JP2000204468A - 多分割スパッタリングタ―ゲット - Google Patents
多分割スパッタリングタ―ゲットInfo
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- JP2000204468A JP2000204468A JP11003127A JP312799A JP2000204468A JP 2000204468 A JP2000204468 A JP 2000204468A JP 11003127 A JP11003127 A JP 11003127A JP 312799 A JP312799 A JP 312799A JP 2000204468 A JP2000204468 A JP 2000204468A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スパッタリング面の高さが異なるターゲット
部材を有する多分割スパッタリングターゲットにおい
て、分割部での再付着物の剥離の発生やアーキングの発
生がなく、基板へのパーティクルの付着のない多分割タ
ーゲットを提供する。 【解決手段】 スパッタリング面の高さが高いターゲッ
ト部材の分割部側のスパッタリング面を、高い方のスパ
ッタリング面から低い方のスパッタリング面に至る斜面
とすることにより、前記分割部の両側におけるスパッタ
リング面の高さが、実質的に連続的に変化するようにす
る。
部材を有する多分割スパッタリングターゲットにおい
て、分割部での再付着物の剥離の発生やアーキングの発
生がなく、基板へのパーティクルの付着のない多分割タ
ーゲットを提供する。 【解決手段】 スパッタリング面の高さが高いターゲッ
ト部材の分割部側のスパッタリング面を、高い方のスパ
ッタリング面から低い方のスパッタリング面に至る斜面
とすることにより、前記分割部の両側におけるスパッタ
リング面の高さが、実質的に連続的に変化するようにす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリング法
により薄膜を製造する際に使用されるスパッタリングタ
ーゲット、特に複数枚のターゲット部材を単一のバッキ
ングプレート上に配置した多分割スパッタリングターゲ
ットに関するものである。
により薄膜を製造する際に使用されるスパッタリングタ
ーゲット、特に複数枚のターゲット部材を単一のバッキ
ングプレート上に配置した多分割スパッタリングターゲ
ットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の情報社会およびマルチメディアを
支える半導体素子、記録媒体、フラットパネルディスプ
レイ等のデバイスには、多種多様の薄膜が使用されてい
る。薄膜を形成する手段としては、スパッタリング法、
真空蒸着法、ＣＶＤ法等があげられる。中でも、スパッ
タリング法は、大面積に均一な膜を成膜するのに有利な
ため、フラットパネルディスプレイの分野では多く使用
されている。特に、ターゲットの背後に磁石を配置し、
ターゲット表面に磁界を存在させてプラズマを収束させ
るようにしたマグネトロンスパッタリング法は、成膜速
度が速いため量産装置で多く採用されている。
支える半導体素子、記録媒体、フラットパネルディスプ
レイ等のデバイスには、多種多様の薄膜が使用されてい
る。薄膜を形成する手段としては、スパッタリング法、
真空蒸着法、ＣＶＤ法等があげられる。中でも、スパッ
タリング法は、大面積に均一な膜を成膜するのに有利な
ため、フラットパネルディスプレイの分野では多く使用
されている。特に、ターゲットの背後に磁石を配置し、
ターゲット表面に磁界を存在させてプラズマを収束させ
るようにしたマグネトロンスパッタリング法は、成膜速
度が速いため量産装置で多く採用されている。
【０００３】近年ターゲットの使用効率（（使用前のタ
ーゲット重量−使用後のターゲット重量）／使用前のタ
ーゲット重量×１００％）を向上させることを目的と
し、前記ターゲット背後の磁石をターゲットサイズより
若干小さめに設計し、この磁石を左右、上下あるいはこ
れらを組み合わせた方向に周期的に移動させる揺動磁石
タイプの装置が考案され、実用化されている。従来の磁
石を固定した装置では、ターゲットの中央部分がスパッ
タリングされず残っていたのに対し、揺動磁石タイプの
装置では、ターゲット表面のほぼ全域がスパッタリング
されるため著しくターゲットの使用効率の向上が計られ
た。
ーゲット重量−使用後のターゲット重量）／使用前のタ
ーゲット重量×１００％）を向上させることを目的と
し、前記ターゲット背後の磁石をターゲットサイズより
若干小さめに設計し、この磁石を左右、上下あるいはこ
れらを組み合わせた方向に周期的に移動させる揺動磁石
タイプの装置が考案され、実用化されている。従来の磁
石を固定した装置では、ターゲットの中央部分がスパッ
タリングされず残っていたのに対し、揺動磁石タイプの
装置では、ターゲット表面のほぼ全域がスパッタリング
されるため著しくターゲットの使用効率の向上が計られ
た。
【０００４】しかし、このような揺動磁石タイプの装置
では、ある特定の箇所においてエロージョンの進行が速
く、該エロージョンの進行の速い部分がターゲットとバ
ッキングプレートを接合しているボンディング層に到達
してしまうと、他の部分が大量に残っていてもそのター
ゲットは使用できなくなるため、使用効率向上の効果が
半減してしまうという問題点があった。前記のエロージ
ョンが速く進行する箇所は、装置の種類（枚葉式かイン
ライン式か）や磁石の揺動方法あるいは速度に依存する
ため特定することは難しい。しかし、図２に示すような
枚葉式で単純に磁石を左右に揺動させる場合はターゲッ
ト両端の図中の斜線部分を、図３に示すようなインライ
ン式で単純に磁石を左右に揺動させる場合は、長矩形タ
ーゲットの両端の斜線部分を例示することができる。な
お、図２及び図３中の太い両矢印は、磁石の移動範囲を
示す。
では、ある特定の箇所においてエロージョンの進行が速
く、該エロージョンの進行の速い部分がターゲットとバ
ッキングプレートを接合しているボンディング層に到達
してしまうと、他の部分が大量に残っていてもそのター
ゲットは使用できなくなるため、使用効率向上の効果が
半減してしまうという問題点があった。前記のエロージ
ョンが速く進行する箇所は、装置の種類（枚葉式かイン
ライン式か）や磁石の揺動方法あるいは速度に依存する
ため特定することは難しい。しかし、図２に示すような
枚葉式で単純に磁石を左右に揺動させる場合はターゲッ
ト両端の図中の斜線部分を、図３に示すようなインライ
ン式で単純に磁石を左右に揺動させる場合は、長矩形タ
ーゲットの両端の斜線部分を例示することができる。な
お、図２及び図３中の太い両矢印は、磁石の移動範囲を
示す。
【０００５】前記、一部のエロージョンの進行が速いた
めにターゲットの寿命が短くなると言う問題点を解決す
るために、該エロージョンの進行の速い部分のターゲッ
トの厚みを厚くするとう対策が考案され、実施された。
ターゲットの厚みを厚くする手段としては、単純にタ
ーゲットの厚さを厚くする方法（図４参照）、スパッ
タリング面の高さは変化させず、バッキングプレートの
接合面を低くすることによりターゲットを厚くする方法
（図５参照）、前記との組み合わせ（図６参照）
があげられる。
めにターゲットの寿命が短くなると言う問題点を解決す
るために、該エロージョンの進行の速い部分のターゲッ
トの厚みを厚くするとう対策が考案され、実施された。
ターゲットの厚みを厚くする手段としては、単純にタ
ーゲットの厚さを厚くする方法（図４参照）、スパッ
タリング面の高さは変化させず、バッキングプレートの
接合面を低くすることによりターゲットを厚くする方法
（図５参照）、前記との組み合わせ（図６参照）
があげられる。
【０００６】これら３つの手法の内との手法を採用
した場合には、ターゲットの表面に大きな段差が発生す
る。また、手法は、バッキングプレートの改造の必要
がないので、最も手軽な方法であり多くの装置で採用さ
れている。
した場合には、ターゲットの表面に大きな段差が発生す
る。また、手法は、バッキングプレートの改造の必要
がないので、最も手軽な方法であり多くの装置で採用さ
れている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前述したようなスパッ
タリング面に段差が有るターゲットでは、この段差の部
分では隣り合ったターゲット部材の内、高さの低いター
ゲット部材からスパッタリングにより飛び出した粒子
が、隣接する高さの高いターゲット部材の側面に再付着
するという現象が起こる。この高さの高い部材の側面に
再付着した粒子は、付着量の増加にともない剥離しやす
くなり、剥離した薄片が基板に付着するとパーティクル
となり、ＬＣＤ等の表示品位を劣化させるとともに歩留
まりを低下させるため特に解決すべき重要な問題となっ
ていた。また、高さの高い部分のエッジ部では、アーキ
ングが発生しやすく、安定した成膜が得にくいという問
題点があった。
タリング面に段差が有るターゲットでは、この段差の部
分では隣り合ったターゲット部材の内、高さの低いター
ゲット部材からスパッタリングにより飛び出した粒子
が、隣接する高さの高いターゲット部材の側面に再付着
するという現象が起こる。この高さの高い部材の側面に
再付着した粒子は、付着量の増加にともない剥離しやす
くなり、剥離した薄片が基板に付着するとパーティクル
となり、ＬＣＤ等の表示品位を劣化させるとともに歩留
まりを低下させるため特に解決すべき重要な問題となっ
ていた。また、高さの高い部分のエッジ部では、アーキ
ングが発生しやすく、安定した成膜が得にくいという問
題点があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは多分割スパ
ッタリングターゲットであって、スパッタリングされる
面（以下、「スパッタリング面」と称す）の高さが分割
された部材間で異なるターゲットに固有の上記パーティ
クルの発生量を低減させるため、分割部の形状について
検討した。その結果、隣り合った部材間のうち、高さが
高い部材に対して傾斜を設けて、段差を無くすことによ
り、分割部におけるパーティクルの発生を低減できるこ
とを見いだし、本発明を完成した。
ッタリングターゲットであって、スパッタリングされる
面（以下、「スパッタリング面」と称す）の高さが分割
された部材間で異なるターゲットに固有の上記パーティ
クルの発生量を低減させるため、分割部の形状について
検討した。その結果、隣り合った部材間のうち、高さが
高い部材に対して傾斜を設けて、段差を無くすことによ
り、分割部におけるパーティクルの発生を低減できるこ
とを見いだし、本発明を完成した。
【０００９】即ち、本発明は複数のターゲット部材をバ
ッキングプレート上に、接合剤により接合して構成され
る多分割スパッタリングターゲットであって、スパッタ
リング面の高さが分割された部材間で異なるターゲット
において、例えば、図１に示すように、隣り合った部材
間の内、高さが高い部材に対して傾斜を設けることによ
り段差を無くしたことを特徴とする多分割スパッタリン
グターゲットに関する。
ッキングプレート上に、接合剤により接合して構成され
る多分割スパッタリングターゲットであって、スパッタ
リング面の高さが分割された部材間で異なるターゲット
において、例えば、図１に示すように、隣り合った部材
間の内、高さが高い部材に対して傾斜を設けることによ
り段差を無くしたことを特徴とする多分割スパッタリン
グターゲットに関する。
【００１０】より詳細には、本発明は、複数のターゲッ
ト部材をバッキングプレート上に、接合剤により接合し
て構成される多分割スパッタリングターゲットであり、
かつ、スパッタリング面の高さが異なるターゲット部材
を有する多分割スパッタリングターゲットにおいて、ス
パッタリング面の高さが異なるターゲット部材が隣接し
て分割部を形成している部分では、スパッタリング面の
高さが高いターゲット部材の分割部側のスパッタリング
面を、高い方のスパッタリング面から低い方のスパッタ
リング面に至る斜面とすることにより、前記分割部の両
側におけるスパッタリング面の高さが、実質的に連続的
に変化するようにしたことを特徴とする多分割スパッタ
リングターゲットである。なお、スパッタリング面の高
さが高いターゲット部材の分割部側のスパッタリング面
として形成された、高い方のスパッタリング面から低い
方のスパッタリング面に至る斜面と、高い方のスパッタ
リング面との交差角は４５度以下であることが好まし
い。また、前記斜面は、必ずしも平面で構成されるもの
でなくても良く、高い方のスパッタリング面と低い方の
スパッタリング面とを実質的に滑らかに連続的に繋ぐも
のであれば曲面で構成されるものであっても良い。
ト部材をバッキングプレート上に、接合剤により接合し
て構成される多分割スパッタリングターゲットであり、
かつ、スパッタリング面の高さが異なるターゲット部材
を有する多分割スパッタリングターゲットにおいて、ス
パッタリング面の高さが異なるターゲット部材が隣接し
て分割部を形成している部分では、スパッタリング面の
高さが高いターゲット部材の分割部側のスパッタリング
面を、高い方のスパッタリング面から低い方のスパッタ
リング面に至る斜面とすることにより、前記分割部の両
側におけるスパッタリング面の高さが、実質的に連続的
に変化するようにしたことを特徴とする多分割スパッタ
リングターゲットである。なお、スパッタリング面の高
さが高いターゲット部材の分割部側のスパッタリング面
として形成された、高い方のスパッタリング面から低い
方のスパッタリング面に至る斜面と、高い方のスパッタ
リング面との交差角は４５度以下であることが好まし
い。また、前記斜面は、必ずしも平面で構成されるもの
でなくても良く、高い方のスパッタリング面と低い方の
スパッタリング面とを実質的に滑らかに連続的に繋ぐも
のであれば曲面で構成されるものであっても良い。
【００１１】さらに、本発明においては、スパッタリン
グ面を斜面とした部分の長さがスパッタリング面の一部
を斜面としたターゲット部材の長さの５０％以下である
ことが好ましく、また、多分割スパッタリングターゲッ
トを構成する各ターゲット部材のエッジ部のうち、少な
くとも他のターゲット部材と隣接する端部のスパッタリ
ング面側のエッジ部をＲ１〜Ｒ２に加工することが好ま
しい。
グ面を斜面とした部分の長さがスパッタリング面の一部
を斜面としたターゲット部材の長さの５０％以下である
ことが好ましく、また、多分割スパッタリングターゲッ
トを構成する各ターゲット部材のエッジ部のうち、少な
くとも他のターゲット部材と隣接する端部のスパッタリ
ング面側のエッジ部をＲ１〜Ｒ２に加工することが好ま
しい。
【００１２】なお、本発明は、ターゲットサイズが今後
も大型化することが予想されている、ターゲット部材が
実質的に、インジウム、スズおよび酸素からなる多分割
スパッタリングターゲットにおいて特に有効である。
も大型化することが予想されている、ターゲット部材が
実質的に、インジウム、スズおよび酸素からなる多分割
スパッタリングターゲットにおいて特に有効である。
【００１３】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１４】本発明に使用されるスパッタリングターゲ
ットの材料は、特に限定することなく使用することがで
きる。しかし、今後ターゲットサイズが益々大きくなる
ことが予想されるフラットパネルディスプレイの製造に
使用される材料により適している。このような材料とし
ては、例えば、クロム、モリブデン、ＩＴＯ（インジウ
ム−スズ酸化物）、ＺＡＯ（アルミニウム−亜鉛酸化
物）、酸化マグネシウム等があげられる。
ットの材料は、特に限定することなく使用することがで
きる。しかし、今後ターゲットサイズが益々大きくなる
ことが予想されるフラットパネルディスプレイの製造に
使用される材料により適している。このような材料とし
ては、例えば、クロム、モリブデン、ＩＴＯ（インジウ
ム−スズ酸化物）、ＺＡＯ（アルミニウム−亜鉛酸化
物）、酸化マグネシウム等があげられる。
【００１５】例えば、ＩＴＯターゲットを製造する場合
には、まず、通常用いられる方法によってＩＴＯ焼結体
を製造する。焼結体を製造する際の粉末の種類・形状、
成形方法、焼結方法には、特に制限はない。
には、まず、通常用いられる方法によってＩＴＯ焼結体
を製造する。焼結体を製造する際の粉末の種類・形状、
成形方法、焼結方法には、特に制限はない。
【００１６】次に、得られたＩＴＯ焼結体を機械的に加
工して多分割ＩＴＯターゲットを構成する個々のターゲ
ット部材を作製する。説明をより明瞭にするために、こ
こでは、先の図３に示したような長矩形のインラインス
パッタリング装置用のターゲットで図４のような段差を
持たないバッキングプレートを用いた場合を例に挙げて
説明する。
工して多分割ＩＴＯターゲットを構成する個々のターゲ
ット部材を作製する。説明をより明瞭にするために、こ
こでは、先の図３に示したような長矩形のインラインス
パッタリング装置用のターゲットで図４のような段差を
持たないバッキングプレートを用いた場合を例に挙げて
説明する。
【００１７】ターゲットの中央部に使用するターゲット
部材１２は、均一の厚みを持たせる。通常、この部分の
厚みは５〜８ｍｍの範囲に形成されることが多い。ま
た、この部分はターゲットの長さあるいは幅に応じて１
枚物で作製されることもあれば、多分割にして作製され
ることもある。ここまでは、通常の多分割スパッタリン
グターゲットの作製方法と同一である。
部材１２は、均一の厚みを持たせる。通常、この部分の
厚みは５〜８ｍｍの範囲に形成されることが多い。ま
た、この部分はターゲットの長さあるいは幅に応じて１
枚物で作製されることもあれば、多分割にして作製され
ることもある。ここまでは、通常の多分割スパッタリン
グターゲットの作製方法と同一である。
【００１８】次に、ターゲット両端の厚みの厚い部分に
用いるターゲット部材１３の加工を行う。ターゲット両
端部用のターゲット部材１３は、所定の大きさで厚みを
中央部用のターゲット部材１２の厚みよりも一般的には
１〜５ｍｍ程度厚くなるように加工する。
用いるターゲット部材１３の加工を行う。ターゲット両
端部用のターゲット部材１３は、所定の大きさで厚みを
中央部用のターゲット部材１２の厚みよりも一般的には
１〜５ｍｍ程度厚くなるように加工する。
【００１９】次に、該両端部のターゲット部材１３の中
央部用ターゲット部材１２と隣接する側のスパッタリン
グ面を、端部用ターゲット部材１３の本来のスパッタリ
ング面１５から、中央部用ターゲット部材１２のスパッ
タリング面１４に至る斜面１６とすることにより、端部
用ターゲット部材１３と中央部用ターゲット部材１２に
より形成される分割部１７の両側におけるスパッタリン
グ面の高さが実質的に連続的に変化し、分割部において
スパッタリング面に段差を生じないようにする。なお、
端部用ターゲット部材１３の本来のスパッタリング面１
５から、中央部用ターゲット部材１２のスパッタリング
面１４に至る斜面１６と、中央部用ターゲット部材１２
のスパッタリング面１４又は端部用ターゲット部材１３
の本来のスパッタリング面１５との交差角は、図１に示
した角度（θ）で４５度以下とすることが好ましい。
央部用ターゲット部材１２と隣接する側のスパッタリン
グ面を、端部用ターゲット部材１３の本来のスパッタリ
ング面１５から、中央部用ターゲット部材１２のスパッ
タリング面１４に至る斜面１６とすることにより、端部
用ターゲット部材１３と中央部用ターゲット部材１２に
より形成される分割部１７の両側におけるスパッタリン
グ面の高さが実質的に連続的に変化し、分割部において
スパッタリング面に段差を生じないようにする。なお、
端部用ターゲット部材１３の本来のスパッタリング面１
５から、中央部用ターゲット部材１２のスパッタリング
面１４に至る斜面１６と、中央部用ターゲット部材１２
のスパッタリング面１４又は端部用ターゲット部材１３
の本来のスパッタリング面１５との交差角は、図１に示
した角度（θ）で４５度以下とすることが好ましい。
【００２０】こうすることにより段差が解消されるた
め、分割部での再付着物の剥離の発生及びアーキングの
発生を効果的に抑制することができる。なお、前記交差
角が４５度をこえると、端部用ターゲット部材１３の本
来のスパッタリング面１５から、中央部用ターゲット部
材１２のスパッタリング面１４に至る斜面１６と、端部
用ターゲット部材１３の本来のスパッタリング面１５と
により形成されるエッジ部１８付近でのアーキングが増
加するため好ましくない。このエッジ部１８付近でのア
ーキングの発生をより低減させるには、エッジ部１８を
Ｒ加工（角部に丸みを付加する加工）することが好まし
い。さらに、分割部のスパッタリング面側のエッジ部１
９、２０に対してもＲ１〜Ｒ２に加工（角部に付加する
丸みの半径を１〜２ｍｍとする加工）することにより、
アーキングの発生をより低減できるので好ましい。
め、分割部での再付着物の剥離の発生及びアーキングの
発生を効果的に抑制することができる。なお、前記交差
角が４５度をこえると、端部用ターゲット部材１３の本
来のスパッタリング面１５から、中央部用ターゲット部
材１２のスパッタリング面１４に至る斜面１６と、端部
用ターゲット部材１３の本来のスパッタリング面１５と
により形成されるエッジ部１８付近でのアーキングが増
加するため好ましくない。このエッジ部１８付近でのア
ーキングの発生をより低減させるには、エッジ部１８を
Ｒ加工（角部に丸みを付加する加工）することが好まし
い。さらに、分割部のスパッタリング面側のエッジ部１
９、２０に対してもＲ１〜Ｒ２に加工（角部に付加する
丸みの半径を１〜２ｍｍとする加工）することにより、
アーキングの発生をより低減できるので好ましい。
【００２１】このようにして得られた複数枚のターゲッ
ト部材を１枚のバッキングプレート１１上にボンディン
グする。本発明に使用されるバッキングプレートおよび
金属接合剤は特に限定されるものではないが、バッキン
グプレートとしては、無酸素銅およびリン酸銅等が、半
田材としては、インジウム半田等があげられる。バッキ
ングプレート上の各ターゲット部材は、スパッタリング
面に段差が生じないように、図１のように配置される。
ト部材を１枚のバッキングプレート１１上にボンディン
グする。本発明に使用されるバッキングプレートおよび
金属接合剤は特に限定されるものではないが、バッキン
グプレートとしては、無酸素銅およびリン酸銅等が、半
田材としては、インジウム半田等があげられる。バッキ
ングプレート上の各ターゲット部材は、スパッタリング
面に段差が生じないように、図１のように配置される。
【００２２】得られた本発明のスパッタリングターゲッ
トは、両端部を厚くすることにより長寿命となるととも
に、ターゲットのスパッタリング面に段差が無いので、
分割部での再付着物の剥離の発生及びアーキングの発生
が低減され、基板に付着するパーティクル数が低減され
る。
トは、両端部を厚くすることにより長寿命となるととも
に、ターゲットのスパッタリング面に段差が無いので、
分割部での再付着物の剥離の発生及びアーキングの発生
が低減され、基板に付着するパーティクル数が低減され
る。
【００２３】
【実施例】以下、本発明を実施例をもって更に詳細に説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２４】実施例１ 酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末を重量比で９０：１
０の割合に混合した混合粉末をプレス用金型にいれ、３
００ｋｇ／ｃｍ2の圧力で加工して得た成形体を３ｔｏ
ｎ／ｃｍ2の圧力でＣＩＰ処理してＩＴＯ成形体を作製
した。次にこのＩＴＯ成形体を酸素雰囲気中１５００℃
で５時間常圧焼結してＩＴＯ焼結体を得た。得られた焼
結体を機械加工して、２枚の１２７×１５０×９ｍｍの
ターゲット部材と１枚の１２７×５１２×６ｍｍターゲ
ット部材を得た。
０の割合に混合した混合粉末をプレス用金型にいれ、３
００ｋｇ／ｃｍ2の圧力で加工して得た成形体を３ｔｏ
ｎ／ｃｍ2の圧力でＣＩＰ処理してＩＴＯ成形体を作製
した。次にこのＩＴＯ成形体を酸素雰囲気中１５００℃
で５時間常圧焼結してＩＴＯ焼結体を得た。得られた焼
結体を機械加工して、２枚の１２７×１５０×９ｍｍの
ターゲット部材と１枚の１２７×５１２×６ｍｍターゲ
ット部材を得た。
【００２５】次に、ターゲット端部に使用する２枚の１
２７×１５０×９ｍｍのターゲット部材１３を、中央部
用ターゲット部材１２に接する部分で、スパッタリング
面に段差を生じないようにするため、図７に示す形状に
加工した。
２７×１５０×９ｍｍのターゲット部材１３を、中央部
用ターゲット部材１２に接する部分で、スパッタリング
面に段差を生じないようにするため、図７に示す形状に
加工した。
【００２６】次に、得られた３つのターゲット部材１
２、１３のスパッタリング面を囲む全てのエッジ部をＲ
２に加工した。
２、１３のスパッタリング面を囲む全てのエッジ部をＲ
２に加工した。
【００２７】次に、得られた各ターゲット部材１２、１
３をスパッタリング面に段差が生じないよう図１のよう
にインジウムハンダを用いてボンディングした。
３をスパッタリング面に段差が生じないよう図１のよう
にインジウムハンダを用いてボンディングした。
【００２８】得られたターゲットを、真空装置内に設置
し、以下の条件でスパッタリングを実施した。
し、以下の条件でスパッタリングを実施した。
【００２９】 ＤＣ電力 ：８００Ｗ スパッタガス：Ａｒ＋Ｏ2 ガス圧 ：５ｍＴｏｒｒ Ｏ2／Ａｒ ：０．１％ 以上の条件により使用初期から５分ごとの基板へのパー
ティクル付着数を調べた。パーティクル付着数の測定
は、分割部直上を通過させた４インチのシリコンウエハ
ー上に付着した１μｍ以上のサイズのパーティクル数を
パーティクルカウンターを用いて測定した。この時のシ
リコンウエハー上のＩＴＯ膜の厚さは１５００Ａとし
た。結果を表１に示す。３０分経過後も、僅かのパーテ
ィクルが付着したにすぎなかった。
ティクル付着数を調べた。パーティクル付着数の測定
は、分割部直上を通過させた４インチのシリコンウエハ
ー上に付着した１μｍ以上のサイズのパーティクル数を
パーティクルカウンターを用いて測定した。この時のシ
リコンウエハー上のＩＴＯ膜の厚さは１５００Ａとし
た。結果を表１に示す。３０分経過後も、僅かのパーテ
ィクルが付着したにすぎなかった。
【００３０】
【表１】
【００３１】比較例１ 実施例１と同様の方法でＩＴＯ焼結体を作製した。 得
られた焼結体を機械加工して、２枚の１２７×１５０×
９ｍｍのターゲット部材２３と１枚の１２７×５１２×
６ｍｍターゲット部材２２を得た。
られた焼結体を機械加工して、２枚の１２７×１５０×
９ｍｍのターゲット部材２３と１枚の１２７×５１２×
６ｍｍターゲット部材２２を得た。
【００３２】次に、得られた３つのターゲット部材２
２、２３のスパッタリング面を囲む全てのエッジ部をＲ
２に加工した。
２、２３のスパッタリング面を囲む全てのエッジ部をＲ
２に加工した。
【００３３】次に、得られた各ターゲット部材２２、２
３をインジウムハンダを用いてボンディングした。得ら
れたターゲットは図８に示すようにスパッタリング面に
段差が形成されたものであった。
３をインジウムハンダを用いてボンディングした。得ら
れたターゲットは図８に示すようにスパッタリング面に
段差が形成されたものであった。
【００３４】得られたターゲットを、真空装置内に設置
し、以下の条件でスパッタリングを実施した。
し、以下の条件でスパッタリングを実施した。
【００３５】 ＤＣ電力 ：８００Ｗ スパッタガス：Ａｒ＋Ｏ2 ガス圧 ：５ｍＴｏｒｒ Ｏ2／Ａｒ ：０．１％ 以上の条件により使用初期から５分ごとの基板へのパー
ティクル付着数を調べた。結果を表１に示す。２０分後
から急激にパーティクルの付着数が増加した。
ティクル付着数を調べた。結果を表１に示す。２０分後
から急激にパーティクルの付着数が増加した。
【００３６】
【発明の効果】本発明の多分割ターゲットを用いること
により、スパッタリング面の高さが異なるターゲット部
材を有する多分割スパッタリングターゲットにおいて
も、分割部での再付着物の剥離の発生及びアーキングの
発生を効果的に防止することができ、基板へのパーティ
クルの付着を低減できる。
により、スパッタリング面の高さが異なるターゲット部
材を有する多分割スパッタリングターゲットにおいて
も、分割部での再付着物の剥離の発生及びアーキングの
発生を効果的に防止することができ、基板へのパーティ
クルの付着を低減できる。
【図１】本発明の多分割ターゲットの一例を示す図であ
る。
る。
【図２】枚葉式で単純に磁石を左右に揺動させるターゲ
ットのエロージョン進行の速い部分を示す図である。
ットのエロージョン進行の速い部分を示す図である。
【図３】インライン式で単純に磁石を左右に揺動させる
ターゲットのエロージョン進行の速い部分を示す図であ
る。
ターゲットのエロージョン進行の速い部分を示す図であ
る。
【図４】多分割ターゲットにおける分割部近傍の形状の
一例を示す断面図である。
一例を示す断面図である。
【図５】多分割ターゲットにおける分割部近傍の形状の
他の一例を示す断面図である。
他の一例を示す断面図である。
【図６】多分割ターゲットにおける分割部近傍の形状の
さらに他の一例を示す断面図である。
さらに他の一例を示す断面図である。
【図７】実施例１の多分割ターゲットの端部用ターゲッ
ト部材の形状を示す図である。
ト部材の形状を示す図である。
【図８】比較例１の多分割ターゲットの形状を示す図で
ある。
ある。
１、１１、２１ バッキングプレート ２ ターゲット部材 ３ 可動マグネット ４ エロージョン進行の速い部分 １２、２２ 中央部用ターゲット部材 １３、２３ 端部用ターゲット部材 １４、１５ スパッタリング面 １６ 斜面 １７ 分割部 １８ 本来のスパッタリング面と斜面が
形成するエッジ部 １９、２０ 分割部のスパッタリング面側のエ
ッジ部
形成するエッジ部 １９、２０ 分割部のスパッタリング面側のエ
ッジ部
Claims (5)
- 【請求項１】 複数のターゲット部材をバッキングプレ
ート上に、接合剤により接合して構成される多分割スパ
ッタリングターゲットであり、かつ、スパッタリング面
の高さが異なるターゲット部材を有する多分割スパッタ
リングターゲットにおいて、スパッタリング面の高さが
異なるターゲット部材が隣接して分割部を形成している
部分では、スパッタリング面の高さが高いターゲット部
材の分割部側のスパッタリング面を、高い方のスパッタ
リング面から低い方のスパッタリング面に至る斜面とす
ることにより、前記分割部の両側におけるスパッタリン
グ面の高さが、実質的に連続的に変化するようにしたこ
とを特徴とする多分割スパッタリングターゲット。 - 【請求項２】 スパッタリング面の高さが高いターゲッ
ト部材の分割部側のスパッタリング面として形成され
た、高い方のスパッタリング面から低い方のスパッタリ
ング面に至る斜面と、高い方のスパッタリング面との交
差角が４５度以下であることを特徴とする請求項１に記
載の多分割スパッタリングターゲット。 - 【請求項３】 スパッタリング面を斜面とした部分の長
さがスパッタリング面の一部を斜面としたターゲット部
材の長さの５０％以下であることを特徴とする請求項１
または２に記載の多分割スパッタリングターゲット。 - 【請求項４】 多分割スパッタリングターゲットを構成
する各ターゲット部材のエッジ部のうち、少なくとも他
のターゲット部材と隣接する端部のスパッタリング面側
のエッジ部をＲ１〜Ｒ２に加工したことを特徴とする請
求項１〜３のいずれか１項に記載の多分割スパッタリン
グターゲット。 - 【請求項５】 ターゲット部材が実質的に、インジウ
ム、スズおよび酸素からなることを特徴とする請求項１
〜４のいずれか１項に記載の多分割スパッタリングター
ゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00312799A JP3760652B2 (ja) | 1999-01-08 | 1999-01-08 | 多分割スパッタリングターゲット |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00312799A JP3760652B2 (ja) | 1999-01-08 | 1999-01-08 | 多分割スパッタリングターゲット |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000204468A true JP2000204468A (ja) | 2000-07-25 |
| JP3760652B2 JP3760652B2 (ja) | 2006-03-29 |
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ID=11548707
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00312799A Expired - Fee Related JP3760652B2 (ja) | 1999-01-08 | 1999-01-08 | 多分割スパッタリングターゲット |
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| JP (1) | JP3760652B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030079462A (ko) * | 2002-04-04 | 2003-10-10 | 삼성전자주식회사 | 스퍼터 챔버 |
| JP2008169482A (ja) * | 2007-01-05 | 2008-07-24 | Samsung Corning Co Ltd | スパッタリングターゲット装置 |
| WO2009028347A1 (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Mitsui Kinzoku Korea Co., Ltd. | スパッタリングターゲット |
| WO2010035718A1 (ja) | 2008-09-25 | 2010-04-01 | 東ソー株式会社 | 円筒形スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| WO2012144107A1 (ja) * | 2011-04-18 | 2012-10-26 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット |
| US20130126343A1 (en) * | 2011-11-21 | 2013-05-23 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Sputter target structure of transparent conductive layer |
| WO2013075317A1 (zh) * | 2011-11-21 | 2013-05-30 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 透明导电层的溅射靶材构造 |
| JP5364173B2 (ja) * | 2011-01-26 | 2013-12-11 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット |
| KR20200037209A (ko) | 2017-08-01 | 2020-04-08 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 스퍼터링 타깃, 산화물 반도체막의 성막 방법 및 배킹 플레이트 |
| KR20220048141A (ko) * | 2020-10-12 | 2022-04-19 | 한국에너지기술연구원 | 인라인 스퍼터링 시스템 |
-
1999
- 1999-01-08 JP JP00312799A patent/JP3760652B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030079462A (ko) * | 2002-04-04 | 2003-10-10 | 삼성전자주식회사 | 스퍼터 챔버 |
| KR101171769B1 (ko) * | 2007-01-05 | 2012-08-07 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 스퍼터링용 타겟 장치 |
| JP2008169482A (ja) * | 2007-01-05 | 2008-07-24 | Samsung Corning Co Ltd | スパッタリングターゲット装置 |
| WO2009028347A1 (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Mitsui Kinzoku Korea Co., Ltd. | スパッタリングターゲット |
| JP2009057598A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Mitsui Kinzoku Korea Co Ltd | スパッタリングターゲット |
| TWI383060B (zh) * | 2007-08-31 | 2013-01-21 | Mitsui Kinzoku Korea Co Ltd | 濺鍍靶 |
| WO2010035718A1 (ja) | 2008-09-25 | 2010-04-01 | 東ソー株式会社 | 円筒形スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| KR20110060938A (ko) | 2008-09-25 | 2011-06-08 | 토소가부시키가이샤 | 원통형 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법 |
| US9127352B2 (en) | 2008-09-25 | 2015-09-08 | Tosoh Corporation | Cylindrical sputtering target, and method for manufacturing same |
| JP5364173B2 (ja) * | 2011-01-26 | 2013-12-11 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット |
| WO2012144107A1 (ja) * | 2011-04-18 | 2012-10-26 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット |
| CN103348035A (zh) * | 2011-04-18 | 2013-10-09 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 溅射靶 |
| CN103348035B (zh) * | 2011-04-18 | 2015-08-12 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 溅射靶 |
| US20130126343A1 (en) * | 2011-11-21 | 2013-05-23 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Sputter target structure of transparent conductive layer |
| WO2013075317A1 (zh) * | 2011-11-21 | 2013-05-30 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 透明导电层的溅射靶材构造 |
| KR20200037209A (ko) | 2017-08-01 | 2020-04-08 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 스퍼터링 타깃, 산화물 반도체막의 성막 방법 및 배킹 플레이트 |
| KR20220048141A (ko) * | 2020-10-12 | 2022-04-19 | 한국에너지기술연구원 | 인라인 스퍼터링 시스템 |
| KR102478286B1 (ko) * | 2020-10-12 | 2022-12-16 | 한국에너지기술연구원 | 인라인 스퍼터링 시스템 |
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