產生弧光放電時之濺鍍電壓×濺鍍電流×產生時間)為20 mJ以下。將累計電量達到160 WHr/cm2為止之微電弧產生累積次數示於表1。
如該表1所示，自濺鍍開始時至靶壽命100%後之累積弧光放電次數為527次，與下述比較例相比大幅減少。
將分割靶之分割部之瘤塊之產生狀況示於圖3。如該圖3所示，分割部之空隙為0.3 mm，形成自距離分割靶側面5 mm之位置起朝靶之側面向下11.3°之角度的推拔(斜面)，將自靶平坦面至推拔(斜面)之最深部的距離設為1 mm之情形時，自濺鍍開始時至靶壽命100%為止，幾乎看不到瘤塊之產生。將該狀態於表1中記載為○。
(實施例2)
製造ITO燒結體之前之步驟與實施例1相同，關於分割靶，如表1所示，形成自距離該分割靶側面5 mm之位置起朝靶之側面向下11.3°之角度的推拔，將自靶平坦面至推拔(斜面)之最深部的距離設為1 mm、分割部之空隙設為0.1 mm。
如上述表1所示，自濺鍍開始時至靶壽命100%後之累積弧光放電次數為462次，幾乎看不到瘤塊之產生。與實施例1相比，瘤塊、弧光放電皆有所減少。
(實施例3)
製造ITO燒結體之前之步驟係與實施例1相同，關於分割靶，如表1所示，形成自距離該分割靶側面5 mm之位置起朝靶之側面向下11.3°之角度的推拔，將自靶平坦面至推拔(斜面)之最深部的距離設為1 mm、分割部之空隙設為0.5 mm。
如上述表1所示，自濺鍍開始時至靶壽命100%後之累積弧光放電次數為576次，幾乎看不到瘤塊之產生，但與實施例1相比，瘤塊、弧光放電皆增加若干。然而，與後述之比較例相比，已大幅減少。
(實施例4)
製造ITO燒結體之前之步驟係與實施例1相同，關於分割靶，如表1所示，形成自距離該分割靶側面11.43 mm之位置起朝靶之側面向下5°之角度的推拔，將自靶平坦面至推拔(斜面)之最深部的距離設為1 mm、分割部之空隙設為0.3 mm。
如上述表1所示，自濺鍍開始時至靶壽命100%後之累積弧光放電次數為433次，幾乎看不到瘤塊之產生。與實施例1相比，瘤塊、弧光放電皆有所減少。
(實施例5)
製造ITO燒結體之前之步驟係與實施例1相同，關於分割靶，如表1所示，形成自距離該分割靶側面2.75 mm之位置起朝靶之側面向下20°之角度的推拔，將自靶平坦面至推拔(斜面)之最深部的距離設為1 mm、分割部之空隙設為0.3 mm。
如上述表1所示，自濺鍍開始時至靶壽命100%後之累積弧光放電次數為713次，與實施例1相比，瘤塊、弧光放電皆增加若干。然而，與後述之比較例相比則大幅減少。於表1中將該狀態記載為△，為沒有太大問題之級別。
(實施例6)
製造ITO燒結體之前之步驟係與實施例1相同，關於分割靶，如表1所示，形成自距離該分割靶側面1.73 mm之位置起朝靶之側面向下30°之角度的推拔，將自靶平坦面至推拔(斜面)之最深部的距離設為1 mm、分割部之空隙設為0.3 mm。
如上述表1所示，自濺鍍開始時至靶壽命100%後之累積弧光放電次數為796次，與實施例1相比，瘤塊、弧光放電皆增加若干。然而，與後述之比較例相比則大幅減少。於表1中將該狀態記載為△，為沒有太大問題之級別。
(實施例7)
製造ITO燒結體之前之步驟係與實施例1相同，關於分割靶，如表1所示，形成自距離該分割靶側面5.71 mm之位置起朝靶之側面向下5°之角度的推拔，將自靶平坦面至推拔(斜面)之最深部的距離設為0.5 mm、分割部之空隙設為0.3 mm。
如上述表1所示，自濺鍍開始時至靶壽命100%後之累積弧光放電次數為301次，幾乎看不到瘤塊之產生。與實施例1相比，瘤塊、弧光放電皆有所減少。
(實施例8)
製造ITO燒結體之前之步驟係與實施例1相同，關於分割靶，如表1所示，形成自距離該分割靶側面2.50 mm之位置起朝靶之側面向下11.3°之角度的推拔，將自靶平坦面至推拔(斜面)之最深部的距離設為0.5 mm、分割部之空隙設為0.3 mm。
如上述表1所示，自濺鍍開始時至靶壽命100%後之累積弧光放電次數為345次，幾乎看不到瘤塊之產生。與實施例1相比，瘤塊、弧光放電皆有所減少。
(實施例9)
製造ITO燒結體之前之步驟係與實施例1相同，關於分割靶，如表1所示，形成自距離該分割靶側面1.37 mm之位置起朝靶之側面向下20°之角度的推拔，將自靶平坦面至推拔(斜面)之最深部的距離設為0.5 mm、分割部之空隙設為0.3 mm。
如上述表1所示，自濺鍍開始時至靶壽命100%後之累積弧光放電次數為442次，幾乎看不到瘤塊之產生。與實施例1相比，瘤塊、弧光放電皆有所減少。
(實施例10)
製造ITO燒結體之前之步驟係與實施例1相同，關於分割靶，如表1所示，形成自距離該分割靶側面0.87 mm之位置起朝靶之側面向下30°之角度的推拔，將自靶平坦面至推拔(斜面)之最深部的距離設為0.5 mm、分割部之空隙設為0.3 mm。
如上述表1所示，自濺鍍開始時至靶壽命100%後之累積弧光放電次數為508次，幾乎看不到瘤塊之產生。與實施例1相比，瘤塊、弧光放電皆有所減少。
(實施例11)
製造ITO燒結體之前之步驟係與實施例1相同，關於分割靶，如表1所示，形成自距離該分割靶側面3.43 mm之位置起朝靶之側面向下5°之角度的推拔，將自靶平坦面至推拔(斜面)之最深部的距離設為0.3 mm、分割部之空隙設為0.3 mm。
如上述表1所示，自濺鍍開始時至靶壽命100%後之累積弧光放電次數為194次，幾乎看不到瘤塊之產生。與實施例1相比，瘤塊、弧光放電皆減半。
(實施例12)
製造ITO燒結體之前之步驟係與實施例1相同，關於分割靶，如表1所示，形成自距離該分割靶側面1.50 mm之位置起朝靶之側面向下11.3°之角度的推拔，將自靶平坦面至推拔(斜面)之最深部的距離設為0.3 mm、分割部之空隙設為0.3 mm。
如上述表1所示，自濺鍍開始時至靶壽命100%後之累積弧光放電次數為250次，幾乎看不到瘤塊之產生。與實施例1相比，瘤塊、弧光放電皆減半。
(實施例13)
製造ITO燒結體之前之步驟係與實施例1相同，關於分割靶，如表1所示，形成自距離該分割靶側面0.82 mm之位置起朝靶之側面向下20°之角度的推拔，將自靶平坦面至推拔(斜面)之最深部的距離設為0.3 mm、分割部之空隙設為0.3 mm。
如上述表1所示，自濺鍍開始時至靶壽命100%後之累積弧光放電次數為331次，幾乎看不到瘤塊之產生。與實施例1相比，瘤塊、弧光放電皆有所減少。
(實施例14)
製造ITO燒結體之前之步驟係與實施例1相同，關於分割靶，如表1所示，形成自距離該分割靶側面0.52 mm之位置起朝靶之側面向下30°之角度的推拔，將自靶平坦面至推拔(斜面)之最深部的距離設為0.3 mm、分割部之空隙設為0.3 mm。
如上述表1所示，自濺鍍開始時至靶壽命100%後之累積弧光放電次數為428次，幾乎看不到瘤塊之產生。與實施例1相比，瘤塊、弧光放電皆有所減少。
(比較例1)
製造ITO燒結體之前之步驟係與實施例1相同，如圖4所示，關於分割靶，形成有自距離該分割靶側面1 mm之位置起朝靶之側面向下45°之角度的推拔。
於此種情形時，如圖5所示，靶緣部之自靶平坦面至推拔(斜面)之最深部之距離成為1.0 mm。於圖5中表示將靶之分割部之空隙(間隙)設為0.3 mm之情形時的瘤塊之產生狀況。於表1中將該狀態記載為×。
如該圖5所示，於靶上端之緣部C1.0 mm加工中，至靶壽命50%為止產生較多的瘤塊，於靶壽命100%時可看到瘤塊消失之逆轉現象。
認為其原因在於，由於沖蝕自靶壽命50%進行至100%，故緣部與靶平坦面部分之高低差消失，整個面變得平坦，故連瘤塊都被濺鍍。
如上述表1所示，自濺鍍開始時至靶壽命100%後之累積弧光放電次數為1812次，自50%至100%，弧光放電產生次數有所增加。又，瘤塊之產生亦顯著增加。
(比較例2)
製造ITO燒結體之前之步驟係與實施例1相同，關於分割靶，如表1所示，形成自距離該分割靶側面0.5 mm之位置起朝靶之側面向下45°之角度的推拔。又，將靶之分割部之空隙設為0.1 mm。
於此種情形時，如上述表1所示，自濺鍍開始時至靶壽命100%後之累積弧光放電次數為1762次，而導致微電弧之產生次數變得極多。又，瘤塊之產生亦顯著增加。
(比較例3)
製造ITO燒結體之前之步驟係與實施例1相同，關於分割靶，如表1所示，形成自距離該分割靶側面1.00 mm之位置起朝靶之側面向下45°之角度的推拔。又，將靶之分割部之空隙設為0.5 mm。
於此種情形時，如上述表1所示，自濺鍍開始時至靶壽命100%後之累積弧光放電次數為1908次，而導致微電弧之產生次數變得極多。又，瘤塊之產生亦顯著增加。
(比較例4)
製造ITO燒結體之前之步驟係與實施例1相同，如圖5所示，關於分割靶，自距離該分割靶側面1 mm之位置起，朝靶之側面，形成半徑1 mm圓加工(R加工)(參照圖4)。又，將靶之分割部之空隙設為0.3 mm。
於此種情形時，如上述表1所示，自濺鍍開始時至靶壽命100%後之累積弧光放電次數為1826次，導致微電弧之產生次數變得極多。又，瘤塊之產生亦顯著增加。
(比較例5)
製造ITO燒結體之前之步驟係與實施例1相同，關於分割靶，如表1所示，形成自距離該分割靶側面0.5 mm之位置起朝靶之側面向下45°之角度的推拔。又，將靶之分割部之空隙設為0.3 mm。
於此種情形時，如上述表1所示，自濺鍍開始時至靶壽命100%後之累積弧光放電次數為1522次，導致微電弧之產生次數變得極多。又，瘤塊之產生亦增加。
(比較例6)
製造ITO燒結體之前之步驟係與實施例1相同，關於分割靶，如表1所示，自距離該分割靶側面0.5 mm之位置起，朝靶之側面，形成半徑0.5 mm圓加工(R加工)。又，將靶之分割部之空隙設為0.3 mm。
於此種情形時，如上述表1所示，自濺鍍開始時至靶壽命100%後之累積弧光放電次數為1559次，而導致微電弧之產生次數變得極多。又，瘤塊之產生亦增加。
(比較例7)
製造ITO燒結體之前之步驟係與實施例1相同，關於分割靶，如表1所示，形成自距離該分割靶側面0.3 mm之位置起朝靶之側面向下45°之角度的推拔。又，將靶之分割部之空隙設為0.3 mm。
於此種情形時，如上述表1所示，自濺鍍開始時至靶壽命100%後之累積弧光放電次數為1220次，導致微電弧之產生次數變得極多。又，瘤塊之產生亦增加。
(比較例8)
製造ITO燒結體之前之步驟係與實施例1相同，關於分割靶，如表1所示，自距離該分割靶側面0.3 mm之位置起，朝靶之側面，形成半徑0.3 mm圓加工(R加工)。又，將靶之分割部之空隙設為0.3 mm。於此種情形時，如上述表1所示，自濺鍍開始時至靶壽命100%後之累積弧光放電次數為1233次，導致微電弧之產生次數變得極多。又，瘤塊之產生亦增加。
(實施例15)
製造ITO燒結體之前之步驟係與實施例1相同，關於分割靶，自距離該分割靶側面5.0 mm之位置起，朝靶之側面，形成向下11.3°之角度的推拔，將自靶平坦面至推拔(斜面)之最深部的距離設為1 mm，且將空隙設為0 mm。
弧光放電為287次，瘤塊之產生較少，與實施例1相比為較佳之結果。可知當空隙為0 mm之情形亦有效。
然而，此係由於靶之尺寸較小，空隙即便為0 mm亦不會產生破損，但於大型之靶之情形時必須考慮破損對策。
根據上述之實施例、比較例可明瞭，對於將多個分割靶排列於支持板上並與該支持板接合而構成的濺鍍靶，極其重要的是製成「具有自距離已排列之多個各分割靶之側面23.0 mm～0.10 mm之位置起朝靶之側面向下傾斜的5～40°之推拔」之構造。藉此，可抑制瘤塊之產生或異常放電，並且可獲得形成於與空隙部分對向之基板上的膜之特性與其他部分之膜之特性沒有差異、即膜特性之均一性較高的膜。
[產業上之可利用性]
本發明之濺鍍靶可提供一種即便在對分割靶進行連續濺鍍時，亦能抑制瘤塊之產生或異常放電，並且能獲得形成於與空隙部分對向之基板上之膜之特性與其他部分之膜之特性沒有差異、即膜特性之均一性較高之膜的濺鍍靶，且可提供一種具有能提高成膜之產率並提高產品之品質的較大優點，並且可使由起因於分割靶部之微粒之產生所致之不良率下降的大型濺鍍靶，因此，尤其可用作FPD用濺鍍靶。
圖1係本發明之形成於分割濺鍍靶之代表性的推拔(傾斜面)之剖面說明圖。
圖2係表示與因分割靶之緣部(邊緣部)之加工方法(C加工、R加工、本申請案發明之推拔加工)所致之靶壽命相對應的瘤塊之產生狀況的概念說明圖。
圖3係表示使用表示本申請案發明之一例的具有11.3°之推拔(傾斜面)的分割靶來進行濺鍍之情形，形成於分割靶間之空隙(間隙)與緣部的瘤塊之產生狀況之圖。
圖4係形成於先前之分割靶之緣部的C加工之剖面說明圖。
圖5係表示於先前之分割靶中，形成於分割靶間之空隙(間隙)與緣部的瘤塊之產生狀況之圖。

Claims (10)

  1. 一種濺鍍靶，係將多個分割靶排列於支持板上並與該支持板接合而構成，其特徵在於：於已排列之多個各分割靶之表面，具有自距離該分割靶側面23.0mm~0.10mm之位置起朝分割靶之側面向下傾斜的5~40°之推拔(taper)。
  2. 如申請專利範圍第1項之濺鍍靶，其具有朝分割靶側面向下傾斜的10~30°之推拔。
  3. 如申請專利範圍第1項之濺鍍靶，其中，分割靶側面之自平坦面起的最大深度為2.0mm以下，該最大深度係藉由向下傾斜之推拔而形成。
  4. 如申請專利範圍第2項之濺鍍靶，其中，分割靶側面之自平坦面起的最大深度為2.0mm以下，該最大深度係藉由向下傾斜之推拔而形成。
  5. 如申請專利範圍第1項之濺鍍靶，其中，分割靶側面之自平坦面起的最大深度為1.0mm以下，該最大深度係藉由向下傾斜之推拔而形成。
  6. 如申請專利範圍第2項之濺鍍靶，其中，分割靶側面之自平坦面起的最大深度為1.0mm以下，該最大深度係藉由向下傾斜之推拔而形成。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之濺鍍靶，其中，分割靶間之空隙為1.0mm以下。
  8. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之濺鍍靶，其中，分割靶間之空隙為0.05~1.0mm。
  9. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之濺鍍靶，其中，分割靶為陶瓷製靶。
  10. 如申請專利範圍第7項之濺鍍靶，其中，分割靶為陶瓷製靶。
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