JP4495437B2 - 有機薄膜トランジスタアレイ構造とその製造方法 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 126
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 123
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 16
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 13
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 7
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 2
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 claims 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims 2
- 235000015067 sauces Nutrition 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 114
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/13378—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
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- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
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- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133553—Reflecting elements
- G02F1/133555—Transflectors
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
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- H—ELECTRICITY
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Description
図1〜図6は、本発明の第一実施例による、ボトムゲート型OTFT基板を有するLCDの製造方法を示した断面図である。
図7は、本発明の第二実施例による、ボトムゲート型OTFT基板を有するLCDの断面図である。
図8〜13は、本発明の第三実施例による、ボトムゲート型OTFT基板を有するLCDの製造方法を示した断面図である。
21、25 画素電極
22 ゲート
35 開口
31、37 第一誘電層
32、38 第二誘電層
310、370 第一配向膜
310a、370a 第一マイクログルーブ
320、330、380 第二配向膜
320a、330a、380a 第二マイクログルーブ
41、42 有機半導体層
41a 配列がある有機半導体部分
43 配列がある有機半導体
51 ソース
52 ドレイン
60 保護層
62 ゲート絶縁層
64 ゲート
71、72、73 有機半導体アレイ基板
80 液晶
Claims (25)
- 有機薄膜トランジスタアレイ基板であって、
LCD領域とOTFT領域とを備えた基板と、
前記基板の前記LCD領域に形成された画素電極と、
前記画素電極上に形成された第一配向膜と、
前記基板の前記OTFT領域に形成された第二配向膜と、
前記第二配向膜上に形成され、前記第二配向膜の方向に沿って配列された有機半導体層と、
前記OTFT領域に形成されたゲート、ソース、ドレインとを備え、
前記ソースと前記ドレインが、前記有機半導体層に接触し、前記ソースと前記ドレイン間にチャネルを形成していることを特徴とする有機薄膜トランジスタアレイ基板であって、
前記第一配向膜と前記第二配向膜は、同一の材料、同一の工程により形成される有機薄膜トランジスタアレイ基板。 - 前記画素電極と前記ゲートは、同一の材料、同一の工程により形成される請求項1記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記画素電極は透明材料である請求項1記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記ソースと前記ドレインの前記チャネル方向は、前記第二配向膜の配列方向と同じである請求項1記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記第二配向膜の全表面は、配列がある請求項1記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記第二配向膜の部分表面上は、配列がある請求項1記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記有機薄膜トランジスタがボトムゲート型であるとき、前記構造は、
LCD領域とOTFT領域とを備えた基板と、
前記基板の前記LCD領域に形成された画素電極と、
前記基板の前記OTFT領域に形成されたゲートと、
前記画素電極上に形成された第一配向膜と、
前記基板の前記OTFT領域に形成され、前記ゲートを被覆する第二配向膜と、
前記第二配向膜上に、前記第二配向膜の方向に沿って配列された有機半導体層と、
前記OTFT領域に、前記有機半導体層に接触して形成され、チャネルが間に形成されるソースおよびドレイン
とを備えてなることを特徴とする請求項1記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板。 - 前記OTFTがトップゲート型であるとき、前記構造は、
LCD領域とOTFT領域とを備えた基板と、
前記基板の前記LCD領域に形成された画素電極と、
前記画素電極に形成される第一配向膜と、
前記基板の前記OTFT領域に形成された第二配向膜と、
前記第二配向膜上に、前記第二配向膜の方向に沿って配列された有機半導体層と、
前記OTFT領域に、前記有機半導体層に接触して形成され、チャネルが間に形成されるソースおよびドレインと、
前記有機半導体層、前記ソース、前記ドレイン上に形成されたパッシベーション層と、
前記パッシベーション層上に形成されるゲート
とを備えてなることを特徴とする請求項1記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板。 - 有機薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法であって、
LCD領域とOTFT領域とを備えた基板を設ける工程と、
前記基板の前記LCD領域に、画素電極を形成する工程と、
前記画素電極上に第一誘電層、前記OTFT領域に、第二誘電層を形成する工程と、
前記第一誘電層および前記第二誘電層をパターニングし、第一配向膜および第二配向膜を形成する工程と、
前記第二配向膜上に、前記第二配向膜の方向に沿って配列される有機半導体層を形成する工程と、
前記OTFT領域に、ゲート、ソース、ドレインを形成する工程
とを含み、前記ソースと前記ドレインは、前記有機半導体層に接触し、チャネルが前記ソースと前記ドレイン間に形成されることを特徴とする有機薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法であって、
前記第一配向膜と前記第二配向膜は、同一の材料、同一の工程により形成される有機薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - さらに、前記ソースと前記ドレイン間の前記チャネルの方向と、第二配向膜の配列方向を同じにする工程と含む請求項9記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 第一配向膜の形成方法が、マスクにより、イオンビームを第一誘電層に照射して、現像する工程を含む請求項9記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記第一誘電層がフォトレジストで、前記第一配向膜の形成は、マスクにより、前記第一誘電層を露出して、現像する工程を含む請求項9記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記第一誘電層が、感光性の有機分子層で、前記第一配向膜の形成は、マスクにより、偏光を用いて、前記第一誘電層を露出する工程を含む請求項9記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記第二配向膜の形成は、マスクにより、イオンビームを第二誘電層に照射して、現像する工程を含む請求項9記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記第一誘電層がフォトレジストで、前記第二配向膜の形成は、マスクにより、前記第二誘電層を露出して、現像する工程を含む請求項9記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記第二誘電層が、感光性の有機分子層で、前記第二配向膜の形成は、マスクにより、偏光を用いて、前記第二誘電層を露出する工程を含む請求項9記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記第一誘電層と、前記第二誘電層が、同一の材料、同一の工程により形成される請求項9記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記OTFTがボトムゲート型であるとき、
LCD領域とOTFT領域とを備える基板を設ける工程と、
前記基板上に導電層を形成し、前記導電層をパターニングして、前記LCD領域に画素電極、前記OTFT領域にゲートを形成する工程と、
前記画素電極上に、第一誘電層を形成し、前記OTFT領域に、第二誘電層を形成して、前記ゲートを被覆する工程と、
前記第一および第二誘電層をパターニングして、第一および第二配向膜をそれぞれ、形成する工程と、
前記第二配向膜上に、前記第二配向膜の方向に沿って配列された有機半導体層と、前記OTFT領域に、前記有機半導体層に接触し、チャネルが間に形成されるソース、ドレインと、を形成する工程
とを含む請求項9記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 前記OTFTがトップゲート型であるとき、
LCD領域とOTFT領域とからなる基板を設ける工程と、
前記基板の前記LCD領域に、画素電極を形成する工程と、
前記画素電極上に第一誘電層、前記OTFT領域に第二誘電層を形成する工程と、
前記第一および第二誘電層をパターニングして、第一および第二配向膜をそれぞれ、形成する工程と、
前記第二配向膜上に、前記第二配向膜の方向に沿って配列された有機半導体層、前記OTFT領域に、前記有機半導体層に接触して、チャネルが間に形成されるソース、ドレインを形成する工程と、
前記有機半導体層、前記ソースおよびドレイン上に、パッシベーション層を形成する工程と、
前記パッシベーション層上にゲートを形成する工程
とを含む請求項9記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 有機薄膜トランジスタアレイ基板を含む液晶ディスプレイであって、有機薄膜トランジスタアレイ基板と、フィルター基板と、前記有機薄膜トランジスタアレイ基板と前記フィルター基板間の液晶と、からなり、前記有機薄膜トランジスタアレイ基板は、
LCD領域とOTFT領域とを備えた基板と、
前記基板の前記LCD領域に形成された画素電極と、
前記画素電極上に形成された第一配向膜と、
前記基板の前記OTFT領域に形成された第二配向膜と、
前記第二配向膜上に、前記第二配向膜の方向に沿って配列された有機半導体層と、
前記OTFT領域に、前記有機半導体層に接触して形成され、チャネルが間に形成されるソース、ドレインと、
からなることを特徴とする有機薄膜トランジスタアレイ基板を備えた液晶ディスプレイであって、前記第一配向膜と前記第二配向膜は、同一の材料、同一の工程により形成される有機薄膜トランジスタアレイ基板を備える液晶ディスプレイ。 - 前記画素電極と前記ゲートが、同一の材料、同一の工程により形成される請求項20記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板を備える液晶ディスプレイ。
- 前記画素電極が、透明材料である請求項20記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板を備えた液晶ディスプレイ。
- 前記ソースと前記ドレインの前記チャネル方向は、前記第二配向膜の配列方向と同じである請求項20記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板を備えた液晶ディスプレイ。
- 前記第二配向膜の全表面が、配列がある請求項1記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記第二配向膜の部分表面上が、配列がある請求項20記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板を備えた液晶ディスプレイ。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW092108629A TWI228189B (en) | 2003-04-15 | 2003-04-15 | Organic thin film transistor array substrate, its manufacturing method and liquid crystal display including the organic thin film transistor array substrate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004318058A JP2004318058A (ja) | 2004-11-11 |
JP4495437B2 true JP4495437B2 (ja) | 2010-07-07 |
Family
ID=33157853
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003352183A Expired - Fee Related JP4495437B2 (ja) | 2003-04-15 | 2003-10-10 | 有機薄膜トランジスタアレイ構造とその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6872980B2 (ja) |
JP (1) | JP4495437B2 (ja) |
TW (1) | TWI228189B (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200413803A (en) * | 2003-01-30 | 2004-08-01 | Ind Tech Res Inst | Organic transistor array substrate and its manufacturing method, and LCD including the organic transistor array substrate |
KR100669762B1 (ko) | 2004-11-15 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치 |
KR101133767B1 (ko) | 2005-03-09 | 2012-04-09 | 삼성전자주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
JP2007071928A (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
KR101241138B1 (ko) | 2006-06-20 | 2013-03-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 박막트랜지스터 액정표시장치 및 그 제조방법 |
KR101244898B1 (ko) * | 2006-06-28 | 2013-03-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
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2003
- 2003-04-15 TW TW092108629A patent/TWI228189B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-08-08 US US10/637,259 patent/US6872980B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-10-10 JP JP2003352183A patent/JP4495437B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-11-16 US US10/990,210 patent/US7026644B2/en not_active Expired - Fee Related
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---|---|
TW200420945A (en) | 2004-10-16 |
US7026644B2 (en) | 2006-04-11 |
TWI228189B (en) | 2005-02-21 |
JP2004318058A (ja) | 2004-11-11 |
US6872980B2 (en) | 2005-03-29 |
US20050087745A1 (en) | 2005-04-28 |
US20040209388A1 (en) | 2004-10-21 |
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|
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