CN110656305B - 沉积装置 - Google Patents

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Abstract

一种沉积装置包括：驱动单元，被配置为能在彼此相交的第一方向和第二方向上移动并能围绕平行于第三方向的旋转轴线旋转，所述第三方向垂直于由所述第一方向和所述第二方向限定的平面；在所述第三方向上连接到所述驱动单元的底端的第一支撑构件；设置在所述第一支撑构件下方并连接到所述第一支撑构件的磁板；设置在所述磁板下方的第二支撑构件；以及设置在所述第一支撑构件上的多个第一连接单元。所述第一连接单元可以在所述第三方向上延伸，可以穿过所述第一支撑构件和所述磁板，并且可以连接到所述第二支撑构件。

Description

沉积装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年6月29日提交的韩国专利申请No.10-2018-0075545的优先权和权益，为了所有目的，该韩国专利申请通过引用合并于此，如同在本文中完全陈述一样。
技术领域
本发明的示例性实施例大致涉及沉积装置和将沉积装置的磁板对准的方法，并且更具体地涉及配置为容易将磁板与掩模对准的沉积装置和将沉积装置的磁板对准的方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示设备作为下一代平板显示设备一直吸引关注，因为其提供优异的亮度和视角特性，而无需液晶显示(LCD)设备所必需的光源单元。由于不需要光源单元，所以OLED显示设备可以被制造成比LCD设备更轻和更薄。此外，OLED显示设备具有其它技术优点(例如，低功耗、高亮度和高响应速度)。
OLED显示设备包括多个有机发光器件，每个有机发光器件包括阳极、有机发光层和阴极。如果空穴和电子分别从阳极和阴极注入到有机发光层中，则在有机发光层中形成激子。当激子经历向基态的转变时，光从有机发光器件发出。
制造有机发光器件的过程包括将掩模放置在基板上和通过掩模的开口将用于形成有机发光层的有机物质提供在基板上。由于掩模是含有金属的薄结构，所以难以将掩模的平面度维持在高水平。诸如紧固框架和磁板的各种工具被用于在掩模附着到基板时维持掩模的平面形状。
然而，在掩模反复用于处理多个基板的情况下，将掩模与磁板对准可能存在困难。例如，掩模可能与磁板未对准或错位。在这种情况下，难以将基板上的掩模的平面度维持在期望水平。
此背景部分中公开的以上信息仅用于理解本发明构思的背景，并且因此，其可能包括不构成现有技术的信息。
发明内容
本发明的示例性实施例提供配置为容易将磁板与掩模对准的沉积装置和将沉积装置的磁板对准的方法。
本发明构思的另外的特征将在后面的描述中陈述，并且部分地将由该描述而显而易见，或可以通过实践本发明构思而获悉。
本发明一示例性实施例提供一种沉积装置，该沉积装置包括：驱动单元，被配置为能在彼此相交的第一方向和第二方向上移动并能围绕平行于第三方向的旋转轴线旋转，所述第三方向垂直于由所述第一方向和所述第二方向限定的平面；在所述第三方向上连接到所述驱动单元的底端的第一支撑构件；设置在所述第一支撑构件下方并连接到所述第一支撑构件的磁板；设置在所述磁板下方的第二支撑构件；以及设置在所述第一支撑构件上的多个第一连接单元。所述第一连接单元在所述第三方向上延伸，穿过所述第一支撑构件和所述磁板，并且连接到所述第二支撑构件。
本发明另一示例性实施例提供一种将沉积装置的磁板对准的方法，该方法包括：准备驱动单元、连接到所述驱动单元的底端的第一支撑构件、设置在所述第一支撑构件下方并连接到所述第一支撑构件的磁板以及设置在所述磁板下方的第二支撑构件；将掩模提供在所述第二支撑构件下方并将基板提供在所述掩模上；将所述基板与所述掩模对准；使用所述驱动单元移动所述磁板以将所述磁板与所述掩模对准；使所述第二支撑构件在向下的方向上移动以与所述基板接触；以及将所述磁板移动到邻近所述第二支撑构件的位置以允许所述掩模与所述基板接触。所述驱动单元能在彼此相交的第一方向和第二方向上移动并能围绕平行于第三方向的旋转轴线旋转，所述第三方向垂直于由所述第一方向和所述第二方向限定的平面。
将理解，以上总体描述和以下详细描述均是示例性的，并且旨在提供对所要求保护的发明的进一步解释。
附图说明
被包括以提供对本发明的进一步理解并且被合并在此说明书中且构成此说明书一部分的附图图示本发明的示例性实施例，并且与描述一起用于解释本发明构思。
图1是图示根据本发明一示例性实施例的沉积装置的透视图。
图2是图示第一支撑构件的俯视图，图1中示出的第一连接单元被提供在该第一支撑构件上。
图3是图1中示出的第三支撑构件的仰视图。
图4是图示第三支撑构件的示例的剖视图，图3中示出的凹进区域被限定在该第三支撑构件中。
图5是图示设置在图3中示出的第三支撑构件中的驱动单元的结构的示例的图。
图6是从第二方向观察的图1的沉积装置的侧视图。
图7是图示图6中示出的第一连接单元之一的剖视图。
图8、图9、图10、图11和图12是图示将图6中示出的沉积装置的磁板对准的操作的图。
具体实施方式
在以下描述中，为了解释的目的，若干具体细节被陈述以便于提供对本发明的各种示例性实施例的全面理解。如本文所使用的，“实施例”是采用本文公开的发明构思中的一个或多个发明构思的设备或方法的非限制性示例。然而，显而易见的是，各种示例性实施例可以在没有这些具体细节的情况下或具有一个或多个等同布置的情况下被实施。在其它情况下，已知结构和设备以框图形式示出，以避免使各种示例性实施例不必要地不清楚。进一步，各种示例性实施例可以是不同的，但是未必是排斥的。例如，一示例性实施例的具体形状、配置或特性可以在另一示例性实施例中使用或实施，而不脱离本发明构思。
除非另外明确说明，图示的示例性实施例将被理解为提供本发明构思可以在实践中实施的一些方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另外明确说明，各种实施例的特征、部件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中单独或共同称为“元件”)可以以其它方式组合、分离、互换和/或重新布置，而不脱离本发明构思。
附图中的交叉影线和/或阴影的使用通常被提供以阐明相邻元件之间的边界。由此，交叉影线和/或阴影的存在和缺乏均不表达或指示对特定材料、材料性能、尺寸、比例、图示的元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性能等的任何偏爱或需求，除非明确说明。进一步，在附图中，为了清楚和描述的目的，元件的尺寸和相对尺寸可能被夸大。当示例性实施例可以被不同地实施时，具体过程顺序可以与所述顺序不同地执行。例如，两个连续描述的过程可以基本上同时执行或以与所述顺序相反的顺序执行。此外，相同的附图标记表示相同的元件。
当一元件或层被称为“在另一元件或层上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时，其可以直接在另一元件或层上、直接连接到或直接联接到另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。然而，当一元件或层被称为“直接在另一元件或层上”、“直接连接到”或“直接联接到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。为此，术语“连接”可以是指具有或没有中间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。进一步，D1轴线、D2轴线和D3轴线不限于直角坐标系的三个轴线，诸如x轴线、y轴线和z轴线，并且可以以更广泛的含义解释。例如，D1轴线、D2轴线和D3轴线可以彼此垂直，或可以表示彼此不垂直的不同方向。为了此公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“从由X、Y和Z组成的群组选择的至少一个”可被解释为仅X，仅Y，仅Z，或X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合，诸如例如XYZ，XYY，YZ和ZZ。如本文中使用的，术语“和/或”包括相关列出项目中的一个或多个的任意和所有组合。
虽然术语“第一”、“第二”等可以在本文中用于描述各种类型的元件，但是这些元件不应被这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区别开。因此，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件，而不脱离本公开的教导。
为了描述的目的，诸如“之下”、“下方”、“下面”、“下部”、“上方”、“上部”、“之上”、“更高”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相关术语可在本文中使用，并且由此用于描述如图中图示的一个元件与另外的元件的关系。空间相关术语旨在包含除图中描绘的方位之外的装置在使用、操作和/或制造中的不同的方位。例如，如果图中的装置被翻转，则描述为在其它元件或特征“下方”或“之下”的元件于是将被定位为在其它元件或特征“上方”。因而，示例性术语“下方”可以包含上方和下方两种方位。此外，装置可以以其它方式被定位(旋转90度或处于其它方位)，并且由此在本文中使用的空间相关描述词被相应地解释。
在本文中使用的术语用于描述特定实施例的目的，并不旨在限制。如本文中使用的，单数形式的“一”、“一个”和“所述”旨在也包括复数形式，除非上下文另外明确指出。此外，术语“包括”和/或“包含”当在本说明书中使用时明确说明所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其群组的存在，但是不排除存在或增加一个或更多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其群组。还注意到，如本文中使用的，术语“基本上”、“大约”或其它类似术语被用作近似术语，而不被用作程度术语，并且由此被用于说明将由本领域技术人员意识的测量值、计算值和/或所提供的值的固有偏差。
本文参照作为理想化示例性实施例和/或中间结构的示意图示的截面和/或分解图示描述各种示例性实施例。由此，将预期到由例如制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化。因此，本文公开的示例性实施例未必应当被解释为限制于区域的特定图示形状，而是包括由例如制造导致的偏差。以此方式，附图中图示的区域在本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可能不反映设备的区域的实际形状，并且由此未必旨在限制。
除非另外限定，在本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开为其一部分的领域中的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。诸如在通常使用的词典中定义那些术语应该被解释为具有与它们在相关领域中的上下文中的含义一致的含义，并且不应该以理想化或过于正式的含义解释，除非在本文明确如此定义。
图1是图示根据本发明构思一示例性实施例的沉积装置的透视图。图2是图示第一支撑构件的俯视图，图1中示出的第一连接单元被设置该第一支撑构件上。
参见图1和图2，沉积装置100可以包括第一支撑构件SM1、第二支撑构件SM2、第三支撑构件SM3、驱动单元DU、磁板MP和多个第一连接单元CU1。
第一支撑构件SM1、第二支撑构件SM2和第三支撑构件SM3以及磁板MP中的每个可以具有矩形形状，其长侧平行于第一方向DR1延伸，且其短侧平行于与第一方向DR1相交的第二方向DR2延伸。
在下文中，垂直于第一方向DR1和第二方向DR2二者的方向将被称为第三方向DR3。第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3中的每个可以以双向方式限定。
第一支撑构件SM1可以连接到驱动单元DU的底端。磁板MP可以被放置在第一支撑构件SM1下方。第二支撑构件SM2可以被放置在磁板MP下方。因此，磁板MP可以被设置在第一支撑构件SM1与第二支撑构件SM2之间。磁板MP可以由磁性材料形成或者被形成为包括磁性材料。
驱动单元DU可以连接到第一支撑构件SM1。当在第三方向DR3上测量时，第一支撑构件SM1的厚度可以大于磁板MP和第二支撑构件SM2中的每个的厚度。当在第三方向DR3上测量时，第三支撑构件SM3的厚度可以大于第一支撑构件SM1的厚度。
第一连接单元CU1可以被放置在第一支撑构件SM1上。第一连接单元CU1可以被设置为在第三方向DR3上延伸，并穿过第一支撑构件SM1和磁板MP，由此可以连接到第二支撑构件SM2。这将在下面更详细描述。
在一示例性实施例中，如图2中所示，四个第一连接单元CU1可以被设置在第一支撑构件SM1上。然而，本发明构思不限于此示例，并且至少两个第一连接单元CU1可以被设置在第一支撑构件SM1上。第一连接单元CU1可以被设置为靠近第一支撑构件SM1的各个角。
基板SUB和掩模MK可以被放置在第二支撑构件SM2下方。基板SUB和掩模MK中的每个可以具有矩形形状，其长侧平行于第一方向DR1延伸，且其短侧平行于第二方向DR2延伸。基板SUB可以被用作用于沉积过程的基板，并且可以是有机基板或塑料基板。在一示例性实施例中，掩模MK可以是含有金属的精细金属掩模(FMM)。
虽然未示出，储存沉积材料的坩埚可以被放置在掩模MK下方。如果坩埚被加热以蒸发沉积材料，则蒸发的沉积材料可以通过掩模MK的开口被提供到基板SUB上。
图3是图1中示出的第三支撑构件的仰视图。图4是图示第三支撑构件的示例的剖视图，图3中示出的凹进区域被限定在该第三支撑构件中。图5是图示设置在图3中示出的第三支撑构件中的驱动单元的结构的示例的图。
图5图示第一驱动单元DU1、第二驱动单元DU2和第三驱动单元DU3相对于凹进区域G(例如，由虚线描绘的)的位置，但是为了图示方便，第三支撑构件SM3从图5省略。
参见图3、图4和图5，驱动单元DU可以连接到第三支撑构件SM3。例如，驱动单元DU的顶端可以连接到第三支撑构件SM3。凹进区域G可以被限定在第三支撑构件SM3的底表面LS的中心区域中，并且驱动单元DU可以通过凹进区域G被暴露。凹进区域G可以是从第三支撑构件SM3的底表面LS朝第三支撑构件SM3的内部凹进的区域。凹进区域G可以具有矩形形状，但是本发明构思不被限制于凹进区域G的具体形状。
驱动单元DU可以包括第一驱动单元DU1、第二驱动单元DU2和第三驱动单元DU3。第一驱动单元DU1可以被配置为在第三方向DR3上延伸并能围绕平行于第三方向DR3的旋转轴线RX旋转。第一驱动单元DU1可以被配置为围绕旋转轴线RX顺时针或逆时针旋转。在第三支撑构件SM3下方，第一驱动单元DU1可以通过凹进区域G被暴露到外部。
第二驱动单元DU2可以连接到第一驱动单元DU1并可以在第一方向DR1上延伸。第二驱动单元DU2的连接到第一驱动单元DU1的部分可以通过凹进区域G被暴露，并且第二驱动单元DU2的其它部分可以被放置在第三支撑构件SM3中。第二驱动单元DU2可以被配置为能在第一方向DR1上移动。
第三驱动单元DU3可以连接到第二驱动单元DU2并在第二方向DR2上延伸。第二驱动单元DU2可以被放置在第一驱动单元DU1与第三驱动单元DU3之间，并且第二驱动单元DU2的端部可以连接到第三驱动单元DU3的中心区域。第三驱动单元DU3可以被放置在第三支撑构件SM3中。第三驱动单元DU3可以被配置为能在第二方向DR2上移动。
由于连接到第一驱动单元DU1的第二驱动单元DU2能在第一方向DR1上移动，所以第一驱动单元DU1可以通过第二驱动单元DU2在第一方向DR1上移动。由于第一驱动单元DU1连接到第二驱动单元DU2，第二驱动单元DU2连接到第三驱动单元DU3，并且第三驱动单元DU3能在第二方向DR2上移动，所以第一驱动单元DU1可以通过第三驱动单元DU3在第二方向DR2上移动。
因此，由于第二驱动单元DU2和第三驱动单元DU3的使用，第一驱动单元DU1可以被允许在第一方向DR1和第二方向DR2二者上移动。第一驱动单元DU1可以在凹进区域G内在第一方向DR1和第二方向DR2上移动。
图6是从第二方向观察的图1的沉积装置的侧视图。图7是图示图6中示出的第一连接单元之一的剖视图。
参见图6和图7，第一连接单元CU1可以被设置在第一支撑构件SM1上。第一连接单元CU1可以被设置为在第三方向DR3上延伸并穿过第一支撑构件SM1和磁板MP，由此可以连接到第二支撑构件SM2。
在第三方向DR3上延伸的第一连接单元CU1可以通过限定在第一支撑构件SM1中的多个第一孔H1和限定在磁板MP中的多个第二孔H2连接到第二支撑构件SM2。第一孔H1可以分别与第二孔H2重叠。在图6中，为了图示方便，第一孔H1和第二孔H2由虚线描绘。
第一连接单元CU1中的每个可以包括第一支撑单元SU1、第二支撑单元SU2和延伸单元EU。第一支撑单元SU1可以被设置在第一支撑构件SM1上，并且第一支撑单元SU1的面积可以大于第一孔H1和第二孔H2中的每个的面积。第一支撑单元SU1的面积可以是在由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面上测量的面积。
第二支撑单元SU2可以被设置在第一支撑单元SU1上，并且第二支撑单元SU2的面积可以大于第一支撑单元SU1的面积。第二支撑单元SU2的面积也可以是在由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面上测量的面积。在一示例性实施例中，第一支撑单元SU1和第二支撑单元SU2中的每个可以具有矩形形状，但是本发明构思不被限制于第一支撑单元SU1和第二支撑单元SU2的具体形状。
延伸单元EU可以连接到第一支撑单元SU1的底部，并且可以在第三方向DR3上延伸。延伸单元EU可以被设置为穿过第一孔H1和第二孔H2，并且可以连接到第二支撑构件SM2。延伸单元EU可以不被紧固到第一支撑构件SM1和磁板MP。因此，第一支撑构件SM1和磁板MP可以沿着延伸单元EU在第三方向DR3上移动。
多个第二连接单元CU2可以被设置在第一支撑构件SM1与磁板MP之间。第二连接单元CU2可以在第三方向DR3上延伸，并且可以将第一支撑构件SM1连接到磁板MP。例如，第二连接单元CU2中的每个的顶端可以连接到第一支撑构件SM1，并且第二连接单元CU2中的每个的底端可以连接到磁板MP。
第二连接单元CU2可以包括邻近第一支撑构件SM1的边缘和磁板MP的边缘设置的多个第一子连接单元SCU1和靠近第一支撑构件SM1的中心区域和磁板MP的中心区域设置的第二子连接单元SCU2。在另一示例中，第二子连接单元SCU2可以被设置在第一支撑构件SM1的中心区域和磁板MP的中心区域中。第二子连接单元SCU2可以省略。
驱动单元DU可以连接到第一支撑构件SM1，并且第一支撑构件SM1可以通过第二连接单元CU2连接到磁板MP。因此，当驱动单元DU在第一方向DR1和第二方向DR2上移动并围绕旋转轴线RX旋转时，第一支撑构件SM1和磁板MP可以在第一方向DR1和第二方向DR2上移动并可以围绕旋转轴线RX旋转。
在一示例性实施例中，第一子连接单元SCU1可以比第一连接单元CU1更靠近第一支撑构件SM1的边缘。然而，本发明构思不被限制于此示例，并且第一连接单元CU1可以比第一子连接单元SCU1更靠近第一支撑构件SM1的边缘。
基板SUB可以被设置在掩模MK上，并且掩模MK的边缘可以连接到紧固框架FM。由于掩模MK被制造为具有非常小的厚度，所以可能难以维持掩模MK的高平面度。例如，掩模MK可能处于下垂状态，如图6中所示的。
图8至图12是图示将图6中示出的沉积装置的磁板对准的操作的图。
通过改变驱动单元DU的位置或方向，可控制磁板MP的位置或方向，这将参照图8至图10更详细地描述。图11和图12图示用于使掩模MK在向下的方向上移动的磁板MP的操作。
参见图8至图10，掩模MK可以包括设置在掩模MK的预定区域中的多个第一对准标记AM1。例如，第一对准标记AM1可以被设置为靠近掩模MK的各个角。
磁板MP可以包括设置在磁板MP的预定区域中的多个第二对准标记AM2。例如，第二对准标记AM2可以被设置为靠近磁板MP的各个角。
基板SUB可以包括设置在基板SUB的预定区域中的多个第三对准标记AM3。例如，第三对准标记AM3可以被设置为靠近基板SUB的各个角。
为了图示方便，磁板MP和第二对准标记AM2在图9和图10中由虚线描绘。第一对准标记AM1、第二对准标记AM2和第三对准标记AM3中的每个被图示为具有十字形状，但是本发明构思不被限制于此示例。例如，第一对准标记AM1、第二对准标记AM2和第三对准标记AM3的形状可以被不同地改变。
参见图8，基板SUB可以被设置在掩模MK上，然后，基板SUB可以以使基板SUB的第三对准标记AM3被放置在与掩模MK的第一对准标记AM1重叠的位置的方式与掩模MK对准。
参见图9，掩模MK可以与磁板MP未对准。例如，掩模MK的中心可以与磁板MP的中心对准，但是掩模MK可以从磁板MP逆时针旋转特定角度。
驱动单元DU可以被驱动以移动磁板MP。例如，驱动单元DU可以使磁板MP旋转。如图9中所示，当掩模MK从磁板MP旋转时，驱动单元DU可以使磁板MP在逆时针方向上旋转以移动磁板MP。例如，在驱动单元DU的第一驱动单元DU1在逆时针方向上旋转的情况下，磁板MP可以在逆时针方向上旋转。
驱动单元DU可以以使磁板MP的第二对准标记AM2位于与彼此重叠的第一对准标记AM1和第三对准标记AM3重叠的位置的方式移动磁板MP。在这种情况下，磁板MP可以与掩模MK和基板SUB精确对准。
虽然未示出，但是在掩模MK从磁板MP顺时针旋转特定角度的情况下，驱动单元DU可以使磁板MP围绕旋转轴线RX顺时针旋转，以允许第二对准标记AM2与第一对准标记AM1和第三对准标记AM3重叠。
参见图10，掩模MK可以在第一方向DR1和第二方向DR2上从磁板MP错位特定距离。驱动单元DU可以使磁板MP在第一方向DR1和第二方向DR2上移动。
驱动单元DU的第二驱动单元DU2可以在第一方向DR1上移动以使磁板MP在第一方向DR1上移动。驱动单元DU的第三驱动单元DU3可以在第二方向DR2上移动以使磁板MP在第二方向DR2上移动。
驱动单元DU可以以使磁板MP的第二对准标记AM2位于与彼此重叠的第一对准标记AM1和第三对准标记AM3重叠的位置的方式移动磁板MP。在这种情况下，磁板MP可以与掩模MK和基板SUB精确对准。
在一些情况下，虽然未示出，但是掩模MK可以从磁板MP顺时针旋转特定角度，并可以在第一方向DR1和第二方向DR2上从磁板MP错位特定距离。在这种情况下，可以执行参照图9和图10描述的操作。例如，磁板MP可以通过第一驱动单元DU1的旋转移动被旋转，并且磁板MP可以通过第二驱动单元DU2和第三驱动单元DU3的平移移动在第一方向DR1和第二方向DR2上移动。
在掩模MK未对准或错位的情况下，基板SUB可以与掩模MK对准，然后磁板MP可以与掩模MK对准。然而，本发明构思不被限制于此示例。例如，即使在基板SUB与掩模MK未对准时，磁板MP也可以与掩模MK精确对准，然后基板SUB可以被设置在掩模MK上并与掩模MK对准。
参见图11，第三支撑构件SM3可以被配置为在第三方向DR3上移动。在第三支撑构件SM3在向下的方向上移动的情况下，驱动单元DU、第一支撑构件SM1和第二支撑构件SM2以及磁板MP也可以随同第三支撑构件SM3一起在向下的方向上移动。
参见图12，在第二支撑构件SM2在向下的方向上移动的情况下，第二支撑构件SM2可以与基板SUB的顶表面接触。由于第二支撑构件SM2与基板SUB接触，所以基板SUB可以由第二支撑构件SM2支撑。
即使在第二支撑构件SM2与基板SUB的顶表面接触时，第一支撑构件SM1和磁板MP也可以沿着插入第一孔H1和第二孔H2中的延伸单元EU向下移动。磁板MP可以通过沿着延伸单元EU的向下移动被放置为邻近第二支撑构件SM2。
由于磁板MP被放置为邻近第二支撑构件SM2，所以磁板MP的位置可以比图7中示出的位置更靠近掩模MK。掩模MK可以通过来自磁板MP的磁力被向上拉向磁板MP，由此与基板SUB的底表面接触。换言之，掩模MK可以被展开以与基板SUB接触，而无任何下垂部分。结果，磁板MP、基板SUB和掩模MK可以在沉积过程之前彼此对准。
如以上描述的，磁板MP可以被放置为邻近第二支撑构件SM2，但是磁板MP的位置可以被不同地改变。例如，在有必要通过增加用于拉动掩模MK的力的大小的情况下，磁板MP可以向下移动以与第二支撑构件SM2接触。换言之，磁板MP的位置可以比在图12中的位置更靠近掩模MK。
相比之下，在有必要减小用于拉动掩模MK的力的大小的情况下，磁板MP可以被放置在比图12中的水平高度更高的水平高度处。换言之，磁板MP的位置可以比图12中的位置更远离掩模MK。
在掩模MK被提供为具有下垂形状的情况下，掩模MK的开口可能不位于基板SUB的将被提供沉积材料的期望区域。因此，沉积材料不可被精确地沉积在基板SUB上。相比之下，根据本发明构思的示例性实施例，掩模MK可以具有平面展开形状并且可以与基板SUB接触，因此，可将掩模MK的开口精确放置在基板SUB的期望沉积区域上。于是，沉积材料可以被更精确地沉积在基板SUB的期望沉积区域上。
如果基板SUB上的沉积过程完成，则驱动单元DU、第一支撑构件SM1和第二支撑构件SM2以及磁板MP可以向上移动以具有图7中示出的布置。在这种情况下，掩模MK可能再次具有下垂形状。在沉积过程之后，基板SUB可以从掩模MK卸下，新基板可以被装载在掩模MK上，然后，可以在提供有新基板的沉积装置上执行前述操作。
如果沉积过程在多个基板上反复执行，则有必要使磁板MP上下反复移动，在这种情况下，掩模MK可以被向上拉动以反复处于下垂状态。掩模MK的反复变形可以导致掩模MK的未对准或错位。
在掩模MK与磁板MP未对准或错位的情况下，掩模MK的与磁板MP不重叠的部分不可被正常向上拉动，从而具有非平面形状。在这种情况下，沉积材料不可被提供在基板SUB的期望区域上。
然而，根据本发明构思的示例性实施例，在掩模MK未对准或错位的情况下，驱动单元DU可以被用于移动磁板MP，因此磁板MP可以容易地与基板SUB和掩模MK对准。相应地，掩模MK可以以平面形状展开，并且可以与基板SUB接触。结果，可将沉积材料更精确地提供在基板SUB的期望区域上。
根据本发明构思，沉积装置可以包括驱动单元，该驱动单元被配置为能在第一方向和第二方向上并能围绕平行于第三方向的旋转轴线旋转，并且被用于移动磁板。相应地，可轻松地将磁板与掩模对准。
虽然本文已经描述某些示例性实施例，但是其它实施例和修改根据此描述将是显而易见的。相应地，本发明构思不被限制于此类实施例，而是被限制于随附权利要求和对于本领域技术人员而言将显而易见的各种明显的修改和等同布置的更宽的范围。

Claims (9)

1.一种沉积装置，包括：
驱动单元，被配置为能在彼此相交的第一方向和第二方向上移动并能围绕平行于第三方向的旋转轴线旋转，所述第三方向垂直于由所述第一方向和所述第二方向限定的平面；
在所述第三方向上连接到所述驱动单元的底端的第一支撑构件；
设置在所述第一支撑构件下方并连接到所述第一支撑构件的磁板；
设置在所述磁板下方的第二支撑构件；
第三支撑构件，连接到所述驱动单元的顶端并被配置为能在所述第三方向上移动；以及
设置在所述第一支撑构件上的多个第一连接单元，所述第一连接单元在所述第三方向上延伸，穿过所述第一支撑构件和所述磁板，并被连接到所述第二支撑构件，
其中所述驱动单元被配置为使所述磁板在所述第一方向和所述第二方向上移动并使所述磁板围绕所述旋转轴线旋转，由此将所述磁板与设置在所述第二支撑构件下方的基板和掩模对准，
其中，当在所述第三方向上测量时，所述第一支撑构件的厚度大于所述磁板和所述第二支撑构件中的每个的厚度，并且所述第三支撑构件的厚度大于所述第一支撑构件的厚度，
其中所述驱动单元包括：
能围绕所述旋转轴线旋转的第一驱动单元；
连接到所述第一驱动单元并能在所述第一方向上移动的第二驱动单元；以及
连接到所述第二驱动单元并能在所述第二方向上移动的第三驱动单元，
其中所述第一驱动单元被布置在凹进区域中，并能在所述凹进区域内在所述第一方向和所述第二方向上移动，所述凹进区域被限定在所述第三支撑构件的底表面的中心区域中，并且
其中所述第二驱动单元的一部分被设置在所述凹进区域中，所述第二驱动单元的其他部分不被设置在所述凹进区域中，并且所述第三驱动单元不被设置在所述凹进区域中。
2.根据权利要求1所述的沉积装置，其中所述第一连接单元通过限定在所述第一支撑构件中的多个第一孔并通过限定在所述磁板中且与所述第一孔重叠的多个第二孔连接到所述第二支撑构件。
3.根据权利要求2所述的沉积装置，其中所述第一连接单元中的每个包括：
设置在所述第一支撑构件上的第一支撑单元，当在所述平面上看时，所述第一支撑单元的面积大于所述第一孔和所述第二孔中的每个的面积；
设置在所述第一支撑单元上的第二支撑单元，当在所述平面上看时，所述第二支撑单元的面积大于所述第一支撑单元的面积；以及
连接到所述第一支撑单元的底部并在所述第三方向上延伸的延伸单元，所述延伸单元通过所述第一孔和所述第二孔连接到所述第二支撑构件。
4.根据权利要求3所述的沉积装置，其中，当所述驱动单元在向下的方向上移动时，所述第二支撑构件在所述向下的方向上移动以接触设置在所述第二支撑构件下方的基板，所述第一支撑构件和所述磁板沿着插入所述第一孔和所述第二孔中的所述延伸单元在所述向下的方向上移动，并且所述磁板被设置为邻近所述第二支撑构件。
5.根据权利要求1所述的沉积装置，进一步包括多个第二连接单元，该多个第二连接单元被设置在所述第一支撑构件与所述磁板之间以将所述第一支撑构件连接到所述磁板。
6.根据权利要求5所述的沉积装置，其中所述第二连接单元包括：
邻近所述第一支撑构件的边缘和所述磁板的边缘设置的多个第一子连接单元；以及
设置在所述第一支撑构件的中心区域和所述磁板的中心区域中的第二子连接单元。
7.根据权利要求6所述的沉积装置，其中所述第一子连接单元比所述第一连接单元更靠近所述第一支撑构件的所述边缘。
8.根据权利要求1所述的沉积装置，其中：
所述掩模包括限定在所述掩模的预定区域中的多个第一对准标记；
所述磁板包括限定在所述磁板的预定区域中的多个第二对准标记；并且
所述基板被设置在所述第二支撑构件与所述掩模之间，并包括限定在所述基板的预定区域中且分别与所述多个第一对准标记重叠的多个第三对准标记。
9.根据权利要求8所述的沉积装置，其中所述驱动单元被配置为使所述磁板在所述第一方向和所述第二方向上移动并使所述磁板围绕所述旋转轴线旋转，由此允许所述第二对准标记与所述第一对准标记和所述第三对准标记重叠。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114647054B (zh) * 2022-03-16 2024-05-31 苏州凌云光工业智能技术有限公司 一种装调装置

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003187973A (ja) * 2001-12-10 2003-07-04 Ans Inc 電磁石を用いた有機電界発光素子製作用蒸着装置及びこれを用いた蒸着方法
CN1462160A (zh) * 2002-05-31 2003-12-17 三星日本电气移动显示株式会社 固定薄膜溅射用衬底的装置及用此装置来固定衬底的方法
JP2004087466A (ja) * 2002-06-18 2004-03-18 Toray Ind Inc 統合マスクおよび統合マスクの組立装置と組立方法並びに有機ｅｌ素子の製造装置と製造方法。
CN1800432A (zh) * 2005-01-06 2006-07-12 精工爱普生株式会社 掩模成膜方法，掩模
JP2006206980A (ja) * 2005-01-31 2006-08-10 Canon Inc マスク蒸着装置および成膜方法
KR20060094872A (ko) * 2005-02-25 2006-08-30 세이코 엡슨 가부시키가이샤 마스크, 마스크의 제조 방법, 패턴 형성 장치, 패턴 형성방법
WO2007145402A1 (en) * 2006-06-16 2007-12-21 Doosan Mecatec Co., Ltd. Substrate alignment apparatus and method for aligning substrate using the same
JP2010248584A (ja) * 2009-04-16 2010-11-04 Hitachi High-Technologies Corp 真空蒸着装置
WO2013094707A1 (ja) * 2011-12-22 2013-06-27 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着装置
WO2013118765A1 (ja) * 2012-02-09 2013-08-15 キヤノントッキ株式会社 蒸着装置並びに蒸着装置を用いた成膜方法
JP2013206820A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Samsung Display Co Ltd 有機ｅｌデバイス製造装置及び有機ｅｌデバイス製造方法
CN103668046A (zh) * 2012-09-04 2014-03-26 三星显示有限公司 用于测试沉积过程的掩膜组件、沉积装置和测试方法
JP2014065959A (ja) * 2012-09-27 2014-04-17 Hitachi High-Technologies Corp 蒸着装置、および、蒸着装置における基板設置方法
CN105895568A (zh) * 2015-02-16 2016-08-24 三星显示有限公司 制造显示装置的设备
CN107479125A (zh) * 2016-06-07 2017-12-15 三星显示有限公司 形成精细图案的方法
JP6302150B1 (ja) * 2017-08-21 2018-03-28 堺ディスプレイプロダクト株式会社 蒸着装置、蒸着方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE437248T1 (de) * 2005-04-20 2009-08-15 Applied Materials Gmbh & Co Kg Verfahren und vorrichtung zur maskenpositionierung
KR101517020B1 (ko) * 2008-05-15 2015-05-04 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치의 제조장치 및 제조방법
JP5298244B2 (ja) * 2010-10-19 2013-09-25 シャープ株式会社 蒸着装置
KR20140053625A (ko) * 2012-10-26 2014-05-08 삼성디스플레이 주식회사 유기물 증착 장치
KR102218656B1 (ko) * 2013-05-08 2021-02-23 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체 및 이의 제조 방법
KR102069189B1 (ko) * 2013-06-17 2020-01-23 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR20150077998A (ko) * 2013-12-30 2015-07-08 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 증착 방법
KR102235605B1 (ko) * 2014-10-08 2021-04-06 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 이를 이용한 증착 방법
KR102311586B1 (ko) * 2014-12-26 2021-10-12 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 증착 장치 내 기판 정렬 방법
KR102520693B1 (ko) * 2016-03-03 2023-04-11 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자의 증착장치

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003187973A (ja) * 2001-12-10 2003-07-04 Ans Inc 電磁石を用いた有機電界発光素子製作用蒸着装置及びこれを用いた蒸着方法
CN1462160A (zh) * 2002-05-31 2003-12-17 三星日本电气移动显示株式会社 固定薄膜溅射用衬底的装置及用此装置来固定衬底的方法
JP2004087466A (ja) * 2002-06-18 2004-03-18 Toray Ind Inc 統合マスクおよび統合マスクの組立装置と組立方法並びに有機ｅｌ素子の製造装置と製造方法。
CN1800432A (zh) * 2005-01-06 2006-07-12 精工爱普生株式会社 掩模成膜方法，掩模
JP2006206980A (ja) * 2005-01-31 2006-08-10 Canon Inc マスク蒸着装置および成膜方法
KR20060094872A (ko) * 2005-02-25 2006-08-30 세이코 엡슨 가부시키가이샤 마스크, 마스크의 제조 방법, 패턴 형성 장치, 패턴 형성방법
WO2007145402A1 (en) * 2006-06-16 2007-12-21 Doosan Mecatec Co., Ltd. Substrate alignment apparatus and method for aligning substrate using the same
JP2010248584A (ja) * 2009-04-16 2010-11-04 Hitachi High-Technologies Corp 真空蒸着装置
WO2013094707A1 (ja) * 2011-12-22 2013-06-27 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着装置
WO2013118765A1 (ja) * 2012-02-09 2013-08-15 キヤノントッキ株式会社 蒸着装置並びに蒸着装置を用いた成膜方法
JP2013206820A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Samsung Display Co Ltd 有機ｅｌデバイス製造装置及び有機ｅｌデバイス製造方法
CN103668046A (zh) * 2012-09-04 2014-03-26 三星显示有限公司 用于测试沉积过程的掩膜组件、沉积装置和测试方法
JP2014065959A (ja) * 2012-09-27 2014-04-17 Hitachi High-Technologies Corp 蒸着装置、および、蒸着装置における基板設置方法
CN105895568A (zh) * 2015-02-16 2016-08-24 三星显示有限公司 制造显示装置的设备
CN107479125A (zh) * 2016-06-07 2017-12-15 三星显示有限公司 形成精细图案的方法
JP6302150B1 (ja) * 2017-08-21 2018-03-28 堺ディスプレイプロダクト株式会社 蒸着装置、蒸着方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法

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Publication number Publication date
US20200006659A1 (en) 2020-01-02
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