JPH05230642A - スパッタ・ターゲット - Google Patents
スパッタ・ターゲットInfo
- Publication number
- JPH05230642A JPH05230642A JP4069981A JP6998192A JPH05230642A JP H05230642 A JPH05230642 A JP H05230642A JP 4069981 A JP4069981 A JP 4069981A JP 6998192 A JP6998192 A JP 6998192A JP H05230642 A JPH05230642 A JP H05230642A
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- JP
- Japan
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- target material
- target
- sputter
- backing plate
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ターゲット材の加熱による割れを防止するこ
と。 【構成】 所要の元素を含むターゲット材１はボンディ
ング材２によってバッキングプレート３に固着されてい
る。ターゲット材１にスリ割り溝（或いは切り込み、カ
ッティングによる溝）４を設け、ターゲット材１を多数
の小区画１1に分割する。ターゲット材の厚さ方向位置
での伸びの差等が小さくなり、ターゲット材の割れを防
ぐことができる。予め作っておいたターゲット材の小片
をバッキングプレートに貼り付けても良い。
と。 【構成】 所要の元素を含むターゲット材１はボンディ
ング材２によってバッキングプレート３に固着されてい
る。ターゲット材１にスリ割り溝（或いは切り込み、カ
ッティングによる溝）４を設け、ターゲット材１を多数
の小区画１1に分割する。ターゲット材の厚さ方向位置
での伸びの差等が小さくなり、ターゲット材の割れを防
ぐことができる。予め作っておいたターゲット材の小片
をバッキングプレートに貼り付けても良い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、加熱によるターゲット
材の割れを防いだスパッタ型イオン源等に用いるスパッ
タ・ターゲットに関する。
材の割れを防いだスパッタ型イオン源等に用いるスパッ
タ・ターゲットに関する。
【０００２】
【従来の技術】スパッタ型イオン源、イオンビームスパ
ッタリング装置等におけるスパッタ・ターゲットは、図
４（ａ）の正面図、そのＡ−Ａ線での同（ｂ）の断面図
に示すように、プラズマイオン、イオンビームでスパッ
タされる所要の元素を含む板状のターゲット材１をボン
ディング材２によってバッキングプレート３に固着して
構成されている。ターゲット材１はスパッタ時、周囲の
プラズマとプラズマイオン、或いはイオンビームの衝撃
により加熱されるから、その冷却のためにバッキングプ
レート３は冷却ホルダーに取り付けられている。
ッタリング装置等におけるスパッタ・ターゲットは、図
４（ａ）の正面図、そのＡ−Ａ線での同（ｂ）の断面図
に示すように、プラズマイオン、イオンビームでスパッ
タされる所要の元素を含む板状のターゲット材１をボン
ディング材２によってバッキングプレート３に固着して
構成されている。ターゲット材１はスパッタ時、周囲の
プラズマとプラズマイオン、或いはイオンビームの衝撃
により加熱されるから、その冷却のためにバッキングプ
レート３は冷却ホルダーに取り付けられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】かかるスパッタ・ター
ゲットのサイズが直径５０ｍｍ程度の大きさのものにな
ると、ターゲット材１が熱伝導の悪い材質の場合には、
スパッタ時、ターゲット材１の厚み方向位置での熱膨張
による伸びに大きな差が生じる等の理由により、ターゲ
ット材が割れてしまうことがある。
ゲットのサイズが直径５０ｍｍ程度の大きさのものにな
ると、ターゲット材１が熱伝導の悪い材質の場合には、
スパッタ時、ターゲット材１の厚み方向位置での熱膨張
による伸びに大きな差が生じる等の理由により、ターゲ
ット材が割れてしまうことがある。
【０００４】本発明は、プラズマやイオンによる加熱
で、ターゲット材が割れることを防止したスパッタ・タ
ーゲットの提供を目的とするものである。
で、ターゲット材が割れることを防止したスパッタ・タ
ーゲットの提供を目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、スパッタ・タ
ーゲットにおいて、バッキングプレートに固着されたタ
ーゲット材がスリ割り溝によって多数の小区画に分割さ
れているか、又は、ターゲット材の多数の小片がタイル
貼り状にバッキングプレートに固着されていることを主
たる特徴とするものであり、そして、かかるスパッタ・
ターゲットをスパッタ型イオン源に用いたことを特徴と
するものでる。
ーゲットにおいて、バッキングプレートに固着されたタ
ーゲット材がスリ割り溝によって多数の小区画に分割さ
れているか、又は、ターゲット材の多数の小片がタイル
貼り状にバッキングプレートに固着されていることを主
たる特徴とするものであり、そして、かかるスパッタ・
ターゲットをスパッタ型イオン源に用いたことを特徴と
するものでる。
【０００６】
【作用】ターゲット材がスリ割り或いは小片のタイル貼
り形式により、小さく分割されているから、各分割域に
おける加熱による熱膨張が他の分割域に波及することが
ないから、ターゲット材の厚み方向位置での伸びの差等
が小さく抑えられ、スパッタ・ターゲットの割れが生じ
ない。そして、かかるターゲットをスパッタ型イオン源
に用いることにより、イオンビームが安定して引出せ
る。
り形式により、小さく分割されているから、各分割域に
おける加熱による熱膨張が他の分割域に波及することが
ないから、ターゲット材の厚み方向位置での伸びの差等
が小さく抑えられ、スパッタ・ターゲットの割れが生じ
ない。そして、かかるターゲットをスパッタ型イオン源
に用いることにより、イオンビームが安定して引出せ
る。
【０００７】
【実施例】本考案の実施例について図面を参照して説明
する。図１（ａ）、（ｂ）はスリ割り形式によるスパッ
タ・ターゲットの正面図及びそのＡ−Ａ線での断面図で
ある。バッキングプレート３にボンディング材２で固着
されたターゲット材１に、碁盤の目状にスリ割り溝（ス
リ割りないし切り込み、カッティングによる溝）４を設
け、ターゲット材１を一辺が１０ｍｍ程度の多数の小区
画１1に小分割する。スリ割り溝４は、少なくともター
ゲット材部分に形成されていれば充分であるが、図１
（ｂ）ではバッキングプレート３にまで達しているもの
を示している。
する。図１（ａ）、（ｂ）はスリ割り形式によるスパッ
タ・ターゲットの正面図及びそのＡ−Ａ線での断面図で
ある。バッキングプレート３にボンディング材２で固着
されたターゲット材１に、碁盤の目状にスリ割り溝（ス
リ割りないし切り込み、カッティングによる溝）４を設
け、ターゲット材１を一辺が１０ｍｍ程度の多数の小区
画１1に小分割する。スリ割り溝４は、少なくともター
ゲット材部分に形成されていれば充分であるが、図１
（ｂ）ではバッキングプレート３にまで達しているもの
を示している。
【０００８】図２（ａ）、（ｂ）はタイル貼り形式のス
パッタ・ターゲットの正面図とそのＡ−Ａ線での断面図
であり、予めターゲット材を一辺が１０ｍｍ程度の小片
１2に分割しておき、かかる多数のターゲット材の小片
１2をボンディング材２によって、タイル貼り形式でバ
ッキングプレート３に固着する。
パッタ・ターゲットの正面図とそのＡ−Ａ線での断面図
であり、予めターゲット材を一辺が１０ｍｍ程度の小片
１2に分割しておき、かかる多数のターゲット材の小片
１2をボンディング材２によって、タイル貼り形式でバ
ッキングプレート３に固着する。
【０００９】このように、ターゲット材１は、何れも一
辺が１０ｍｍ程度の小区画ないしは小片１1、１2に分割
されているから、ターゲット材１のスパッタ時に発熱、
加熱が生じても、ターゲット材等の熱膨張は、各小区
画、小片１1、１2内に限定されて、他の部分には波及せ
ず、各小区画、小片１1、１2の厚み方向位置での伸びの
差は小さく抑えられるから、ターゲット材に割れが発生
しない。
辺が１０ｍｍ程度の小区画ないしは小片１1、１2に分割
されているから、ターゲット材１のスパッタ時に発熱、
加熱が生じても、ターゲット材等の熱膨張は、各小区
画、小片１1、１2内に限定されて、他の部分には波及せ
ず、各小区画、小片１1、１2の厚み方向位置での伸びの
差は小さく抑えられるから、ターゲット材に割れが発生
しない。
【００１０】プラズマ・スパッタ型負イオン源では、ス
パッタ・ターゲット表面で発生した負イオンをイオン源
の出口にビームとして集束させるために、スパッタ・タ
ーゲットの表面を球面状にえぐった形とする場合があ
る。このようにすると、ターゲット材の周辺部では、そ
の厚みは５ｍｍ程度に達し、スパッタ材が割れる可能性
が高くなる。図３（ａ）及び（ｂ）は、かかる負イオン
源のスパッタ・ターゲットにスリ割りを実施したものの
正面図と、そのＡ−Ａ線での断面図である。図１に示し
たものと同様に、表面が球面状にえぐられたターゲット
材１をボンディング材２によってバッキングプレート３
に固着しておき、スリ割り溝４を形成することによっ
て、ターゲット材１を多数の小区画に分割する。加熱に
よるスパッタ・ターゲットの割れが防止できるから、イ
オン源より安定にビームを引出すことが可能になる。図
２と同様に、タイル貼り形式を実施してもよい。
パッタ・ターゲット表面で発生した負イオンをイオン源
の出口にビームとして集束させるために、スパッタ・タ
ーゲットの表面を球面状にえぐった形とする場合があ
る。このようにすると、ターゲット材の周辺部では、そ
の厚みは５ｍｍ程度に達し、スパッタ材が割れる可能性
が高くなる。図３（ａ）及び（ｂ）は、かかる負イオン
源のスパッタ・ターゲットにスリ割りを実施したものの
正面図と、そのＡ−Ａ線での断面図である。図１に示し
たものと同様に、表面が球面状にえぐられたターゲット
材１をボンディング材２によってバッキングプレート３
に固着しておき、スリ割り溝４を形成することによっ
て、ターゲット材１を多数の小区画に分割する。加熱に
よるスパッタ・ターゲットの割れが防止できるから、イ
オン源より安定にビームを引出すことが可能になる。図
２と同様に、タイル貼り形式を実施してもよい。
【００１１】
【発明の効果】本発明は以上説明したように、ターゲッ
ト材が小さく分割されているから、スパッタ時に、ター
ゲット材における厚み方向の熱膨張による伸びの差等を
小さく抑えることができ、ターゲット材の割れを防止す
ることができる。
ト材が小さく分割されているから、スパッタ時に、ター
ゲット材における厚み方向の熱膨張による伸びの差等を
小さく抑えることができ、ターゲット材の割れを防止す
ることができる。
【００１２】そして、本発明によるスパッタ・ターゲッ
トをイオン源に用いることにより、イオンビームを安定
に引出すことができ、特に表面が球面状にえぐられたス
パッタ・ターゲットの場合に効果的である。
トをイオン源に用いることにより、イオンビームを安定
に引出すことができ、特に表面が球面状にえぐられたス
パッタ・ターゲットの場合に効果的である。
【図１】本発明の実施例の正面図及び断面図である。
【図２】他の実施例の正面図及び断面図である。
【図３】更に他の実施例の正面図及び断面図である。
【図４】従来のスパッタ・ターゲットの正面図及び断面
図である。
図である。
1,11,12 ターゲット材 2 ボンディング材 3 バッキングプレート 4 スリ割り溝
Claims (2)
- 【請求項１】 バッキングプレートに固着されたターゲ
ット材がスリ割り溝によって多数の小区画に分割されて
いるか、又はターゲット材の多数の小片がタイル貼り状
にバッキングプレートに固着されていることを特徴とす
るスパッタ・ターゲット。 - 【請求項２】 請求項１のスパッタ・ターゲットを備え
ていることを特徴とするスパッタ型イオン源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4069981A JPH05230642A (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | スパッタ・ターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4069981A JPH05230642A (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | スパッタ・ターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05230642A true JPH05230642A (ja) | 1993-09-07 |
Family
ID=13418354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4069981A Pending JPH05230642A (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | スパッタ・ターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05230642A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004307989A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-11-04 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | イオンビームスパッタ用ターゲットおよびこれを具備するイオンビームスパッタ装置 |
| KR100822921B1 (ko) * | 2004-07-09 | 2008-04-18 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 타일형 스퍼터링 타겟, 그리고 이를 포함하는 플라즈마 스퍼터링 반응기 및 이를 이용한 스퍼터링 방법 |
| JP2008255479A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-10-23 | Mitsubishi Materials Corp | 蒸着材 |
| US7550066B2 (en) | 2004-07-09 | 2009-06-23 | Applied Materials, Inc. | Staggered target tiles |
| WO2011132867A3 (ko) * | 2010-04-21 | 2012-01-26 | Park Young-Chun | 단차구조를 포함하는 스퍼터 타켓 및 이를 이용하는 스퍼터링 장치 |
| CN105441883A (zh) * | 2015-11-23 | 2016-03-30 | 铱格斯曼航空科技集团有限公司 | 一种新型ito靶材布局方法 |
| WO2017102069A1 (de) * | 2015-12-18 | 2017-06-22 | Plansee Composite Materials Gmbh | Beschichtungsquelle mit strukturierung |
-
1992
- 1992-02-21 JP JP4069981A patent/JPH05230642A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004307989A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-11-04 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | イオンビームスパッタ用ターゲットおよびこれを具備するイオンビームスパッタ装置 |
| KR100822921B1 (ko) * | 2004-07-09 | 2008-04-18 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 타일형 스퍼터링 타겟, 그리고 이를 포함하는 플라즈마 스퍼터링 반응기 및 이를 이용한 스퍼터링 방법 |
| US7550066B2 (en) | 2004-07-09 | 2009-06-23 | Applied Materials, Inc. | Staggered target tiles |
| JP2008255479A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-10-23 | Mitsubishi Materials Corp | 蒸着材 |
| WO2011132867A3 (ko) * | 2010-04-21 | 2012-01-26 | Park Young-Chun | 단차구조를 포함하는 스퍼터 타켓 및 이를 이용하는 스퍼터링 장치 |
| CN105441883A (zh) * | 2015-11-23 | 2016-03-30 | 铱格斯曼航空科技集团有限公司 | 一种新型ito靶材布局方法 |
| WO2017102069A1 (de) * | 2015-12-18 | 2017-06-22 | Plansee Composite Materials Gmbh | Beschichtungsquelle mit strukturierung |
| CN108391438A (zh) * | 2015-12-18 | 2018-08-10 | 普兰西复合材料有限公司 | 结构化涂层源 |
| KR20180094910A (ko) * | 2015-12-18 | 2018-08-24 | 플란제 콤포지트 마테리얼스 게엠베하 | 구조부를 갖는 코팅 소스 |
| JP2019502024A (ja) * | 2015-12-18 | 2019-01-24 | プランゼー コンポジット マテリアルズ ゲーエムベーハー | 構造化物を有する成膜源 |
| CN108391438B (zh) * | 2015-12-18 | 2020-04-14 | 普兰西复合材料有限公司 | 结构化涂层源 |
| TWI711710B (zh) * | 2015-12-18 | 2020-12-01 | 德商攀時組成物質有限公司 | 結構化披覆源 |
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