JPH06330311A - スパッタ装置 - Google Patents
スパッタ装置Info
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- JPH06330311A JPH06330311A JP11626093A JP11626093A JPH06330311A JP H06330311 A JPH06330311 A JP H06330311A JP 11626093 A JP11626093 A JP 11626093A JP 11626093 A JP11626093 A JP 11626093A JP H06330311 A JPH06330311 A JP H06330311A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スパッタ装置、特にプレーナ型マグネトロン
スパッタ装置に関し、成膜対象とするウエーハ上の溝や
孔をうまく埋め込むことができ、然も従来より高い成膜
速度が得られるスパッタ装置の提供を目的とする。 【構成】 平板状ターゲット２の背後に磁石３を有し、
ウエーハ１をターゲット２の正面に対向させてウエーハ
１に成膜するスパッタ装置であって、ターゲット２とウ
エーハ１の間に、ターゲット２に垂直な仕切板７により
筒状に構成されてターゲット２の面と平行に連接する複
数の窓８を有して、スパッタ粒子５のウエーハ１に対す
る入射角を制限する入射角制限部材６が配置され、磁石
３の磁極が、窓８の中心軸上でターゲット２とほぼ平行
な磁場４を形成するように、仕切板７のターゲット２側
への延長上に位置するように構成する。
スパッタ装置に関し、成膜対象とするウエーハ上の溝や
孔をうまく埋め込むことができ、然も従来より高い成膜
速度が得られるスパッタ装置の提供を目的とする。 【構成】 平板状ターゲット２の背後に磁石３を有し、
ウエーハ１をターゲット２の正面に対向させてウエーハ
１に成膜するスパッタ装置であって、ターゲット２とウ
エーハ１の間に、ターゲット２に垂直な仕切板７により
筒状に構成されてターゲット２の面と平行に連接する複
数の窓８を有して、スパッタ粒子５のウエーハ１に対す
る入射角を制限する入射角制限部材６が配置され、磁石
３の磁極が、窓８の中心軸上でターゲット２とほぼ平行
な磁場４を形成するように、仕切板７のターゲット２側
への延長上に位置するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置などの製造
用とするウエーハ上に成膜を行うスパッタ装置に係り、
特に、プレーナ型マグネトロンスパッタ装置に関する。
用とするウエーハ上に成膜を行うスパッタ装置に係り、
特に、プレーナ型マグネトロンスパッタ装置に関する。
【０００２】プレーナ型マグネトロンスパッタ装置は、
平板状ターゲットの背後に磁石を有し、ウエーハを該タ
ーゲットの正面に対向させて該ウエーハに成膜するスパ
ッタ装置である。
平板状ターゲットの背後に磁石を有し、ウエーハを該タ
ーゲットの正面に対向させて該ウエーハに成膜するスパ
ッタ装置である。
【０００３】近年の半導体装置の製造では、高集積化に
より構造の微細化が進んでおり、スパッタの際に微細な
溝や孔を形状良く埋め込むことができるように成膜する
必要がある。
より構造の微細化が進んでおり、スパッタの際に微細な
溝や孔を形状良く埋め込むことができるように成膜する
必要がある。
【０００４】
【従来の技術】従来のプレーナ型マグネトロンスパッタ
装置においては、スパッタ粒子のウエーハに入射する角
度範囲が広いので、微細な溝や孔をうまく埋め込むこと
ができなかった。そこで、ウエーハにほぼ垂直な方向で
入射するスパッタ粒子のみを通す入射角制限部材を設け
て段差被覆性を改善させる方法が知られている。
装置においては、スパッタ粒子のウエーハに入射する角
度範囲が広いので、微細な溝や孔をうまく埋め込むこと
ができなかった。そこで、ウエーハにほぼ垂直な方向で
入射するスパッタ粒子のみを通す入射角制限部材を設け
て段差被覆性を改善させる方法が知られている。
【０００５】図７はその従来例の要部を示す側面図であ
り、図中、１はウエーハ、２はターゲット、３は磁石、
４は磁場、５はスパッタ粒子、６は入射角制限部材、で
ある。
り、図中、１はウエーハ、２はターゲット、３は磁石、
４は磁場、５はスパッタ粒子、６は入射角制限部材、で
ある。
【０００６】スパッタ粒子５は、ターゲット２の表面か
ら出射するが、磁石３がターゲット２上に弧状の磁場４
を形成することから、その磁場４がターゲット２と平行
になる部位即ち磁石３の隣接する異極交互間の中央とな
る部位からの出射が多い。
ら出射するが、磁石３がターゲット２上に弧状の磁場４
を形成することから、その磁場４がターゲット２と平行
になる部位即ち磁石３の隣接する異極交互間の中央とな
る部位からの出射が多い。
【０００７】入射角制限部材６は、ターゲット２に垂直
な仕切板７により筒状に構成されてターゲット２の面と
平行に連接する複数の窓８を有して、スパッタ粒子５の
ウエーハ１に対する入射角を制限する。そして、その入
射の角度範囲が狭いほど、ウエーハ１上の溝や孔をうま
く埋め込むことができる。
な仕切板７により筒状に構成されてターゲット２の面と
平行に連接する複数の窓８を有して、スパッタ粒子５の
ウエーハ１に対する入射角を制限する。そして、その入
射の角度範囲が狭いほど、ウエーハ１上の溝や孔をうま
く埋め込むことができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところでその従来例
は、磁石３の磁場がターゲット２とほぼ平行になる部
位、即ちターゲット２上のスパッタ粒子５を多く出射す
る部位が仕切板７と重なるため、スパッタ粒子５のかな
りの部分が入射角制限部材６に奪われて成膜速度が低く
なる欠点がある。然も、スパッタ粒子５入射の角度範囲
を狭めるためには、仕切板７の間隔が狭まるように窓８
の大きさを小さくする必要があり、それにより成膜速度
が更に低下してしまう。
は、磁石３の磁場がターゲット２とほぼ平行になる部
位、即ちターゲット２上のスパッタ粒子５を多く出射す
る部位が仕切板７と重なるため、スパッタ粒子５のかな
りの部分が入射角制限部材６に奪われて成膜速度が低く
なる欠点がある。然も、スパッタ粒子５入射の角度範囲
を狭めるためには、仕切板７の間隔が狭まるように窓８
の大きさを小さくする必要があり、それにより成膜速度
が更に低下してしまう。
【０００９】本発明は、スパッタ装置、特にプレーナ型
マグネトロンスパッタ装置に関し、成膜対象とするウエ
ーハ上の溝や孔をうまく埋め込むことができ、然も従来
より高い成膜速度が得られるスパッタ装置の提供を目的
とする。
マグネトロンスパッタ装置に関し、成膜対象とするウエ
ーハ上の溝や孔をうまく埋め込むことができ、然も従来
より高い成膜速度が得られるスパッタ装置の提供を目的
とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によるスパッタ装置は、本発明の原理説明図
である図１を参照して、平板状ターゲット２の背後に磁
石３を有し、ウエーハ１をターゲット２の正面に対向さ
せてウエーハ１に成膜するスパッタ装置であって、ター
ゲット２とウエーハ１の間に、ターゲット２に垂直な仕
切板７により筒状に構成されてターゲット２の面と平行
に連接する複数の窓８を有して、スパッタ粒子５のウエ
ーハ１に対する入射角を制限する入射角制限部材６が配
置され、磁石３の磁極が、窓８の中心軸上でターゲット
２とほぼ平行な磁場を形成するように、仕切板７のター
ゲット２側への延長上に位置することを特徴としてい
る。入射角制限部材６及び磁石３は、相互の位置関係を
変えることなくターゲット２に平行な平面上を移動可能
であることが望ましい。
に、本発明によるスパッタ装置は、本発明の原理説明図
である図１を参照して、平板状ターゲット２の背後に磁
石３を有し、ウエーハ１をターゲット２の正面に対向さ
せてウエーハ１に成膜するスパッタ装置であって、ター
ゲット２とウエーハ１の間に、ターゲット２に垂直な仕
切板７により筒状に構成されてターゲット２の面と平行
に連接する複数の窓８を有して、スパッタ粒子５のウエ
ーハ１に対する入射角を制限する入射角制限部材６が配
置され、磁石３の磁極が、窓８の中心軸上でターゲット
２とほぼ平行な磁場を形成するように、仕切板７のター
ゲット２側への延長上に位置することを特徴としてい
る。入射角制限部材６及び磁石３は、相互の位置関係を
変えることなくターゲット２に平行な平面上を移動可能
であることが望ましい。
【００１１】そして、入射角制限部材６の構成として、
窓８が四角形であって窓８の連接が該四角形の隣接２辺
に従うＸ方向及びＹ方向で直線的に並ぶ配置である場合
には、磁石３の磁極は、仕切板７の交点のＸ方向及びＹ
方向の各並びで１つおきとなる点に該当する箇所に位置
し、且つ該四角形の対角線方向で隣合う磁極が異極であ
ることを特徴としている。
窓８が四角形であって窓８の連接が該四角形の隣接２辺
に従うＸ方向及びＹ方向で直線的に並ぶ配置である場合
には、磁石３の磁極は、仕切板７の交点のＸ方向及びＹ
方向の各並びで１つおきとなる点に該当する箇所に位置
し、且つ該四角形の対角線方向で隣合う磁極が異極であ
ることを特徴としている。
【００１２】また、入射角制限部材６の構成として、窓
８が円形であって窓８の連接がＸ方向で直線的に並びＹ
方向で千鳥に並ぶ配置である場合には、磁石３の磁極
は、該円形がＸ方向に並ぶ複数の列から１列おきとなる
各列の円形隣接点に該当する箇所に位置し、且つＸ方向
及びＹ方向で隣合う磁極が異極であることを特徴として
いる。
８が円形であって窓８の連接がＸ方向で直線的に並びＹ
方向で千鳥に並ぶ配置である場合には、磁石３の磁極
は、該円形がＸ方向に並ぶ複数の列から１列おきとなる
各列の円形隣接点に該当する箇所に位置し、且つＸ方向
及びＹ方向で隣合う磁極が異極であることを特徴として
いる。
【００１３】また、入射角制限部材６の構成として、窓
８が六角形であって窓８の連接が該六角形相互の辺同士
の隣接によりＸ方向で直線的に並びＹ方向で千鳥に並ぶ
配置である場合には、磁石３の磁極は、該六角形がＸ方
向に並ぶ複数の列から１列おきとなる各列の六角形隣接
中点に該当する箇所に位置し、且つＸ方向及びＹ方向で
隣合う磁極が異極であることを特徴としている。
８が六角形であって窓８の連接が該六角形相互の辺同士
の隣接によりＸ方向で直線的に並びＹ方向で千鳥に並ぶ
配置である場合には、磁石３の磁極は、該六角形がＸ方
向に並ぶ複数の列から１列おきとなる各列の六角形隣接
中点に該当する箇所に位置し、且つＸ方向及びＹ方向で
隣合う磁極が異極であることを特徴としている。
【００１４】また、入射角制限部材６の構成として、窓
８が三角形であって窓８の連接が該三角形を６個組み合
わせて六角形となる配列の連続である場合には、磁石３
の磁極は、該六角形の中心及び各辺中点に該当する箇所
に位置し、且つ該中心と該各辺中点との間で磁極が異極
であることを特徴としている。
８が三角形であって窓８の連接が該三角形を６個組み合
わせて六角形となる配列の連続である場合には、磁石３
の磁極は、該六角形の中心及び各辺中点に該当する箇所
に位置し、且つ該中心と該各辺中点との間で磁極が異極
であることを特徴としている。
【００１５】
【作用】本発明のスパッタ装置は、ターゲット２上のス
パッタ粒子５を多く出射する部位を窓８の中心軸上に合
わせてある。これにより、スパッタ粒子５は大部分が窓
８内を素通りするようになり、然も、窓８の大きさを従
来より大きくしてもスパッタ粒子５入射の角度範囲を従
来と同等に狭めることができるので、ウエーハ１上の溝
や孔をうまく埋め込むことができ、然も従来より高い成
膜速度が得られる。また、入射角制限部材６と磁石３を
組にした上記移動は、ウエーハ１上における成膜の均一
性を向上させる。
パッタ粒子５を多く出射する部位を窓８の中心軸上に合
わせてある。これにより、スパッタ粒子５は大部分が窓
８内を素通りするようになり、然も、窓８の大きさを従
来より大きくしてもスパッタ粒子５入射の角度範囲を従
来と同等に狭めることができるので、ウエーハ１上の溝
や孔をうまく埋め込むことができ、然も従来より高い成
膜速度が得られる。また、入射角制限部材６と磁石３を
組にした上記移動は、ウエーハ１上における成膜の均一
性を向上させる。
【００１６】そして、入射角制限部材６の上記４種類の
構成においては、それぞれに対する磁石３の配置によ
り、いずれの場合もターゲット２上のスパッタ粒子５を
多く出射する部位が窓８の中心軸上に合うようになる。
構成においては、それぞれに対する磁石３の配置によ
り、いずれの場合もターゲット２上のスパッタ粒子５を
多く出射する部位が窓８の中心軸上に合うようになる。
【００１７】
【実施例】以下本発明の実施例について図２〜図６を用
いて説明する。図２はスパッタ装置の実施例１〜４に共
通する模式側面図、図３は実施例１の入射角制限部材と
磁石の位置関係を示す平面図、図４は実施例２の入射角
制限部材と磁石の位置関係を示す平面図、図５は実施例
３の入射角制限部材と磁石の位置関係を示す平面図、図
６は実施例４の入射角制限部材と磁石の位置関係を示す
平面図、である。
いて説明する。図２はスパッタ装置の実施例１〜４に共
通する模式側面図、図３は実施例１の入射角制限部材と
磁石の位置関係を示す平面図、図４は実施例２の入射角
制限部材と磁石の位置関係を示す平面図、図５は実施例
３の入射角制限部材と磁石の位置関係を示す平面図、図
６は実施例４の入射角制限部材と磁石の位置関係を示す
平面図、である。
【００１８】図２において、ウエーハ１、ターゲット
２、入射角制限部材６は、スパッタ処理室となる真空槽
１１内に配置される。ウエーハ１はターゲット２に対向
し、入射角制限部材６はターゲット２とウエーハ１の間
に位置する。真空槽１１は、図示省略した前述のスパッ
タ粒子５をターゲット２から出射させるために必要なガ
ス（アルゴン）を供給するためのガス導入口１２と、真
空引きするための排気口１３を備える。
２、入射角制限部材６は、スパッタ処理室となる真空槽
１１内に配置される。ウエーハ１はターゲット２に対向
し、入射角制限部材６はターゲット２とウエーハ１の間
に位置する。真空槽１１は、図示省略した前述のスパッ
タ粒子５をターゲット２から出射させるために必要なガ
ス（アルゴン）を供給するためのガス導入口１２と、真
空引きするための排気口１３を備える。
【００１９】磁石３は、複数個が円板状の磁石支持部材
１４に支持されて一体化され、真空槽１１の外側でター
ゲット２の背後となる部分に配置されて、ターゲット２
上に図示省略した前述の磁場４を形成する。入射角制限
部材６は、外形が円形であり、先に述べたように、ター
ゲット２に垂直な仕切板７により筒状に構成されてター
ゲット２の面と平行に連接する複数の窓８を有して、ス
パッタ粒子５のウエーハ１に対する入射角を制限する。
１４に支持されて一体化され、真空槽１１の外側でター
ゲット２の背後となる部分に配置されて、ターゲット２
上に図示省略した前述の磁場４を形成する。入射角制限
部材６は、外形が円形であり、先に述べたように、ター
ゲット２に垂直な仕切板７により筒状に構成されてター
ゲット２の面と平行に連接する複数の窓８を有して、ス
パッタ粒子５のウエーハ１に対する入射角を制限する。
【００２０】また、入射角制限部材６と磁石３は、相互
の位置関係を変えることなくターゲット２に平行な平面
上を移動（回転）可能である。その回転は、歯車１５、
１６、チェーン１７などを介して駆動源１８により駆動
される。ターゲット２から出射するスパッタ粒子５は、
入射角制限部材６を通過したものがウエーハ１上に成膜
し、上記回転は、ウエーハ１上における成膜の均一性を
向上させる。
の位置関係を変えることなくターゲット２に平行な平面
上を移動（回転）可能である。その回転は、歯車１５、
１６、チェーン１７などを介して駆動源１８により駆動
される。ターゲット２から出射するスパッタ粒子５は、
入射角制限部材６を通過したものがウエーハ１上に成膜
し、上記回転は、ウエーハ１上における成膜の均一性を
向上させる。
【００２１】そして以下に説明するように、第１〜４実
施例は、窓８の形状が相違しその相違に対応して磁石３
の配列が特定される。図３において、この第１実施例
は、入射角制限部材６の構成として、窓８が四角形であ
って窓８の連接が該四角形の隣接２辺に従うＸ方向及び
Ｙ方向で直線的に並ぶ配置である場合であり、磁石３の
磁極は、仕切板７の交点のＸ方向及びＹ方向の各並びで
１つおきとなる点に該当する箇所に位置し、且つ該四角
形の対角線方向で隣合う磁極が異極である。磁石３のこ
の配列による磁場４から、ターゲット２上のスパッタ粒
子５を多く出射する部位が窓８の中心軸上に合うように
なり、ウエーハ１に対する成膜は、ウエーハ１上の溝や
孔をうまく埋め込むことができ、然も従来より高い成膜
速度を得ることができる。
施例は、窓８の形状が相違しその相違に対応して磁石３
の配列が特定される。図３において、この第１実施例
は、入射角制限部材６の構成として、窓８が四角形であ
って窓８の連接が該四角形の隣接２辺に従うＸ方向及び
Ｙ方向で直線的に並ぶ配置である場合であり、磁石３の
磁極は、仕切板７の交点のＸ方向及びＹ方向の各並びで
１つおきとなる点に該当する箇所に位置し、且つ該四角
形の対角線方向で隣合う磁極が異極である。磁石３のこ
の配列による磁場４から、ターゲット２上のスパッタ粒
子５を多く出射する部位が窓８の中心軸上に合うように
なり、ウエーハ１に対する成膜は、ウエーハ１上の溝や
孔をうまく埋め込むことができ、然も従来より高い成膜
速度を得ることができる。
【００２２】図４において、この第２実施例は、入射角
制限部材６の構成として、窓８が円形であって窓８の連
接がＸ方向で直線的に並びＹ方向で千鳥に並ぶ配置であ
る場合であり、磁石３の磁極は、該円形がＸ方向に並ぶ
複数の列から１列おきとなる各列の円形隣接点に該当す
る箇所に位置し、且つＸ方向及びＹ方向で隣合う磁極が
異極である。磁石３のこの配列による磁場４から、ター
ゲット２上のスパッタ粒子５を多く出射する部位が第１
実施例と同様になり、ウエーハ１に対する成膜も第１実
施例と同様の結果を得ることができる。
制限部材６の構成として、窓８が円形であって窓８の連
接がＸ方向で直線的に並びＹ方向で千鳥に並ぶ配置であ
る場合であり、磁石３の磁極は、該円形がＸ方向に並ぶ
複数の列から１列おきとなる各列の円形隣接点に該当す
る箇所に位置し、且つＸ方向及びＹ方向で隣合う磁極が
異極である。磁石３のこの配列による磁場４から、ター
ゲット２上のスパッタ粒子５を多く出射する部位が第１
実施例と同様になり、ウエーハ１に対する成膜も第１実
施例と同様の結果を得ることができる。
【００２３】図５において、この第３実施例は、入射角
制限部材６の構成として、窓８が六角形であって窓８の
連接が該六角形相互の辺同士の隣接によりＸ方向で直線
的に並びＹ方向で千鳥に並ぶ配置である場合であり、磁
石３の磁極は、該六角形がＸ方向に並ぶ複数の列から１
列おきとなる各列の六角形隣接中点に該当する箇所に位
置し、且つＸ方向及びＹ方向で隣合う磁極が異極であ
る。磁石３のこの配列による磁場４から、ターゲット２
上のスパッタ粒子５を多く出射する部位が第１実施例と
同様になり、ウエーハ１に対する成膜も第１実施例と同
様の結果を得ることができる。
制限部材６の構成として、窓８が六角形であって窓８の
連接が該六角形相互の辺同士の隣接によりＸ方向で直線
的に並びＹ方向で千鳥に並ぶ配置である場合であり、磁
石３の磁極は、該六角形がＸ方向に並ぶ複数の列から１
列おきとなる各列の六角形隣接中点に該当する箇所に位
置し、且つＸ方向及びＹ方向で隣合う磁極が異極であ
る。磁石３のこの配列による磁場４から、ターゲット２
上のスパッタ粒子５を多く出射する部位が第１実施例と
同様になり、ウエーハ１に対する成膜も第１実施例と同
様の結果を得ることができる。
【００２４】図６において、この第４実施例は、入射角
制限部材６の構成として、窓８が三角形であって窓８の
連接が該三角形を６個組み合わせて六角形となる配列の
連続である場合には、磁石３の磁極は、該六角形の中心
及び各辺中点に該当する箇所に位置し、且つ該中心と該
各辺中点との間で磁極が異極である。磁石３のこの配列
による磁場４から、ターゲット２上のスパッタ粒子５を
多く出射する部位が第１実施例と同様になり、ウエーハ
１に対する成膜も第１実施例と同様の結果を得ることが
できる。
制限部材６の構成として、窓８が三角形であって窓８の
連接が該三角形を６個組み合わせて六角形となる配列の
連続である場合には、磁石３の磁極は、該六角形の中心
及び各辺中点に該当する箇所に位置し、且つ該中心と該
各辺中点との間で磁極が異極である。磁石３のこの配列
による磁場４から、ターゲット２上のスパッタ粒子５を
多く出射する部位が第１実施例と同様になり、ウエーハ
１に対する成膜も第１実施例と同様の結果を得ることが
できる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ス
パッタ装置、特にプレーナ型マグネトロンスパッタ装置
に関し、成膜対象とするウエーハ上の溝や孔をうまく埋
め込むことができ、然も従来より高い成膜速度が得られ
るスパッタ装置が提供されて、半導体装置などの性能向
上や製造歩留り向上に寄与するところが大である。
パッタ装置、特にプレーナ型マグネトロンスパッタ装置
に関し、成膜対象とするウエーハ上の溝や孔をうまく埋
め込むことができ、然も従来より高い成膜速度が得られ
るスパッタ装置が提供されて、半導体装置などの性能向
上や製造歩留り向上に寄与するところが大である。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 スパッタ装置の実施例１〜４に共通する模式
側面図
側面図
【図３】 実施例１の入射角制限部材と磁石の位置関係
を示す平面図
を示す平面図
【図４】 実施例２の入射角制限部材と磁石の位置関係
を示す平面図
を示す平面図
【図５】 実施例３の入射角制限部材と磁石の位置関係
を示す平面図
を示す平面図
【図６】 実施例４の入射角制限部材と磁石の位置関係
を示す平面図
を示す平面図
【図７】 従来例の要部を示す側面図
１ ウエーハ ２ ターゲット ３ 磁石 ４ 磁場 ５ スパッタ粒子 ６ 入射角制限部材 ７ 仕切板 ８ 窓 １１ 真空槽 １２ ガス導入口 １３ 排気口 １４ 磁石支持部材 １５，１６ 歯車 １７ チェーン １８ 駆動源
Claims (6)
- 【請求項１】 平板状ターゲットの背後に磁石を有し、
ウエーハを該ターゲットの正面に対向させて該ウエーハ
に成膜するスパッタ装置であって、 該ターゲットと該ウエーハの間に、該ターゲットに垂直
な仕切板により筒状に構成されて該ターゲットの面と平
行に連接する複数の窓を有して、スパッタ粒子の該ウエ
ーハに対する入射角を制限する入射角制限部材が配置さ
れ、 該磁石の磁極が、該窓の中心軸上で該ターゲットとほぼ
平行な磁場を形成するように、該仕切板の該ターゲット
側への延長上に位置することを特徴とするスパッタ装
置。 - 【請求項２】 前記入射角制限部材及び磁石は、相互の
位置関係を変えることなく前記ターゲットに平行な平面
上を移動可能であることを特徴とする請求項１記載のス
パッタ装置。 - 【請求項３】 前記入射角制限部材は、窓が四角形であ
って窓の連接が該四角形の隣接２辺に従うＸ方向及びＹ
方向で直線的に並ぶ配置であり、 前記磁石の磁極は、前記仕切板の交点のＸ方向及びＹ方
向の各並びで１つおきとなる点に該当する箇所に位置
し、且つ該四角形の対角線方向で隣合う磁極が異極であ
ることを特徴とする請求項１または２記載のスパッタ装
置。 - 【請求項４】 前記入射角制限部材は、窓が円形であっ
て窓の連接がＸ方向で直線的に並びＹ方向で千鳥に並ぶ
配置であり、 前記磁石の磁極は、該円形がＸ方向に並ぶ複数の列から
１列おきとなる各列の円形隣接点に該当する箇所に位置
し、且つＸ方向及びＹ方向で隣合う磁極が異極であるこ
とを特徴とする請求項１または２記載のスパッタ装置。 - 【請求項５】 前記入射角制限部材は、窓が六角形であ
って窓の連接が該六角形相互の辺同士の隣接によりＸ方
向で直線的に並びＹ方向で千鳥に並ぶ配置であり、 前記磁石の磁極は、該六角形がＸ方向に並ぶ複数の列か
ら１列おきとなる各列の六角形隣接中点に該当する箇所
に位置し、且つＸ方向及びＹ方向で隣合う磁極が異極で
あることを特徴とする請求項１または２記載のスパッタ
装置。 - 【請求項６】 前記入射角制限部材は、窓が三角形であ
って窓の連接が該三角形を６個組み合わせて六角形とな
る配列の連続であり、 前記磁石の磁極は、該六角形の中心及び各辺中点に該当
する箇所に位置し、且つ該中心と該各辺中点との間で磁
極が異極であることを特徴とする請求項１または２記載
のスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11626093A JPH06330311A (ja) | 1993-05-19 | 1993-05-19 | スパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11626093A JPH06330311A (ja) | 1993-05-19 | 1993-05-19 | スパッタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06330311A true JPH06330311A (ja) | 1994-11-29 |
Family
ID=14682701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11626093A Withdrawn JPH06330311A (ja) | 1993-05-19 | 1993-05-19 | スパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06330311A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003051494A (ja) * | 2001-08-06 | 2003-02-21 | Anelva Corp | 表面処理装置 |
| JP2011017088A (ja) * | 2010-09-27 | 2011-01-27 | Canon Anelva Corp | スパッタ成膜応用のためのプラズマ処理装置 |
| JP2013139642A (ja) * | 2013-04-02 | 2013-07-18 | Canon Anelva Corp | スパッタ成膜応用のためのプラズマ処理装置 |
-
1993
- 1993-05-19 JP JP11626093A patent/JPH06330311A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003051494A (ja) * | 2001-08-06 | 2003-02-21 | Anelva Corp | 表面処理装置 |
| JP2011017088A (ja) * | 2010-09-27 | 2011-01-27 | Canon Anelva Corp | スパッタ成膜応用のためのプラズマ処理装置 |
| JP2013139642A (ja) * | 2013-04-02 | 2013-07-18 | Canon Anelva Corp | スパッタ成膜応用のためのプラズマ処理装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000801 |