CN101092687B - 溅射装置及其驱动方法以及使用该装置制造基板的方法 - Google Patents

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Abstract

一种溅射装置包括基座以及多个靶器件。基板紧固地固定在基座上。靶器件是可旋转的并且设置为与基板的中心区域和基板中与中心区域相邻的外围区域相对。因为靶器件的数目少，可以减少溅射装置的相应的成本和尺寸。此外，因为靶器件旋转，可以形成更均匀的层并因而可以提高可靠性。

Description

溅射装置及其驱动方法以及使用该装置制造基板的方法
技术领域
本发明涉及一种处理装置，特别是涉及一种能够容易地处理大尺寸基板的溅射装置，该溅射装置的驱动方法，以及使用该溅射装置制造基板的方法。
背景技术
通过重复进行例如沉积工艺和蚀刻工艺的多个工艺来制造半导体晶片或被称为基板的例如液晶显示器件(LCD)和等离子显示面板(PDP)的显示面板。通过使用单独的处理装置进行每个工艺。在所述装置当中，用于形成薄膜的溅射装置是制造基板的基本装置。
图1示出了根据现有技术的溅射装置的截面图。
参照图1，溅射装置包括基座2和设置为与基座2相对的多个靶器件4。
要处理的基板1被紧固地固定在基座2上，并且预定的正电压施加到基座2。
靶器件4以面对基座2或基板1的方式设置，并且在相同的表面上沿一条线排列。相邻的靶器件4之间的间隙的宽度“w2”非常小，从而在基板1上均匀地沉积靶颗粒。例如，宽度“w2”比靶器件4的宽度“w1”小很多。即，靶器件4以其间具有非常小的宽度“w2”并面对基座2的方式设置。
各靶器件4包括靶5、烘焙板6和磁体7。因此，溅射装置包括多个靶5、多个烘焙板6和多个磁体7。
预定的负电压施加到各靶5，并且由于各靶5和离子之间的碰撞而从各靶5发射靶颗粒。
各烘焙板6支撑靶5并且保持靶5的温度以成为恒定室温。因此，靶5固定在烘焙板6面对基座2的正面。
磁体7设置在烘焙板6的背面上，从而磁体7感应要被聚集的电子以便于在靶5和基座2之间的内部空间8中的等离子放电。
靶5和基座2之间的内部空间8中填充有惰性气体(例如，Ar气体)用于等离子放电。
现在将描述上述溅射装置的操作。当预定高压施加在基座2和靶5之间时，填充在内部空间8中的Ar气体被离子化为Ar+离子以产生等离子。因为通过磁体7的磁场聚集更多的电子，产生的等离子可以成为高密度等离子。高密度等离子的区域包含Ar+离子。在高密度等离子区域和提供有预定负电压的靶5之间产生预定电势差。包含在高密度等离子区域中的Ar+离子通过预定电势差的能量被加速并因而撞击靶5。这些撞击使得靶5发射靶颗粒，并且发射的靶颗粒沉积在基板1上。
随着最近要处理的基板的尺寸增加，用于处理基板的溅射装置的尺寸也增加。
具体地，靶器件4的数目随着基板1的尺寸的增加而增加，从而增加了溅射装置的成本。此外，溅射装置的尺寸也随着靶器件4的数目增加而增加。通常，为了在基板1的边缘区域上均匀地沉积靶颗粒，提供靶器件4从而靶器件4的总宽度d2大于基板1的宽度“d1”。在该情况下，溅射装置的尺寸进一步增加，并且因而溅射装置的占用面积进一步增加。
靶器件4被紧固地固定在外壁或支撑物上，从而靶器件4不能沿任意方向移动或旋转(例如，垂直方向或水平方向)。因此，从各靶5发射的靶颗粒主要沉积在面对的基板1上。即，如图2所示，靶5与位于靶5前面的Ar+离子碰撞，通过上述碰撞从靶5发射靶颗粒，并且发射的靶颗粒轻微扩散并沉积在面对的基板1上。在该情况下，已经从彼此相邻的靶5发射的靶颗粒沉积在与相邻靶5之间的边界区域相对的基板1上。因此，如图3所示，更多的靶颗粒沉积在与相邻靶5之间的边界区域相对的基板1的第一区域p1上，而不是与靶5相对的基板1的第二区域p2上。因此，形成在基板1上的层9具有不平坦表面。
具有不平坦层9的基板1在工作特性和图像质量特性方面很差。
发明内容
因此，本发明涉及一种溅射装置及其驱动方法以及使用该装置制造基板的方法，能够基本上克服因现有技术的局限和缺点带来的一个或多个问题。
本发明的一个目的是提供了一种具有减小尺寸的溅射装置及其驱动方法，以及使用该装置制造基板的方法。
本发明的另一个目的是提供了一种能够减少成本的溅射装置及其驱动方法，以及使用该装置制造基板的方法。
本发明的又一个目的是提供一种能够提供均匀性的溅射装置及其驱动方法，以及使用该装置制造基板的方法。
本发明的附加优点和特征将在后面的描述中得以阐明，通过以下描述，将使它们对于本领域普通技术人员在某种程度上显而易见，或者可通过实践本发明来认识它们。本发明的这些和其他优点可通过书面描述及其权利要求以及附图中具体指出的结构来实现和得到。
为了实现这些和其它优点，按照本发明的目的，作为具体和广义的描述，一种溅射装置包括：其上紧固地固定基板的基座；以及设置为与基板的中心区域和与中心区域相邻的外围区域相对的多个靶器件。其中第一靶器件与所述中心区域相对，所述外围区域包括左、右、上和下区域，第二靶器件与左区域相对，第三靶器件与右区域相对，第四靶器件与上区域相对，并且第五靶器件与下区域相对。其中第二至第五靶器件的旋转轴平行于基板，并且在第二和第三靶器件中纵向安装旋转轴，而在第四和第五靶器件中横向安装旋转轴。
在本发明的另一个方面，一种溅射装置的驱动方法，该溅射装置包括其上紧固地固定基板的基座以及设置为与基板的中心区域和与中心区域相邻的外围区域相对的多个靶器件，该驱动方法包括：在第一驱动周期在平行于基板的预定轴上以第一方向旋转各靶器件；以及在第二驱动周期在预定轴上以第二方向旋转各靶器件。其中第一靶器件与所述中心区域相对，所述外围区域包括左、右、上和下区域，第二靶器件与左区域相对，第三靶器件与右区域相对，第四靶器件与上区域相对，并且第五靶器件与下区域相对。其中第二至第五靶器件的旋转轴平行于基板，并且在第二和第三靶器件中纵向安装旋转轴，而在第四和第五靶器件中横向安装旋转轴。
在本发明的又一个方面，一种使用溅射装置的制造基板的方法，该溅射装置包括其上紧固地固定基板的基座以及设置为与基板的中心区域和与中心区域相邻的外围区域相对的多个靶器件，该制造方法包括：将基板紧固地固定在基座上；在安装在各靶器件中的轴上旋转各靶器件；以及使用所述旋转的靶器件来处理基板。其中第一靶器件与所述中心区域相对，所述外围区域包括左、右、上和下区域，第二靶器件与左区域相对，第三靶器件与右区域相对，第四靶器件与上区域相对，并且第五靶器件与下区域相对。其中第二至第五靶器件的旋转轴平行于基板，并且在第二和第三靶器件中纵向安装旋转轴，而在第四和第五靶器件中横向安装旋转轴。
应该理解，上面的概括性描述和下面的详细描述都是示意性和解释性的，意欲对本发明的权利要求提供进一步的解释。
附图说明
本申请所包括的附图用于提供对本发明的进一步理解，并且包括在该申请中并且作为本申请的一部分，示出了本发明的实施方式并且连同说明书一起用于解释本发明的原理。附图中：
图1示出了根据现有技术的溅射装置的截面图；
图2示出了从现有技术溅射装置的靶发射的靶颗粒的传播方向的示意性截面图；
图3示出了在通过使用现有技术溅射装置制造的基板上形成的层的形状的示意性截面图；
图4示出了根据本发明第一实施方式的溅射装置的平面图；
图5A示出了沿图4的线A-A’提取的截面图；
图5B示出了沿图4的线B-B’提取的截面图；
图6示出了根据本发明第二实施方式的溅射装置的平面图；
图7A示出了沿图6的线A-A’提取的截面图；
图7B示出了沿图6的线B-B’提取的截面图；
图8示出了根据图6的第二实施方式的子靶器件的旋转的示意性截面图；
图9示出了根据图6的第二实施方式的子靶器件沿相反方向旋转的情况的示意性截面图；
图10示出了根据图6的第二实施方式的子靶器件随意旋转的情况的示意性截面图；以及
图11示出了根据图6的第二实施方式的子靶器件旋转和移动的情况的示意性截面图。
具体实施方式
现在具体描述本发明的优选实施方式，它们的实施例示于附图中。尽可能，所有附图采用相同的附图标记表示相同或类似部件。
图4示出了根据本发明第一实施方式的溅射装置的平面图。图5A示出了沿图4的线A-A’提取的截面图。图5B示出了沿图4的线B-B’提取的截面图。
参照图4、5A和5B，根据本发明第一实施方式的溅射装置包括基座(未示出)和与基座相对设置的多个靶器件21至25。基板27紧固地固定在基座上，并且正电压施加到基座上。靶器件21至25的每个包括靶、烘焙板和磁体。负电压施加到靶上并且从靶发射靶颗粒。烘焙板保持靶的温度以成为恒定室温。磁体感应形成高浓度等离子的形成。靶、烘焙板和磁体在现有技术中已知，并因而出于简明目的将省略其详细说明。
第一靶器件21设置在中心区域并且固定在例如腔室上。第二至第五靶器件22至25是可旋转的并且设置与第一靶器件21相邻。第一至第五靶器件21至25可以设置在相同平面上。如果需要，第一靶器件21也可以是可旋转的。在该情况下，第一靶器件21可以在第一驱动周期水平旋转，并且在第二驱动周期垂直旋转。
下面的说明将假设第一靶器件21不旋转，但是本发明并不限于此。即，第一靶器件21可以旋转。
第一至第五靶器件21至25的每个具有沿一个方向延伸的矩形的形状。这仅是一个实施方式，并且如果需要，第一至第五靶器件21至25的每个可以为正方形或圆角矩形。
例如，在用于处理横向比纵向长的基板的溅射装置的情况下，具有横向延伸的矩形的第一靶器件21沿横向设置，如图4所示。此外，具有纵向延伸的矩形的第二和第三靶器件22和23沿纵向设置在第一靶器件21的左/右侧，并且具有横向延伸的矩形的第四和第三靶器件24和25沿横向设置在第一靶器件21的上/下侧。
因为假设第一靶器件21不旋转，在第一靶器件21中没有安装旋转轴。然而，当第一靶器件21旋转时，可以在第一靶器件21中安装预定轴。
因为第二至第五靶器件22至25是可旋转的，在第二至第五靶器件22至25中安装轴26a、26b、26c和26d。在该情况下，在第二至第五靶器件22至25中沿第二至第五靶器件22至25的长度方向安装轴26a、26b、26c和26d。因此，第二至第五靶器件22至25可以在轴26a、26b、26c和26d上旋转。此时，第二至第五靶器件22至25在轴26a、26b、26c和26d上不是随意旋转，而是以预定旋转角度顺时针或逆时针旋转。例如，第二至第五靶器件22至25的旋转角度可以是0°至45°的范围内。因此，第二至第五靶器件22至25可以以0°至45°的旋转角度顺时针旋转，或者以0°至45°的旋转角度逆时针旋转。
在第二至第五靶器件22至25中以使轴26a、26b、26c和26d平行于基板27并且与基板27以预定距离间隔的方式安装轴26a、26b、26c和26d。因此，预定距离对应于基板27和第二至第五靶器件22至25之间的距离。
如上所述，当第二至第五靶器件22至25具有沿长度方向延伸的矩形形状时，在第二至第五靶器件22至25中沿长度方向安装轴26a、26b、26c和26d。在另一方面，当第二至第五靶器件22至25为正方形时，因为在第二至第五靶器件22至25中没有长度方向，因此难以限定轴26a、26b、26c和26d。
因此，将如下限定轴26a、26b、26c和26d。不管第二至第五靶器件22至25为矩形或正方形，在第二和第三靶器件22和23中纵向安装轴26a和26b，并且在第四和第五靶器件24和25中横向安装轴26c和26d。因此，在第二和第三靶器件22和23中安装的轴26a和26b沿横向旋转，而在第四和第五靶器件24和25中安装的轴26c和26d沿纵向旋转。所有横向和纵向可以被认为是顺时针方向和逆时针方向。
第一至第三靶器件21至23以下面的方式沿横向排列：第一靶器件21具有横向宽度“a”，第二靶器件22具有横向宽度“b”，第三靶器件23具有横向宽度“c”，第一和第二靶器件21和22之间具有间隙“d”，并且第一和第三靶器件21和23之间具有间隙“e”。因此，第一至第三靶器件21至23具有沿横向的总宽度“f”。
第一、第四和第五靶器件21、24和25以下面的方式沿纵向排列：第一靶器件21具有纵向宽度“h”，第四靶器件24具有纵向宽度“i”，第五靶器件25具有纵向宽度“j”，第一和第四靶器件21和24之间具有间隙“k”，并且第一和第五靶器件21和25之间具有间隙“l”。因此，第一、第四和第五靶器件21、24和25具有沿纵向的总宽度“m”。
基板27具有横向宽度“g”和纵向宽度“n”。例如，横向宽度“g”大于纵向宽度“n”。
在该情况下，第一至第三靶器件21至23的总宽度“f”小于基板27的横向宽度“g”，并且第一、第四和第五靶器件21、24和25的总宽度“m”小于基板27的纵向宽度“n”。
此外，第二靶器件22的横向宽度“b”小于第一和第二靶器件21和22之间的间隙“d”，并且第三靶器件23的横向宽度“c”小于第一和第三靶器件21和23之间的间隙“e”。
同样地，第四靶器件24的纵向宽度“i”小于第一和第四靶器件21和24之间的间隙“k”，并且第五靶器件25的纵向宽度“j”小于第一和第五靶器件21和25之间的间隙“l”。
通过第二至第五靶器件22至25的旋转，这种设置是可能的。即，当第二至第五靶器件22至25旋转时，因为可以在不与第二至第五靶器件22至25相对的基板区域上充分形成靶颗粒，所以总宽度“f”和“m”可以小于宽度“g”和“n”，并且宽度“b”、“c”、“i”和“j”可以小于间隙“d”、“e”、“k”和“l”。
下面的说明将假设第一至第五靶器件21至25的每个的形状为矩形，但本发明并不限于此。
第二至第五靶器件22至25以第一方向或第二方向，即，以顺时针方向或逆时针方向在轴26a、26b、26c和26d上旋转。轴26a、26b、26c和26d以沿长度方向平行于基板27的方式在第二至第五靶器件22至25中安装。例如，第二至第五靶器件22至25可以在第一驱动周期顺时针旋转，并且在第二驱动周期逆时针旋转。可以交替并重复进行这些旋转。
通过第二和第三靶器件22和23的顺时针旋转，从第二和第三靶器件22和23发射的靶颗粒可以沉积在基板27中与第二和第三靶器件22和23相对的的区域左侧的区域上。此外，通过第二和第三靶器件22和23的逆时针旋转，从第二和第三靶器件22和23发射的靶颗粒可以沉积在基板27中与第二和第三靶器件22和23相对的区域右侧的区域上。
同样地，通过第四和第五靶器件24和25的顺时针旋转，从第四和第五靶器件24和25发射的靶颗粒可以沉积在基板27中与第四和第五靶器件24和25相对的的区域上面的区域上。此外，通过第四和第五靶器件24和25的逆时针旋转，从第四和第五靶器件24和25发射的靶颗粒可以沉积在基板27中与第四和第五靶器件24和25相对的区域下面的区域上。
以这种方式，通过第二至第五靶器件22至25的旋转，可以在基板中不与第二至第五靶器件22至25相对的区域上形成均匀薄膜。
因此，因为总宽度“f”和“m”可以小于宽度“g”和“n”，并且间隙“d”、“e”、“k”和“l”可以大于宽度“b”、“c”、“i”和“j”，可以减少靶器件的数目并且因而可以减少制造成本。此外，可以减少溅射器件的总宽度“f”和“m”以及总体积，从而减少占用面积。
图6示出了根据本发明第二实施方式的溅射装置的平面图。图7A示出了沿图6的线A-A’提取的截面图。图7B示出了沿图6的线B-B’提取的截面图。
第二实施方式基本上与第一实施方式相似，不同之处在于第二至第五靶器件22至25的每个包括多个子靶器件。例如，第二靶器件22包括多个子靶器件22a、22b和22c，第三靶器件23包括多个子靶器件23a、23b和23c，第四靶器件24包括多个子靶器件24a、24b和24c，并且第五靶器件25包括多个子靶器件25a、25b和25c。
图6、7A和7B示出了单独提供的第一子靶器件21。然而，如果需要，第一子靶器件21可以包括多个子靶器件。第二至第五靶器件22至25可以在其轴(未示出)上旋转。下面的说明将假设在第一靶器件21上没有安装轴，并因而第一靶器件21不会旋转。然而，如果第一靶器件21旋转时，可以在第一靶器件21中安装预定轴。
第一靶器件21的子靶器件被固定并且不能旋转，而第二至第五靶器件22至25的每个的子靶器件可以旋转。
第二至第五靶器件22至25以相同方式工作，下面出于简明的目的将集中说明例如第三靶器件23。
下面的说明将假设第三靶器件23包括第一至第五子靶器件。
图8示出了根据图6的第二实施方式的子靶器件的旋转的示意性截面图。
参照图8，第三靶器件23的第一至第五子靶器件31a至31e以相同的旋转角度沿相同方向旋转。例如，所有第一至第五子靶器件31a至31e可以在第一驱动周期以第一旋转角度“α”顺时针旋转，并且在第二驱动周期以第二旋转角度“β”逆时针旋转。优选地，第一和第二旋转角度“α”和“β”的大小相同。当第一和第二旋转角度“α”和“β”的大小相同时，在位于基板27中与子靶器件31a至31e相对的第一区域的右侧和左侧的第二和第三区域上形成均匀层。第一和第二旋转角度“α”和“β”的每个可以在0°至45°的范围内。第一和第二旋转角度“α”和“β”的每个大于45°时，在相邻的靶器件之间发生干扰，从而阻碍均匀层的形成。
图9示出了根据图6的第二实施方式的子靶器件沿相反方向旋转的情况的示意性截面图。
参照图9，第一至第五子靶器件31a至31e可以沿彼此相反的方向旋转。例如，第一子靶器件31a以第一旋转角度“α”顺时针旋转，第二子靶器件31b以第二旋转角度“β”逆时针旋转，第三子靶器件31c以第一旋转角度“α”顺时针旋转，第四子靶器件31d以第二旋转角度“β”逆时针旋转，并且第五子靶器件31e以第一旋转角度“α”顺时针旋转。优选地，第一和第二旋转角度“α”和“β”的大小相同。第一和第二旋转角度“α”和“β”的每个可以在0°至45°的范围内。
图10示出了根据图6的第二实施方式的子靶器件任意旋转的情况的示意性截面图。
参照图10，第一至第五子靶器件31a至31e沿任意方向旋转任意角度。例如，第一子靶器件31a以第一旋转角度“α1”顺时针旋转，第二子靶器件31b以第二旋转角度“α2”顺时针旋转，第三子靶器件31c以第三旋转角度“β1”逆时针旋转，第四子靶器件31d以第四旋转角度“α3”顺时针旋转，并且第五子靶器件31e以第五旋转角度“β2”逆时针旋转。
图11示出了根据图6的第二实施方式的子靶器件旋转和移动的情况的示意性截面图。
参照图11，第一至第五子靶器件31a至31e可以顺时针或逆时针旋转，并且同时以平行于基板27的方向移动。例如，在第一驱动周期，第一至第五子靶器件31a至31e沿左方向移动并且同时顺时针或逆时针旋转，从而靶颗粒可以均匀地沉积在基板27中与第一至第五子靶器件31a至31e相对的左区域上。之后，在第二驱动周期，第一至第五子靶器件31a至31e沿右方向移动并且同时顺时针或逆时针旋转，从而靶颗粒可以均匀地沉积在基板27中与第一至第五子靶器件31a至31e相对的右区域上。
如上所述，通过旋转或移动靶器件，在本发明中，与基板宽度相比，相对地减小了靶器件的总宽度，从而能够减小溅射装置的尺寸。
而且，通过旋转或移动靶器件，本发明相对地减小了靶器件的总宽度以及靶器件的数目，从而能够减少制造成本。
具体地，根据本发明，靶器件设置为与基板的中心区域和与中心区域相邻的外围区域(即，左、右、上和下区域)相对。在该情况下，与外围区域相对的靶器件可以旋转。因此，可以在基板的所有左、右、上和下边缘区域上形成均匀层，从而大大加强了均匀性并提供了高可靠性。
而且，本发明可以在基板上均匀地形成从靶器件发射的靶颗粒，从而获得基板的均匀性。
很明显，本领域技术人员可在不背离本发明精神或范围的基础上对本发明做出修改和变化。因此，本发明意欲覆盖落入本发明权利要求及其等效范围内的各种修改和变化。

Claims (35)

1.一种溅射装置，包括：
具有基板的基座；以及
设置为与基板的中心区域和基板中与所述中心区域相邻的外围区域相对的多个靶器件，
其中第一靶器件与所述中心区域相对，所述外围区域包括左、右、上和下区域，第二靶器件与左区域相对，第三靶器件与右区域相对，第四靶器件与上区域相对，并且第五靶器件与下区域相对，
其中，第二至第五靶器件的旋转轴平行于基板，并且在第二和第三靶器件中纵向安装旋转轴，而在第四和第五靶器件中横向安装旋转轴。
2.根据权利要求1所述的溅射装置，其特征在于，靶器件设置在相同平面上。
3.根据权利要求1所述的溅射装置，其特征在于，第一至第五靶器件的每个包括多个子靶器件。
4.根据权利要求3所述的溅射装置，其特征在于，各子靶器件在预定轴上以第一旋转角度沿第一方向旋转，并且以第二旋转角度沿第二方向旋转。
5.根据权利要求4所述的溅射装置，其特征在于，第一旋转角度在0°至45°的范围内。
6.根据权利要求4所述的溅射装置，其特征在于，第二旋转角度在0°至45°的范围内。
7.根据权利要求4所述的溅射装置，其特征在于，各子靶器件交替地在一驱动周期期间沿第一方向旋转、在下一驱动周期期间沿第二方向旋转。
8.根据权利要求4所述的溅射装置，其特征在于，沿各子靶器件的长度方向设置预定轴。
9.根据权利要求4所述的溅射装置，其特征在于，第一和第二旋转角度的大小相同。
10.根据权利要求3所述的溅射装置，其特征在于，所述多个子靶器件包括第一至第五子靶器件，该第一至第五子靶器件沿彼此相反的方向旋转，其中第一子靶器件以第一旋转角度顺时针旋转，第二子靶器件以第二旋转角度逆时针旋转，第三子靶器件以第一旋转角度顺时针旋转，第四子靶器件以第二旋转角度逆时针旋转，并且第五子靶器件以第一旋转角度顺时针旋转。
11.根据权利要求10所述的溅射装置，其特征在于，所述第一旋转角度在0°至45°的范围内。
12.根据权利要求10所述的溅射装置，其特征在于，所述第二旋转角度在0°至45°的范围内。
13.根据权利要求3所述的溅射装置，其特征在于，各子靶器件沿任意方向旋转。
14.根据权利要求13所述的溅射装置，其特征在于，各子靶器件以任意旋转角度旋转。
15.根据权利要求1所述的溅射装置，其特征在于，靶器件的总宽度小于基板的宽度。
16.根据权利要求1所述的溅射装置，其特征在于，各靶器件的宽度小于其间的间隙。
17.根据权利要求1所述的溅射装置，其特征在于，第一靶器件被固定并且第二至第五靶器件的每个在其预定轴上旋转。
18.一种溅射装置的驱动方法，该溅射装置包括具有基板的基座以及设置为与基板的中心区域和基板中与所述中心区域相邻的外围区域相对的多个靶器件，该驱动方法包括：
在第一驱动周期在平行于基板的预定轴上以第一方向旋转各靶器件；以及
在第二驱动周期在所述预定轴上以第二方向旋转各靶器件，
其中第一靶器件与中心区域相对，外围区域包括左、右、上和下区域，第二靶器件与左区域相对，第三靶器件与右区域相对，第四靶器件与上区域相对，并且第五靶器件与下区域相对，
其中，第二至第五靶器件的旋转轴平行于基板，并且在第二和第三靶器件中纵向安装旋转轴，而在第四和第五靶器件中横向安装旋转轴。
19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，第一和第二方向的每个是顺时针方向和逆时针方向之一。
20.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，第一至第五靶器件的每个包括多个子靶器件。
21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，各子靶器件以第一旋转角度沿第一方向旋转，并且以第二旋转角度沿第二方向旋转。
22.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，第一旋转角度在0°至45°的范围内。
23.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，第二旋转角度在0°至45°的范围内。
24.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，各子靶器件交替地在一驱动周期期间沿第一方向旋转、在下一驱动周期期间沿第二方向旋转。
25.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，第一和第二旋转角度的大小相同。
26.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，所述多个子靶器件包括第一至第五子靶器件，该第一至第五子靶器件沿彼此相反的方向旋转，其中第一子靶器件以第一旋转角度顺时针旋转，第二子靶器件以第二旋转角度逆时针旋转，第三子靶器件以第一旋转角度顺时针旋转，第四子靶器件以第二旋转角度逆时针旋转，并且第五子靶器件以第一旋转角度顺时针旋转。
27.根据权利要求26所述的方法，其特征在于，所述第一旋转角度在0°至45°的范围内。
28.根据权利要求26所述的方法，其特征在于，所述第二旋转角度在0°至45°的范围内。
29.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，各子靶器件沿任意方向旋转。
30.根据权利要求29所述的方法，其特征在于，各子靶器件以任意旋转角度旋转。
30、根据权利要求18所述的方法，其特征在于，还包括沿与基板平行的方向移动各靶器件。
32.根据权利要求31所述的方法，其特征在于，在第一驱动周期和第二驱动周期移动靶器件。
33.根据权利要求31所述的方法，其特征在于，沿平行于基板的第一移动方向或第二移动方向移动靶器件。
34.一种使用溅射装置制造基板的方法，该溅射装置包括基座以及设置为与基板的中心区域和基板中与所述中心区域相邻的外围区域相对的多个靶器件，该制造方法包括：
将基板紧固地固定在基座上；
在安装在各靶器件中的轴上旋转各靶器件；以及
使用所述旋转的靶器件来处理基板，
其中第一靶器件与中心区域相对，外围区域包括左、右、上和下区域，第二靶器件与左区域相对，第三靶器件与右区域相对，第四靶器件与上区域相对，并且第五靶器件与下区域相对，
其中，第二至第五靶器件的旋转轴平行于基板，并且在第二和第三靶器件中纵向安装旋转轴，而在第四和第五靶器件中横向安装旋转轴。
35.根据权利要求34所述的方法，其特征在于，所述旋转各靶器件的步骤包括沿平行于基板的方向移动各靶器件。
36.根据权利要求34所述的方法，其特征在于，所述旋转各靶器件的步骤包括：
在第一驱动周期沿第一方向旋转各靶器件；以及
在第二驱动周期沿第二方向旋转各靶器件。
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