CN107479125A - 形成精细图案的方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种形成精细图案的方法，所述方法包括以下步骤：在基体部上形成导电层；在导电层上形成包括粘附材料的牺牲层，粘附材料包括邻苯二酚基；在牺牲层上形成抗蚀图案；以及通过使用抗蚀图案作为掩模使导电层图案化来形成精细图案。

Description

形成精细图案的方法
本申请要求于2016年6月7日提交的第10-2016-0070404号韩国专利申请的优先权和权益，该申请出于所有目的通过引用包含于此，如同在此充分地阐述。
技术领域
示例性实施例涉及形成精细图案的方法。
背景技术
偏振片是将非偏振的或任意偏振的电磁波转换为具有期望的偏振的电磁波的光学元件。例如，聚乙烯醇(PVA)偏振片可以作为吸收型偏振片用在薄膜晶体管-液晶显示器(TFT-LCD)中。PVA偏振片可以设置在面板的上玻璃和下玻璃中的每一个玻璃上，并可以使从背光单元(BLU)发射的光穿过或阻挡以进行面板驱动。
与吸收S-偏振波并且使P-偏振波穿过的吸收型偏振片不同，金属线栅偏振片(WGP)是反射S-偏振波并且使P-偏振波穿过的反射式偏振片。因此，如果将金属WGP应用到诸如TFT-LCD的显示装置，则可以循环利用从金属WGP的表面反射的S-偏振波，从而提高亮度并降低光源的成本。
随着显示装置在尺寸上变得更大，会需要没有缺陷并可应用于大的区域的金属WGP。因此，需要在大的区域上方形成精细图案的方法以制造主模(master mold)或金属WGP，以及需要可以容易地校正缺陷的形成精细图案的方法。
本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对发明构思的背景技术的理解，因此其可能包含不形成本领域的普通技术人员在本国已知的现有技术的信息。
发明内容
示例性实施例提供一种容易校正缺陷的形成精细图案的方法。
示例性实施例也提供一种在大的区域上方形成精细图案的方法。
另外的方面将在随后的详细描述中进行阐述，并且将部分地通过公开而清楚，或者可通过发明构思的实践而被获知。
示例性实施例公开一种形成精细图案的方法，所述方法包括以下步骤：在基体部上形成导电层；在导电层上形成包括粘附材料的牺牲层，所述粘附材料包括邻苯二酚基；在牺牲层上形成抗蚀图案；以及通过使用抗蚀图案作为掩模使导电层图案化来形成精细图案。
示例性实施例还公开一种形成精细图案的方法，所述方法包括以下步骤：准备包括第一区域、第二区域和位于第一区域与第二区域之间的边界区域的基体部；在第一区域、第二区域和边界区域上形成包括第一粘附材料的第一牺牲层，所述第一粘附材料包括邻苯二酚基；在第一牺牲层上形成第一抗蚀图案；在第一牺牲层上形成第一覆盖图案，以覆盖第一抗蚀图案的与边界区域叠置的部分，第一覆盖图案不覆盖第一抗蚀图案的与第一区域叠置的部分；通过使用第一抗蚀图案和第一覆盖图案作为掩模使第一区域图案化来形成第一精细图案；将第一牺牲层与基体部分开；以及在基底部的第二区域上形成第二精细图案。
前面的总体描述和下面的详细描述是示例性的和解释性的，并意图提供对要求保护的主题的进一步解释。
附图说明
包括附图以提供发明构思的进一步理解，附图被并入本说明书中并构成本说明书的一部分，附图示出了发明构思的示例性实施例，并与描述一起用于解释发明构思的原理。
图1是示出根据本发明的示例性实施例的形成精细图案的方法的流程图。
图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11和图12是示出图1的方法的操作的示意性剖视图。
图13是包括使用图1的形成精细图案的方法制造的线栅偏振片的显示基底的示意性剖视图。
图14是示出根据本发明的示例性实施例的形成精细图案的方法的流程图。
图15、图16、图17、图18、图19、图20、图21、图22、图23、图24、图25、图26、图27和图28是示出图14的方法的操作的示意性剖视图。
具体实施例
在下面的描述中，为了解释的目的，阐述了许多具体的细节，以提供对各种示例性实施例的彻底理解。然而，显而易见的是，各种示例性实施例可以在没有这些具体细节或者在一个或更多个等同布置的情况下实施。在其它情况下，公知的结构和装置以框图形式示出以避免使各种示例性实施例不必要地模糊。
在附图中，为了清楚和描述的目的，可以夸大层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸。另外，同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在另一元件或层上、直接连接到或直接结合到另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”以及“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个”可被解释为仅X、仅Y、仅Z，或者X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合，诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。同样的标记始终表示同样的元件。如这里所用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关列出的项的任意和全部组合。
虽然在这里可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层和/或部分与另一元件、组件、区域、层和/或部分区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层和/或部分可被称为第二元件、组件、区域、层和/或部分。
为了描述的目的，在这里可使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下面的”、“在……上方”和“上面的”等空间相对术语，并由此来描述如图中所示的一个元件或特征与另一个元件或特征的关系。除了图中描绘的方位之外，空间相对术语意图包含设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果图中的设备被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将随后被定位为“在”其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可包含上方和下方两种方位。另外，装置可被另外定位(例如，旋转90度或在其它方位)，这样，相应地解释这里使用的空间相对描述符。
这里使用的术语是为了描述特定实施例的目的，并非意图限制。如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一个(种/者)”和“该/所述”也意图包括复数形式。此外，当术语“包含”和/或“包括”在本说明书中使用时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
这里参照作为理想化示例性实施例和/或中间结构的示意图来描述各种示例性实施例。如此，由例如制造技术和/或公差导致的示出的形状的变化将是被预期的。因此，这里公开的示例性实施例不应被解释为局限于具体示出的区域的形状，而是将包括因例如制造导致的形状的偏差。例如，示出为矩形的注入区将通常在其边缘处具有圆形的或弯曲的特征和/或注入浓度的梯度，而不是从注入区到非注入区的二元变化。同样地，由注入形成的掩埋区可导致在掩埋区与发生注入的表面之间的区域中的某些注入。因此，附图中示出的区域本质上是示意性的，它们的形状不意图示出装置的区域的实际形状，并且不意图是限制性的。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开作为其一部分的领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。除非这里明确地如此定义，否则术语(诸如通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与在相关领域的上下文中它们的意思一致的意思，并且将不以理想化的或过于形式化的含义来解释它们。
图1是示出根据示例性实施例的形成精细图案的方法的流程图。参照图1，根据示例性实施例的形成精细图案的方法可以包括以下步骤：在基体部上形成导电层(操作S11)；在导电层上形成包括粘附材料的牺牲层，所述粘附材料包括邻苯二酚基(操作S13)；在牺牲层上形成抗蚀图案(操作S15)；确定抗蚀图案是否是有缺陷的(操作S17)；以及如果抗蚀图案中的任意一个是有缺陷的，则将牺牲层与导电层分开(操作S19)。根据示例性实施例的形成精细图案的方法还可以包括以下步骤：如果抗蚀图案不是有缺陷的，则通过使用抗蚀图案作为掩模将导电层图案化来形成精细图案(操作S21)；以及将牺牲层与精细图案分开(操作S23)。
将参照图2至图12更详细地描述根据示例性实施例的形成精细图案的方法。
图2至图12是示出图1的方法的操作的示意性剖视图。
参照图1至图4，可以如下面执行在基体部上形成导电层(操作S11)和在导电层上形成包括粘附材料的牺牲层(操作S13)，所述粘附材料包括邻苯二酚基。
首先，参照图2，准备基体部110。
基体部110可以包括可以透射可见光的任何材料。例如，基体部110可以包括诸如(但不限于)玻璃、石英、丙烯酸、三醋酸纤维素(TAC)、环烯烃共聚物(COC)、环烯烃聚合物(COP)、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚酰亚胺(PI)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚醚砜(PES)以及聚芳酯(PAR)的各种聚合物。基体部110也可以包括具有柔性的光学膜材料。
参照图3，在基体部110上形成导电层120。导电层120可以包括具有高的光反射率的导电材料。例如，导电层120可以包括铝(Al)、铬(Cr)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、钛(Ti)、钴(Co)和钼(Mo)中的至少一种，或者它们的合金。导电层120可以包括在上面的金属之中具有相对高的反射率的铝。导电层120可以具有单层或者两层或更多层的结构。
参照图4，在导电层120上形成包括粘附材料的牺牲层200，所述粘附材料包括邻苯二酚基。
可以通过旋涂溶解有包括邻苯二酚基的粘附材料的溶液，然后通过加热烘烤溶液来形成牺牲层200。可以在导电层120上通过棒涂(bar-coating)溶解有包括邻苯二酚基的粘附材料的溶液而可选择地形成牺牲层200。牺牲层200可以通过本领域中已知的各种其它方法来形成。
牺牲层200中的包括邻苯二酚基的粘附材料可以是具有贻贝的粘附特性的聚合物。例如，包括邻苯二酚基的粘附材料可以是聚多巴胺(pDA)或聚去甲肾上腺素(pNor)。诸如聚多巴胺或聚去甲肾上腺素的包括邻苯二酚基的粘附材料可以在大多数金属、非金属、有机聚合物、无机材料等的表面上具有高的粘合强度。因此，无论导电层120的特性如何，包括具有邻苯二酚基的粘附材料(例如，聚多巴胺或聚去甲肾上腺素)的牺牲层200都可以粘附到导电层120。此外，牺牲层200中的包括邻苯二酚基的粘附材料也可以防止稍后将描述的抗蚀层300或抗蚀图案310与导电层120分开，使得可以在其上更稳定地形成精细图案。此外，当抗蚀图案310中的任意一个是有缺陷的时候，由于牺牲层200和设置在牺牲层200上的其它层可以容易地与导电层120分开，所以可以容易地执行重新加工工艺。稍后将更详细地描述此情况。
参照图1、图5和图6，可以如下面执行在牺牲层上形成抗蚀图案(操作S15)。
参照图5，在牺牲层200上形成抗蚀层300。
可以通过在牺牲层200上涂覆树脂来形成抗蚀层300。树脂可以是诸如丙烯酸树脂、苯乙烯树脂、烯烃树脂、聚碳酸酯树脂、聚酯树脂、环氧树脂、硅树脂等的光固化树脂。抗蚀层300可以可选择地为热塑性树脂，当加热超过预定的温度时，热塑性树脂经历塑性形变。
参照图6，准备具有转印图案410的模具400。通过朝向抗蚀层300压制模具400来在抗蚀层300上形成模具400的转印图案410的形状。然后，固化抗蚀层300。当抗蚀层300是光固化树脂时，抗蚀层300可以通过紫外线(UV)辐射来固化。当抗蚀层300是热塑性树脂时，也可以通过使用热源加热抗蚀层300来固化抗蚀层300。即，通过压印工艺将模具400的转印图案410转印到抗蚀层300上。
当模具400包括柔性材料时，可以使用辊500朝向抗蚀层300压制模具400，如图6中所示。然而，当模具400可选择地包括刚性材料时，可以省略辊500。更具体地，可以朝向抗蚀层300向下压制包括刚性材料的模具400，从而将模具400的转印图案410的形状转印到抗蚀层300上。
接下来，将模具400与抗蚀层300分开以产生如图7中所示出的多个抗蚀图案310。抗蚀图案310形成在牺牲层200上，通过抗蚀图案310之间的每个空间暴露牺牲层200。可选择地，连接抗蚀图案310的底部可以存在于牺牲层200的整个上表面上。在这种情况下，可以通过例如蚀刻工艺或灰化工艺来去除底部。
接下来，可以执行确定抗蚀图案310是否是有缺陷的步骤(操作S17)。抗蚀图案310中的缺陷可以通过分析通过照亮抗蚀图案310而显示的色差，或者通过拍摄抗蚀图案310的扫描电子显微镜(SEM)照片并解释SEM照片来确定。然而，预期的是，可以使用本领域中已知的各种方法来确定抗蚀图案310中的缺陷。
参照图1、图7和图8，如果抗蚀图案310不是有缺陷的，则可以如下执行通过使用抗蚀图案310作为掩模使导电层120图案化来形成精细图案121(操作S21)。
更具体地，通过使用抗蚀图案310作为掩模使牺牲层200和导电层120图案化。用这种方式，通过使导电层120图案化来形成的精细图案121可以设置在抗蚀图案310下方，图案化的牺牲层210可以保留在抗蚀图案310与精细图案121之间。可以使用蚀刻气体通过干蚀刻工艺来使牺牲层200和导电层120图案化。蚀刻气体可以包括BCl3、SiCl4、Cl2、HBr、SF6、CF4、C4F8、CH4、CHF3、NF3、CFCs(氯氟烃)、H2以及O2中的至少一种，并还可以包括具有N2、Ar和He中的至少一种的惰性气体。
参照图1和图9，可以如下执行将图案化的牺牲层与精细图案分开(操作S23)。
可以通过使用碱或过氧化氢处理图案化的牺牲层210来将图案化的牺牲层210与精细图案121分开。当将图案化的牺牲层210与精细图案121分开时，设置在图案化的牺牲层210上的抗蚀图案310也可以与精细图案121分开。参照图9，图案化的牺牲层210可以浸入包括碱性溶液或过氧化氢溶液10的浴池2000中。用这种方式，图案化的牺牲层210和在图案化的牺牲层210上的抗蚀图案310可以与精细图案121分开。在碱性溶液或过氧化氢溶液10中去除包括在图案化的牺牲层210中的含有邻苯二酚基的粘附材料的粘合强度。因此，图案化的牺牲层210可以容易地与精细图案121分开。例如，碱性溶液可以具有8.0至8.5的pH，并包括氢氧化四甲铵(TMAH)水溶液或氢氧化钾(KOH)水溶液。
当如上所述去除图案化的牺牲层210和抗蚀图案310时，可以获得如图10中所示出的包括多个精细图案121的结构。包括精细图案121的结构可以用作线栅偏振片。
参照图1、图11和图12，如果抗蚀图案中的任意一个是有缺陷的，则可以如下执行将牺牲层与导电层分开(操作S19)。
参照图11，在形成抗蚀图案310的工艺中可能形成有缺陷的图案320。例如，在转印模具400的转印图案410的工艺期间，因模具400与抗蚀层300之间的粘附而导致模具400的一些转印图案410会以不需要的形状转印，或者模具400会被朝向抗蚀层300不均匀地压制。当存在有缺陷的图案320时，通过使导电层120图案化最后地形成的精细图案也会是有缺陷的。
当形成有缺陷的图案320时，根据示例性实施例的形成精细图案的方法可以包括将牺牲层200与导电层120分开，使得可以重新加工缺陷。如图12中所示出的，可以通过使用碱或过氧化氢处理牺牲层200来将牺牲层200与导电层120分开。更具体地，牺牲层200可以浸入包括碱性溶液或过氧化氢溶液10的浴池2000中。因此，牺牲层200上的抗蚀图案310和有缺陷的图案320可以和牺牲层200一起与导电层120分开。
如上所述，在碱性溶液或过氧化氢溶液10中去除包括在牺牲层200中的含有邻苯二酚基的粘附材料的粘合强度。用这种方式，牺牲层200可以容易地与导电层120分开。例如，如上所述，碱性溶液可以具有8.0至8.5的pH，并包括氢氧化四甲铵(TMAH)水溶液或氢氧化钾(KOH)水溶液。
去除牺牲层200之后，可以重复上面描述的操作S13、S15和S17。当多次形成有缺陷的图案320时，可以多次重复上面的操作。
根据示例性实施例，当任意一个抗蚀图案310是有缺陷的时候，可以通过去除牺牲层200来容易地将抗蚀图案310与导电层120分开。因此，可以容易地执行重新加工工艺。此外，由于牺牲层200包括具有邻苯二酚基的粘附材料，所以通过使用碱性溶液或过氧化氢溶液10处理牺牲层200可以容易地将牺牲层200与导电层120分开，这也使重新加工工艺容易。另外，由于可以重复利用导电层120，所以可以提高工艺效率。此外，可以采用形成精细图案的方法来提供具有最少缺陷的精细图案结构(例如，线栅偏振片)。
图13是包括使用图1的形成精细图案的方法制造的线栅偏振片的显示基底的示意性剖视图。
参照图13，显示基底可以是薄膜晶体管(TFT)基底。将在下文中更详细地描述显示基底，将简洁地给出或省略上述元件的任何多余的描述。
线栅偏振片WGP可以设置在基体部110上。更具体地，线栅偏振片WGP可以是与显示基底一体形成的in-cell类型。
线栅偏振片WGP可以使透过基体部110的光偏振，并包括多个精细图案121。精细图案121可以包括如上所述关于图3的导电层120的导电材料。例如，导电材料可以包括铝(Al)、铬(Cr)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、钛(Ti)、钴(Co)和钼(Mo)中的至少一种金属，或它们的合金。
精细图案121可以规则地布置，并沿一个方向彼此平行。精细图案121可以以短于可见光的波长的周期布置。例如，精细图案121可以以大约400nm或更小的周期布置。具体地，精细图案121的布置周期可以是大约200nm或更小，例如，100nm或更小。
透过基体部110的光行进，同时在与其行进方向水平和垂直的方向上无序地振荡。因此，在入射到精细图案121上的光中，光在与精细图案121的延伸方向垂直的方向上振荡的部分穿过线栅偏振片WGP，光的其余部分被精细图案121反射。更具体地，仅P-偏振光透过线栅偏振片WGP，S-偏振光被线栅偏振片WGP反射。用这种方式，仅P-偏振光穿过线栅偏振片WGP。被线栅偏振片WGP反射的S-偏振光可以被设置在线栅偏振片WGP下方的背光单元(未示出)中包括的导光板(LGP)散射。反射的S-偏振光的偏振可以被抵消，光可以通过包括在背光单元中的反射板而反射回线栅偏振片WGP。可以重复这个过程。因此，可以提高显示装置的光效率。
基体绝缘层130可以设置在线栅偏振片WGP上。基体绝缘层130可以使线栅偏振片WGP与设置在其上的元件绝缘，并使线栅偏振片WGP的上表面平坦化。基体绝缘层130可以包括例如SiOx、SiNx、SiON和SiOC中的至少一种的绝缘材料。
栅电极G可以设置在基体绝缘层130上，栅极绝缘层GI可以设置在栅电极G和基体绝缘层130上。
半导体层ACT可以设置在栅极绝缘层GI上，半导体层ACT的至少一部分可以与栅电极G叠置。源电极S和漏电极D可以设置在栅极绝缘层GI上，并在半导体层ACT上彼此分开。
钝化层PL可以设置在栅极绝缘层GI、源电极S、半导体层ACT和漏电极D上。
像素电极PE可以设置在钝化层PL上，并可以经由形成在钝化层PL中的接触孔来物理连接和电连接到漏电极D。
显示基底可以应用到扭曲向列(TN)型显示面板、垂直取向(VA)显示面板、图案化垂直取向(PVA)显示面板、共面转换(IPS)显示面板、边缘场转换(FFS)显示面板和广视角(aplane-to-line switching，PLS)显示面板中的任意一种。
图14是示出根据示例性实施例的形成精细图案的方法的流程图。参照图14，根据示例性实施例的形成精细图案的方法可以包括以下步骤：准备具有第一区域、第二区域和位于第一区域与第二区域之间的边界区域的基体部(操作S51)；在基体部的第一区域、第二区域和边界区域上形成包括第一粘附材料的第一牺牲层(操作S53)，所述第一粘附材料包括邻苯二酚基；在第一牺牲层上形成第一抗蚀图案(操作S55)；在第一牺牲层上形成第一覆盖图案，以覆盖第一抗蚀图案的设置在边界区域和第二区域上的部分，并暴露第一抗蚀图案的设置在第一区域上的部分(操作S57)；通过使用第一抗蚀图案和第一覆盖图案作为掩模使第一区域图案化来形成第一精细图案(操作S59)；将第一牺牲层与基体部分开(操作S61)；以及在第二区域上形成第二精细图案(操作S63)。
将参照图15至图28更详细地描述根据示例性实施例的形成精细图案的方法。
图15至图28是示出图14的方法的操作的示意性剖视图。
参照图14至图19，可以如下执行：准备具有第一区域、第二区域和位于第一区域与第二区域之间的边界区域的基体部(操作S51)；在基体部的第一区域、第二区域和边界区域上形成包括第一粘附材料的第一牺牲层(操作S53)，所述第一粘附材料包括邻苯二酚基；在第一牺牲层上形成第一抗蚀图案(操作S55)；在第一牺牲层上形成第一覆盖图案，以覆盖第一抗蚀图案的设置在边界区域和第二区域上的部分，并暴露第一抗蚀图案的设置在第一区域上的部分(操作S57)。
首先，参照图15，准备基体部600。基体部600可以包括第一区域A、第二区域B和位于第一区域A与第二区域B之间的边界区域C。第一区域A可以是其上将形成有第一精细图案的区域，第二区域B可以是其上将形成有第二精细图案的区域。
当要制造的物体是主模(master mold)时，基体部600可以包括诸如氮化硅或氧化硅的无机材料、诸如环氧树脂的有机材料或石英。当要制造的物体是线栅偏振片时，基体部600可以包括诸如金属的导电材料。然而，预期的是，包括在基体部600中的材料可以根据使用根据示例性实施例的形成精细图案的方法要制造的物体来改变。
参照图16，在基体部600的第一区域A、第二区域B和边界区域C上形成第一牺牲层700。
第一牺牲层700可以包括具有邻苯二酚基的粘附材料。例如，包括邻苯二酚基的粘附材料可以是聚多巴胺(pDA)或聚去甲肾上腺素(pNor)。
参照图17，在第一牺牲层700上形成第一抗蚀层800。第一抗蚀层800可以形成为与第一区域A叠置，如图17中示出的，并且考虑到余量还可以与边界区域C叠置。图17示出了第一抗蚀层800与边界区域C叠置，但是不与第二区域B叠置。然而，预期的是，第一抗蚀层800可以形成为不仅与第一区域A和边界区域C叠置，而且还与第二区域B叠置。第一抗蚀层800可以包括光固化树脂或热塑性树脂。
参照图18，准备具有转印图案1010的模具1000。通过压印工艺在第一抗蚀层800上形成模具1000的转印图案1010的形状，从而形成第一抗蚀图案850。压印工艺的详细描述与上述相同或基本上相似，因此，将省略它们的重复描述。如上所述，第一抗蚀层800可以形成为不仅与第一区域A叠置，而且考虑到余量还与边界区域C叠置。因此，第一抗蚀图案850可以包括与第一区域A叠置的第一部分850a以及与边界区域C叠置的第二部分850b。
参照图19，在第一牺牲层700上形成第一覆盖图案20以覆盖第一抗蚀图案850的一部分。第一覆盖图案20可以通过在第一牺牲层700上涂覆光致抗蚀剂以覆盖第一抗蚀图案850，并曝光和显影光致抗蚀剂来形成。
第一覆盖图案20可以覆盖第一抗蚀图案850的与边界区域C叠置的第二部分850b，并可以不覆盖第一抗蚀图案850的与第一区域A叠置的第一部分850a。此外，第一覆盖图案20也可以覆盖第一牺牲层700的与第二区域B叠置的部分。
参照图14、图20至图22，可以如下执行：通过使用第一抗蚀图案和第一覆盖图案作为掩模使第一区域图案化来形成第一精细图案(操作S59)以及将第一牺牲层与基体部分开(操作S61)。
参照图20，通过使用第一抗蚀图案850和第一覆盖图案20作为掩模使基体部600图案化。更具体地，通过使用第一抗蚀图案850作为掩模使第一牺牲层700和基体部600图案化。因此，通过使基体部600的第一区域A图案化来形成的第一精细图案650可以设置在第一抗蚀图案850下方。基体部600的被第一覆盖图案20覆盖的边界区域C和第二区域B可以不被图案化。此外，第一牺牲层700可以保留在第一抗蚀图案850与第一精细图案650之间以及在第一覆盖图案20与基体部600之间。可以使用蚀刻气体通过干蚀刻工艺来使基体部600的第一区域A图案化。蚀刻气体可以与上述的蚀刻气体基本上相似，因此，将省略它们的重复描述。
参照图21，可以通过使用碱或过氧化氢处理第一牺牲层700将第一牺牲层700与基体部600分开。当将第一牺牲层700与基体部600分开时，设置在第一牺牲层700上的第一抗蚀图案850和第一覆盖图案20也可以与基体部600分开。例如，第一牺牲层700可以浸入包括碱性溶液或过氧化氢溶液10的浴池2000中。然后，可以去除包括在第一牺牲层700中的含有邻苯二酚基的粘附材料的粘合强度。因此，第一牺牲层700可以容易地与基体部600分开。如上所述，碱性溶液可以包括氢氧化四甲胺(TMAH)水溶液或氢氧化钾(KOH)水溶液。
当第一抗蚀图案850的第一部分850a不被第一覆盖图案20覆盖时，第二部分850b被第一覆盖图案20覆盖。因此，相比于去除第一部分850a，通过使用诸如灰化工艺的工艺来去除第二部分850b会是困难的。如果使用未去除的第二部分850b作为掩模来使基体部600图案化，在基体部600中会形成有缺陷的精细图案。因此，由于在包括第二部分850b的区域中形成图案会是困难的，所以第一区域A与第二区域B之间的边界区域C的宽度通常会增大。
然而，根据示例性实施例，通过将第一牺牲层700与基体部600分开，第一抗蚀图案850的第一部分850a以及第二部分850b可以容易地与基体部600分开。因此，第一区域A和第二区域B之间的边界区域C的宽度可以相对地减小，从而减小稍后将描述的精细图案结构的缝隙宽度(stitch width)。此外，可以防止因剩余的第二部分850b而形成有缺陷的精细图案。
如上所述，当第一牺牲层700和第一抗蚀图案850、第一覆盖图案20一起与基体部600分开时，可以获得具有多个第一精细图案650的基体部600，如图22中所示出的。
参照图14和图23至图28，可以如下执行在第二区域上形成第二精细图案(操作S63)。
参照图23，在具有第一精细图案650的基体部600上形成第二牺牲层750。可以在基体部600的第一区域A、第二区域B和边界区域C上形成第二牺牲层750，并且第二牺牲层750覆盖第一精细图案650。第二牺牲层750可以包括具有邻苯二酚基的粘附材料。包括邻苯二酚基的粘附材料可以是聚多巴胺(pDA)或聚去甲肾上腺素(pNor)。根据示例性实施例，第二牺牲层750和第一牺牲层700可以包括相同的材料。
参照图24，在第二牺牲层750上形成第二抗蚀层900。第二抗蚀层900可以形成为与第二区域B叠置，如图24中所示出的，并考虑到余量还可以与边界区域C叠置。第二抗蚀层900也可以形成为与第二区域B、边界区域C和第一区域A叠置。第二抗蚀层900可以包括光固化树脂或热塑性树脂。
参照图25，准备具有转印图案1010的模具1000。通过压印工艺在第二抗蚀层900上形成模具1000的转印图案1010的形状，从而形成第二抗蚀图案950。压印工艺的详细描述与上述的压印工艺基本上相似，因此，将省略它们的重复描述。如上所述，第二抗蚀层900可以形成为与第二区域B叠置，并考虑到余量与边界区域C的一部分叠置。因此，第二抗蚀图案950可以包括与第二区域B叠置的第一部分950a以及与边界区域C叠置的第二部分950b。
模具1000可以与形成第一抗蚀图案850的工艺中使用的模具1000(见图18)基本上相同。更具体地，压印工艺可以通过重复转印相对小的模具1000的转印图案1010的形状(例如，通过使用分步重复的方法)来执行。因此，使用相对小的模具1000可以使大的区域图案化。
参照图26，在第二牺牲层750上形成第二覆盖图案30以覆盖第二抗蚀图案950的一部分。形成第二覆盖图案30的方法可以与形成第一覆盖图案20(见图19)的方法基本上相似。即，可以通过在第二牺牲层750上涂覆光致抗蚀剂以覆盖第二抗蚀图案950，然后曝光并显影光致抗蚀剂来形成第二覆盖图案30。
第二覆盖图案30可以覆盖第二抗蚀图案950的与边界区域C叠置的第二部分950b，第二覆盖图案30可以不覆盖与第二区域B叠置的第一部分950a。可选择地，当第二抗蚀图案950形成为覆盖第二区域B、边界区域C和第一区域A的一部分时，第二覆盖图案30也可以覆盖与第一区域A叠置的第二抗蚀图案950。
参照图27，使用第二抗蚀图案950和第二覆盖图案30作为掩模使基体部600图案化。因此，通过使基体部600的第二区域B图案化而形成的第二精细图案670可以设置在第二抗蚀图案950下方。用这种方式，基体部600的被第二覆盖图案30覆盖的边界区域C和第一区域A可以不被图案化。此外，第二牺牲层750可以保留在第二抗蚀图案950与第二精细图案670之间以及在第二覆盖图案30与基体部600之间。可以使用蚀刻气体通过干蚀刻工艺使基体部600的第二区域B图案化。蚀刻气体可以与上述的蚀刻气体基本上相同或相似，因此，省略它们的重复的描述。
再参照图21，可以通过使用碱或过氧化氢处理第二牺牲层750将第二牺牲层750与基体部600分开。当第二牺牲层750与基体部600分开时，设置在第二牺牲层750上的第二抗蚀图案950和第二覆盖图案30也可以与基体部600分开。在此，通过将第二牺牲层750与基体部600分开，不仅第二抗蚀图案950的第一部分950a，而且第二部分950b也可以容易地与基体部600分开。因此，位于第一区域A和第二区域B之间的边界区域C的宽度(S1)可以相对地减小。
如果具有第一精细图案650和第二精细图案670的基体部600如上所述与第二牺牲层750分开，则可以获得如图28中所示出的精细图案结构。根据示例性实施例制造的精细图案结构可以包括形成在基体部600的第一区域A上的第一精细图案650、形成在基体部600的第二区域B上的第二精细图案670和形成在基体部600的边界区域C上的缝隙660。
形成在第一区域A上的第一精细图案650之间的间隔与形成在第二区域B上的第二精细图案670之间的间隔可以彼此相同或彼此不同。
缝隙660是位于第一精细图案650与第二精细图案670之间的边界部分。如果精细图案结构是用于图案转印的主模，则可以通过转印主模的图案的形状来形成线栅偏振片。在这种情况下，在线栅偏振片的对应于缝隙660的部分中会形成不必要的图案。具体地，如果缝隙660具有大的宽度S1，则可以用肉眼观察线栅偏振片的对应于缝隙660的部分。此外，即使当精细图案结构是线栅偏振片时，如果缝隙660具有如上所述的大的宽度，则也可以用肉眼观察到精细图案结构的对应于缝隙660的部分。
在形成精细图案结构期间，当在第一抗蚀图案850和第二抗蚀图案950中识别出任何缺陷时，可以如参照图1至图12描述的执行重新加工工艺。
根据示例性实施例，可以使用如上所述的牺牲层去除设置在边界区域C中的抗蚀图案。因此，可以减小精细图案结构的缝隙660的宽度S1。例如，缝隙660的宽度S1可以形成为小于或大于形成在第一区域A上的第一精细图案650的间隔和形成在第二区域B上的第二精细图案670之间的间隔。此外，由于牺牲层包括具有邻苯二酚基的粘附材料，所以使用碱或过氧化氢处理可以容易地去除牺牲层，从而提高工艺效率。
根据本发明的示例性实施例，精细图案可以容易地形成在大的区域上方。此外，精细图案的结构可以在其中具有减小的缝隙。另外，可以容易地重新加工在形成精细图案的工艺中形成的不需要的有缺陷的抗蚀图案。
尽管已经在此描述了某些示例性实施例和实施方式，但是通过本描述，其它的实施例和修改将是显而易见的。因此，发明构思不限于这样的示例性实施例，而是由给出的权利要求以及各种明显的修改和等同布置的更广泛的范围来限定。

Claims (20)

1.一种形成精细图案的方法，所述方法包括：
在基体部上形成导电层；
在所述导电层上形成包括粘附材料的牺牲层，所述粘附材料包括邻苯二酚基；
在所述牺牲层上形成抗蚀图案；以及
通过使用所述抗蚀图案作为掩模使所述导电层图案化来形成精细图案。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述粘附材料包括聚多巴胺或聚去甲肾上腺素。
3.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括：
如果所述抗蚀图案是有缺陷的，则通过将所述牺牲层与所述导电层分开来使所述导电层与所述抗蚀图案分开；以及
重复以下步骤：形成所述牺牲层、形成所述抗蚀图案和形成所述精细图案。
4.如权利要求3所述的方法，其中，将所述牺牲层与所述导电层分开的步骤包括将所述牺牲层浸入碱性溶液或过氧化氢溶液中。
5.如权利要求4所述的方法，其中，所述碱性溶液包括氢氧化四甲铵或氢氧化钾。
6.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括在形成所述精细图案之后将所述牺牲层与所述精细图案分开。
7.如权利要求6所述的方法，其中，将所述牺牲层与所述精细图案分开的步骤包括将所述牺牲层浸入碱性溶液或过氧化氢溶液中。
8.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述抗蚀图案的步骤包括：
在所述牺牲层上形成抗蚀层；以及
通过压印工艺在所述抗蚀层上形成模具的转印图案的形状。
9.一种形成精细图案的方法，所述方法包括：
准备包括第一区域、第二区域和位于所述第一区域与所述第二区域之间的边界区域的基体部；
在所述第一区域、所述第二区域和所述边界区域上形成包括第一粘附材料的第一牺牲层，所述第一粘附材料包括邻苯二酚基；
在所述第一牺牲层上形成第一抗蚀图案；
在所述第一牺牲层上形成第一覆盖图案，以覆盖所述第一抗蚀图案的与所述边界区域叠置的部分，所述第一覆盖图案不覆盖所述第一抗蚀图案的与所述第一区域叠置的部分；
通过使用所述第一抗蚀图案和所述第一覆盖图案作为掩模使所述第一区域图案化来形成第一精细图案；
将所述第一牺牲层与所述基体部分开；以及
在所述基体部的所述第二区域上形成第二精细图案。
10.如权利要求9所述的方法，其中，所述第一粘附材料包括聚多巴胺或聚去甲肾上腺素。
11.如权利要求9所述的方法，其中，将所述第一牺牲层与所述基体部分开的步骤包括将所述第一牺牲层浸入碱性溶液或过氧化氢溶液中。
12.如权利要求11所述的方法，其中，所述碱性溶液包括氢氧化四甲铵或氢氧化钾。
13.如权利要求9所述的方法，其中，所述第一覆盖图案还覆盖与所述第二区域叠置的所述第一牺牲层。
14.如权利要求9所述的方法，其中，形成所述第一抗蚀图案的步骤包括：
在所述第一牺牲层上形成第一抗蚀层；以及
通过第一压印工艺在所述第一抗蚀层上转印模具的转印图案的形状。
15.如权利要求9所述的方法，其中，形成所述第二精细图案的步骤包括：
在所述第一区域、所述第二区域和所述边界区域上形成包括第二粘附材料的第二牺牲层，所述第二粘附材料包括邻苯二酚基；
在所述第二牺牲层上形成第二抗蚀图案；
在所述第二牺牲层上形成第二覆盖图案以覆盖所述第二抗蚀图案的与所述边界区域叠置的部分，所述第二覆盖图案不覆盖所述第二抗蚀图案的与所述第二区域叠置的部分；
通过使用所述第二抗蚀图案和所述第二覆盖图案作为掩模使所述第二区域图案化来形成第二精细图案；以及
将所述第二牺牲层与所述基体部分开。
16.如权利要求15所述的方法，其中，所述第二粘附材料和所述第一粘附材料包括相同的材料。
17.如权利要求15所述的方法，其中，所述第二覆盖图案还覆盖与所述第一区域叠置的所述第二牺牲层。
18.如权利要求15所述的方法，其中：
形成所述第一抗蚀图案的步骤包括：在所述第一牺牲层上形成第一抗蚀层；通过第一压印工艺在所述第一抗蚀层上转印模具的转印图案的形状；以及
形成所述第二抗蚀图案包括：在所述第二牺牲层上形成第二抗蚀层；通过第二压印工艺将所述模具的所述转印图案的所述形状转印到所述第二抗蚀层上。
19.如权利要求9所述的方法，其中，与所述边界区域叠置的图案的宽度不同于与所述第一区域叠置的所述第一精细图案的宽度。
20.如权利要求15所述的方法，其中，与所述边界区域叠置的图案的宽度不同于与所述第一区域叠置的所述第一精细图案的宽度以及与所述第二区域叠置的所述第二精细图案的宽度。
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