TW293172B - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
TW293172B
TW293172B TW084101309A TW84101309A TW293172B TW 293172 B TW293172 B TW 293172B TW 084101309 A TW084101309 A TW 084101309A TW 84101309 A TW84101309 A TW 84101309A TW 293172 B TW293172 B TW 293172B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
organic material
patent application
item
organic
contact
Prior art date
Application number
TW084101309A
Other languages
English (en)
Original Assignee
At & T Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by At & T Corp filed Critical At & T Corp
Application granted granted Critical
Publication of TW293172B publication Critical patent/TW293172B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
    • G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
    • G11C13/0009—RRAM elements whose operation depends upon chemical change
    • G11C13/0014—RRAM elements whose operation depends upon chemical change comprising cells based on organic memory material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
    • H10K10/486—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions the channel region comprising two or more active layers, e.g. forming pn heterojunctions
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
    • H10K19/10—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00 comprising field-effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • H10K85/211—Fullerenes, e.g. C60
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/655—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only sulfur as heteroatom

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Description

A7 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 B7_ 五、發明説明（！） 本發明係有關薄膜電晶體（Thin Film Transistors 簡稱TFTs),尤係有關包含有機主動屉材料之TFTs。 發明背景： 薄膜電晶體（TFTs)係爲人所熟知，且在商業上是相 當重要的。例如，以非晶矽爲材料的TFTs係用於大部分 的主動矩陣式液晶顯示器。 具有有機主動層的TFTs也是爲人所热知的。例如， 請參閱下列文章：F. Garnier等人所發表於"科學"（ Science) Vol.265第- 1 584 - 1 686 頁者；H. Koezuka 等人 發表於"應用物理通訊"（Applied Physics Letter) Vol • 62(15)第 1794- 1796 頁者；H. Fuchigami 等人發表於 "應用物理通訊"（Applied Physics Letter) Υ〇1·63(10) 第1372-1374頁者；G. Horowitz等人發表於應用物 理雜誌"（J.-Applied-Physics) V〇l.70(1)第 469-475 頁者；以及G. Horowitz -等人發表於"合成金屬_'( Synthetic Metals) Vo 丨 41-43 第 1127-1130 頁者。上 述道些裝置通常是場效電晶體（Field Effect Transist-ors;簡稱FETs)。此種裝置在發展潛力上絕對優於傅統 的 TFTs，這些儍點包括在發展潛力上具有較簡單的（因 而成本較低的）製程、低溫加工的可能性、以及能夠使用 玻璃以外的（例如塑膠）基底（substrate)。同時採用p -型及η型有機材料的雙極電晶體也是爲人所熟知的。例 如，請參閱美國專利5,315,129 °S.Miyauchi等人在" 本紙浪尺度適用中國國家標华（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝·
、1T 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印«. 麻件1 _* 84101309 號导利中讀复这I说修正兵 A7 乂欠 '， __67 众卜年」)]¾丨土·1 上_ 五、發明説明（2 ) 1 _ ~ 合成金靥"（Synthetic Metals) Vol. 41-43 (1991)第 1 1 5 5 - 1 1 5 8頁發表了一篇文章，這篇文章揭露了一種接面 式FET ,此種FET在η型矽上包含一層p型聚瞜吩。 然而，雖然已投下可觀的研發努力，"有機"TFTsw 未達到商業化的程度，這部分是由於習用技術有機 TFTs 的裝置特性較差之故。 交換電晶髖的一項重要裝置特性即是源極/吸極電流 的導通-斷路比（on/offratio)。習用技術有機TFTs的 導通-斷路比通常較低· H. Fuchigami 等人最近在論文 中提到一種裝置，此種裝置的載子移動率（carrie r-fflo-bility)類似於非晶矽，但其導通-斷路比在30伏閘極-源極電壓下的導通-斷路比只約爲20 。這篇論文也揭露 了對半導體材料的純化，以便降低因雜質產生的載子散射 H. Koezuka等人在論文中報告：在一種具有摻雜 Polypyrole 塗層（一種具有高導電性的聚合物）的源極 與吸極接觸面之裝置中，通道電流的導通-斷路比（即調 變比）可達到約1Q5。根據這些論文的作者，這是在有機 TFT中所達到的最高導通-斷路比。然而，若與俥統FETs 所能達到的典型導通-斷路比相比，所報告的導通-斷路比 還是太小了，也遠小於有機TFTs在潛在應用上所需的導 通-斷路比。此外，有機TFT的載子移動率相當低（2 X 10_4cm2/V.s)，因而不逋於作高速的動作，歐洲專利申 請案9 23 0 7470.2 (公告號碼0 - 5 2 8 6 6 2 A1)揭霣了 一種有 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） ---.--------装------、訂------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 5 3931^2 A7 B7
jfiD 五、發明説明（3 經濟部令夾標準局貝工消费合作社印氧 機FET，此種-FET包含一第一有機層，該第一有機層構成 了源極與吸極間之通道，該第一有機層且接觸一第二有機 層，該第二有機層則是配置在閘極與源極及吸極之間。該 等第一及第二有機層之導電係數類型相同，但其載子澳度 不同。 鑒於有機TFTs的潛在重要性，最好能有一種具有改 良特性的裝置，此種改良特性包括改良的源極/吸極電流 之導通-斷路比•本申請案掲露了此種裝置以及製造此種 裝置之方法。 定義及專門用語 本文所指的"有機半導體"（"organic semiconductor" ) 是一 種材料 ，此種材料包含語其他元素結合的大置 之碳，此種材料或者包含元素碳的同素異形體（其中不包 括纘石），且此種材料在室溫（20 °C)下的載子移動率至 少爲l(T3cm2/V.s *與本文有關的有機半導體之導電係 數在20°C下通常約小於lS/cm 。 本文所指的"p型"（或η型"）有機半導體是一種 有機半導體，此種有機半導體的費米能量（Fermi energy )較接近（或較逮離）該材料中所具分子或原子團的最高 占有軌道之能童，而較不接近（或較不遠離）最低未占有 軌道之能纛•此術語亦用來稱呼一種運送正電荷載子時較 運送負載子時較有效率（或較無效率）的有機半導體*通 常將正（或負）載子稱爲"電洞"（或"電子"）· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本覓) -裝· 訂 私紙張尺度邊用中國國家橾準（CNS ) A4规格（210X297公釐） A7 B7 年上‘a修正 接面"是介於一P型及一 _n型有 五、發明説明（4 ) 本文所指的"P-機半導體間之接觸區 發明概述： 以廣義而言，係在一物體中實施本發明，此物體包含 —種創新的有機TFT ,此種有機TFT具有較習用技術有 機TFTs大幅改良的特性（例如導通-斷路比）· 尤其是，此種有機TFT包含：有機材料：相互分開 的第一及第二接觸裝置（例如金竃極），該等第一及第二 接觸裝置與該有機材料接觸：第三接觸裝置，該等第三接 觸裝置與各個第一及第二接觸裝置分開，且該第三接觸裝 置適於利用施加到該等第三接觸裝置之電壓，而控制該等 第一與第二接觸裝置間之電流。還有一項重要特性，該有 機材料包含一具有第一導電係數類型的第一有機材料層、 及一具有第二導電係數類型的第二有機材料層，該第二有 機材料餍至少在該等第一與第二接觸裝置間之一區域與該 第一有機材料層接觸，並與該第一有機材料靥形成一 p-n 接面，該第一有機材料層係與各個第一及第二接觸裝置接 觸，但不與該等第三接觸裝置接觸。通常可將該等第三接 觸裝置視爲習用技術裝置中之閘極接點，而將該等第一及 第二接觸裝a視爲習用技術裝置中之源極及吸極接貼· 例如，根據本發明的TFT具有超過10β的導通-斷 路比，遠高於習用技術有機TFTs所具影的導通-斷路比 •根據本發明的TFT實施例又有超過0. 〇1 cm2/V. s的 1紙張尺度逋用中國國家橾準（匚阳）八4規格（2丨0乂297公釐） -----------^.------IT------μ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中夬樣準局貝工消费合作.杜印X.
A7 B7 五、發明説明（5 ) 較高載子移動率。根據本發明的TFTs-最好在閘極工作電 壓下具有大於105的導通-斷路比，並具有至少爲5 X l〇-3cm2/V.s-的載子移動率，以上數據都是在20°C的溫 度下。 根據本發明的TFTs中之第一有機材料層可包含任何 習知的有機材料，只要其適用於有機TFTs中之主動層即 可。這些材料有聚睡吩及其替代衍生物，例如聚3-己瞎 吩、聚 3 -幸睡吩、Ρ ο 1 y t h i e n y 1 e n e v i n y 1 e n e、α -hexat hienylene( α-6Τ)、及其替代衍生物，諸如 α 、ω -dihexy卜α -6Τ-。 其他適用的有機材料係揭露於美 國專利5，315, 129 »並掲露於G. Horowitz -等人於"合成 金屬"（Synthetic Metals) Vol.4 卜 43-第 1 1 2 7- 1 1 30 頁所 發表的文章，本文特此引述這兩份文件以供參照。例如， 第一有機材料係選自聚合作用度大於三（且通常小於9) 的睡吩聚合物、睡吩替代衍生物之聚合物、以及聚thie-ny 1 en ev i ny1ene e 上文所引述的化合物是p型有機半導體，但是本發 明並不受限於此•我們認爲：可沈積成薄膜且爲n型的其 他有機化合物，亦可適用爲根據本發明的電晶體中之第一 有機材料，且可考慮使用此種化合物。我們較喜歡使用可 沈稹成結晶（通常爲複晶）形式的第一有機半導镫材料， 但是亦可使用非晶層。 適用於本發明的第二有機材料有8 -羥基喹林鋁（Alq )及Ceo *然而本發明並不受限於此，亦可考慮使用其 本紙悵尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -------------装------1T------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁}
經濟部中央梂隼局員工消费合作杜印SL 8 a7 __________B7_ 五、發明説明（6 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 他的有機材料，其中包括p 型材料在本發明的第一實施 例中，電晶體又包含一配置在該第三接觸裝置與該等第一 及第二接觸裝置兩者間之電介質層，且該第一有機材料層 係與該電介質層接觸。此實施例各電晶體的構造類似於傳 統的金臑-絕綠體-半導體（M e t a卜I n s u 1 a t 〇 r - S e m i c ο n d-uctor ;簡稱MIS ) FETs，因而將其稱爲MIS-FET 型的 有機TFTs。 在第二實施例中，電晶體的第三接觸裝置係配置在第 二有機材料層上，且係與該第一有機材料層分開。此實施 例各電晶體的構造類似於傳統的接面式FETs(J-FETs) ，因而將其稱爲 j-FET型的有機TFTs 。 第三實施例類似於上述的第一實施例，但第一與第二 有機材料層的順序互換。根據本發明的電晶體極適於用於 顯示系統、記憶體、及其他類比/或數位電路等物體。 附圖簡述： 圖1是習用技術有機TFT-實施例之示意圖： 經濟部中央標準局員工消资合作社印裝 圖2 - 4是根據本發明的電晶體實施例之示意圖；. 圚5及-6示出在設有第二有機材料層之前及之後的 MIS-FET型電晶體性能資料： 圖7示出根據本發明的 J-FET型電晶體之性能資料 * 圖8及-9是分開的 α-6Τ及Alq-之能帶邊緣排列 示意圖、及 α-6Τ與Alq-接觸的能帶邊緣示意圖； 本紙浪尺度適用中國國家標嗥（CNS ) A4規格（210X 297公t ) A7 B7 五、發明説明（7 ) 圖10示出在主動矩陣式液晶顯示器中之驅動電路實 施例，此主動矩陣式液晶顯示器包含根據本發明的TFTS 〇 詳細說明： 習用技術的有機TFTs通常是MIS-FET型或混成J-FET型電晶體，且可以各種構造實施此種TFTs 。具有有 機主動層的習用技術M IS-FET型- TFT (10)之實施例示 意圖係適於圖1 ,其中代號 Π - 16分別代表基底（例 如玻璃、塑膠、金屬、半導體）、源極、吸極、閘極、閘 極絕綠體層、及有機主動材料（有機半導體）層。熟悉本 門技術者當可了解，在動作的裝置中尙有使電荷載子在源 極與吸極之間流動的裝置，但圖中並未示出。 圖2是根據本發明的MIS-FET型裝置（20)之示意 圖。代號11 - 16分別代表對應於圖1中相同代號的元 件，而代號21代表導電係數類型與層（16)相反的一有 機材料層，並與屠（16)形成一 p-n接面。例如，層（ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 16 )是p型（例如 β - 6T ),而層（21 )是η型（例如 A 1 q ) ° 我們發現：設有適當的層（21)時，可得到大幅提昇 的裝置性能，通常源極與吸極間之"斷路"電流將大幅減 小，而電晶體的導通-斷路比將對應地增加。 我們認爲："斷路”電流的減小與各適當有機層（16 )與（21 )間之接觸面（例如 a -6T/Alq 界面）有關， 本紙張尺度適用中國國家樣準·（ CNS ) Λ4規格（2丨Ο X 297公釐） 10
A7 B7 五、發明説明（8 ) 並與第一有機材料層（例如-16)的（p 型）殘餘載子之 伴隨空乏有關。 由於與傳統的.p-n接面類似，所以可以這麼說：於 零偏壓下在第一/第二有機材料界面上形成的空乏層之寬 度货爲-(2£^«^/(^1)1/2,此處的£1是第一有機材 料的介質常數，Vbi-是"內建"電位I EF1' EF2| /q., Nx是第一有機材料中之自由載子密度，q-是單元電荷（ 1.6-x l〇~ieC) , ΕΠ-及Ef2分別是第一及第二有機材 料中之费米能量·在上述W的數學式中，我們假設：第 二有機材料所具有的自由載子密度遠高於第一有機材料所 具有者。 我們認爲：在零偏壓下出現非零宽度的空乏區，將造 成在零偏壓下於第一與第二接觸裝置間較小的電流，此時 係使第一有機材料層中之許多自由載子在電性上不活化* 上述這些備註只供作解釋之用，非用以限制申請專利 範圍。根據本發明的電晶體有一重要的特性，即是Vbi具 有較大（例如 2 0.5V)的值。此時又需要在第一與第二 有機材料間有較大的費米能量差。 例如，此種情形示於圖8及9 ,這些圖分別示出分 開的 α-6Τ與Alq-之能帶邊緣排列、及α-6Τ與Alq 接觸的能帶邊緣•如我們所热知的，a -6T-及Alq-分別被 視爲p型及η型的有機半導體。圖8中之數值是電子 伏特，圖-9中之代號9卜-93 分別代表絕緣髏、α-6Τ 、及-A 1q * 本紙浪尺度適用中國國家梯準（CNS > A4規格（2〖OX 297公釐） -------„----^------1T------il (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央棣率局負工消费合作社印«. 11 經濟、部中央標準局員工消費合作社印裝 SM172 : — --— ------—— 五、發明説明（9 ) 圖5及-6分別示出不具有及具有第二有機材料層的 MIS-FET型有機TFT之比較資料。圖5 的資料係得自一 圖 2 -所示類型之電晶體，但此電晶體不具有屉（21)。 基底是矽，閘極接點是30毫微米厚度的金條。閘極介質 是一層30 0奄微米厚度的以傳統方式形成的二氧化矽。金 源極及吸極的厚度爲30毫微米，長度爲250 微米，宽 度爲100-微米，且源極與吸極分開12 微米的距離。p-型有機半導體層是50毫微米厚度的 π-6Τ 。圖6-的資 料係得自上述的電晶體，但此電晶體具有一沈積在 α-6Τ 層上且厚度爲60毫微米的Alq層。如圖所示，設有Α-lq層時，將造成在零偏壓（Vg-= 0)下吸極電流（Id) 的大幅減小，例如自-1 . 1微安減小到 -6 8毫微安。 圖7示出根據本發明的J-FET型有機TFT類似的 性能資料。如圖所示，此裝置在Vg =-0時具有所需的低 Id値。圖3是根據本發明的J-FET型有機TFT(30)之 示意圖，其中代號-31 - 36-分別代表絕緣基底、第一有 機材料層、第二有機材料層、第一接觸裝置、第二接觸裝 置、及第三接觸裝置。 圖4是相當於上述第三實施例的本發明另一實施例 之示意圊。代號41 - 47分別代表基底、第一有機材料層 、第二有機材料層、第一接觸面、第二接觸面、第三接觸 面、及聞極介質。我們當了解：在此實施例中，層（42) 是π型的有機半導體材料。 圖7的資料係得自圖3所示的—般類型TFT 。尤 本紙張尺度適用中國國家榡丰（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 A7 B7 29S1T2 五、發明説明（10) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其是，基底是以二氧化矽塗佈的矽。在此基底上設有一組 相互成指狀的源極/吸極電極（10毫微米的鉻/ 30毫微 米的金）°此種指狀構造中各指狀物的寬度及間隔爲10微 米；而此構造的整體尺寸爲2毫米-X 2毫米。在此指狀 構造上蒸鍍一層厚度爲50毫微米的π -6T ,並在此π -6 Τ層上蒸鍍一層厚度爲60毫微米的- Aql。利用一遮蔽層 界定一厚度爲100毫微米且寬度爲3毫米的鋁指狀物， 並將此鋁指狀物沈積在Alq -層，以便延伸通過源極/吸極 間隔。此鋁指狀物係作爲閛電極。 可在任何適用的基底上利用任何適當的方法製造根據 本發明的電晶體。此種基底的例子有玻璃、諸如MYLAR ( R)或-KAPTON (R)等塑膠、或矽（塗佈或不塗佈二氧化 较）〇
經濟部中央標準局員工消費合作.社印U 雖然在第一有機材料的純度爲習用技術裝置中所具有 的傳統純度下，設有第二有機材料層時通常將得到改良的 裝置特性，但是我們也發現：至少在包含α-6Τ的裝置之 情形中，使用純度更高的第一有機材料時，將可使裝置特 性得到更大的改良。純化α - 6Τ的技術係述於我們同時提 出申請且共同讓渡的專利申請案"製造有機薄膜電晶體之 方法及所製造的物體"。我們也發現：對所沈稹的第一有 機材料（例如π -6Τ)施加適當的熱處理時，將可改變第 一有機材料層的形態，並因而使裝置特性得到更大的改良 。更具體而言，我們發現：對α -6Τ的沈稹薄膜施加快速 熱退火（Rap i d Th e rma丨 A η n e a 1 i n g ;簡稱RT A )時，可大 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 13 經濟部中央標準局員工消費合作社印策 A7 ______B7 五、發明説明（n) 幅增加材料的晶粒大小（grain size)，而且增加到平均 晶粒大小可超過目標TFT 的通道長度（通常爲4-12微米 )°如果達到此種情形時，則活性材料的特性將非常像單 晶0 典型的α-6Τ沈稹薄膜是複晶體，其平均晶粒大小須 爲100毫微米或更小。在接近（甚至亦可稍微超過）熔點 (例如295-31 5°C)的溫度下，對此種薄膜做短時間（谭 常短於10秒，例如1秒）退火時，在實施例中使平均晶粒 大小增加到2微米以上，例如約爲-5-100-微米。最好是在 惰性蒙氣（例如氮氣）中寅施退火。可使用任何適當的熱 源（例如聚焦在一受熱器的一排鹵素燈、或石墨片加熱器 )° 雖然在許多情形中P型材料中之載子移動率遠高於η型 材料（例如100倍或更高），但是有時兩種材料中各別的 載子移動率較接近時（例如彼此的差距在10倍以內）將有 其優點。如果是這種情形，則可對諸如圖-2所示MIS-FET 型結構中之閘電極施加適當偏壓，而得到η型通道或-p型 通道之電晶體。熟悉本門技術者當可了解，能夠形成η型 通道或-Ρ型通道的電晶體時，即可製造互補式電路，而且 我們可考慮使用根據本發明的TFTs作爲互補式類比及（ 或）數位電路中之構建單元。 可將根據本發明的電晶體用來作爲分立式裝懨，但通 常將此種電晶體用在稹體電路中，此種稹體電路包含複數 個根據本發明的電晶雔、以及或有的若干傳統半導體裝® 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS〉Λ4規格（210X297公釐〉 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 -14 - A7 ^ 五、發明説明（12) ，此種稹體電路中設有連接各裝置的導線，並設有激發這 些裝置的構件，且將輸入信號傳送到此稹體電路以及可選 擇自此積體電路接收输出信號。 例如，將根據本發明的電晶體用來作爲液晶顯示器中 之電流開關，且其功能與目前所使用的習用技術半導體 TFTs 相同。此種狀況示於圖10的示意圖中，而該圖是根 據 J. Kanihi所編輯的"非晶及微晶裝置"一書第102頁 之圖不，該書係由 Artech House (Boston)於1991年出 版。圖10示出一主動矩陣式液晶顯示器的例示電路圚之各 相關部分，其中電晶體（101)是根據本發明的TFTs , 該電路的其餘電晶體則是傳統型。代號1 02代表液晶，代 號1 03 -- 1 05分別代表信號線、閘極線、及共用電極。圖中 亦以示意方式示出視頻信號及閘極脈波。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝.
、ST 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家櫺準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -15 -

Claims (1)

  1. f ^4101309 Λ导利申請案中文申請專糾範®修正本 ..VWi·、· A8 民爾85年5肩圣 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 年1月>日修止 m itu · 附件： 第84101309號專利申請案 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印裝 中文申請專利範圍修正本 民國.85年5月修正 1. —種包含一薄膜電晶體（例如20)之物體，該物 體包含： a) 若干分量的有機材料； b) 相互分開的第一及第二接觸裝置（12、13)該等 第一及第二接觸裝置與該分量的有機材料接觭； 「Μ c) 第三接觸裝置（14),該第三接觸裝置與前述第 及第二接觸裝置中之每一接觸裝置分開，且該等第三接觸 裝置係採用爲利用施加到該第三接觸裝置之電壓，控制餐 等第一與第二接觸裝置間之電流；該物體之特徵在於 d) 該分置的有機材料包含一具有第一導電係數類型 的第一有機材料餍（16)、及一具有第二導電係數類型的 第二有機材料層（21)，該第二有機材料層至少在該第一 與第二接觸裝置間之一區域與該第一有機材料層接觸，並 與該第一有機材料層形成一p-n接面，該第一有機材料 靥係與各個第一及第二接觸裝置接觸，但不與該第三接觸 裝置接觸。 2. 根據申請專利範園第1項之物體，其中該電晶體 包含一配置在該第三接觸裝置與該等第一及第二接觸裝置 兩者間之電介質層，且該第一有機材料層係與該電介質層 本紙張尺度逋用中國國家橾準（CNS ) A4視格（210Χ；297公釐〉 裝 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -1 - 2931¾ A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 接觸。 3.根據申請專利範圔第2項之物體，其中該第一有 機材料層是一 η型材料層。 經濟部中央標準局員工消費合作社印褽 觸裝置 材料層 5. 晶體在 具有至 都是在6. 機材料 電荷載 率至少7. 子移動 關，而 係在0 根據申請專利範圍第1項之物體，其中該第三接 係配置在該第二有機材料層上，且係與該第一有機 分開》 根據申請專利範團第1項之物體，其中該薄膜電 閘極工作電壓下具有大於1〇5的導通一斷路比，並 少爲5 X 10_3cm2/V.s的載子移動率，以上數據 20 °C-的溫度下》 根據申請專利範園第5項之物體，其中該第—有 是-P型半導體材料，在2 0°C下該p型材料中之 子移動率超過η-型第二有機材料中之電荷載子移動 100 倍。 根據申請專利範圔第2項之物體，其中該電荷載 率與該等第一及第二有機材料中之每一有機材料有 在20 °C-下各別第一與第二電荷載子移動率之比率 .1 10的範圍 8.根據申請專利範圍第1項之物體，其中至少該第 一有機材料層包含複晶的第一有機材料。 9·根據申請專利範圍第6項之物體，其中該第二有 機材料包含選自Alq及Ce〇的材料。 10.根據申請專利範圍第6項之物體，其中該第一有 機材料係選自一群材料，道群材料包括聚合作用度大於三 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 線· 經濟部中央梂準局貝工消费合作社印製 Α8 Β8 C8 D8 '申請專利範圍 且小於九的塞吩聚合物、塞吩替代衍生物之聚合物、以及 努 thienylenevinylene ° 11_根據申請專利範圍第9項之物體，其中該第—有 機材料包含選自一群材料的材料，這群材料包括α_6Τ 以及 α-6Τ之替代衍生物。 12. 根據申請專利範圍第i項之物體，其中該第—及 第·—半導體材料係經選擇，使（丨Efl - Ef2l / q) >_ 0.5伏，此處Efl及Ef2-分別是第一及第二材料的费米 能置，q是單元電荷之絕對值。 13. 根據申請專利範圍第1項之物體，其中該物體包 含複數個薄膜電晶體，且該物體是一液晶顯示器或一電子 記憶體。 14. 根據申請專利範圍第1項之物體，其中該第一有 機材料靥是一 η型有機材料層。 15. 根據申請專利範園第8項之物體，其中該複晶第 一有機材料具有一平均晶粒大小，而該平均晶粒大小至少 爲2微米。 16. 根據申請專利範圍第9項之物體，其中該物體包 含數個薄膜電晶體及用以偏壓該電晶體之裝置，且該電晶 體之至少一個爲η通道電晶體，而至少一個爲ρ通道電晶 體。 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4^ ( 210Χ297公釐） I ^ I I I I I 裝 I I I 訂—— 線 (請先Η讀背面之注意事項再嗔寫本頁)
TW084101309A 1994-12-09 1995-02-14 TW293172B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US35302494A 1994-12-09 1994-12-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW293172B true TW293172B (zh) 1996-12-11

Family

ID=23387433

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW084101309A TW293172B (zh) 1994-12-09 1995-02-14

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5596208A (zh)
TW (1) TW293172B (zh)

Families Citing this family (82)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6107117A (en) * 1996-12-20 2000-08-22 Lucent Technologies Inc. Method of making an organic thin film transistor
US5857581A (en) * 1997-02-21 1999-01-12 Hubbell Incorporated Universal ceiling box for either fan or fixture support
JPH10321373A (ja) * 1997-05-19 1998-12-04 Canon Inc 電界発光素子
WO1999010939A2 (en) * 1997-08-22 1999-03-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. A method of manufacturing a field-effect transistor substantially consisting of organic materials
US7242513B2 (en) * 1997-08-28 2007-07-10 E Ink Corporation Encapsulated electrophoretic displays having a monolayer of capsules and materials and methods for making the same
US5936259A (en) * 1997-10-16 1999-08-10 Lucent Technologies Inc. Thin film transistor and organic semiconductor material thereof
US6704133B2 (en) 1998-03-18 2004-03-09 E-Ink Corporation Electro-optic display overlays and systems for addressing such displays
US7075502B1 (en) * 1998-04-10 2006-07-11 E Ink Corporation Full color reflective display with multichromatic sub-pixels
WO1999053371A1 (en) 1998-04-10 1999-10-21 E-Ink Corporation Electronic displays using organic-based field effect transistors
US7090890B1 (en) 1998-04-13 2006-08-15 The Trustees Of Princeton University Modification of polymer optoelectronic properties after film formation by impurity addition or removal
GB9808061D0 (en) * 1998-04-16 1998-06-17 Cambridge Display Tech Ltd Polymer devices
JP4651193B2 (ja) 1998-05-12 2011-03-16 イー インク コーポレイション ドローイングデバイス用途のためのマイクロカプセル化した電気泳動性の静電的にアドレスした媒体
US6215130B1 (en) * 1998-08-20 2001-04-10 Lucent Technologies Inc. Thin film transistors
US6384804B1 (en) 1998-11-25 2002-05-07 Lucent Techonologies Inc. Display comprising organic smart pixels
US6252245B1 (en) * 1999-03-29 2001-06-26 Howard Edan Katz Device comprising n-channel semiconductor material
US6498114B1 (en) 1999-04-09 2002-12-24 E Ink Corporation Method for forming a patterned semiconductor film
AU7091400A (en) 1999-08-31 2001-03-26 E-Ink Corporation Transistor for an electronically driven display
US6312971B1 (en) 1999-08-31 2001-11-06 E Ink Corporation Solvent annealing process for forming a thin semiconductor film with advantageous properties
US6611096B1 (en) 1999-09-03 2003-08-26 3M Innovative Properties Company Organic electronic devices having conducting self-doped polymer buffer layers
US6593690B1 (en) * 1999-09-03 2003-07-15 3M Innovative Properties Company Large area organic electronic devices having conducting polymer buffer layers and methods of making same
US6284562B1 (en) * 1999-11-17 2001-09-04 Agere Systems Guardian Corp. Thin film transistors
US6197663B1 (en) 1999-12-07 2001-03-06 Lucent Technologies Inc. Process for fabricating integrated circuit devices having thin film transistors
KR20010097351A (ko) * 2000-04-21 2001-11-08 구자홍 액티브 구동 유기 전계발광소자 제조방법
DE10034873B4 (de) * 2000-07-18 2005-10-13 Pacifica Group Technologies Pty Ltd Verfahren und Bremsanlage zum Regeln des Bremsvorgangs bei einem Kraftfahrzeug
DE10044842A1 (de) * 2000-09-11 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Gleichrichter, Schaltung, RFID-Tag und Verwendung eines organischen Gleichrichters
GB0028867D0 (en) * 2000-11-28 2001-01-10 Avecia Ltd Field effect translators,methods for the manufacture thereof and materials therefor
US6992322B2 (en) * 2001-01-02 2006-01-31 Kavassery Sureswaran Narayan Photo-responsive organic field effect transistor
GB2371910A (en) * 2001-01-31 2002-08-07 Seiko Epson Corp Display devices
DE10105914C1 (de) * 2001-02-09 2002-10-10 Siemens Ag Organischer Feldeffekt-Transistor mit fotostrukturiertem Gate-Dielektrikum und ein Verfahren zu dessen Erzeugung
KR20040043116A (ko) 2001-04-10 2004-05-22 사르노프 코포레이션 유기 박막 트랜지스터를 이용한 고성능 액티브 매트릭스화소 제공방법 및 제공장치
KR100399283B1 (ko) * 2001-05-02 2003-09-26 권영수 고성능 유기 박막 트랜지스트의 소자 구조 및 그 제조방법.
EP1306909A1 (en) 2001-10-24 2003-05-02 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Ambipolar organic transistors
DE10211901A1 (de) * 2002-03-18 2003-10-16 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Erfassen von makromolekularen Biopolymeren mittels eines Feldeffekt-Transistors, Biosensor und Schaltungsanordnung mit Biosensor und damit gekoppelter Auswerteschaltung
DE10211900A1 (de) * 2002-03-18 2003-10-16 Infineon Technologies Ag Biosensor zum Erfassen von makromolekularen Biopolymeren und Verfahren zur Herstellung eines Biosensors zum Erfassen von makromolekularen Biopolymeren
US7115898B2 (en) * 2002-04-26 2006-10-03 Canon Kabushiki Kaisha Organic semiconductor device, RF modulation circuit, and IC card
JP4136482B2 (ja) * 2002-06-20 2008-08-20 キヤノン株式会社 有機半導体素子、その製造方法および有機半導体装置
US20040004433A1 (en) * 2002-06-26 2004-01-08 3M Innovative Properties Company Buffer layers for organic electroluminescent devices and methods of manufacture and use
DE10228772A1 (de) * 2002-06-27 2004-01-15 Infineon Technologies Ag Verringerung des Kontaktwiderstandes in organischen Feldeffekttransistoren mit Palladiumkontakten durch Verwendung von Nitrilen und Isonitrilen
US7078702B2 (en) * 2002-07-25 2006-07-18 General Electric Company Imager
US6821811B2 (en) * 2002-08-02 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic thin film transistor and method of manufacturing the same, and semiconductor device having the organic thin film transistor
US6784017B2 (en) * 2002-08-12 2004-08-31 Precision Dynamics Corporation Method of creating a high performance organic semiconductor device
JP2004103905A (ja) * 2002-09-11 2004-04-02 Pioneer Electronic Corp 有機半導体素子
DE10247817A1 (de) * 2002-10-14 2004-04-22 Infineon Technologies Ag Polymertransistor-Anordnung, integrierte Schaltkreis-Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer Polymertransistor-Anordnung
CN1742392A (zh) * 2003-01-28 2006-03-01 皇家飞利浦电子股份有限公司 电子器件
CN1282260C (zh) * 2003-01-30 2006-10-25 中国科学院长春应用化学研究所 含有栅绝缘层的异质结型有机半导体场效应晶体管及制作方法
US20060261329A1 (en) * 2004-03-24 2006-11-23 Michele Muccini Organic electroluminescence devices
ATE500624T1 (de) * 2003-03-28 2011-03-15 Michele Muccini Organische elektrolumineszente vorrichtung
TWI228189B (en) * 2003-04-15 2005-02-21 Ind Tech Res Inst Organic thin film transistor array substrate, its manufacturing method and liquid crystal display including the organic thin film transistor array substrate
US7297621B2 (en) * 2003-04-15 2007-11-20 California Institute Of Technology Flexible carbon-based ohmic contacts for organic transistors
WO2005006449A1 (ja) * 2003-07-10 2005-01-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 有機薄膜トランジスタとその製造方法、及びそれを用いたアクティブマトリクス型のディスプレイと無線識別タグ
JP4194436B2 (ja) * 2003-07-14 2008-12-10 キヤノン株式会社 電界効果型有機トランジスタ
JP2005079203A (ja) * 2003-08-28 2005-03-24 Canon Inc 電界効果型トランジスタおよびその製造方法
JP2005079204A (ja) * 2003-08-28 2005-03-24 Canon Inc 電界効果型トランジスタおよびその製造方法
DE10340711A1 (de) * 2003-09-04 2005-04-07 Covion Organic Semiconductors Gmbh Elektronische Vorrichtung enthaltend organische Halbleiter
US20060292914A1 (en) * 2003-09-05 2006-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting unit, holder lamp and luminaire
US6969634B2 (en) * 2003-09-24 2005-11-29 Lucent Technologies Inc. Semiconductor layers with roughness patterning
DE102004009355A1 (de) * 2004-02-26 2005-09-15 Covion Organic Semiconductors Gmbh Verfahren zur Vernetzung organischer Halbleiter
DE102004021989A1 (de) * 2004-05-04 2005-12-15 Covion Organic Semiconductors Gmbh Organische elektronische Vorrichtungen
US7372070B2 (en) * 2004-05-12 2008-05-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic field effect transistor and method of manufacturing the same
JP2006295104A (ja) * 2004-07-23 2006-10-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子およびそれを用いた発光装置
US7208756B2 (en) * 2004-08-10 2007-04-24 Ishiang Shih Organic semiconductor devices having low contact resistance
JP4602920B2 (ja) * 2005-03-19 2010-12-22 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機薄膜トランジスタ、それを備えた平板ディスプレイ装置、及び有機薄膜トランジスタの製造方法
US7671448B2 (en) * 2005-03-24 2010-03-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including two organic semiconductor layers
CN100466125C (zh) * 2005-04-18 2009-03-04 中国科学院长春应用化学研究所 含有有机异质结的电接触材料及其器件
KR20060116534A (ko) * 2005-05-10 2006-11-15 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터, 그 제조 방법 및 이를 구비한 평판 표시장치
CN2788876Y (zh) * 2005-05-10 2006-06-21 张逸夫 模拟花开动作的仿真玩具花
JP2007071928A (ja) * 2005-09-05 2007-03-22 Hitachi Ltd 液晶表示装置
DE102006006412A1 (de) * 2006-02-13 2007-08-16 Merck Patent Gmbh Elektronisches Bauteil, Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung
US20070215863A1 (en) * 2006-03-15 2007-09-20 Lucent Technologies Inc. Fabricating apparatus with doped organic semiconductors
US8247801B2 (en) * 2006-03-31 2012-08-21 Imec Organic semi-conductor photo-detecting device
GB2437768A (en) * 2006-05-03 2007-11-07 Seiko Epson Corp Photosensing TFT
KR101244898B1 (ko) 2006-06-28 2013-03-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
CN101361192B (zh) * 2006-12-18 2010-06-02 松下电器产业株式会社 半导体设备
US7821000B2 (en) 2008-02-01 2010-10-26 Alcatel-Lucent Usa Inc. Method of doping organic semiconductors
US8272458B2 (en) * 2008-06-12 2012-09-25 Nackerud Alan L Drill bit with replaceable blade members
JP2010225758A (ja) * 2009-03-23 2010-10-07 Fuji Xerox Co Ltd 有機半導体トランジスタ
JP4893767B2 (ja) * 2009-03-24 2012-03-07 富士ゼロックス株式会社 有機半導体トランジスタ
JP5347690B2 (ja) * 2009-04-30 2013-11-20 富士ゼロックス株式会社 有機電界発光素子、及び表示媒体
US8211782B2 (en) * 2009-10-23 2012-07-03 Palo Alto Research Center Incorporated Printed material constrained by well structures
JP5701861B2 (ja) 2010-04-22 2015-04-15 出光興産株式会社 有機薄膜トランジスタ
JP5966353B2 (ja) 2011-12-26 2016-08-10 富士ゼロックス株式会社 有機半導体トランジスタ
US20140062849A1 (en) * 2012-09-05 2014-03-06 Tagnetics, Inc. Cmos-compatible display system and method

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4021835A (en) * 1974-01-25 1977-05-03 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and a method for fabricating the same
JPH03151667A (ja) * 1989-11-08 1991-06-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd スイッチング素子およびその製造方法
JPH0444362A (ja) * 1990-06-12 1992-02-14 Nec Corp 有機量子半導体及び量子半導体素子
US5247193A (en) * 1991-02-01 1993-09-21 Olympus Optical Co., Ltd. Semiconductor insulated gate device with four electrodes
JPH05308146A (ja) * 1992-05-01 1993-11-19 Ricoh Co Ltd 有機光起電力素子
US5335235A (en) * 1992-07-07 1994-08-02 Digital Equipment Corporation FIFO based parity generator
US5331183A (en) * 1992-08-17 1994-07-19 The Regents Of The University Of California Conjugated polymer - acceptor heterojunctions; diodes, photodiodes, and photovoltaic cells

Also Published As

Publication number Publication date
US5596208A (en) 1997-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW293172B (zh)
Zocco et al. Pentacene organic thin-film transistors on flexible paper and glass substrates
Liu et al. High‐performance flexible transparent thin‐film transistors using a hybrid gate dielectric and an amorphous zinc indium tin oxide channel
US6278127B1 (en) Article comprising an organic thin film transistor adapted for biasing to form a N-type or a P-type transistor
Fortunato et al. Amorphous IZO TTFTs with saturation mobilities exceeding 100 cm2/Vs
Petti et al. Low-temperature spray-deposited indium oxide for flexible thin-film transistors and integrated circuits
Minari et al. Surface selective deposition of molecular semiconductors for solution-based integration of organic field-effect transistors
Schön et al. On the intrinsic limits of pentacene field-effect transistors
US8354291B2 (en) Integrated circuits based on aligned nanotubes
Aikawa et al. Thin-film transistors fabricated by low-temperature process based on Ga-and Zn-free amorphous oxide semiconductor
Kanbara et al. N-channel field effect transistors with fullerene thin films and their application to a logic gate circuit
US8395155B2 (en) Thin film transistors having an additional floating channel and methods of manufacturing the same
US20150236169A1 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
Petti et al. Solution-processed p-type copper (I) thiocyanate (CuSCN) for low-voltage flexible thin-film transistors and integrated inverter circuits
Han et al. High performance of full swing logic inverter using all n-types amorphous ZnSnO and SiZnSnO thin film transistors
CN113454793A (zh) 包括掺杂氮的石墨烯层作为有源层的基于石墨烯的tft
CN108417636A (zh) 一种二维相变场效应晶体管及其制备方法
Yan et al. Thin‐Film Transistors for Integrated Circuits: Fundamentals and Recent Progress
Xing et al. Hydrogen-terminated diamond MOSFETs using ultrathin glassy Ga2O3 dielectric formed by low-temperature liquid metal printing method
Doi et al. High mobility organic thin-film transistors on plastic substrate
Kaji et al. High-performance C60 and picene thin film field-effect transistors with conducting polymer electrodes in bottom contact structure
Zhu et al. A carbon nanotube electrode a-IGZO-TFT
Koo et al. The effect of channel length on turn-on voltage in pentacene-based thin film transistor
Hong et al. Depletion-and ambipolar-mode field-effect transistors based on the organic heterojunction composed of pentacene and hexadecafluorophtholocyaninatocopper
Borthakur et al. Top-Contact Pentacene-Based Organic Thin Film Transistor with a Rubrene Layer in between Pentacene-Electrode Interface

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees