JP2000345325A - Ｉｔｏスパッタリングターゲット - Google Patents
ＩｔｏスパッタリングターゲットInfo
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- JP2000345325A JP2000345325A JP15386499A JP15386499A JP2000345325A JP 2000345325 A JP2000345325 A JP 2000345325A JP 15386499 A JP15386499 A JP 15386499A JP 15386499 A JP15386499 A JP 15386499A JP 2000345325 A JP2000345325 A JP 2000345325A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ノジュールの発生しやすい、低い印加電
力で放電を行う成膜方法を用いた場合においても、ター
ゲット表面に発生するノジュール量を低減できるＩＴＯ
スパッタリングターゲットを提供する。 【解決手段】 実質的にインジウム、スズおよび酸素か
らなるＩＴＯ焼結体を、スズを３〜１５重量％含有する
インジウム−スズ半田により無酸素銅等の金属製バッキ
ングプレートに接合してなるＩＴＯスパッタリングター
ゲット。
力で放電を行う成膜方法を用いた場合においても、ター
ゲット表面に発生するノジュール量を低減できるＩＴＯ
スパッタリングターゲットを提供する。 【解決手段】 実質的にインジウム、スズおよび酸素か
らなるＩＴＯ焼結体を、スズを３〜１５重量％含有する
インジウム−スズ半田により無酸素銅等の金属製バッキ
ングプレートに接合してなるＩＴＯスパッタリングター
ゲット。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、透明導電性薄膜製
造の際に使用されるＩＴＯスパッタリングターゲットに
関するものである。
造の際に使用されるＩＴＯスパッタリングターゲットに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ（Ｉ
ＴＯ）薄膜は高導電性、高透過率といった特徴を有し、
更に微細加工も容易に行えることから、フラットパネル
ディスプレイ用表示電極、太陽電池用窓材、帯電防止膜
等の広範囲な分野に渡って用いられている。特に液晶表
示装置を始めとしたフラットパネルディスプレイ分野で
は近年大型化および高精細化が進んでおり、その表示用
電極であるＩＴＯ薄膜に対する需要もまた急速に高まっ
ている。
ＴＯ）薄膜は高導電性、高透過率といった特徴を有し、
更に微細加工も容易に行えることから、フラットパネル
ディスプレイ用表示電極、太陽電池用窓材、帯電防止膜
等の広範囲な分野に渡って用いられている。特に液晶表
示装置を始めとしたフラットパネルディスプレイ分野で
は近年大型化および高精細化が進んでおり、その表示用
電極であるＩＴＯ薄膜に対する需要もまた急速に高まっ
ている。
【０００３】このようなＩＴＯ薄膜の製造方法はスプレ
ー熱分解法、ＣＶＤ法等の化学的成膜法と電子ビーム蒸
着法、スパッタリング法等の物理的成膜法に大別するこ
とができる。中でもスパッタリング法は大面積化が容易
でかつ高性能の膜が得られる成膜法でることから、様々
な分野で使用されている。
ー熱分解法、ＣＶＤ法等の化学的成膜法と電子ビーム蒸
着法、スパッタリング法等の物理的成膜法に大別するこ
とができる。中でもスパッタリング法は大面積化が容易
でかつ高性能の膜が得られる成膜法でることから、様々
な分野で使用されている。
【０００４】スパッタリング法によりＩＴＯ薄膜を製造
する場合、用いるスパッタリングターゲットとしては金
属インジウムおよび金属スズからなる合金ターゲット
（ＩＴターゲット）あるいは酸化インジウムと酸化スズ
からなる複合酸化物ターゲット（ＩＴＯターゲット）が
用いられる。このうち、ＩＴＯターゲットを用いる方法
は、ＩＴターゲットを用いる方法と比較して、得られた
膜の抵抗値および透過率の経時変化が少なく成膜条件の
コントロールが容易であるため、ＩＴＯ薄膜製造方法の
主流となっている。
する場合、用いるスパッタリングターゲットとしては金
属インジウムおよび金属スズからなる合金ターゲット
（ＩＴターゲット）あるいは酸化インジウムと酸化スズ
からなる複合酸化物ターゲット（ＩＴＯターゲット）が
用いられる。このうち、ＩＴＯターゲットを用いる方法
は、ＩＴターゲットを用いる方法と比較して、得られた
膜の抵抗値および透過率の経時変化が少なく成膜条件の
コントロールが容易であるため、ＩＴＯ薄膜製造方法の
主流となっている。
【０００５】ＩＴＯターゲットをアルゴンガスと酸素ガ
スとの混合ガス雰囲気中で連続してスパッタリングした
場合、積算スパッタリング時間の増加と共にターゲット
表面にはノジュールと呼ばれる黒色の付着物が析出す
る。インジウムの低級酸化物と考えられているこの黒色
の付着物は、ターゲットのエロージョン部の周囲に析出
するため、スパッタリング時の異常放電の原因となりや
すく、またそれ自身が異物（パーティクル）の発生源と
なることが知られている。
スとの混合ガス雰囲気中で連続してスパッタリングした
場合、積算スパッタリング時間の増加と共にターゲット
表面にはノジュールと呼ばれる黒色の付着物が析出す
る。インジウムの低級酸化物と考えられているこの黒色
の付着物は、ターゲットのエロージョン部の周囲に析出
するため、スパッタリング時の異常放電の原因となりや
すく、またそれ自身が異物（パーティクル）の発生源と
なることが知られている。
【０００６】その結果、連続してスパッタリングを行う
と、形成された薄膜中に異物欠陥が発生し、これが液晶
表示装置等のフラットパネルディスプレイの製造歩留ま
り低下の原因となっていた。特に近年、フラットパネル
ディスプレイの分野では、高精細化が進んでおり、この
ような薄膜中の異物欠陥は素子の動作不良を引き起こす
ため、特に解決すべき重要な課題となっていた。
と、形成された薄膜中に異物欠陥が発生し、これが液晶
表示装置等のフラットパネルディスプレイの製造歩留ま
り低下の原因となっていた。特に近年、フラットパネル
ディスプレイの分野では、高精細化が進んでおり、この
ような薄膜中の異物欠陥は素子の動作不良を引き起こす
ため、特に解決すべき重要な課題となっていた。
【０００７】このような問題を解決するため、例えば特
開平０８−０６０３５２号のように、ターゲットの密度
を６．４ｇ／ｃｍ3以上とするとともにターゲットの表
面粗さを制御することにより、ノジュールの発生を低減
できることが報告されている。
開平０８−０６０３５２号のように、ターゲットの密度
を６．４ｇ／ｃｍ3以上とするとともにターゲットの表
面粗さを制御することにより、ノジュールの発生を低減
できることが報告されている。
【０００８】しかしながら、近年、液晶表示素子の高精
細化、高性能化にともない形成される薄膜の性能を向上
させることを目的として、低い印加電力で放電を行う成
膜方法が採用されるようになってきた。この低い印加電
力での成膜により、上記のような手法を取り入れたター
ゲットを用いた場合においても、ノジュールが発生し問
題となってきている。これは、印加電力が低下したこと
により、一度発生したノジュールの核が、強い印加電力
によって消滅することなく、掘れ残りの核となる確率が
増加したことによると考えられている。
細化、高性能化にともない形成される薄膜の性能を向上
させることを目的として、低い印加電力で放電を行う成
膜方法が採用されるようになってきた。この低い印加電
力での成膜により、上記のような手法を取り入れたター
ゲットを用いた場合においても、ノジュールが発生し問
題となってきている。これは、印加電力が低下したこと
により、一度発生したノジュールの核が、強い印加電力
によって消滅することなく、掘れ残りの核となる確率が
増加したことによると考えられている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、ノジ
ュールの発生しやすい、低い印加電力で放電を行う成膜
方法を用いた場合においてもターゲット表面に発生する
ノジュール量を低減できるＩＴＯスパッタリングターゲ
ットを提供することにある。
ュールの発生しやすい、低い印加電力で放電を行う成膜
方法を用いた場合においてもターゲット表面に発生する
ノジュール量を低減できるＩＴＯスパッタリングターゲ
ットを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者等はＩＴＯスパ
ッタリングターゲットのノジュールの発生量を低減させ
るため、ノジュールの形成原因について詳細な検討を行
った。その結果、一部のノジュールは、ＩＴＯ焼結体と
バッキングプレートとの接合に用いているハンダ材であ
る金属インジウムが、スパッタリング中にターゲット表
面のエロージョン部に付着し、付着した金属インジウム
を核としてターゲットが掘れ残り、ノジュールとなるこ
とを発見した。金属インジウムが、掘れ残りを発生させ
る核となる原因は未だ明らかではないが、ターゲット表
面に付着した金属インジウムは、スパッタリングガス中
に含まれる酸素と反応して酸化インジウムを形成し、こ
の酸化インジウムはＩＴＯと比べて抵抗率が非常に高い
ために掘れ残るものと考えられる。
ッタリングターゲットのノジュールの発生量を低減させ
るため、ノジュールの形成原因について詳細な検討を行
った。その結果、一部のノジュールは、ＩＴＯ焼結体と
バッキングプレートとの接合に用いているハンダ材であ
る金属インジウムが、スパッタリング中にターゲット表
面のエロージョン部に付着し、付着した金属インジウム
を核としてターゲットが掘れ残り、ノジュールとなるこ
とを発見した。金属インジウムが、掘れ残りを発生させ
る核となる原因は未だ明らかではないが、ターゲット表
面に付着した金属インジウムは、スパッタリングガス中
に含まれる酸素と反応して酸化インジウムを形成し、こ
の酸化インジウムはＩＴＯと比べて抵抗率が非常に高い
ために掘れ残るものと考えられる。
【００１１】そこで本発明者等は、ＩＴＯ焼結体とバッ
キングプレートの接合剤として用いている半田材料につ
いて詳細な検討を行った。その結果、半田材料として、
インジウム−スズ合金を用いることにより、半田材起因
のノジュール発生を低減できることを見出し、本発明を
完成した。
キングプレートの接合剤として用いている半田材料につ
いて詳細な検討を行った。その結果、半田材料として、
インジウム−スズ合金を用いることにより、半田材起因
のノジュール発生を低減できることを見出し、本発明を
完成した。
【００１２】即ち、本発明は、実質的にインジウム、ス
ズおよび酸素からなるＩＴＯ焼結体を、インジウム−ス
ズ半田により金属製バッキングプレートに接合してなる
ＩＴＯスパッタリングターゲットに関する。
ズおよび酸素からなるＩＴＯ焼結体を、インジウム−ス
ズ半田により金属製バッキングプレートに接合してなる
ＩＴＯスパッタリングターゲットに関する。
【００１３】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１４】本発明に使用されるＩＴＯ焼結体およびそ
の製造方法としては、特に限定されるものではないが、
例えば、以下のような方法で製造することができる。
の製造方法としては、特に限定されるものではないが、
例えば、以下のような方法で製造することができる。
【００１５】始めに、酸化インジウム粉末と酸化スズ粉
末との混合粉末或いはＩＴＯ粉末等にバインダー等を加
え、プレス法或いは鋳込法等の成形方法により成形して
ＩＴＯ成形体を製造する。この際、使用する粉末の平均
粒径が大きいと焼結後の密度が充分に上昇しない場合が
あるので、使用する粉末の平均粒径は１．５μｍ以下で
あることが好ましく、更に好ましくは０．１〜１．５μ
ｍである。こうすることにより、より焼結密度の高い焼
結体を得ることが可能となる。
末との混合粉末或いはＩＴＯ粉末等にバインダー等を加
え、プレス法或いは鋳込法等の成形方法により成形して
ＩＴＯ成形体を製造する。この際、使用する粉末の平均
粒径が大きいと焼結後の密度が充分に上昇しない場合が
あるので、使用する粉末の平均粒径は１．５μｍ以下で
あることが好ましく、更に好ましくは０．１〜１．５μ
ｍである。こうすることにより、より焼結密度の高い焼
結体を得ることが可能となる。
【００１６】また、混合粉末またはＩＴＯ粉末中の酸化
スズ含有量は、スパッタリング法により薄膜を製造した
際に比抵抗が低下する５〜１５重量％とすることが望ま
しい。
スズ含有量は、スパッタリング法により薄膜を製造した
際に比抵抗が低下する５〜１５重量％とすることが望ま
しい。
【００１７】次に、得られた成形体に必要に応じて、Ｃ
ＩＰ等の圧密化処理を行う。この際、ＣＩＰ圧力は充分
な圧密効果を得るため２ｔｏｎ／ｃｍ2以上、好ましく
は２〜３ｔｏｎ／ｃｍ2であることが望ましい。ここで
始めの成形を鋳込法により行った場合には、ＣＩＰ後の
成形体中に残存する水分およびバインダー等の有機物を
除去する目的で脱バインダー処理を施してもよい。ま
た、始めの成形をプレス法により行った場合でも、成型
時にバインダーを使用したときには、同様の脱バインダ
ー処理を行うことが望ましい。
ＩＰ等の圧密化処理を行う。この際、ＣＩＰ圧力は充分
な圧密効果を得るため２ｔｏｎ／ｃｍ2以上、好ましく
は２〜３ｔｏｎ／ｃｍ2であることが望ましい。ここで
始めの成形を鋳込法により行った場合には、ＣＩＰ後の
成形体中に残存する水分およびバインダー等の有機物を
除去する目的で脱バインダー処理を施してもよい。ま
た、始めの成形をプレス法により行った場合でも、成型
時にバインダーを使用したときには、同様の脱バインダ
ー処理を行うことが望ましい。
【００１８】このようにして得られた成形体を焼結炉内
に投入して焼結を行う。焼結方法としては、いかなる方
法でも用いることができるが、生産設備のコスト等を考
慮すると大気中焼結が望ましい。しかしこの他ＨＰ法、
ＨＩＰ法および酸素加圧焼結法等の従来知られている他
の焼結法を用いることができることは言うまでもない。
に投入して焼結を行う。焼結方法としては、いかなる方
法でも用いることができるが、生産設備のコスト等を考
慮すると大気中焼結が望ましい。しかしこの他ＨＰ法、
ＨＩＰ法および酸素加圧焼結法等の従来知られている他
の焼結法を用いることができることは言うまでもない。
【００１９】また焼結条件についても適宜選択すること
ができるが、充分な密度上昇効果を得るため、また酸化
スズの蒸発を抑制するため、焼結温度は１４５０〜１６
５０℃であることが望ましい。また焼結時の雰囲気とし
ては大気或いは純酸素雰囲気であることが好ましい。ま
た焼結時間についても充分な密度上昇効果を得るために
５時間以上、好ましくは５〜３０時間であることが望ま
しい。
ができるが、充分な密度上昇効果を得るため、また酸化
スズの蒸発を抑制するため、焼結温度は１４５０〜１６
５０℃であることが望ましい。また焼結時の雰囲気とし
ては大気或いは純酸素雰囲気であることが好ましい。ま
た焼結時間についても充分な密度上昇効果を得るために
５時間以上、好ましくは５〜３０時間であることが望ま
しい。
【００２０】こうすることにより、焼結密度の高いＩＴ
Ｏ焼結体を得ることができる。本発明においては、使用
するＩＴＯ焼結体の密度は特に限定されないが、焼結体
のポアのエッジ部での電界集中による異常放電やノジュ
ールの発生を抑制するため、相対密度で９９％以上とす
ることが好ましく、より好ましくは９９．５％以上であ
る。
Ｏ焼結体を得ることができる。本発明においては、使用
するＩＴＯ焼結体の密度は特に限定されないが、焼結体
のポアのエッジ部での電界集中による異常放電やノジュ
ールの発生を抑制するため、相対密度で９９％以上とす
ることが好ましく、より好ましくは９９．５％以上であ
る。
【００２１】続いて上記のような方法により製造したＩ
ＴＯ焼結体を所望の大きさに研削加工する。ＩＴＯ焼結
体は、高密度であるほど硬度が高く、研削加工中に焼結
体内部にクラックを生じ易いので、加工は湿式加工で行
うことが望ましい。また、併せてＩＴＯ焼結体のスパッ
タリング面の機械的に研磨し、スパッタリング面の表面
粗さを平均線中心粗さ（Ｒａ）が０．８μｍ以下、か
つ、最大高さ（Ｒｍａｘ）が７．０μｍ以下となるよう
に加工することが好ましい。より好ましくは、Ｒａが
０．１μｍ以下、かつ、Ｒｍａｘが２．０μｍ以下であ
る。こうすることにより、ターゲット表面の凹凸部で発
生する異常放電や異常放電によるノジュールの形成をよ
り効果的に抑制することが可能となる。
ＴＯ焼結体を所望の大きさに研削加工する。ＩＴＯ焼結
体は、高密度であるほど硬度が高く、研削加工中に焼結
体内部にクラックを生じ易いので、加工は湿式加工で行
うことが望ましい。また、併せてＩＴＯ焼結体のスパッ
タリング面の機械的に研磨し、スパッタリング面の表面
粗さを平均線中心粗さ（Ｒａ）が０．８μｍ以下、か
つ、最大高さ（Ｒｍａｘ）が７．０μｍ以下となるよう
に加工することが好ましい。より好ましくは、Ｒａが
０．１μｍ以下、かつ、Ｒｍａｘが２．０μｍ以下であ
る。こうすることにより、ターゲット表面の凹凸部で発
生する異常放電や異常放電によるノジュールの形成をよ
り効果的に抑制することが可能となる。
【００２２】このようにして得られた、ＩＴＯ焼結体を
バッキングプレート上に接合する。本発明に使用される
バッキングプレートは特に限定されないが、例えば、無
酸素銅およびリン酸銅等があげられる。
バッキングプレート上に接合する。本発明に使用される
バッキングプレートは特に限定されないが、例えば、無
酸素銅およびリン酸銅等があげられる。
【００２３】接合は、例えば、次に示すような工程に従
って行うことができる。まず、ＩＴＯ焼結体とバッキン
グプレートとを使用する半田材の融点以上に加熱する。
次に加熱されたＩＴＯ焼結体およびバッキングプレート
の接合面にインジウム−スズ半田を塗布する。半田の塗
布方法としては、例えば、超音波はんだごてによる塗布
や、直接半田を溶解して塗布すればよく、塗布厚として
は、例えば、０．1〜０．６ｍｍが好ましい。
って行うことができる。まず、ＩＴＯ焼結体とバッキン
グプレートとを使用する半田材の融点以上に加熱する。
次に加熱されたＩＴＯ焼結体およびバッキングプレート
の接合面にインジウム−スズ半田を塗布する。半田の塗
布方法としては、例えば、超音波はんだごてによる塗布
や、直接半田を溶解して塗布すればよく、塗布厚として
は、例えば、０．1〜０．６ｍｍが好ましい。
【００２４】半田材料をインジウム−スズ合金とするこ
とにより、スパッタリング中に半田材が何らかの理由で
ターゲットのエージョン部に付着した後、酸化したとし
てもＩＴＯとなるため、周囲の焼結体と抵抗率がほぼ同
じとなり、掘れ残りが生ぜずノジュール生成は生成され
ない。一方、従来のようにインジウムを使用した場合で
は、エロージョン部に付着した後、酸化することによ
り、ＩＴＯ焼結体と比べて高抵抗率となるため、ノジュ
ール生成の核に容易になり得る。
とにより、スパッタリング中に半田材が何らかの理由で
ターゲットのエージョン部に付着した後、酸化したとし
てもＩＴＯとなるため、周囲の焼結体と抵抗率がほぼ同
じとなり、掘れ残りが生ぜずノジュール生成は生成され
ない。一方、従来のようにインジウムを使用した場合で
は、エロージョン部に付着した後、酸化することによ
り、ＩＴＯ焼結体と比べて高抵抗率となるため、ノジュ
ール生成の核に容易になり得る。
【００２５】従って、半田材にインジウム−スズ合金を
使用した場合においても、酸化物となったときに抵抗率
が低下するように、半田材中のスズ濃度（スズ／（イン
ジウム＋スズ）×１００）を重量比で３〜１５％とする
ことが好ましい。
使用した場合においても、酸化物となったときに抵抗率
が低下するように、半田材中のスズ濃度（スズ／（イン
ジウム＋スズ）×１００）を重量比で３〜１５％とする
ことが好ましい。
【００２６】次に半田材塗布済みのＩＴＯ焼結体とバッ
キングプレートの接合面同士を合わせて接合し、室温ま
で冷却することにより、本発明のＩＴＯターゲットを得
ることができる。
キングプレートの接合面同士を合わせて接合し、室温ま
で冷却することにより、本発明のＩＴＯターゲットを得
ることができる。
【００２７】本発明によりＩＴＯスパッタリングターゲ
ットは、特にスパッタリング法を限定することなく使用
することができる。ターゲット下部に配置される磁石
は、固定型のものでもよいし、揺動型のものでもよく、
磁石の強さにも関係なく使用することができる。
ットは、特にスパッタリング法を限定することなく使用
することができる。ターゲット下部に配置される磁石
は、固定型のものでもよいし、揺動型のものでもよく、
磁石の強さにも関係なく使用することができる。
【００２８】スパッタリングガスとしては、アルゴンな
どの不活性ガスなどに必要に応じて酸素ガスなどが加え
られ、通常２〜１０ｍＴｏｒｒにこれらのガス圧を制御
しながら、放電が行われる。放電のための電力印可方式
としては、ＤＣ、ＲＦあるいはこれらを組み合わせたも
のが使用可能であるが、放電の安定性を考慮し、ＤＣあ
るいはＤＣにＲＦを重畳したものが好ましい。ターゲッ
トに加えられる電力密度については特に制限はないが、
本発明のターゲットは、近年の低電力放電（２．０Ｗ／
ｃｍ2以下）の条件下において、特に有効である。
どの不活性ガスなどに必要に応じて酸素ガスなどが加え
られ、通常２〜１０ｍＴｏｒｒにこれらのガス圧を制御
しながら、放電が行われる。放電のための電力印可方式
としては、ＤＣ、ＲＦあるいはこれらを組み合わせたも
のが使用可能であるが、放電の安定性を考慮し、ＤＣあ
るいはＤＣにＲＦを重畳したものが好ましい。ターゲッ
トに加えられる電力密度については特に制限はないが、
本発明のターゲットは、近年の低電力放電（２．０Ｗ／
ｃｍ2以下）の条件下において、特に有効である。
【００２９】また、本発明によるスパッタリングターゲ
ットは、ＩＴＯに付加機能を持たせることを目的として
第３の元素を添加したターゲットにおいても有効であ
る。第３元素としては、例えば、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔ
ｉ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｔａ等
を例示することができる。これら元素の添加量は、特に
限定されるものではないが、ＩＴＯの優れた電気光学的
特性を劣化させないため、（第３元素の酸化物の総和）
／（ＩＴＯ＋第３元素の酸化物の総和）／１００で０％
を超え２０％以下（重量比）とすることが好ましい。
ットは、ＩＴＯに付加機能を持たせることを目的として
第３の元素を添加したターゲットにおいても有効であ
る。第３元素としては、例えば、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔ
ｉ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｔａ等
を例示することができる。これら元素の添加量は、特に
限定されるものではないが、ＩＴＯの優れた電気光学的
特性を劣化させないため、（第３元素の酸化物の総和）
／（ＩＴＯ＋第３元素の酸化物の総和）／１００で０％
を超え２０％以下（重量比）とすることが好ましい。
【００３０】
【実施例】以下、本発明を実施例をもって更に詳細に説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３１】実施例１ 平均粒径１．３μｍの酸化インジウム粉末９００ｇと平
均粒径０．７μｍの酸化スズ粉末１００ｇをポリエチレ
ン製のポットに入れ、乾式ボールミルにより７２時間混
合し、混合粉末を製造した。前記混合粉末のタップ密度
を測定したところ２．０ｇ／ｃｍ3であった。
均粒径０．７μｍの酸化スズ粉末１００ｇをポリエチレ
ン製のポットに入れ、乾式ボールミルにより７２時間混
合し、混合粉末を製造した。前記混合粉末のタップ密度
を測定したところ２．０ｇ／ｃｍ3であった。
【００３２】この混合粉末を金型に入れ、３００ｋｇ／
ｃｍ2の圧力でプレスして成形体とした。この成形体を
３ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力でＣＩＰによる緻密化処理を行
った。次にこの成形体を純酸素雰囲気焼結炉内に設置し
て、以下の条件で焼結した。
ｃｍ2の圧力でプレスして成形体とした。この成形体を
３ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力でＣＩＰによる緻密化処理を行
った。次にこの成形体を純酸素雰囲気焼結炉内に設置し
て、以下の条件で焼結した。
【００３３】（焼結条件）焼結温度：１５００℃、昇温
速度：２５℃／Ｈｒ、焼結時間：１０時間、焼結炉への
導入ガス：酸素、導入ガス線速：２．６ｃｍ／分、得ら
れた焼結体の密度をアルキメデス法により測定したとこ
ろ７．１１ｇ／ｃｍ3（相対密度：９９．４％）であっ
た。
速度：２５℃／Ｈｒ、焼結時間：１０時間、焼結炉への
導入ガス：酸素、導入ガス線速：２．６ｃｍ／分、得ら
れた焼結体の密度をアルキメデス法により測定したとこ
ろ７．１１ｇ／ｃｍ3（相対密度：９９．４％）であっ
た。
【００３４】この焼結体を湿式加工法により４インチ×
７インチ、厚さ６ｍｍの焼結体に加工し、さらに焼結体
のスパッタリング面の表面粗さをＲａ：０．７μｍ、Ｒ
ｍａｘ：５．５μｍに機械加工した。
７インチ、厚さ６ｍｍの焼結体に加工し、さらに焼結体
のスパッタリング面の表面粗さをＲａ：０．７μｍ、Ｒ
ｍａｘ：５．５μｍに機械加工した。
【００３５】次に、スズを１０重量％含有したインジウ
ム−スズ半田をＩＴＯ焼結体及び無酸素銅製のバッキン
グプレートの各接合面に塗布した後、接合してＩＴＯタ
ーゲットとした。
ム−スズ半田をＩＴＯ焼結体及び無酸素銅製のバッキン
グプレートの各接合面に塗布した後、接合してＩＴＯタ
ーゲットとした。
【００３６】このターゲットを以下のスパッタリング条
件でスパッタリングを行った。
件でスパッタリングを行った。
【００３７】 ＤＣ電力 ：１．３ｗ／ｃｍ2 スパッタガス：Ａｒ＋Ｏ2 ガス圧 ：５ｍＴｏｒｒ Ｏ2／Ａｒ ：０．１％ 以上の条件により連続的にスパッタリング試験を６０時
間実施した。放電後のターゲットの外観写真に対してコ
ンピュータを用いて画像処理を行い、ノジュール発生量
を調べた。その結果、ターゲット表面の１４％の部分に
ノジュ−ルが発生していた。
間実施した。放電後のターゲットの外観写真に対してコ
ンピュータを用いて画像処理を行い、ノジュール発生量
を調べた。その結果、ターゲット表面の１４％の部分に
ノジュ−ルが発生していた。
【００３８】実施例２ 実施例１と同じ条件でＩＴＯ焼結体を製造した。得られ
た焼結体の密度をアルキメデス法により測定したところ
７．１１ｇ／ｃｍ3であった。
た焼結体の密度をアルキメデス法により測定したところ
７．１１ｇ／ｃｍ3であった。
【００３９】この焼結体を湿式加工法により４インチ×
７インチ、厚さ６ｍｍの焼結体に加工し、さらに焼結体
のスパッタリング面の表面粗さをＲａ：０．１μｍ、Ｒ
ｍａｘ：１．０μｍに機械加工した。
７インチ、厚さ６ｍｍの焼結体に加工し、さらに焼結体
のスパッタリング面の表面粗さをＲａ：０．１μｍ、Ｒ
ｍａｘ：１．０μｍに機械加工した。
【００４０】次に、スズを５重量％含有したインジウム
−スズ半田をＩＴＯ焼結体及び無酸素銅製のバッキング
プレートの各接合面に塗布した後、接合してＩＴＯター
ゲットとした。
−スズ半田をＩＴＯ焼結体及び無酸素銅製のバッキング
プレートの各接合面に塗布した後、接合してＩＴＯター
ゲットとした。
【００４１】このターゲットを実施例１と同様のスパッ
タリング条件でスパッタリングを行った。連続的にスパ
ッタリング試験を６０時間実施した後、実施例１と同様
にターゲットの外観写真を画像処理したところ、ターゲ
ット表面の６％の部分にノジュ−ルが発生していた。
タリング条件でスパッタリングを行った。連続的にスパ
ッタリング試験を６０時間実施した後、実施例１と同様
にターゲットの外観写真を画像処理したところ、ターゲ
ット表面の６％の部分にノジュ−ルが発生していた。
【００４２】実施例３ 実施例１と同じ条件でＩＴＯ焼結体を製造した。得られ
た焼結体の密度をアルキメデス法により測定したところ
７．１１ｇ／ｃｍ3であった。
た焼結体の密度をアルキメデス法により測定したところ
７．１１ｇ／ｃｍ3であった。
【００４３】この焼結体を湿式加工法により４インチ×
７インチ、厚さ６ｍｍの焼結体に加工し、さらに焼結体
のスパッタリング面の表面粗さをＲａ：０．１μｍ、Ｒ
ｍａｘ：１．０μｍに機械加工した。
７インチ、厚さ６ｍｍの焼結体に加工し、さらに焼結体
のスパッタリング面の表面粗さをＲａ：０．１μｍ、Ｒ
ｍａｘ：１．０μｍに機械加工した。
【００４４】次に、スズを１２重量％含有したインジウ
ム−スズ半田をＩＴＯ焼結体及び無酸素銅製のバッキン
グプレートの各接合面に塗布した後、接合してＩＴＯタ
ーゲットとした。
ム−スズ半田をＩＴＯ焼結体及び無酸素銅製のバッキン
グプレートの各接合面に塗布した後、接合してＩＴＯタ
ーゲットとした。
【００４５】このターゲットを実施例１と同様のスパッ
タリング条件でスパッタリングを行った。連続的にスパ
ッタリング試験を６０時間実施した後、実施例１と同様
にターゲットの外観写真を画像処理したところ、ターゲ
ット表面の６％の部分にノジュ−ルが発生していた。
タリング条件でスパッタリングを行った。連続的にスパ
ッタリング試験を６０時間実施した後、実施例１と同様
にターゲットの外観写真を画像処理したところ、ターゲ
ット表面の６％の部分にノジュ−ルが発生していた。
【００４６】比較例１ 実施例１と同じ条件でＩＴＯ焼結体を製造した。得られ
た焼結体の密度をアルキメデス法により測定したところ
７．１１ｇ／ｃｍ3であった。
た焼結体の密度をアルキメデス法により測定したところ
７．１１ｇ／ｃｍ3であった。
【００４７】この焼結体を湿式加工法により４インチ×
７インチ、厚さ６ｍｍの焼結体に加工し、さらに焼結体
のスパッタリング面の表面粗さをＲａ：０．１μｍ、Ｒ
ｍａｘ：１．０μｍに機械加工した。
７インチ、厚さ６ｍｍの焼結体に加工し、さらに焼結体
のスパッタリング面の表面粗さをＲａ：０．１μｍ、Ｒ
ｍａｘ：１．０μｍに機械加工した。
【００４８】次に、インジウム半田をＩＴＯ焼結体及び
無酸素銅製のバッキングプレートの各接合面に塗布した
後、接合してＩＴＯターゲットとした。
無酸素銅製のバッキングプレートの各接合面に塗布した
後、接合してＩＴＯターゲットとした。
【００４９】このターゲットを実施例１と同様のスパッ
タリング条件でスパッタリングを行った。連続的にスパ
ッタリング試験を６０時間実施した後、実施例１と同様
にターゲットの外観写真を画像処理したところ、ターゲ
ット表面の３８％の部分にノジュ−ルが発生していた。
タリング条件でスパッタリングを行った。連続的にスパ
ッタリング試験を６０時間実施した後、実施例１と同様
にターゲットの外観写真を画像処理したところ、ターゲ
ット表面の３８％の部分にノジュ−ルが発生していた。
【００５０】
【発明の効果】本発明のＩＴＯスパッタリングターゲッ
トは、近年の低印加電力の成膜方法を用いた場合におい
ても、ノジュール発生量を低減することができる。
トは、近年の低印加電力の成膜方法を用いた場合におい
ても、ノジュール発生量を低減することができる。
Claims (4)
- 【請求項１】 実質的にインジウム、スズおよび酸素か
らなるＩＴＯ焼結体を、インジウム−スズ半田により金
属製バッキングプレートに接合してなるＩＴＯスパッタ
リングターゲット。 - 【請求項２】 実質的にインジウム、スズおよび酸素か
ら成るＩＴＯ焼結体の相対密度が、９９％以上であるこ
とを特徴とする請求項１に記載のＩＴＯスパッタリング
ターゲット。 - 【請求項３】 インジウム−スズ半田中のスズ量を（ス
ズ）／（インジウム＋スズ）×１００で、３〜１５重量
％とすることを特徴とする請求項１または請求項２に記
載のＩＴＯスパッタリングターゲット。 - 【請求項４】 ＩＴＯ焼結体のスパッタリング面の平均
線中心粗さ（Ｒａ）が０．８μｍ以下、かつ最大高さ
（Ｒｍａｘ）が７．０μｍ以下であることを特徴とする
請求項１〜３のいずれか１項に記載のＩＴＯスパッタリ
ングターゲット。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15386499A JP2000345325A (ja) | 1999-06-01 | 1999-06-01 | Ｉｔｏスパッタリングターゲット |
| KR1020000028646A KR100693278B1 (ko) | 1999-06-01 | 2000-05-26 | 아이티오 스퍼터링 타겟 |
| TW089110839A TW500817B (en) | 1999-06-01 | 2000-06-01 | ITO sputtering target |
| KR1020060114128A KR100754356B1 (ko) | 1999-06-01 | 2006-11-17 | 아이티오 스퍼터링 타겟 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15386499A JP2000345325A (ja) | 1999-06-01 | 1999-06-01 | Ｉｔｏスパッタリングターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000345325A true JP2000345325A (ja) | 2000-12-12 |
Family
ID=15571781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15386499A Pending JP2000345325A (ja) | 1999-06-01 | 1999-06-01 | Ｉｔｏスパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000345325A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002302762A (ja) * | 2001-04-04 | 2002-10-18 | Tosoh Corp | Ｉｔｏスパッタリングターゲット |
| JP2003055049A (ja) * | 2001-08-22 | 2003-02-26 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化インジウム焼結体、その製造方法及びそれを用いたスパッタリングターゲット |
| CN1297684C (zh) * | 2001-10-12 | 2007-01-31 | 东曹株式会社 | 单片式溅射靶 |
| CN114481050A (zh) * | 2015-03-27 | 2022-05-13 | Ｊｘ金属株式会社 | 圆筒型的溅射靶、烧结体、成形体及其制造方法 |
-
1999
- 1999-06-01 JP JP15386499A patent/JP2000345325A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002302762A (ja) * | 2001-04-04 | 2002-10-18 | Tosoh Corp | Ｉｔｏスパッタリングターゲット |
| KR100880174B1 (ko) * | 2001-04-04 | 2009-02-06 | 토소가부시키가이샤 | Ｉｔｏ 스퍼터링 타겟 |
| JP2003055049A (ja) * | 2001-08-22 | 2003-02-26 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化インジウム焼結体、その製造方法及びそれを用いたスパッタリングターゲット |
| CN1297684C (zh) * | 2001-10-12 | 2007-01-31 | 东曹株式会社 | 单片式溅射靶 |
| CN114481050A (zh) * | 2015-03-27 | 2022-05-13 | Ｊｘ金属株式会社 | 圆筒型的溅射靶、烧结体、成形体及其制造方法 |
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