JP2008255479A - 蒸着材 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】多孔質焼結体からなる円板状の蒸着材10は、外周から中央に向かって熱膨張緩和用凹部11が形成される。熱膨張緩和用凹部11は頂角θが中央に臨むくさび形状をなすものである場合には、その頂角θは1〜90度である。熱膨張緩和用凹部が外周から中央に向かうスリットである場合には、スリットが厚さ方向に形成され、スリットの外周から中央に向かう長さLが外径Dの10〜50%である。また、中央に貫通孔を形成し、熱膨張緩和用凹部11の先端を貫通孔に連通して設けても良い。その貫通孔の直径は蒸着材10の外径Dの5〜20%であることが好ましい。
【選択図】 図1
Description
このAC型PDPでは、イオン衝撃のスパッタリングによりガラス誘電体層の表面が変質して放電開始電圧が上昇しないように、ガラス誘電体層表面に高い昇華熱を持つ保護膜をコーティングする必要がある。この保護膜は直接放電空間と接しているため、耐スパッタリング性の他に複数の重要な役割を担っている。即ち、保護膜に求められる特性は、放電時の耐スパッタリング性、高い二次電子放出能、絶縁性及び光透過率などである。これらの条件を満たす材料として、一般的にMgOが挙げられ、このMgOを蒸着材として電子ビーム蒸着法又はイオンプレーティング法により成膜されたMgO膜が使用されている。
この点を解消するために、一層安価に作製することのできるAl、B、Siなどの導電活性元素をドープした酸化亜鉛系膜を太陽電池等の透明導電膜として使用することが提案され、この酸化亜鉛系膜を電子ビーム蒸着法や、イオンプレーティング法などでの真空蒸着により形成するための酸化亜鉛系ターゲットが提案されている(例えば、特許文献2参照。)。この酸化亜鉛系ターゲットによると、上記導電活性元素を亜鉛に対して所定量含有させることにより極めて低抵抗な酸化亜鉛系焼結体が得られ、この焼結体は、原料粉末が微細で高分散性を有するほど焼結密度が向上し導電性が向上するとされている。
本発明の目的は、膜の成膜時にスプラッシュの発生を防止することができる蒸着材を提供することにある。
その特徴ある構成は、外周から中央に向かって熱膨張緩和用凹部11が形成されたところにある。
この請求項1に記載された蒸着材10では、膜を成膜するときに蒸着材10を加熱すると、蒸着材10内部に熱歪みが発生するけれども、この熱歪みが熱膨張緩和用凹部11で吸収されて蒸着材10自体に熱応力が殆ど発生しない。このため蒸着材10が破損することがないので、スプラッシュの発生を防止できるとともに、膜の成膜速度の経時変化を無くすことができる。
請求項3に係る発明は請求項2に係る発明であって、くさび形状の頂角θが1〜90度であることを特徴とする。
請求項4に係る発明は、請求項1に係る発明であって、図5に示すように、熱膨張緩和用凹部が外周から中央に向かうスリット12であることを特徴とする。
請求項5に係る発明は、請求項4に係る発明であって、スリット12が厚さ方向に形成され、スリット12の外周から中央に向かう長さLが外径Dの10〜50%であることを特徴とする。
この請求項2〜請求項5に記載された蒸着材10では、くさび形状又はスリット形状の入り欠き11,12が、蒸着材10を加熱したときに蒸着材10内部に生じる熱歪みを有効に吸収することができる。
請求項7に係る発明は、請求項6に係る発明であって、貫通孔13が断面円形であって、貫通孔13の直径dが蒸着材10の外径Dの5〜20%であることを特徴とする。
この請求項6及び請求項7に記載された蒸着材10では、貫通孔13を形成するので、その貫通孔13は熱膨張緩和用凹部11,12とともに蒸着材10内部に熱歪みを更に有効に吸収して、蒸着材10自体に生じる熱応力を減少させ、蒸着材10が破損することを有効に防止することができる。
そして、中央に貫通孔を形成し、熱膨張緩和用凹部の先端をその貫通孔に連通して設ければ、その貫通孔は熱膨張緩和用凹部とともに蒸着材内部に熱歪みを更に有効に吸収して、蒸着材自体に生じる熱応力を減少させ、蒸着材が破損することを有効に防止することができる。
図1に示すように、本発明の蒸着材10は、多孔質焼結体からなり、円板状に形成される。この実施の形態では、多結晶ZnOの焼結体ペレットからなる蒸着材10を示す。そして、この多結晶ZnOの焼結体ペレットの気孔率は3〜50%、又は、5〜30%、更に好ましくは10〜30%、又は20〜30%である。この円板状である蒸着材10の外径Dは5〜40mm、好ましくは10〜30mmであって、高さHが1〜20mm、好ましくは2〜10mmに形成される。この外径Dを5〜40mmに限定し、高さHを1〜10mmに限定したのは、外径Dが5mm未満又は高さHが1mm未満では小さすぎてスプラッシュの発生原因となり、外径Dが40mmを越えるか又は高さHが20mmを越えると実際の製造工程において取り扱いが困難となるからである。
また、本実施形態のZnO蒸着材10においては、気孔率を5〜40%とすることができる。ここで、気孔率が5%未満の多孔質焼結体の場合、蒸発速度向上の効果が小さいため好ましくない。また気孔率が40%を越えた多孔質焼結体の場合、十分な機械強度を得ることが難しいため好ましくない。
なお、気孔の形状は、丸みを帯びたものが好ましく、気孔の表面に更に細かい気孔が形成されている方が蒸発速度向上のためには好ましい。また、気孔の評価方法として、表面積測定において、5〜40m2/g であることが、細孔分布の測定においては、1〜100μmの範囲に少なくとも一つの細孔分布のピークを持つことが好ましい。
まず、純度が99.0%以上のZnO粉末とバインダと有機溶媒と添加剤とを混合して、濃度が45〜75重量%のスラリーを調製する。スラリーの濃度を45〜75重量%に限定したのは、75重量%を越えると上記スラリーが非水系であるため、安定した造粒が難しい問題点があり、45重量%未満では均一な組織を有する緻密なZnO焼結体が得られないからである。即ち、スラリー濃度を上記範囲に限定すると、スラリーの粘度が200〜1000cpsとなり、スプレードライヤによる粉末の造粒を安定して行うことができ、更には成形体の密度が高くなって緻密な焼結体の製造が可能になる。
ここで、添加剤をブチラール系とした場合には、0.1μm〜10μmオーダーの気孔径を有する気孔を形成することができる。また、添加剤をスターチとした場合には、スターチの粒径と同程度の気孔径及び形状を有する気孔を形成することができるため、スターチは、形成される気孔の気孔径及び形状をより一層容易に制御することが可能である。
また、図7及び図8に示す熱膨張緩和用凹部としてのスリット12を形成する場合には、造粒粉末の成形時に、そのスリットに相応する樹脂板を挿入した状態で成形を行い、その後の焼成工程においてその樹脂板を焼失させるか或いは抜き取ることにより熱膨張緩和用凹部としてのスリット12を蒸着材10に形成しても良い。
<実施例1>
先ず、ZnO粉末と、バインダと、有機溶媒とを湿式ボールミルを用い、湿式混合してスラリーを調製した。調製したスラリーを噴霧乾燥し、得られた混合造粒粉末を金型に充填して10MPaの圧力で加圧成形した後、1300℃の温度で焼結し、図1に示すような頂角が中央に臨むくさび形状をなす熱膨張緩和用凹部を外周から中央に向かって形成した円板状のZnO蒸着材を作製した。得られたZnO蒸着材は、気孔率が3%の多孔質焼結体からなり、そのペレットからなるZnO蒸着材の直径及び厚さはそれぞれ10mm及び3mmであり、かつくさび形状をなす熱膨張緩和用凹部の頂角は5度であった。
実施例1と同一の条件及び手続きにより実施例1と同一のスラリーを得た。この調製したスラリーを実施例1と同様に噴霧乾燥して得られた混合造粒粉末を実施例1とは異なる金型に充填して実施例1と同様の条件、即ち10MPaの圧力で加圧成形した後、1300℃の温度で焼結し、くさび形状をなす熱膨張緩和用凹部の頂角が実施例1と異なる円板状のZnO蒸着材を作製した。得られたZnO蒸着材は、気孔率が3%の多孔質焼結体からなり、そのペレットからなるZnO蒸着材の直径及び厚さはそれぞれ10mm及び3mmであり、かつくさび形状をなす熱膨張緩和用凹部の頂角は30度であった。そして、このZnO蒸着材を用いて、実施例1と同様の条件及び手続きにより、ガラス基板上にZnO膜を成膜した。
実施例1と同一の条件及び手続きにより実施例1と同一のスラリーを得た。この調製したスラリーを実施例1と同様に噴霧乾燥して得られた混合造粒粉末を実施例1とは異なる金型に充填して実施例1と同様の条件、即ち10MPaの圧力で加圧成形した後、1300℃の温度で焼結し、くさび形状をなす熱膨張緩和用凹部の頂角が実施例1及び2のいずれとも異なる円板状のZnO蒸着材を作製した。得られたZnO蒸着材は、気孔率が3%の多孔質焼結体からなり、そのペレットからなるZnO蒸着材の直径及び厚さはそれぞれ10mm及び3mmであり、かつくさび形状をなす熱膨張緩和用凹部の頂角は80度であった。そして、このZnO蒸着材を用いて、実施例1と同様の条件及び手続きにより、ガラス基板上にZnO膜を成膜した。
実施例1と同一の条件及び手続きにより実施例1と同一のスラリーを得た。この調製したスラリーを実施例1と同様に噴霧乾燥して得られた混合造粒粉末を実施例1とは異なる金型に充填して実施例1と同様の条件、即ち10MPaの圧力で加圧成形した後、1300℃の温度で焼結し、図4に示すように、くさび形状をなす熱膨張緩和用凹部の頂角部分、即ち中央に貫通孔を形成した円板状のZnO蒸着材を作製した。得られたZnO蒸着材は、気孔率が3%の多孔質焼結体からなり、そのペレットからなるZnO蒸着材の直径及び厚さはそれぞれ10mm及び3mmであり、くさび形状をなす熱膨張緩和用凹部の頂角は30度であり、かつ貫通孔の直径は2mmであった。即ち、貫通孔の直径が蒸着材の外径の20%である蒸着材を得た。そして、このZnO蒸着材を用いて、実施例1と同様の条件及び手続きにより、ガラス基板上にZnO膜を成膜した。
実施例1と同一の条件及び手続きにより実施例1と同一のスラリーを得た。この調製したスラリーを実施例1と同様に噴霧乾燥して得られた混合造粒粉末を実施例1とは異なる金型に充填して実施例1と同様の条件、即ち10MPaの圧力で加圧成形した後、1300℃の温度で焼結し、図5に示すように、外周から中央に向かうスリットを形成した円板状のZnO蒸着材を作製した。得られたZnO蒸着材は、気孔率が3%の多孔質焼結体からなり、そのペレットからなるZnO蒸着材の直径及び厚さはそれぞれ10mm及び3mmであり、熱膨張緩和用凹部であるスリットの幅は2mmであり、そのスリットの長さは5mmであった。そして、このZnO蒸着材を用いて、実施例1と同様の条件及び手続きにより、ガラス基板上にZnO膜を成膜した。
実施例1と同一の条件及び手続きにより実施例1と同一のスラリーを得た。この調製したスラリーを実施例1と同様に噴霧乾燥して得られた混合造粒粉末を実施例1とは異なる金型に充填して実施例1と同様の条件、即ち10MPaの圧力で加圧成形した後、1300℃の温度で焼結し、熱膨張緩和用凹部が存在しない円板状のZnO蒸着材を作製した。得られたZnO蒸着材は、気孔率が3%の多孔質焼結体からなり、そのペレットからなるZnO蒸着材の直径及び厚さはそれぞれ10mm及び3mmであった。そして、この熱膨張緩和用凹部を形成しないZnO蒸着材を用いて、実施例1と同様の条件及び手続きにより、ガラス基板上にZnO膜を成膜した。
実施例1と同一の条件及び手続きにより実施例1と同一のスラリーを得た。この調製したスラリーを実施例1と同様に噴霧乾燥して得られた混合造粒粉末を実施例1とは異なる金型に充填して実施例1と同様の条件、即ち10MPaの圧力で加圧成形した後、1300℃の温度で焼結し、くさび形状をなす熱膨張緩和用凹部の頂角が実施例と異なる円板状のZnO蒸着材を作製した。得られたZnO蒸着材は、気孔率が3%の多孔質焼結体からなり、そのペレットからなるZnO蒸着材の直径及び厚さはそれぞれ10mm及び3mmであり、かつくさび形状をなす熱膨張緩和用凹部の頂角は150度であった。そして、このZnO蒸着材を用いて、実施例1と同様の条件及び手続きにより、ガラス基板上にZnO膜を成膜した。
実施例1と同一の条件及び手続きにより実施例1と同一のスラリーを得た。この調製したスラリーを実施例1と同様に噴霧乾燥して得られた混合造粒粉末を実施例1とは異なる金型に充填して実施例1と同様の条件、即ち10MPaの圧力で加圧成形した後、1300℃の温度で焼結し、図4に示すように、くさび形状をなす熱膨張緩和用凹部の頂角部分、即ち中央に貫通孔を形成した円板状のZnO蒸着材を作製した。得られたZnO蒸着材は、気孔率が3%の多孔質焼結体からなり、そのペレットからなるZnO蒸着材の直径及び厚さはそれぞれ10mm及び3mmであり、くさび形状をなす熱膨張緩和用凹部の頂角は30度であり、かつ貫通孔の直径は6mmであった。即ち、貫通孔の直径が蒸着材の外径の60%である蒸着材を得た。そして、このZnO蒸着材を用いて、実施例1と同様の条件及び手続きにより、ガラス基板上にZnO膜を成膜した。
実施例1〜5及び比較例1〜3で成膜したZnO膜について、電子ビーム蒸着装置のハースより飛び出したスプラッシュの数を測定した。このスプラッシュ数の測定は、電子ビームを照射したときに飛散する蒸着材の数をデジタルビデオで撮影して数えた。なお、スプラッシュの測定は1回当たり10分間行い、5回ずつ実施し、数値は平均値とした。その結果、実施例1では1.6、実施例2では0.8、実施例3では2.6、実施例4では0.6及び実施例5では1.4であった。しかし、比較例1では6.6、比較例2では7.4であった。また、比較例3にあっては、そのスプラッシュの数は8.0であるけれども、そのスプラッシュ以前に成膜ができていないことが判明した。これらの結果をペレットの形状とともに以下の表1に示す。
11 くさび形状をなす熱膨張緩和用凹部
12 熱膨張緩和用凹部としてのスリット
13 貫通孔
D 蒸着材の外径
H 蒸着材の高さ
d 貫通孔の直径
θ 頂角
L スリットの外周から中央に向かう長さ
Claims (7)
- 多孔質焼結体からなる円板状の蒸着材において、
外周から中央に向かって熱膨張緩和用凹部が形成されたことを特徴とする蒸着材。 - 熱膨張緩和用凹部は頂角が中央に臨むくさび形状をなす請求項1記載の蒸着材。
- くさび形状の頂角が1〜90度である請求項2記載の蒸着材。
- 熱膨張緩和用凹部が外周から中央に向かうスリットである請求項1記載の蒸着材。
- スリット12が厚さ方向に形成され、スリットの外周から中央に向かう長さが外径の10〜50%である請求項4記載の蒸着材。
- 中央に貫通孔が形成され、熱膨張緩和用凹部の先端が前記貫通孔に連通して設けられた請求項1ないし5いずれか1項に記載の蒸着材。
- 貫通孔が断面円形であって、貫通孔の直径が蒸着材の外径の5〜20%である請求項6記載の蒸着材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007059464 | 2007-03-09 | ||
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JP2008057100A JP5029431B2 (ja) | 2007-03-09 | 2008-03-07 | 蒸着材及び該蒸着材を用いて蒸着膜を形成する方法 |
Publications (2)
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JP5029431B2 JP5029431B2 (ja) | 2012-09-19 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5029431B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59197568A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパツタリング用セラミツクスタ−ゲツト |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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