TWI228189B - Organic thin film transistor array substrate, its manufacturing method and liquid crystal display including the organic thin film transistor array substrate - Google Patents
Organic thin film transistor array substrate, its manufacturing method and liquid crystal display including the organic thin film transistor array substrate Download PDFInfo
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 132
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 24
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 82
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 54
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims 2
- 239000005441 aurora Substances 0.000 claims 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 79
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 122
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- -1 poly (p-phenylene) Polymers 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000577218 Phenes Species 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003203 everyday effect Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/13378—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133553—Reflecting elements
- G02F1/133555—Transflectors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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Description
1228189 修正 案號92108ft妁 五、發明說明（1) 發明所屬之技術領域 本發明有關於一種有機電晶體陣列基板，特別 OTFT區和LCD區之配向膜使用同一道製程與相同材料的一、 種有機電晶體陣列基板。 先前技術 有機半導體材料（organic semiconductor material)，經國内外各研究單位實際製作的驗證，是適 合製作薄膜電晶體元件（thin film transistor)的熱門候 選材料之一，也是製作許多電子元件與光電元件的熱門材 料。劍橋大學Sirringhaus等人所製作的有機薄膜電晶體 (OTFT; organic thin film transistor)，藉由有機分子 自組織（sel f-organization)，得到不同異向性結構排 列，發現分子鏈有較佳排列可明顯增強電荷傳輸效率，使 電晶體的特性大幅提昇（載子移動率（carrier mobility) 可增加至少1 0 0倍），證明控制有機分子的排列對於電性的 提昇有其重要性（Nature，Vol 401，ρ·685，1 999 )。 有機薄膜電晶體（organic thin film transistor; OTFT) 為使用有機層作為主動層的薄膜電晶體，已被用於驅動液 晶顯示器（liquid crystal display; LCD)。為了 簡化製 程及降低製作成本，近年來已有學者研究出將LCD和OTFT 製作在同一基板上（monolithically)的整合技術。 例如，Kabushiki Kaisha Toshiba 在 U.S· Patent No· 5, 355,235中，使用兩層有機層製作下閘極式
1228189 _案號 92108629_年—月 日__ 五、發明說明（2)
Mitshubishi Denki Kabushiki Kaisha在U.S·
Patent No· 6, 0 60, 333中，使用下閘極式〇TFT結構來搭配 穿透式或反射式LCD。0TFT電性不佳，且LC亦無配向膜。
Hitachi，Ltd·在U.S· Patent No· 6,300,988 B1 中，也 是使用下閘極式0TFT結構搭配LCD。其利用圖案化之絕緣 層來使沈積於其上之有機半導體層具有圖樣，而分隔成通 道區（channel r eg i on )和非通道區，如此，可降低元件間 之漏電流和串音。然而，0TFT中之有機半導體並未控制排 列，電性通常不佳，且製程較複雜。 在上述0TFT和LCD之整合元件中，0TFT之有機半導體 層並未經過排列，因此電性不佳，較難符合電路設計的要 求。而且，未能善用0TFT*LCD製程的相容性，製程複 雜0 發明内容 有鑑於此，本發明之目的為解決上述問 有機電晶體陣列基板，其將0TFT製程和lcd 種 起，且具有一配向膜以使有機丰藤柱、，Ό σ在 0TFT之電性。 便有機+導體層具有排列性’改善 本發明之另一目的為提供一 日日在〇1^區具有第二配向膜，可用於排；5丨女地、 料，可增進載子傳導 、 ；彳有機半導體材 要求之目的本：善元件電性，達到電路設計 和第二配向膜可使用相明=實：例1 -配向膜 u材枓，以同—道製程製作，可大 1228189
號 92inSft9Q Λ_a 曰 五、發明說明（3) 幅簡化製程。 為達成本發明上述目的，本發明之有機電晶體陣列基 板包括： 1 基板’分為一液晶顯不|§(LCD)區和一有機電曰f (OTFT)區； 一畫素電極，形成於LCD區之基板上； 一第一配向膜，形成於該晝素電極上； 一第一配向膜，形成於OTFT區之基板上； 、一有機半導體層，形成於該第二配向膜上，使得該有 機半導體層延著該第二配向膜的方向排列；以及 一問極、源極、和汲極，形成於0TFT區處，該源極和 沒極係與該有機半導體層接觸，而在源極和汲極之間形成 通道。 依據本發明，有機電晶體陣列基板之製造方法包括以 下步驟。提供一基板，分為一液晶顯示器（LCD)區和一有 機=晶體（OTFT)區。在LCD區之基板上形成一畫素電極， f畫素電極上形成一第一介電層，在OTFT區之基板上形成 一第二介電層。圖案化第一介電層而形成一第一配向膜， 圖^案化第二介電層而形成一第二配向膜，在第二配向膜上 形成一有機半導體層，使得有機半導體層延著第二配向膜 =方向排列。在0TFT區處形成一閘極、源極、和汲極使 得源極和沒極係與有機半導體層接觸，而在源極和汲極之 間形成通道。 备有機電晶體為下閘極式，本發明有機電晶體陣列基 造方法包括以下步驟。首先，提供一基板，分為一
第8頁 1228189案號關懸 五、發明說明（4) 液晶顯不器（LCD)區和一有機電晶體（〇TFT)區。接著，在 基板上形成一導電層，圖案化導電層而在LCD區處形成一 畫素電極，且在OTFT處形成一閘極。接著，在畫素電極上 形成一第一介電層，在0TFT區之基板上形成一第二介電層 以覆蓋閘極。接著，圖案化第一介電層而形成一第一配向 膜，圖案化第二介電層而形成一第二配向膜。最後，在第 二配向膜上形成一有機半導體層，在〇TFT區處形成源極和 汲極，使得有機半導體層延著該第二配向膜的方向排列， 並且使得源極和汲極係與有機半導體層接觸，而在源極和 >及極之間形成通道。 當有機電晶體為上閘極式，本發明有機電晶體陣列基 板之製造方法包括以下步驟。首先，提供一基板，分為一 液晶顯示器（LCD)區和一有機電晶體（〇TFT)區。在LC])區之 該基板上形成一畫素電極，在晝素電極上形成一第一介電 層’在OTFT區之基板上形成一第二介電層。接著，圖案化 第一介電層而形成一第一配向膜，圖案化第二介電層而形 成一第二配向膜。接著，在第二配向膜上形成一有機半導 體層’在0 T F T區處形成源極和沒極，使得有機半導體層延 著該第二配向膜的方向排列，並且使得源極和汲極係與有 機半導體層接觸，而在源極和汲極之間形成通道。最後， 在有機半導體層、源極、和汲極上形成一絕緣層，在 層上形成一閘極。 /緣 本發明亦提供一種包含有機電晶體陣列基板之液晶顯 示器’其包括：一有機電晶體陣列基板，一濾光基板，以 及在有機電晶體陣列基板和濾光基板之間的液晶。此有機 iram wm 1228189 案號 五、發明說明（5) 92108629
電晶體陣列基板包括： 一基板’分為^一液晶顯示器（LCD)區和一有機電晶體 (OTFT)區； 3 一晝素電極，形成於LCD區之基板上； 一第一配向膜，形成於該晝素電極上； 一第二配向膜，形成於OTFT區之基板上； 一有機半導體層，形成於該第二配向膜上，使得該有 機半導體層延著該第二配向膜的方向排列；以及 一閘極、源極、和汲極，形成於OTFT區處，該源極和 汲極係與該有機半導體層接觸，而在源極和沒極之間形成 通道。 實施方式 第1 a圖至第1 f圖顯示依據本發明第一較佳實施例包含 下閘極式有機電晶體陣列基板之液晶顯示器的製程剖面示 意圖。 請參閱第la圖，提供一基板10，分為一液晶顯示器 (LCD)區和一有機電晶體（OTFT)區。適用之基板可為秒晶 圓、玻璃、石英、塑膠基板、或可撓式基板。在基板1〇上 形成一導電透明層（未顯示），所用之材料可為IT〇( indium t i n oxi de ;氧化銦錫）或ZnO或導電高分子。然後以微 影、蝕刻法將導電透明層圖案化，而在LCD區上形成一書 素電極21，且在OTFT區上上形成一閘極22。或者，也可\ 使用印刷（printing)的方式直接形成導電透明之畫素電極
五、發明說明（6) 接著，參閲第lb圖，在LCD區和〇TFT區上形成一介電 層（未顯示），以覆蓋畫素電極21和閘極2 2。然後，使介電 層進行圖案化’而形成一開口 35，使介電層分成兩部分： 在畫素電極21上之一第一介電層31，以及在閘極22上之一 第二介電層32。介電層之圖案化可使用微影和蝕刻法進 行。或者，也可以使用印刷（printing)的方式直接形成第 一介電層31和第二介電層32。 接著，參閱第lc圖，對於第一介電層Μ進行圖案化， 而形成一第一配向膜310，其表面上具有一第一凹凸部 310a，具有排列性。並且，對於第二介電層“進行圖案 化，而形成一第二配向膜320，其表面上具有一第二凹凸 部320a，具有排列性。如圖所示，並不是整個第二配向膜 320都具有排列，而是僅有標號32〇a的部分有排列。 第一凹凸部31〇a和第二凹凸部32〇a的排列方向可為相 同。或者，第一凹凸部310a和第二凹凸部32〇a的排列方 可^不㈤，以分別配合LCD區和〇m區之不同需求， 依據 方式並沒 經由一光 介電層32 介電層32 介電層32 曝光，然 32可使用 ’圖案化第-介電層31和第二介電層32的 了定的限制。可使用曝光顯影製程，例如，可 以離子束（10n beam)照射第一介電層31和第二 ::後進行顯影。或者，當第一介電層31和第： :士：時，經由一光罩對於第一介電層31和第二 %、隹:光微衫製程（phot〇iithography)，亦即先 後進行顯影。园安& # 人 ^ 一個光罝Γ圖案化第一介電層31和第二介電層 道製秋。例如，使用灰階（g r a y〜 1228189 ^ 92108629 五、發明說明（7) 曰 修正 tone)光罩，經過一次曝光，同時在LCD區上形成第一配向 膜310，在0TFT區上形成第二配向膜320。又，可使用兩個 光罩、兩道製程。例如，先遮蔽0TFT區，圖案化在LCD區 上之第一介電層31，而在LCD區上形成第一配向膜31 〇。然 後，遮蔽LCD區，圖案化在0TFT區之第二介電層32，而在' 0TFT區形成第二配向膜320。經由上述曝光顯影製程，可 使得第一凹凸部310a和第二凹凸部320a具有微溝槽 (microgroove)形式 。 此外，第一介電層31和第二介電層32可使用不同材 料。例如，先分別在LCD區和0TFT區上形成兩種不同材料 的第一介電層3 1和第二介電層32。然後，使用兩個光罩， 進行兩次曝光’分別在LCD區内形成第一配向膜31〇，以及 在0TFT區内形成第二配向膜320。 再者，圖案化第一介電層31和第二介電層32的方式亦 可使用偏極光（polarized light)曝光製程。例如，第一 和第二介電層3 1和3 2可使用可感光排列之有機分子層，例 如PI (polyimide ·’聚醯亞胺）。可使用一第一偏極光，經 由一第一光罩（未顯示），對於第一介電層31進行曝光，使 得所形成第一配向膜310之第一凹凸部3i〇a具有一第一分 子排列方向。接著，使用一第二偏極光，經由一第二光罩 (未顯示），對於第二介電層320之局部區域（圖中顯示為閘 極22之相對區域）進行曝光，使得所形成第二配向膜32〇局 部區域之第二凹凸部320a具有一第二分子排列方向。可依 據需要，使彳于第一凹凸部31〇a和第二凹凸部32〇&具有相同 或不同的分子排列方向。 '
^^ 92108629 1228189 修正 曰 _η 五、發明說明（8) 接著’參閱第Id圖，在〇TFT區之第二配向膜320上形 成一有機半導體層41，有機半導體層41會延著第二凹凸部 32 0a的方向排列，而在第二凹凸部32〇a之相對位置上形成 有排列之有機半導體部分4 la。由於有機半導體部分41a有 排列’可增進載子傳導效率。有機半導體層41可為有機小 分子-Acene 系列（例如：Pentacene、Tetracene )，
Thiophene 系列（例如：a — sexithi〇phene )，或是有機聚 白物 poly(p-phenylene)及其衍生基、p〇iy(p-phenylene viny lene)及其衍生基、p〇ly(thi〇phene)及其衍生基或是 有機金屬錯合物（organic c〇mpiex)一pc系列（例如：
CuPc )。有機半導體層之形成方式可為沈積法，例如真空 蒸鍍法（vacuum evaporation)、氣相沈積法（vap〇r deposition)、溶液沈積法（s〇iuti〇n dep0siti〇n)、或有 向性沈積法（directional deposition)。 接著，參閱第le圖，在〇TFT區處形成一源極51和汲極 5 2。汲極5 2需填入開口 3 5内，以與畫素電極2 1接觸。源極 5 1和汲極52可使用同一材料，以同一道製程形成。例如， 在0TFT區上形成一導電層（未顯示），然後圖案化此導電 層，而得到源極51和及極5 2。 為了使0TFT有較佳的載子傳導效率，源極51和汲極52 的位置最好是與有排列之有機半導體部分4丨a接觸，使得 源極51和沒極52之間的通道方向（電流流動方向；current flow)和有排列之有機半導體部分41a的排列方向相同，亦 即’通道方向和第二配向膜32〇之第二凹凸部32〇a的排列 方向相同。
I麵
第13頁 1228189 _ 案號92108629_年月 日 修π： _ 五、發明說明（9) 接著，仍參閱第le圖，在OTFT區内之有機半導體層41 上形成一保護層（passivation layer)60。至此，完成有 機半導體陣列基板71。本發明之有機半導體陣列基板71可 應用於製作穿透式（transmissive)液晶顯示器，或是半反 半穿式（transflective)液晶顯示器。對於半反半穿式lcd 而言，本發明上述OTFT陣列基板上的畫素電極21是作為穿 透部分，而反射部分則需使用反射式材料，例如鋁。 接著’參閱第If圖’提供一濾、光基板（c〇l〇r filler substrate)75，將液晶80注入有機半導體陣列基板71和濾 光基板7 5之間，而完成液晶顯示器之製作。 第2圖顯示依據本發明第二較佳實施例包含下閘極式 有機電晶體陣列基板之液晶顯示器構造的剖面示意圖。此 液晶顯示器包括··一有機電晶體陣列基板7 2，一濾光基板 75，以及在有機電晶體陣列基板72和一濾光基板75之間的 液晶8 0。 第2圖之有機電晶體陣列基板72包括：一基板10，分 為一液晶顯示器（LCD)區和一有機電晶體（〇TFT)區；一透 明畫素電極21，形成於LCD區之基板1〇上；一閘極22，形 成於OTFT區之基板1〇上；一第一配向膜31〇，形成於透明 畫素電極21上；一第二配向膜330，形成於〇TFT區之基板 10上並覆蓋閘極22 ; —有機半導體層42，形成於第二配向 膜330上’使得有機半導體層42延著第二配向膜330的方向 排列；源極51和汲極52，與有機半導體層42接觸，而在源 極51和汲極52之間形成通道；以及一保護層60，形成於有 機半導體層42上。
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2圖和1 f圖之液晶顯示器的構造類似，兩者主要 在☆ f 2圖中之第二配向膜3 30的整個表面都有排 “ 此，使仔其上之有機半導體層42的整個區域都會延 者第二配向膜3 3 0的排列方向而排列。 2 ®之液BB顯示器之製作·方法和第lf圖之液晶顯示 益相似，在此不再贅述，簡略敛述如下。首先，參閱第13 圖，提供一基板10，分為一液晶顯示器（LCD)區和一有機 電晶體_(OTFT)區。接著’在基板10上形成一導電透明層 (未顯不），然後以微影、蝕刻法將導電透明層圖案化，而 在LCD區上形成一畫素電極21，且在〇TFT區上上形成一閘 極2 2。 接著，參閱lb圖，在LCD區和OTFT區上形成一介電層 (未顯示），以覆蓋畫素電極21和閘極22。然後，使介電層 進行圖案化，而形成一開口 3 5，使介電層分成兩部分：在 畫素電極21上之一第一介電層31，以及在閘極22上之一第 二介電層32。 接著，同時參閱第lb圖和第2圖，對於第一介電層31 進行圖案化’而形成一第一配向膜310，其表面上具有一 第一凹凸部310a，具有排列性。並且，對於第二介電層32 進行圖案化’而形成一第二配向膜330，其表面上具有一 第二凹凸部330a，具有排列性。如第2圖所示，第二配向 膜330的整個表面都有排列，因此，使得其上之有機半導 體層42的整個區域都會延著第二配向膜3 30的排列方向而 排列。 如前所述，在第2圖中，第一凹凸部310a和第二凹凸
第15頁 1228189 ---案號92108629_年月日 修正 __ 五、發明說明（11) 部330a的排列方向可為相同或不同，第一配向膜31〇和第 二配向膜330可使用相同或不同的材料。第一配向膜31〇和 第二配向膜330的形成方式可如前所述，使用傳統曝光顯 影製程或偏極光曝光製程，在此不再贅述。 此外，第一配向膜310和第二配向膜330亦可使用摩擦 (rubbing)方式而形成。例如，第lb圖所示之第一和第二 介電層31和32可為PI(聚醢亞胺；polyimide)，使用摩擦 方式，而形成第2圖所示之第一和第二配向膜3 1〇和330。 以此方式，所形成之第一和第二配向膜31〇和33〇會具有相 同的排列方向。 接著，仍參閱第2圖，在第二配向膜330上形成一有機 半導體層。由於第二配向膜330的整個表面都有排列，因 此，使得其上之有機半導體層的整個區域都會延著第二配 向膜330的排列方向而排列，而形成有排列之有機半導體 層42。接著，在〇tft區處形成源極51、汲極、和保護層 6 〇 ’而το成有機電晶體陣列基板7 2。最後，在有 陣列基板72和一滤光基板75之間注入液晶8〇。微也θ曰篮 第3a圖至第3f圖顯示依據本發明第三較佳實施例包含 士閘極式有機電晶體陣列基板之液晶顯示器的製程剖面示 請參閱第3a圖，提供一基板10’分為一液晶顯示器 acD)E^〇—有機電晶體（0TFT)區。適用之基板可 3二Ϊ '石Ϊ、塑膠基板、或可撓式基板。在LCD區： 十土 ·Η形成Γ畫素電極25，所用之材料可為ITOCindium 麵 in oxide ,氧化銦錫）或以^)或導電高分子材料
第16頁 1228189
五、發明說明（12) 接著，參閱第3b圖，在LCD區和OTFT區上形成一介電 層（未顯示），以覆蓋畫素電極2 5。然後，使介電層進行圖 案化，將介電層分成兩部分：在畫素電極25上之一第一介 電層37，以及在OTFT區之基板1〇上的一第二介電層38。介 電層之圖案化可使用微影和蝕刻法進行。或者，也可以使 用印刷（printing)的方式直接形成第一介電層37和第二介 電層38。 接著，參閱第3c圖，對於第一介電層37進行圖案化， 而形成一第一配向膜370，其表面上具有一第一凹凸部 370a，具有排列性。並且，對於第二介電層38進行圖案 化，而形成一第一配向膜380，其表面上具有一第二凹凸 部38 0a，具有排列性。如圖所示，並不是整個第二配向膜 380都具有排列，而是僅有標號38〇a的部分有排列。 如前所述，在第3c圖中，第一凹凸部37〇a和第二凹凸 部38 0a的排列方向可為相同或不同，第一配向膜37〇和第 二配向膜380可使用相同或不同的材料。第一配向膜37〇和 第二配向膜380的形成方式可如前所述，使用傳統黃光微 影製程或偏極光曝光製程，在此不再贅述。 接著’參閱第3d圖，在0TFT區之第二配向膜38〇上形 成一源極51和沒極52。源極51和汲極52可使用同一材料， 以同一道製程形成。例如，在〇TFT區上形成一導電層（未 顯不）’然後圖案化此導電層，而得到源極5丨和汲極5 2。 接著’在第二配向膜38〇之第二凹凸部38〇a上、源極5丨和 沒極52之間’形成有機半導體層，有機半導體層會延著第 -vu a ^380a ^ ^ ^列，而形成有排列之有機半導體層
圓
第17頁 五、發明說明（13) 43。由於有機半導體部分43有排列，可增進載子傳導效 f。有機半導體層43可為有機小分子，或是有機聚合物或 疋有機金屬錯合物（organic c〇fflplex)。有機半導體層之 形成方式可為沈積法，例如真空蒸鍍法（vacuum evaporation)、氣相沈積法（vap〇r dep〇sUi〇n)、溶液沈 積法（solution deposition)、或.有向性沈積法。 為了使0TFT有較佳的載子傳導效率，最好是使得源極 51和汲極52之間的通道方向（電流流動方向；current flow)和有排列之有機半導體層43的排列方向相同，亦 即，通道方向和第二配向膜38〇之第二凹凸部38〇a的排列 、接著，參閱第仏圖，在有排列之有機半導體層43上形 成一閘極絕緣層62。接著，在閘極絕緣層62上形成一閘極 64。至此，完成有機電晶體陣列基板以。本發明之有機半 導體陣列基板73可應用於製作穿透式（transmissive)液晶 顯示器，或是半反半穿式（transflective)液晶顯示器。 對於半反半穿式LCD而言，本發明上述〇TFT陣列基板上的 畫素電極25是作為穿透部分’而反射部分則需使用反射式 材料’例如紹。 接著，參閱第3f圖，提供一濾光基板（c〇1〇r fnter s、UbStrate)75，將液晶80注入有機電晶體陣列基板73和濾 光基板7 5之間，而完成液晶顯示器之製作。 綜合上述，本發明在LCD區之畫素電極上形成第一配 向膜，可用於排列液晶。在0TFT區形成第二配向膜，可用 於排列有機半導體材料，可增進載子傳導效率，改善元件 日 —案號趣 五、發明說明（14) 電性’達到電路設計要求之㈣。再 〔=膜可使用相同材料’以同一：配向膜和第 化袭程。 裏作，可大幅筍 把生,f然本發明已以較佳實施例揭露如上，紗甘 神 =:，=12技#者，在不脫離:;= 當以後附之申請以：；π者=本發明之保護範圍 第19頁 ❿ 1228189 _案號92108629_年月曰 修正_ 圖式簡單說明 第1 a圖至第1 f圖顯示依據本發明第一較佳實施例包含 下閘極式有機電晶體陣列基板之液晶顯示器的製程剖面示 意圖。 第2圖顯示依據本發明第二較佳實施例包含下閘極式 有機電晶體陣列基板之液晶顯示器構造的剖面示意圖。 第3a圖至第3 f圖顯示依據本發明第三較佳實施例包含 上閘極式有機電晶體陣列基板之液晶顯示器的製程剖面示 意圖。
標號之說明 10〜基板， 2 1、2 5〜畫素電極， 2 2〜閘極， 35〜開口， 31、 37〜第一介電層， 32、 38〜第二介電層， 310、370〜第一配向膜， 310a、370a〜第一凹凸部，
320、330、380〜第二配向膜， 320a、330a、380a 〜第二凹凸部， 41、42〜有機半導體層， 4 1 a〜有排列之有機半導體部分， 43〜有排列之有機半導體層， 5 1〜源極，
第20頁 1228189 案號 92108629 年月曰 修正 圖式簡單說明 5 2〜汲極， 6 0〜保護層， 6 2〜閘極絕緣層， 6 4〜閘極^ 71、72、73〜有機半導體陣列基板 75〜濾光基板， 8 0〜液晶。
第21頁
Claims (1)
- Twmm 一種有機電晶體陣列基板’包括： 一基板，分為一液晶顯示器（LCD)區和一有 (OTFT)區； 一晝素電極，形成於LCD區之基板上； 一第一配向膜，形成於該畫素電極上； 一第二配向膜，形成於OTFT區之基板上； 一有機半導體層，形成於該第二配向膜上 半導體層延著該第二配向膜的方向排列 一閘極、源極、和沒極’形成於OTFT區處 極係與該有機半導體層接觸，而在源極身 成通道。 如申請專利範圍第1項所述之有機電晶體陣 中該第一和第二配向膜為同一材料且由同— 成。 如申請專利範圍第1項所述之有機電晶體陣 中該畫素電極與閘極為同一材料且由同一$ 如申請專利範圍第1項所述之有機電晶體陣 中δ亥畫素電極為透明材料。 如申清專利範圍第1項所述之有機電晶體陣 中該源極和汲極之通道方向和該第二配 相同。 如申請專利範圍第1項所述之有機電晶體陣 中該第二配向膜之整個表面具有排列有機4 機電晶體 ，使得該有機 以及 該源極和；及 3汲極之間形 列基板，其 •道製程形 列基板，其 L製程形成。 列基板，其 列基板，其 【的排列方向 列基板，其 、子或高分子 1228189 _案號 92108629__ 年—月 曰 六、申請專彳彳範® '""""" '- 7 ·如申請專利範圍第1項所述之有機電晶體陣列基板， 中該第二配向膜之部分表面具有排列有機分早 _其 鏈的功能。 8·如申請專利範圍第1項所述之有機電晶體陣列基板，α 有機電晶體為下閘極式，該有機電晶體陣列基板包括$ 一基板，分為一液晶顯示器（LCD)區和一有機電晶體 (OTFT)區； 曰曰 一畫素電極，形成於LCD區之基板上； 一閘極，形成於OTFT區之基板上； 一第一配向膜，形成於該畫素電極上； 一第二配向膜，形成於OTFT區之基板上以覆蓋該閑極· 一有機半導體層’形成於該第一配向膜上，使得該4機 半導體層延著該第二配向膜的方向排列；以及 一源極和没極，形成於OTFT區處’該源極和沒極係與該 有機半導體層接觸，而在源極和汲極之間形成通道。 9 ·如申請專利範園第1項所述之有機電晶體陣列基板，该 有機電晶體為上閘極式’其包括·· 一基板，分為〆液晶顯示器（LCD)區和一有機電晶體 (OTFT)區； 一畫素電極，形成於LCD區之基板上； 一第一配向膜，形成於該畫素電極上； 一第二配向膜，形成於OTFT區之基板上； 一有機半導體層’形成於該第二配向膜上，使得該濟機 半導體層延著該第二配向膜的方向排列；m 第23頁 1228189 "" -—^魏92108629 年 月 日 铬t 六、申請專利ιΐϊ 一源極和汲極，形成於OTFT區處，該源極和汲極係與該 有機半導體層接觸，而在源極和汲極之間形成通道； 、邑緣層’形成於該有機半導體層、源極、和沒極上； 以及 一閘極，形成於該絕緣層上。 一種有機電晶體陣列基板之製造方法，其包括以下步 提供一基板，分為一液晶顯示器（LCD)區和一有機電晶 體（OTFT)區；在LCD區之基板上形成一畫素電極； 在該晝素電極上形成一第一介電層，在〇TFT區之基板 上形成一第二介電層； 圖案化該第一介電層而形成一第一配向膜，圖案化該 第一介電層而形成一第二配向膜； 在該第二配向膜上形成一有機半導體層’使得該有機 半導體層延著該第二配向膜的方向排列；以及 在OTFT區處形成一閘極、源極、和汲極，使得該源極 和汲極係與該有機半導體層接觸，而在源極和汲極 之間形成通道。11.如申請專利範圍第10項所述之有機電晶體陣列基板之 製造方法’其更包括··使得源極和汲極之間的通道方 向和第二配向膜的排列方向相同。 1 2.如申請專利範圍第丨〇項所述之有機電晶體陣列基板之 製造方法，其中該形成第一配向膜的步驟包括：經由1228189 -___案號 __， 月 日___ 六、申請專利範圍 一光罩以離子束（i〇n beam)照射該第一介電層，然後 進行顯影。 1 3 ·如申請專利範圍第丨〇項所述之有機電晶體陣列基板之 製造方法，其中該第一介電層為光阻，該形成第一配 向膜的步驟包括：經由一光罩對於該第一介電層進行 曝光，然後進行顯影。 1 4·如申請專利範圍第丨〇項所述之有機電晶體陣列基板之 製造方法，其中該第一介電層為可感光排列之有機分 子層，形成第一配向膜的步驟包括··使用偏極光，經 由一光罩對於第一介電層進行曝光。 1 5 ·如申請專利範圍第1 〇項所述之有機電晶體陣列基板之 製造方法，其中該形成第二配向膜的步驟包括：經由 一光罩以離子束（i〇n beam)照射該第二介電層，然後 進行顯影。 1 6 ·如申請專利範圍第丨〇項所述之有機電晶體陣列基板之 製造方法，其中該第二介電層為光阻，該形成第二配 向膜的步驟包括：經由一光罩對於該第二介電層進行 曝光’然後進行顯影。 1 7 ·如申請專利範圍第1 〇項所述之有機電晶體陣列基板之 製造方法，其中該第二介電層為可感光排列之有機分 子層’形成第二配向膜的步驟包括：使用偏極光，經 由一光罩對於第二介電層進行曝光。 1 8 ·如申請專利範圍第1 〇項所述之有機電晶體陣列基板之 製造方法，其中該第一和第二介電層可使用相同材1228189 __案號92108629_年月 曰 條m 六、申請專利範圍 料’在同一道製程形成。 1 9·如申請專利範圍第1 〇項所述之有機電晶體陣列基板之 製造方法，其中該第一和第二配向膜可使用相同材 料’在同一道製程形成。 2〇·如申請專利範圍第10項所述之有機電晶體陣列基板之 製造方法，其中該有機電晶體為下閘極式，此方法包 括： k供一基板’分為一液晶顯不為（LCD)區和^一有機電晶 體（OTFT)區；在該基板上形成一導電層，圖案化該導電層而在LCD區 處形成一晝素電極，且在Ο T F T處形成—閘極； 在該晝素電極上形成一第一介電層，在OTFT區之基板 上形成一第二介電層以覆蓋該閘極； 圖案化該第一介電層而形成一第一配向膜，圖案化該 第二介電層而形成一第二配向膜；以及 在該第二配向膜上形成一有機半導體層，在0TFT區處 形成源極和；;:及極，使得該有機半導體層延著該第二 配向膜的方向排列，並且使得該源極和汲極係與該有機半導體層接觸，而在源極和汲極之間形成通 道° 2 1 ·如申請專利範圍第1 0項所述之有機電晶體陣列基板之 I造方法’其中該有機電晶體為上閘極式，此方法包 括： 提供一基板，分為一液晶顯示器（LCD)區和一有機電晶第26頁 1228189 -1^92108629 年月日 鉻 π：_ 六、申請專利範圍 體（OTFT)區； 在LCD區之該基板上形成一畫素電極； 在該畫素電極上形成一第一介電層，在〇TFT區之基板 上形成一第二介電層； 圖案化該第一介電層而形成一第一配向膜，圖案化該 第二介電層而形成一第二配向膜； 在該第二配向膜上形成一有機半導體層，在〇TFT區處 形成源極和汲極，使得該有機半導體層延著該第二 配向膜的方向排列，並且使得該源極和汲極係與該 有機半導體層接觸’而在源極和汲極之間形成通 道； 在該有機半導體層、源極、和沒極上形成一絕緣層； 以及 在該絕緣層上形成一閘極。 2 2 · —種包含有機電晶體陣列基板之液晶顯示器，包括·· 一有機電晶體陣列基板’ 一渡光基板，以及在有機電 晶體陣列基板和濾光基板之間的液晶， 其中該有機電晶體陣列基板包括： 一基板，分為’液晶顯不器（LCD)區和一有機電晶體 (OTFT)區； 一晝素電極，形成於LCD區之基板上； 一第一配向膜，形成於該晝素電極上； 一第二配向膜，形成於0TFT區之基板上； 有 一有機半導體層，形成於該第二配向膜上，使得該第27頁1228189 六、申請專利範圍 機半導體層延著該第二配向膜的方向排列；以及 一閘極、源極、和汲極，形成M〇TFT區處，該源極和 汲極係與該有機半導體層接觸，而在源極和汲極之 間形成通道。 _ 2 3 ·如申請專利範圍第2 2項所述之包含有機電晶體陣列基 板之液晶顯示器，其中該第一和第二配向膜為同一材 料且由同一道製程形成。 24·如申請專利範圍第22項所述之包含有機電晶體陣列基 板之液晶顯示器，其中該畫素電極與閘極為同一材料 且由同一道製程形成。 2 5 ·如申請專利範圍第2 2項所述之包含有機電晶體陣列基 板之液晶顯示器，其中該畫素電極為透明材料。 26·如申請專利範圍第22項所述之包含有機電晶體陣列美 板之液晶顯示器，其中該源極和汲極之通道土 ^ . 心乃向和該 第一配向膜的排列方向相同。 27.如申請專利範圍第22項所述之包含有機電晶 板之液晶顯示器，其中該第二配向膜之整 : 排列。 ㈢衣面上有 28. 如申請專利範圍第22項所述 板之液晶顯示器，其中該第 排列。 I包含有機電晶體陣列基 二配向膜之部分表面上有第28頁
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW092108629A TWI228189B (en) | 2003-04-15 | 2003-04-15 | Organic thin film transistor array substrate, its manufacturing method and liquid crystal display including the organic thin film transistor array substrate |
| US10/637,259 US6872980B2 (en) | 2003-04-15 | 2003-08-08 | Organic thin film transistor array substrate |
| JP2003352183A JP4495437B2 (ja) | 2003-04-15 | 2003-10-10 | 有機薄膜トランジスタアレイ構造とその製造方法 |
| US10/990,210 US7026644B2 (en) | 2003-04-15 | 2004-11-16 | Organic thin film transistor array substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW092108629A TWI228189B (en) | 2003-04-15 | 2003-04-15 | Organic thin film transistor array substrate, its manufacturing method and liquid crystal display including the organic thin film transistor array substrate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200420945A TW200420945A (en) | 2004-10-16 |
| TWI228189B true TWI228189B (en) | 2005-02-21 |
Family
ID=33157853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW092108629A TWI228189B (en) | 2003-04-15 | 2003-04-15 | Organic thin film transistor array substrate, its manufacturing method and liquid crystal display including the organic thin film transistor array substrate |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6872980B2 (zh) |
| JP (1) | JP4495437B2 (zh) |
| TW (1) | TWI228189B (zh) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200413803A (en) * | 2003-01-30 | 2004-08-01 | Ind Tech Res Inst | Organic transistor array substrate and its manufacturing method, and LCD including the organic transistor array substrate |
| KR100669762B1 (ko) * | 2004-11-15 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치 |
| KR101133767B1 (ko) | 2005-03-09 | 2012-04-09 | 삼성전자주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
| JP2007071928A (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| KR101241138B1 (ko) | 2006-06-20 | 2013-03-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 박막트랜지스터 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR101244898B1 (ko) * | 2006-06-28 | 2013-03-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR101261605B1 (ko) * | 2006-07-12 | 2013-05-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
| KR101328628B1 (ko) * | 2006-07-28 | 2013-11-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR102177214B1 (ko) * | 2014-03-17 | 2020-11-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| US10802355B2 (en) * | 2017-12-04 | 2020-10-13 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
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| JP2000269504A (ja) * | 1999-03-16 | 2000-09-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置、その製造方法及び液晶表示装置 |
| JP2003520874A (ja) * | 2000-01-21 | 2003-07-08 | ハンツマン・インターナショナル・エルエルシー | Ｄ−リモネンを含有するイソシアネート組成物 |
-
2003
- 2003-04-15 TW TW092108629A patent/TWI228189B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-08-08 US US10/637,259 patent/US6872980B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-10-10 JP JP2003352183A patent/JP4495437B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-11-16 US US10/990,210 patent/US7026644B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4495437B2 (ja) | 2010-07-07 |
| US7026644B2 (en) | 2006-04-11 |
| TW200420945A (en) | 2004-10-16 |
| US20040209388A1 (en) | 2004-10-21 |
| US20050087745A1 (en) | 2005-04-28 |
| US6872980B2 (en) | 2005-03-29 |
| JP2004318058A (ja) | 2004-11-11 |
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