KR20060019977A - 유기 박막트랜지스터 및 액정표시소자의 제조방법 - Google Patents
유기 박막트랜지스터 및 액정표시소자의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (21)
- 기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 게이트전극을 형성하는 단계;상기 게이트전극을 포함하는 기판 전면에 게이트절연막을 형성하는 단계;상기 게이트절연막 상에 무기패턴에 의해 양측 상면이 노출된 유기 액티브층을 형성하는 단계; 및상기 노출된 유기 액티브층과 접촉하는 소스 및 드레인전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 유기 액티브층을 형성하는 단계는,상기 게이트절연막 상에 유기막 및 무기막을 순차적으로 적층하는 단계;상기 무기막 상에 감광막을 도포하는 단계;상기 기판의 배면을 통해 상기 감광막을 노광한 후, 이를 현상하여, 상기 게이트전극과 대응하는 영역에 제1감광패턴을 형성하는 단계;상기 감광패턴을 마스크로하여 상기 유기막 및 무기막을 식각함으로써, 유기 액티브층 및 무기패턴을 형성하는 단계;상기 제1감광패턴을 에싱(ashing)하여 상기 무기패턴의 양측 일부를 노출시키는 제2감광패턴을 형성하는 단계; 및상기 제2감광패턴을 마스크로하여 상기 노출된 무기패턴을 식각함으로써, 상 기 유기 액티브층의 양측 일부를 노출시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 유기막은 펜타센(pentacene)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 유기막은 PAA(polyacrylamine)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 무기막은 실리콘질화막(SiNx), 실리콘산화막(SiOx), 인듐산화막(InOx) 중 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 게이트전극은 Cu, Ti, Cr, Al, Mo, Ta, Al 합금과 같은 금속물질을 증착한 후, 사진식각 공정을 통해 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 게이트전극은 Ag 페이스트를 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 게이트절연막은 유기물질을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제8항에 있어서, 상기 유기물질은 PVP(poly-vinyl-prrolidone), PMMA(poly- methly-methacrylate) 중의 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 소스 및 드레인전극은 전도성 고분자로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 소스 및 드레인전극을 포함하는 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계;상기 보호막 상에 상기 드레인전극의 일부를 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계; 및상기 보호막 상에 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인전극과 전기적으로 연결되는 화소전극을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 유기 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제11항에 있어서, 상기 보호막은 유기물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제12항에 있어서, 상기 유기물질은 아크릴(acryl) 또는 BCB(benzocyclobutene)를 사용하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제11항에 있어서, 상기 화소전극은 유기물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제14항에 있어서, 상기 유기물질로 PEDOT(Poly Elyene Dioxty Thiospnene)를 사용하는 것을 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제1 및 제2기판을 준비하는 단계;상기 제1기판 상에 게이트전극을 형성하는 단계;상기 게이트전극을 포함하는 기판 전면에 게이트절연막을 형성하는 단계;상기 게이트절연막 상에 유기막 및 무기막을 적층하는 단계;상기 무기막 상에 감광막을 도포하는 단계;상기 제1기판의 배면에 광을 조사하여 상기 감광막을 노광하는 단계;상기 감광막을 현상하여 상기 게이트전극과 대응하는 무기막 상에 제1감광패턴을 형성하는 단계;상기 제1감광패턴을 마스크로하여 상기 유기막 및 무기막을 식각함으로써, 유기 액티브층 및 무기패턴을 형성하는 단계;상기 제1감광패턴을 에싱(ashing)하여 상기 무기패턴의 양측 일부를 노출시키는 제2감광패턴을 형성하는 단계;상기 제2감광패턴을 마스크로하여 상기 노출된 무기패턴을 식각함으로써, 상기 유기 액티브층의 양측 일부를 노출시키는 단계;상기 유기 액티브층 상에 소스 및 드레인전극을 형성하는 단계;상기 소스 및 드레인전극을 포함하는 기판 전면에 상기 드레인전극의 일부를 노출시키는 보호막을 형성하는 단계;상기 보호막 상에 화소전극을 형성하는 단계; 및상기 제1 및 제2기판 상에 액정층을 형성하는 단계를 포함하는 이루어지는 액정표시소자의 제조방법.
- 제16항에 있어서, 상기 무기막은 펜타센(pentacene) 또는 PAA(polyacrylamine) 중에 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
- 제16항에 있어서,상기 제2기판 상에 블랙매트릭스를 형성하는 단계;상기 블랙매트릭스 상에 칼라필터를 형성하는 단계; 및상기 칼라필터 상에 공통전극을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 액 정표시소자의 제조방법.
- 제1기판;상기 기판 상에 형성된 게이트전극;상기 게이트전극을 포함하는 제1기판 전면에 형성된 게이트절연막;상기 게이트전극과 대응하는 게이트절연막 상부에 형성된 유기 액티브층;상기 유기 액티브층 상에 형성된 상기 유기 액티브층의 양측을 노출시키는 무기패턴; 및상기 무기패턴 상부에 상기 유기 액티브층과 접촉하는 소스 및 드레인전극을 포함하여 구성된 유기 박막트랜지스터.
- 제19항에 있어서, 상기 액티브층은 펜타센(pentacene)으로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터.
- 제19항에 있어서, 상기 액티브층은 PAA(polyacrylamine)로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터.
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