JP2001164359A - Ｉｔｏスパッタリングターゲット - Google Patents
ＩｔｏスパッタリングターゲットInfo
- Publication number
- JP2001164359A JP2001164359A JP35155699A JP35155699A JP2001164359A JP 2001164359 A JP2001164359 A JP 2001164359A JP 35155699 A JP35155699 A JP 35155699A JP 35155699 A JP35155699 A JP 35155699A JP 2001164359 A JP2001164359 A JP 2001164359A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ito
- sintered body
- target
- sputtering target
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ノジュールの発生しやすい、低い印加電力
で放電を行う成膜方法を用いた場合においてもターゲッ
ト表面に発生するノジュール量を低減できるＩＴＯスパ
ッタリングターゲットを提供する。 【解決手段】 ＩＴＯ焼結体を、バッキングプレート
に接合剤により接合してなるＩＴＯスパッタリングター
ゲットにおいて、ＩＴＯ焼結体の被スパッタリング面と
接合面とを連結している面の少なくとも一つが、接合面
に対して９０度を超える角度をなして交差している。
で放電を行う成膜方法を用いた場合においてもターゲッ
ト表面に発生するノジュール量を低減できるＩＴＯスパ
ッタリングターゲットを提供する。 【解決手段】 ＩＴＯ焼結体を、バッキングプレート
に接合剤により接合してなるＩＴＯスパッタリングター
ゲットにおいて、ＩＴＯ焼結体の被スパッタリング面と
接合面とを連結している面の少なくとも一つが、接合面
に対して９０度を超える角度をなして交差している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、透明導電性薄膜製
造の際に使用されるＩＴＯスパッタリングターゲットに
関するものである。
造の際に使用されるＩＴＯスパッタリングターゲットに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ（Ｉ
ＴＯ）薄膜は高導電性、高透過率といった特徴を有し、
更に微細加工も容易に行えることから、フラットパネル
ディスプレイ用表示電極、太陽電池用窓材、帯電防止膜
等の広範囲な分野に渡って用いられている。特に液晶表
示装置を始めとしたフラットパネルディスプレイ分野で
は近年大型化および高精細化が進んでおり、その表示用
電極であるＩＴＯ薄膜に対する需要もまた急速に高まっ
ている。
ＴＯ）薄膜は高導電性、高透過率といった特徴を有し、
更に微細加工も容易に行えることから、フラットパネル
ディスプレイ用表示電極、太陽電池用窓材、帯電防止膜
等の広範囲な分野に渡って用いられている。特に液晶表
示装置を始めとしたフラットパネルディスプレイ分野で
は近年大型化および高精細化が進んでおり、その表示用
電極であるＩＴＯ薄膜に対する需要もまた急速に高まっ
ている。
【０００３】このようなＩＴＯ薄膜の製造方法はスプレ
ー熱分解法、ＣＶＤ法等の化学的成膜法と電子ビーム蒸
着法、スパッタリング法等の物理的成膜法に大別するこ
とができる。中でもスパッタリング法は大面積化が容易
でかつ高性能の膜が得られる成膜法であることから、様
々な分野で使用されている。
ー熱分解法、ＣＶＤ法等の化学的成膜法と電子ビーム蒸
着法、スパッタリング法等の物理的成膜法に大別するこ
とができる。中でもスパッタリング法は大面積化が容易
でかつ高性能の膜が得られる成膜法であることから、様
々な分野で使用されている。
【０００４】スパッタリング法によりＩＴＯ薄膜を製造
する場合、用いるスパッタリングターゲットとしては金
属インジウムおよび金属スズからなる合金ターゲット
（ＩＴターゲット）あるいは酸化インジウムと酸化スズ
からなる複合酸化物ターゲット（ＩＴＯターゲット）が
用いられる。このうち、ＩＴＯターゲットを用いる方法
は、ＩＴターゲットを用いる方法と比較して、得られた
膜の抵抗値および透過率の経時変化が少なく成膜条件の
コントロールが容易であるため、ＩＴＯ薄膜製造方法の
主流となっている。
する場合、用いるスパッタリングターゲットとしては金
属インジウムおよび金属スズからなる合金ターゲット
（ＩＴターゲット）あるいは酸化インジウムと酸化スズ
からなる複合酸化物ターゲット（ＩＴＯターゲット）が
用いられる。このうち、ＩＴＯターゲットを用いる方法
は、ＩＴターゲットを用いる方法と比較して、得られた
膜の抵抗値および透過率の経時変化が少なく成膜条件の
コントロールが容易であるため、ＩＴＯ薄膜製造方法の
主流となっている。
【０００５】ＩＴＯターゲットをアルゴンガスと酸素ガ
スとの混合ガス雰囲気中で連続してスパッタリングした
場合、積算スパッタリング時間の増加と共にターゲット
表面にはノジュールと呼ばれる黒色の付着物が析出す
る。インジウムの低級酸化物と考えられているこの黒色
の付着物は、ターゲットのエロージョン部の周囲に析出
するため、スパッタリング時の異常放電の原因となりや
すく、またそれ自身が異物（パーティクル）の発生源と
なることが知られている。
スとの混合ガス雰囲気中で連続してスパッタリングした
場合、積算スパッタリング時間の増加と共にターゲット
表面にはノジュールと呼ばれる黒色の付着物が析出す
る。インジウムの低級酸化物と考えられているこの黒色
の付着物は、ターゲットのエロージョン部の周囲に析出
するため、スパッタリング時の異常放電の原因となりや
すく、またそれ自身が異物（パーティクル）の発生源と
なることが知られている。
【０００６】その結果、連続してスパッタリングを行う
と、形成された薄膜中に異物欠陥が発生し、これが液晶
表示装置等のフラットパネルディスプレイの製造歩留ま
りを低下させる原因となっていた。特に近年、フラット
パネルディスプレイの分野では、高精細化が進んでお
り、このような薄膜中の異物欠陥は素子の動作不良を引
き起こすため、特に解決すべき重要な課題となってい
た。
と、形成された薄膜中に異物欠陥が発生し、これが液晶
表示装置等のフラットパネルディスプレイの製造歩留ま
りを低下させる原因となっていた。特に近年、フラット
パネルディスプレイの分野では、高精細化が進んでお
り、このような薄膜中の異物欠陥は素子の動作不良を引
き起こすため、特に解決すべき重要な課題となってい
た。
【０００７】このような問題を解決するため、例えば特
開平０８−０６０３５２号のように、ターゲットの密度
を６．４ｇ／ｃｍ3以上とするとともにターゲットの表
面粗さを制御することにより、ノジュールの発生を低減
できることが報告されている。
開平０８−０６０３５２号のように、ターゲットの密度
を６．４ｇ／ｃｍ3以上とするとともにターゲットの表
面粗さを制御することにより、ノジュールの発生を低減
できることが報告されている。
【０００８】しかしながら、近年、液晶表示素子の高精
細化、高性能化にともない形成される薄膜の性能を向上
させることを目的として、低い印加電力で放電を行う成
膜方法が採用されるようになってきた。この低い印加電
力での成膜により、上記のような手法を取り入れたター
ゲットを用いた場合においても、ノジュールが発生し問
題となってきている。これは、印加電力が低下されたこ
とにより、一度発生したノジュールの核が、強い印加電
力によって消滅することなく、掘れ残りの核となる確率
が増加したことによると考えられている。
細化、高性能化にともない形成される薄膜の性能を向上
させることを目的として、低い印加電力で放電を行う成
膜方法が採用されるようになってきた。この低い印加電
力での成膜により、上記のような手法を取り入れたター
ゲットを用いた場合においても、ノジュールが発生し問
題となってきている。これは、印加電力が低下されたこ
とにより、一度発生したノジュールの核が、強い印加電
力によって消滅することなく、掘れ残りの核となる確率
が増加したことによると考えられている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、ノジ
ュールの発生しやすい、低い印加電力で放電を行う成膜
方法を用いた場合においてもターゲット表面に発生する
ノジュール量を低減できるＩＴＯスパッタリングターゲ
ットを提供することにある。
ュールの発生しやすい、低い印加電力で放電を行う成膜
方法を用いた場合においてもターゲット表面に発生する
ノジュール量を低減できるＩＴＯスパッタリングターゲ
ットを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者等はＩＴＯスパ
ッタリングターゲットのノジュールの発生量を低減させ
るため、ノジュールの形成原因について詳細な検討を行
った。その結果、一部のノジュールは、ＩＴＯ焼結体と
バッキングプレートとの接合に用いているハンダ材であ
る金属インジウムが、スパッタリング中にターゲット表
面のエロージョン部に付着し、付着した金属インジウム
を核としてターゲットが掘れ残り、ノジュールとなるこ
とを発見した。金属インジウムが、掘れ残りを発生させ
る核となる原因は未だ明らかではないが、ターゲット表
面に付着した金属インジウムは、スパッタリングガス中
に含まれる酸素と反応して酸化インジウムを形成し、こ
の酸化インジウムはＩＴＯと比べて抵抗率が非常に高い
ために掘れ残るものと考えられる。
ッタリングターゲットのノジュールの発生量を低減させ
るため、ノジュールの形成原因について詳細な検討を行
った。その結果、一部のノジュールは、ＩＴＯ焼結体と
バッキングプレートとの接合に用いているハンダ材であ
る金属インジウムが、スパッタリング中にターゲット表
面のエロージョン部に付着し、付着した金属インジウム
を核としてターゲットが掘れ残り、ノジュールとなるこ
とを発見した。金属インジウムが、掘れ残りを発生させ
る核となる原因は未だ明らかではないが、ターゲット表
面に付着した金属インジウムは、スパッタリングガス中
に含まれる酸素と反応して酸化インジウムを形成し、こ
の酸化インジウムはＩＴＯと比べて抵抗率が非常に高い
ために掘れ残るものと考えられる。
【００１１】そこで本発明者等は、ＩＴＯスパッタリン
グターゲットの構造について詳細な検討を行った。その
結果、ＩＴＯ焼結体を図１に示すような断面形状に加工
し、ＩＴＯ焼結体の被スパッタリング面と接合面とを連
結している面の少なくとも一つが、接合面に対して９０
度を超える角度をなして交差するようにすることによ
り、前記問題点を解決できることを見いだし、本発明を
完成させるに至った。
グターゲットの構造について詳細な検討を行った。その
結果、ＩＴＯ焼結体を図１に示すような断面形状に加工
し、ＩＴＯ焼結体の被スパッタリング面と接合面とを連
結している面の少なくとも一つが、接合面に対して９０
度を超える角度をなして交差するようにすることによ
り、前記問題点を解決できることを見いだし、本発明を
完成させるに至った。
【００１２】即ち、本発明は、実質的にインジウム、ス
ズおよび酸素からなるＩＴＯ焼結体を、バッキングプレ
ートに接合剤により接合してなるＩＴＯスパッタリング
ターゲットにおいて、ＩＴＯ焼結体の被スパッタリング
面と接合面とを連結している面の少なくとも一つが、接
合面に対して９０度を超える角度をなして交差している
ことを特徴とするＩＴＯスパッタリングタ−ゲット、お
よび実質的にインジウム、スズおよび酸素からなるＩＴ
Ｏ焼結体を、バッキングプレートに接合剤により接合し
てなるＩＴＯスパッタリングターゲットにおいて、ＩＴ
Ｏ焼結体の被スパッタリング面の端部の少なくとも一部
が、ボンディング面の端部よりも突出しており、その突
出する長さが、片側で１ｍｍ以上５ｍｍ以下であること
を特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲットに関す
る。
ズおよび酸素からなるＩＴＯ焼結体を、バッキングプレ
ートに接合剤により接合してなるＩＴＯスパッタリング
ターゲットにおいて、ＩＴＯ焼結体の被スパッタリング
面と接合面とを連結している面の少なくとも一つが、接
合面に対して９０度を超える角度をなして交差している
ことを特徴とするＩＴＯスパッタリングタ−ゲット、お
よび実質的にインジウム、スズおよび酸素からなるＩＴ
Ｏ焼結体を、バッキングプレートに接合剤により接合し
てなるＩＴＯスパッタリングターゲットにおいて、ＩＴ
Ｏ焼結体の被スパッタリング面の端部の少なくとも一部
が、ボンディング面の端部よりも突出しており、その突
出する長さが、片側で１ｍｍ以上５ｍｍ以下であること
を特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲットに関す
る。
【００１３】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１４】本発明に使用されるＩＴＯ焼結体およびそ
の製造方法としては、特に限定されるものではないが、
例えば、以下のような方法で製造することができる。
の製造方法としては、特に限定されるものではないが、
例えば、以下のような方法で製造することができる。
【００１５】始めに、酸化インジウム粉末と酸化スズ粉
末との混合粉末或いはＩＴＯ粉末等にバインダー等を加
え、プレス法或いは鋳込法等の成形方法により成形して
ＩＴＯ成形体を製造する。この際、使用する粉末の平均
粒径が大きいと焼結後の密度が充分に上昇しない場合が
あるので、使用する粉末の平均粒径は１．５μｍ以下で
あることが望ましく、更に好ましくは０．１〜１．５μ
ｍである。こうすることにより、より焼結密度の高い焼
結体を得ることが可能となる。
末との混合粉末或いはＩＴＯ粉末等にバインダー等を加
え、プレス法或いは鋳込法等の成形方法により成形して
ＩＴＯ成形体を製造する。この際、使用する粉末の平均
粒径が大きいと焼結後の密度が充分に上昇しない場合が
あるので、使用する粉末の平均粒径は１．５μｍ以下で
あることが望ましく、更に好ましくは０．１〜１．５μ
ｍである。こうすることにより、より焼結密度の高い焼
結体を得ることが可能となる。
【００１６】また、混合粉末またはＩＴＯ粉末中の酸化
スズ含有量は、スパッタリング法により薄膜を製造した
際に比抵抗が低下する５〜１５重量％とすることが望ま
しい。
スズ含有量は、スパッタリング法により薄膜を製造した
際に比抵抗が低下する５〜１５重量％とすることが望ま
しい。
【００１７】次に得られた成形体に必要に応じて、ＣＩ
Ｐ等の圧密化処理を行う。この際ＣＩＰ圧力は充分な圧
密効果を得るため２ｔｏｎ／ｃｍ2以上、好ましくは２
〜３ｔｏｎ／ｃｍ2であることが望ましい。ここで始め
の成形を鋳込法により行った場合には、ＣＩＰ後の成形
体中に残存する水分およびバインダー等の有機物を除去
する目的で脱バインダー処理を施してもよい。また、始
めの成形をプレス法により行った場合でも、成型時にバ
インダーを使用したときには、同様の脱バインダー処理
を行うことが望ましい。
Ｐ等の圧密化処理を行う。この際ＣＩＰ圧力は充分な圧
密効果を得るため２ｔｏｎ／ｃｍ2以上、好ましくは２
〜３ｔｏｎ／ｃｍ2であることが望ましい。ここで始め
の成形を鋳込法により行った場合には、ＣＩＰ後の成形
体中に残存する水分およびバインダー等の有機物を除去
する目的で脱バインダー処理を施してもよい。また、始
めの成形をプレス法により行った場合でも、成型時にバ
インダーを使用したときには、同様の脱バインダー処理
を行うことが望ましい。
【００１８】このようにして得られた成形体を焼結炉内
に投入して焼結を行う。焼結方法としては、いかなる方
法でも用いることができるが、生産設備のコスト等を考
慮すると大気中焼結が望ましい。しかしこの他ＨＰ法、
ＨＩＰ法および酸素加圧焼結法等の従来知られている他
の焼結法を用いることができることは言うまでもない。
に投入して焼結を行う。焼結方法としては、いかなる方
法でも用いることができるが、生産設備のコスト等を考
慮すると大気中焼結が望ましい。しかしこの他ＨＰ法、
ＨＩＰ法および酸素加圧焼結法等の従来知られている他
の焼結法を用いることができることは言うまでもない。
【００１９】焼結条件についても適宜選択することがで
きるが、充分な密度上昇効果を得るため、また酸化スズ
の蒸発を抑制するため、焼結温度が１４５０〜１６５０
℃であることが望ましい。焼結時の雰囲気としては大気
或いは純酸素雰囲気であることが好ましい。また焼結時
間についても充分な密度上昇効果を得るために５時間以
上、好ましくは５〜３０時間であることが望ましい。
きるが、充分な密度上昇効果を得るため、また酸化スズ
の蒸発を抑制するため、焼結温度が１４５０〜１６５０
℃であることが望ましい。焼結時の雰囲気としては大気
或いは純酸素雰囲気であることが好ましい。また焼結時
間についても充分な密度上昇効果を得るために５時間以
上、好ましくは５〜３０時間であることが望ましい。
【００２０】こうすることにより、焼結密度の高いＩＴ
Ｏ焼結体を得ることができる。本発明においては、使用
するＩＴＯ焼結体の密度は特に限定されないが、焼結体
のポアのエッジ部での電界集中による異常放電やノジュ
ールの発生をより抑制するため、相対密度で９９％以上
とすることが好ましく、より好ましくは９９．５％以上
である。
Ｏ焼結体を得ることができる。本発明においては、使用
するＩＴＯ焼結体の密度は特に限定されないが、焼結体
のポアのエッジ部での電界集中による異常放電やノジュ
ールの発生をより抑制するため、相対密度で９９％以上
とすることが好ましく、より好ましくは９９．５％以上
である。
【００２１】続いて上記のような方法により製造したＩ
ＴＯ焼結体を所望の形状に研削加工する。この加工は、
ＩＴＯ焼結体の被スパッタリング面と接合面とを連結し
ている面の少なくとも一つを、接合面に対して９０度を
超える角度をなして交差するようにすればよく、好まし
くは、９５〜１３５度、より好ましくは１００〜１２５
度で交差すればよい。このような形状の一例としては、
ＩＴＯ焼結体の被スパッタリング面の面積を、ボンディ
ング面の面積より大きくなるよう、その焼結体断面が逆
台形状になるように加工すればよい。
ＴＯ焼結体を所望の形状に研削加工する。この加工は、
ＩＴＯ焼結体の被スパッタリング面と接合面とを連結し
ている面の少なくとも一つを、接合面に対して９０度を
超える角度をなして交差するようにすればよく、好まし
くは、９５〜１３５度、より好ましくは１００〜１２５
度で交差すればよい。このような形状の一例としては、
ＩＴＯ焼結体の被スパッタリング面の面積を、ボンディ
ング面の面積より大きくなるよう、その焼結体断面が逆
台形状になるように加工すればよい。
【００２２】このような形状の場合、ＩＴＯ焼結体の被
スパッタリング面の端部がボンディング面の端部よりも
突出する長さは、焼結体の片側で１ｍｍ以上５ｍｍ以下
とすることが好ましい。１ｍｍ未満では本発明の効果が
薄くなり、５ｍｍを超えると焼結体の被スパッタリング
面と側面との交差角が小さくなり、この部分で非常に鋭
角的な形状となり、焼結体破損の原因となる場合がある
からである。更に好ましくは、ＩＴＯ焼結体の被スパッ
タリング面の端部に１〜２Ｒの加工を施すとよい。
スパッタリング面の端部がボンディング面の端部よりも
突出する長さは、焼結体の片側で１ｍｍ以上５ｍｍ以下
とすることが好ましい。１ｍｍ未満では本発明の効果が
薄くなり、５ｍｍを超えると焼結体の被スパッタリング
面と側面との交差角が小さくなり、この部分で非常に鋭
角的な形状となり、焼結体破損の原因となる場合がある
からである。更に好ましくは、ＩＴＯ焼結体の被スパッ
タリング面の端部に１〜２Ｒの加工を施すとよい。
【００２３】図２に示すように、複数枚のＩＴＯ焼結体
を単一のバッキングプレート上に接合するような分割タ
ーゲットの場合には、焼結体が隣り合う部分の側面とボ
ンディング面との交差角は、双方ともに９０度であるこ
とが好ましい。
を単一のバッキングプレート上に接合するような分割タ
ーゲットの場合には、焼結体が隣り合う部分の側面とボ
ンディング面との交差角は、双方ともに９０度であるこ
とが好ましい。
【００２４】次に、前記ＩＴＯ焼結体のスパッタリング
面を機械的に研磨し、被スパッタリング面の表面粗さを
Ｒａが０．８μｍ以下、かつ、Ｒｙが６．５μｍ以下に
加工することが好ましい。より好ましくは、Ｒａが０．
１μｍ以下、かつ、Ｒｙが０．８μｍ以下である。こう
することにより、ターゲット表面の凹凸部で発生する異
常放電や異常放電によるノジュールの形成を効果的によ
り抑制することが可能となる。
面を機械的に研磨し、被スパッタリング面の表面粗さを
Ｒａが０．８μｍ以下、かつ、Ｒｙが６．５μｍ以下に
加工することが好ましい。より好ましくは、Ｒａが０．
１μｍ以下、かつ、Ｒｙが０．８μｍ以下である。こう
することにより、ターゲット表面の凹凸部で発生する異
常放電や異常放電によるノジュールの形成を効果的によ
り抑制することが可能となる。
【００２５】上記ＩＴＯ焼結体は、高密度であるほど硬
度が高く、研削加工中に焼結体内部にクラックを生じ易
いので、加工は湿式加工で行うことが望ましい。
度が高く、研削加工中に焼結体内部にクラックを生じ易
いので、加工は湿式加工で行うことが望ましい。
【００２６】このようにして得られた、ＩＴＯ焼結体を
バッキングプレート上に接合する。本発明に使用される
バッキングプレートは特に限定されないが、無酸素銅お
よびリン青銅等があげられる。
バッキングプレート上に接合する。本発明に使用される
バッキングプレートは特に限定されないが、無酸素銅お
よびリン青銅等があげられる。
【００２７】接合は、例えば、次に示すような工程で行
えばよい。まず、ＩＴＯ焼結体とバッキングプレートと
を使用する接合剤の融点以上に加熱する。次に加熱され
たＩＴＯ焼結体およびバッキングプレートの接合面に接
合剤を塗布する。接合剤としては、インジウム半田等が
好ましい。
えばよい。まず、ＩＴＯ焼結体とバッキングプレートと
を使用する接合剤の融点以上に加熱する。次に加熱され
たＩＴＯ焼結体およびバッキングプレートの接合面に接
合剤を塗布する。接合剤としては、インジウム半田等が
好ましい。
【００２８】次に接合剤塗布済みのＩＴＯ焼結体とバッ
キングプレートの接合面同士を合わせてバッキングプレ
ート上の所望の位置に接合し、室温まで冷却することに
より、本発明のＩＴＯターゲットを得ることができる。
キングプレートの接合面同士を合わせてバッキングプレ
ート上の所望の位置に接合し、室温まで冷却することに
より、本発明のＩＴＯターゲットを得ることができる。
【００２９】スパッタリングに際し、スパッタリングガ
スとしては、アルゴンなどの不活性ガスなどに必要に応
じて酸素ガスなどが加えられ、通常２〜１０ｍＴｏｒｒ
にこれらのガス圧を制御しながら、放電が行われる。放
電のための電力印可方式としては、ＤＣ、ＲＦあるいは
これらを組み合わせたものが使用可能であるが、放電の
安定性を考慮し、ＤＣあるいはＤＣにＲＦを重畳したも
のが好ましい。ターゲットに加えられる電力密度につい
ては特に制限はないが、本発明のターゲットは、近年の
低電力放電（２．０Ｗ／ｃｍ2以下）の条件下におい
て、特に有効である。
スとしては、アルゴンなどの不活性ガスなどに必要に応
じて酸素ガスなどが加えられ、通常２〜１０ｍＴｏｒｒ
にこれらのガス圧を制御しながら、放電が行われる。放
電のための電力印可方式としては、ＤＣ、ＲＦあるいは
これらを組み合わせたものが使用可能であるが、放電の
安定性を考慮し、ＤＣあるいはＤＣにＲＦを重畳したも
のが好ましい。ターゲットに加えられる電力密度につい
ては特に制限はないが、本発明のターゲットは、近年の
低電力放電（２．０Ｗ／ｃｍ2以下）の条件下におい
て、特に有効である。
【００３０】また、本発明によるスパッタリングターゲ
ットは、ＩＴＯに付加機能を持たせることを目的として
第３の元素を添加したターゲットにおいても有効であ
る。第３元素としては、例えば、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔ
ｉ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｔａ等
を例示することができる。これら元素の添加量は、特に
限定されるものではないが、ＩＴＯの優れた電気光学的
特性を劣化させないため、（第３元素の酸化物の総和）
／（ＩＴＯ＋第３元素の酸化物の総和）／１００で０％
を超え２０％以下（重量比）とすることが好ましい。
ットは、ＩＴＯに付加機能を持たせることを目的として
第３の元素を添加したターゲットにおいても有効であ
る。第３元素としては、例えば、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔ
ｉ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｔａ等
を例示することができる。これら元素の添加量は、特に
限定されるものではないが、ＩＴＯの優れた電気光学的
特性を劣化させないため、（第３元素の酸化物の総和）
／（ＩＴＯ＋第３元素の酸化物の総和）／１００で０％
を超え２０％以下（重量比）とすることが好ましい。
【００３１】
【実施例】以下、本発明を実施例をもって更に詳細に説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３２】実施例１ 平均粒径１．３μｍの酸化インジウム粉末９００ｇと平
均粒径０．７μｍの酸化スズ粉末１００ｇをポリエチレ
ン製のポットに入れ、乾式ボールミルにより７２時間混
合し、混合粉末を製造した。前記混合粉末のタップ密度
を測定したところ２．０ｇ／ｃｍ3であった。
均粒径０．７μｍの酸化スズ粉末１００ｇをポリエチレ
ン製のポットに入れ、乾式ボールミルにより７２時間混
合し、混合粉末を製造した。前記混合粉末のタップ密度
を測定したところ２．０ｇ／ｃｍ3であった。
【００３３】この混合粉末を金型に入れ、３００ｋｇ／
ｃｍ2の圧力でプレスして成形体とした。この成形体を
３ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力でＣＩＰによる緻密化処理を行
った。次にこの成形体を純酸素雰囲気焼結炉内に設置し
て、以下の条件で焼結した。
ｃｍ2の圧力でプレスして成形体とした。この成形体を
３ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力でＣＩＰによる緻密化処理を行
った。次にこの成形体を純酸素雰囲気焼結炉内に設置し
て、以下の条件で焼結した。
【００３４】（焼結条件） 焼結温度：１５００℃、昇温速度：２５℃／Ｈｒ、焼結
時間：１０時間、焼結炉への導入ガス：酸素、導入ガス
線速：２．６ｃｍ／分、 得られた焼結体の密度をアルキメデス法により測定した
ところ７．１１ｇ／ｃｍ3（相対密度：９９．４％）で
あった。
時間：１０時間、焼結炉への導入ガス：酸素、導入ガス
線速：２．６ｃｍ／分、 得られた焼結体の密度をアルキメデス法により測定した
ところ７．１１ｇ／ｃｍ3（相対密度：９９．４％）で
あった。
【００３５】この焼結体を湿式加工法により、ボンディ
ング面を１０１．６ｍｍ×１７７．８ｍｍ、被スパッタ
リング面を１０３．６ｍｍ×１８０．６ｍｍ、厚さ６ｍ
ｍの長軸および短軸ともに対称である断面逆台形状の焼
結体に加工し、さらに焼結体のスパッタリング面の表面
粗さをＲａ＝０．７μｍ、Ｒｙ＝５．２μｍに機械加工
した。
ング面を１０１．６ｍｍ×１７７．８ｍｍ、被スパッタ
リング面を１０３．６ｍｍ×１８０．６ｍｍ、厚さ６ｍ
ｍの長軸および短軸ともに対称である断面逆台形状の焼
結体に加工し、さらに焼結体のスパッタリング面の表面
粗さをＲａ＝０．７μｍ、Ｒｙ＝５．２μｍに機械加工
した。
【００３６】このようにして得られた、焼結体とバッキ
ングプレートを１５６℃まで加熱した後、それぞれの接
合面にインジウム半田を塗布した。次に、焼結体をバッ
キングプレート上の所定の位置に配置した後、室温まで
冷却しターゲットとした。
ングプレートを１５６℃まで加熱した後、それぞれの接
合面にインジウム半田を塗布した。次に、焼結体をバッ
キングプレート上の所定の位置に配置した後、室温まで
冷却しターゲットとした。
【００３７】このターゲットを以下のスパッタリング条
件でスパッタリングを行った。
件でスパッタリングを行った。
【００３８】ＤＣ電力 ：３００ｗ スパッタガス：Ａｒ＋Ｏ2 ガス圧 ：５ｍＴｏｒｒ Ｏ2／Ａｒ ：０．１％ 以上の条件により連続的にスパッタリング試験を６０時
間実施した。放電後のターゲットの外観写真をコンピュ
ータを用いて画像処理を行いノジュール発生量を調べ
た。その結果、ターゲット表面の１８％の部分にノジュ
ールが発生していた。
間実施した。放電後のターゲットの外観写真をコンピュ
ータを用いて画像処理を行いノジュール発生量を調べ
た。その結果、ターゲット表面の１８％の部分にノジュ
ールが発生していた。
【００３９】実施例２ 実施例１と同じ条件でＩＴＯ焼結体を製造した。得られ
た焼結体の密度をアルキメデス法により測定したところ
７．１１ｇ／ｃｍ3（相対密度：９９．４％）であっ
た。
た焼結体の密度をアルキメデス法により測定したところ
７．１１ｇ／ｃｍ3（相対密度：９９．４％）であっ
た。
【００４０】この焼結体を湿式加工法により、ボンディ
ング面を１０１．６ｍｍ×１７７．８ｍｍ、被スパッタ
リング面を１０７．６ｍｍ×１８３．６ｍｍ、厚さ６ｍ
ｍの長軸および短軸ともに対称である断面逆台形状の焼
結体に加工し、さらに焼結体のスパッタリング面の表面
粗さをＲａ＝０．７μｍ、Ｒｙ＝５．２μｍに機械加工
した。
ング面を１０１．６ｍｍ×１７７．８ｍｍ、被スパッタ
リング面を１０７．６ｍｍ×１８３．６ｍｍ、厚さ６ｍ
ｍの長軸および短軸ともに対称である断面逆台形状の焼
結体に加工し、さらに焼結体のスパッタリング面の表面
粗さをＲａ＝０．７μｍ、Ｒｙ＝５．２μｍに機械加工
した。
【００４１】このようにして得られた、焼結体とバッキ
ングプレートを１５６℃まで加熱した後、それぞれの接
合面にインジウム半田を塗布した。次に、焼結体をバッ
キングプレート上の所定の位置に配置した後、室温まで
冷却しターゲットとした。
ングプレートを１５６℃まで加熱した後、それぞれの接
合面にインジウム半田を塗布した。次に、焼結体をバッ
キングプレート上の所定の位置に配置した後、室温まで
冷却しターゲットとした。
【００４２】このターゲットを実施例１と同様のスパッ
タリング条件で連続的にスパッタリング試験を６０時間
実施した。放電後のターゲットの外観写真をコンピュー
タを用いて画像処理を行いノジュール発生量を調べた。
その結果、ターゲット表面の１６％の部分にノジュール
が発生していた。
タリング条件で連続的にスパッタリング試験を６０時間
実施した。放電後のターゲットの外観写真をコンピュー
タを用いて画像処理を行いノジュール発生量を調べた。
その結果、ターゲット表面の１６％の部分にノジュール
が発生していた。
【００４３】実施例３ 実施例１と同じ条件でＩＴＯ焼結体を製造した。得られ
た焼結体の密度をアルキメデス法により測定したところ
７．１１ｇ／ｃｍ3（相対密度：９９．４％）であっ
た。
た焼結体の密度をアルキメデス法により測定したところ
７．１１ｇ／ｃｍ3（相対密度：９９．４％）であっ
た。
【００４４】この焼結体を湿式加工法により、ボンディ
ング面を１０１．６ｍｍ×１７７．８ｍｍ、被スパッタ
リング面を１１１．６ｍｍ×１８７．６ｍｍ、厚さ６ｍ
ｍの長軸および短軸ともに対称である断面逆台形状の焼
結体に加工し、さらに焼結体のスパッタリング面の表面
粗さをＲａ＝０．７μｍ、Ｒｙ＝５．２μｍに機械加工
した。
ング面を１０１．６ｍｍ×１７７．８ｍｍ、被スパッタ
リング面を１１１．６ｍｍ×１８７．６ｍｍ、厚さ６ｍ
ｍの長軸および短軸ともに対称である断面逆台形状の焼
結体に加工し、さらに焼結体のスパッタリング面の表面
粗さをＲａ＝０．７μｍ、Ｒｙ＝５．２μｍに機械加工
した。
【００４５】このようにして得られた、焼結体とバッキ
ングプレートを１５６℃まで加熱した後、それぞれの接
合面にインジウム半田を塗布した。次に、焼結体をバッ
キングプレート上の所定の位置に配置した後、室温まで
冷却しターゲットとした。
ングプレートを１５６℃まで加熱した後、それぞれの接
合面にインジウム半田を塗布した。次に、焼結体をバッ
キングプレート上の所定の位置に配置した後、室温まで
冷却しターゲットとした。
【００４６】このターゲットを実施例１と同様のスパッ
タリング条件で連続的にスパッタリング試験を６０時間
実施した。放電後のターゲットの外観写真をコンピュー
タを用いて画像処理を行いノジュール発生量を調べた。
その結果、ターゲット表面の１５％の部分にノジュール
が発生していた。
タリング条件で連続的にスパッタリング試験を６０時間
実施した。放電後のターゲットの外観写真をコンピュー
タを用いて画像処理を行いノジュール発生量を調べた。
その結果、ターゲット表面の１５％の部分にノジュール
が発生していた。
【００４７】比較例１ 実施例１と同じ条件でＩＴＯ焼結体を製造した。得られ
た焼結体の密度をアルキメデス法により測定したところ
７．１１ｇ／ｃｍ3（相対密度：９９．４％）であっ
た。
た焼結体の密度をアルキメデス法により測定したところ
７．１１ｇ／ｃｍ3（相対密度：９９．４％）であっ
た。
【００４８】この焼結体を湿式加工法により１０１．６
ｍｍ×１７７．８ｍｍ、厚さ６ｍｍの直方体に加工し、
さらに焼結体のスパッタリング面の表面粗さをＲａ＝
０．７μｍ、Ｒｙ＝５．２μｍに機械加工した。
ｍｍ×１７７．８ｍｍ、厚さ６ｍｍの直方体に加工し、
さらに焼結体のスパッタリング面の表面粗さをＲａ＝
０．７μｍ、Ｒｙ＝５．２μｍに機械加工した。
【００４９】このようにして得られた、焼結体とバッキ
ングプレートを１５６℃まで加熱した後、それぞれの接
合面にインジウム半田を塗布した。次に、焼結体をバッ
キングプレート上の所定の位置に配置した後、室温まで
冷却しターゲットとした。
ングプレートを１５６℃まで加熱した後、それぞれの接
合面にインジウム半田を塗布した。次に、焼結体をバッ
キングプレート上の所定の位置に配置した後、室温まで
冷却しターゲットとした。
【００５０】このターゲットを実施例１と同様のスパッ
タリング条件で連続的にスパッタリング試験を６０時間
実施した。放電後のターゲットの外観写真をコンピュー
タを用いて画像処理を行いノジュール発生量を調べた。
その結果、ターゲット表面の５９％の部分にノジュール
が発生していた。
タリング条件で連続的にスパッタリング試験を６０時間
実施した。放電後のターゲットの外観写真をコンピュー
タを用いて画像処理を行いノジュール発生量を調べた。
その結果、ターゲット表面の５９％の部分にノジュール
が発生していた。
【００５１】
【発明の効果】本発明により、ノジュールの発生しやす
い、低い印加電力で放電を行う成膜方法を用いた場合に
おいても、半田材として用いている金属インジウム起因
によるノジュールの発生を防止することができる。
い、低い印加電力で放電を行う成膜方法を用いた場合に
おいても、半田材として用いている金属インジウム起因
によるノジュールの発生を防止することができる。
【図１】 本発明のＩＴＯスパッタリングターゲットの
断面を示す図である。
断面を示す図である。
【図２】 本発明のＩＴＯスパッタリングターゲットの
他の例の断面を示す図である
他の例の断面を示す図である
Claims (4)
- 【請求項１】 実質的にインジウム、スズおよび酸素か
らなるＩＴＯ焼結体を、バッキングプレートに接合剤に
より接合してなるＩＴＯスパッタリングターゲットにお
いて、ＩＴＯ焼結体の被スパッタリング面と接合面とを
連結している面の少なくとも一つが、接合面に対して９
０度を超える角度をなして交差していることを特徴とす
るＩＴＯスパッタリングタ−ゲット - 【請求項２】 実質的にインジウム、スズおよび酸素か
らなるＩＴＯ焼結体を、バッキングプレートに接合剤に
より接合してなるＩＴＯスパッタリングターゲットにお
いて、ＩＴＯ焼結体の被スパッタリング面の端部の少な
くとも一部が、ボンディング面の端部よりも突出してお
り、その突出する長さが、片側で１ｍｍ以上５ｍｍ以下
であることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲッ
ト。 - 【請求項３】 ＩＴＯ焼結体の相対密度が、９９％以上
であることを特徴とする請求項１または２に記載のＩＴ
Ｏスパッタリングターゲット。 - 【請求項４】 ＩＴＯ焼結体のスパッタリング面の平均
線中心粗さ（Ｒａ）が０．８μｍ以下、かつ最大高さ
（Ｒｙ）が６．５μｍ以下であることを特徴とする請求
項１〜３のいずれか１項に記載のＩＴＯスパッタリング
ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35155699A JP3636014B2 (ja) | 1999-12-10 | 1999-12-10 | Ｉｔｏスパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35155699A JP3636014B2 (ja) | 1999-12-10 | 1999-12-10 | Ｉｔｏスパッタリングターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001164359A true JP2001164359A (ja) | 2001-06-19 |
| JP3636014B2 JP3636014B2 (ja) | 2005-04-06 |
Family
ID=18418093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35155699A Expired - Fee Related JP3636014B2 (ja) | 1999-12-10 | 1999-12-10 | Ｉｔｏスパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3636014B2 (ja) |
-
1999
- 1999-12-10 JP JP35155699A patent/JP3636014B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3636014B2 (ja) | 2005-04-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5630918A (en) | ITO sputtering target | |
| JP4470029B2 (ja) | 分割ｉｔｏスパッタリングターゲット | |
| TW201630849A (zh) | Ｉｔｏ濺鍍靶及其製造方法、以及ｉｔｏ透明導電膜及ｉｔｏ透明導電膜之製造方法 | |
| JP3967067B2 (ja) | スパッタリングターゲット | |
| KR100880174B1 (ko) | Ｉｔｏ 스퍼터링 타겟 | |
| JP4813182B2 (ja) | Ｉｔｏスパッタリングターゲット | |
| JP2000233969A (ja) | Ｉｔｏスパッタリングターゲットおよび透明導電膜の製造方法 | |
| JP3603693B2 (ja) | Ｉｔｏスパッタリングターゲット | |
| JP4917725B2 (ja) | 透明導電膜およびその製造方法並びにその用途 | |
| JPH1161395A (ja) | Ｉｔｏスパッタリングターゲット | |
| JP2001335925A (ja) | Ｉｔｏ薄膜の製造方法 | |
| JP2000345325A (ja) | Ｉｔｏスパッタリングターゲット | |
| JP2001164359A (ja) | Ｉｔｏスパッタリングターゲット | |
| JP3993721B2 (ja) | スパッタリングターゲット | |
| KR20060056393A (ko) | 스퍼터링 타깃과 그것을 이용한 Ｓｉ 산화막의 제조 방법 | |
| KR100754356B1 (ko) | 아이티오 스퍼터링 타겟 | |
| JP2002030429A (ja) | Ｉｔｏスパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| JP3676961B2 (ja) | Ｉｔｏ膜形成用酸化錫−酸化インジウム粉末及びｉｔｏ膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP2001040469A (ja) | 多分割ｉｔｏスパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| JP4934926B2 (ja) | Ｉｔｏスパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| JP4794757B2 (ja) | 透明電極膜を形成するためのスパッタリングターゲット | |
| JP2001164358A (ja) | Ｉｔｏスパッタリングターゲット | |
| JP2003119560A (ja) | スパッタリングターゲット | |
| JP2000256842A (ja) | Ｉｔｏスパッタリングターゲット、並びにｉｔｏ焼結体及び透明導電膜の製造方法 | |
| JP2001262326A (ja) | 酸化インジウム−金属錫混合粉末及び同混合粉末を原料とするｉｔｏスパッタリングターゲット並びに同ターゲットの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040623 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040720 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041214 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041227 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090114 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100114 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100114 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110114 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120114 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130114 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130114 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |