KR101171769B1 - 스퍼터링용 타겟 장치 - Google Patents

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Abstract

대면적 대상물의 진행 방향에 대해 폭 방향으로 배치되는 스퍼터링용 타겟 장치는 중앙 표면 및 중앙 표면의 양단에서 소정의 단차를 갖고 낮게 형성되는 적어도 하나의 단차 표면을 포함하는 백킹 플레이트, 백킹 플레이트의 중앙 표면에 장착되는 기준 타겟재, 및 백킹 플레이트의 단차 표면에 장착되는 보강 타겟재를 구비한다. 대면적 대상물에 스퍼터링을 하는 경우, 침식의 양을 고려하여 최적화된 타겟 분포를 형성할 수가 있다.

Description

스퍼터링용 타겟 장치 {TARGET DEVICE FOR SPUTTERING}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터링 타겟 장치를 도시한 사시도이다.
도 2은 도 1의 스퍼터링 타겟 장치의 단면도이다.
도 3은 도 2의 타겟 장치를 이용할 경우 침식 프로파일을 표시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 스퍼터링 타겟 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 스퍼터링 타겟 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110：백킹 플레이트 112：중앙 표면
114：단차 표면 120：기준 타겟재
130：보강 타겟재 132：중간 타겟재
본 발명은, 박막제조 시에 사용되는 스퍼터링 타겟에 관한 것으로서, 보다 자세하게는, 백킹 플레이트 상에 장착한 후, 사용 및 보수, 관리를 용이하게 할 수 있는 스퍼터링 타겟에 관한 것이다.
투명 박막으로 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO 등이 사용되며, 이들 ITO 박막 등은 고도전성 및 고투과률이란 특징을 가지고 있으며, 또한 미세가공도 용이하게 행할 수 있다는 점에서, 액정디스플레이(LCD), PDP(Plasma Display)등의 플랫패널디스플레이용 표시전극에 이용되고 있다.
ITO 박막의 제조방법은 스프레이열분해법, CVD법 등의 화학적 성막법과 전자빔 증착법, 스퍼터링법 등의 물리적 성막법으로 구별될 수 있다. 그 중에서도 ITO 타겟을 이용한 스퍼터링법은 대면적화가 용이하며, 얻어진 막의 저항치 및 투과률의 변화가 적고, 또, 성막 조건을 조절하기가 용이하기 때문에 대부분의 ITO 성막 공정 라인에서 채용되고 있다. 최근 디스플레이 패널이 대형화됨에 따라, 패널 제조에 사용되는 유리기판의 크기도 대형화되고 있다. 이 때문에, 박막 제조 시에 사용되는 타겟도 기판 크기에 맞춰서 그 크기의 대형화가 진행되고 있다.
대형화되는 디스플레이 패널에 대응하여, 타겟도 복수개의 타겟재가 백킹 플레이트 상에 배치되는 다분할 스퍼터링이 적용되고 있으며, 타겟 배후에 자석을 배치하고, 배치된 자석을 이동시켜 타겟 전체에 스퍼터링을 수행하는 마그네트론 스퍼터링도 있다.
하지만, 이러한 마그네트론 스퍼터링 장치에서, 타겟재의 침식(erosion)이 특정 부위에서 빠르게 일어나는 현상이 일어나고 있으며, 이러한 침식이 타겟재와 백킹 플레이트 간의 본딩층까지 도달하게 되면, 다른 부분의 타겟재가 대량 남아 있어도 스퍼터링을 위한 타겟 전체가 사용할 수 없게 되는 경우가 발생할 수 있다.
이를 해결하기 위해서, 일본 특허출원공개 제2000-204468호(2000.7.25.)에는 다분할 타겟재를 사용하되, 침식이 많이 발생하는 부분을 두껍게 하는 내용을 제시하고 있다. 하지만, 타겟의 표면이 균일하지 않아 스퍼터링에 의한 품질이 저하될 수 있다는 문제점이 있다.
또한, 일본 특허출원공개 제 평11-117063호(1999.4.27.)에는 다분할 타겟재를 사용하지만, 타겟재를 다른 재질로 하여 차별화된 침식을 균일하게 하고자 하는 기술이 게시되어 있다. 하지만, 역시 타겟재의 성분이 상이하여 균일한 품질의 스퍼터링을 기대하기가 어렵다는 문제점이 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명은 디스플레이 패널과 같이 대면적에 균일한 품질의 스퍼터링을 하기 위한 스퍼터링 타겟장치를 제공한다.
본 발명은 타겟의 불균일한 침식에 대응하여 타겟을 오래 사용할 수 있고, 타겟재의 교체를 용이하게 할 수 있는 스퍼터링 타겟장치를 제공한다.
본 발명의 예시적인 일 실시예에 따르면, 스퍼터링용 타겟 장치는 백킹 플레이트, 두께가 차가 있는 기준 타겟재 및 보강 타겟재를 포함한다. 백킹 플레이트는 중앙 표면(central surface) 및 중앙 표면의 주변에 형성되는 적어도 하나의 단차 표면(step surface)를 포함하며, 기준 타겟재는 중앙 표면에 장착되고, 보강 타겟재는 기준 타겟재의 양 쪽에서 단차 표면에 장착된다.
본 발명에서, 단차 표면은 중앙 표면보다 소정의 단차를 두고 낮게 형성될 수 있으며, 중앙 표면과 단차 표면 간의 높이 차이를 보상할 수 있도록, 기준 타겟재보다 보강 타겟재의 두께가 더 두껍다. 백킹 플레이트는 중앙 표면을 중심으로 양 쪽 대칭을 이루도록 형성될 수 있으며, 중앙 표면으로부터 하나 또는 복수개의 단차 표면이 형성될 수가 있다. 또한, 중앙 표면으로부터 멀어질수록 단차 표면의 높이가 낮아지는 것이 바람직하지만, 경우에 따라서는 단차 표면의 높이가 증감할 수도 있다.
마그네트론 스퍼터링에서 타겟재의 침식은 여러 요인에 영향을 받을 수가 있으며, 특히 백킹 플레이트의 배면에서 이동하는 마그네트의 이동에 의해 침식 패턴은 큰 영향을 받을 수가 있다. 하지만, 대면적 디스플레이 장치 등에 스퍼터링을 하는 경우, 디스플레이 패널의 중앙보다는 단부에 대응하는 영역에서 상대적으로 큰 침식이 경험되고 있다.
따라서 본 발명은 이러한 침식 특성에 대응하여 중앙 표면의 양 쪽으로 두꺼운 보강 타겟재를 장착하되, 보강 타겟재를 백킹 플레이트에서 상대적으로 낮은 단차 표면에 장착하여, 보강 타겟재가 돌출되는 것을 방지할 수 있다. 보강 타겟재 가 상대적으로 돌출되는 것을 방지하여, 타겟으로부터 방출되는 박막 입자가 인접한 타겟재에 의해서 진행이 방해되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 예시적인 다른 실시예에 따르면, 스퍼터링용 타겟 장치는 중앙 표면, 제1 및 제2 단차 표면을 포함하는 백킹 플레이트, 중앙 표면에 장착되는 기준 타겟재, 제1 단차 표면에 장착되는 제1 보강 타겟재 및 제2 단차 표면에 장착되는 제2 보강 타겟재를 포함한다.
백킹 플레이트에서 중앙 표면이 상대적으로 가장 높으며, 제1 단차 표면 및 제2 단차 표면에 순차적으로 낮게 형성된다. 예를 들어, ITO 박막을 형성하고자 하는 경우, 타겟재는 인듐, 주석, 산소를 포함하는 ITO 타겟을 이용하며, 적어도 3종류 이상의 타겟재를 제공하며, 각 중앙 표면 및 제1 및 제2 단차 표면에 장착한다. 타겟재 간의 각각의 단차는 1mm이내로 하는 것이 이상적이고 타겟재 간의 단차가 1mm이상의 차가 발생시 균일한 박막의 형성이 힘들게 되며 노쥴에 의한 박막의 질을 저하 시킬수 있다. 따라서, 상기의 방법에 의하면 기준 타겟재, 제1 및 제2 보강 타겟재의 노출되는 표면은 실질적으로 동일한 평면을 형성 하여 대면적 디스플레이 표면에 균일한 박막을 형성할 수가 있다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 백킹 플레이트 유닛을 설명한다. 참고로, 본 설명에서 동일한 번호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭하며, 상기 규칙 하에서 다른 도면에 기재된 내용을 인용하여 설명할 수 있고, 당업자에게 자명하다고 판단되거나 반복되는 내용은 생략될 수 있 다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터링 타겟 장치를 도시한 사시도이며, 도 2은 도 1의 스퍼터링 타겟 장치의 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 스퍼터링 타겟 장치는 백킹 플레이트(110), 기준 타겟재(120) 및 보강 타겟재(130)를 포함한다. 본 실시예에서 타겟 장치는 Si, Ta, Al, ZnO 및 ITO등으로 이루어진 박막을 형성하기 위한 것으로서, 기준 타겟재(120) 및 보강 타겟재(130)는 해당 재질로 형성되어 있다.
본 발명의 타겟 장치는 마그네트론 스퍼터링을 위한 것으로서, 백킹 플레이트(110)는 중앙 표면(112) 및 그 양 주변에 형성된 단차 표면(114)을 포함하고, 중앙 표면(112)보다 단차 표면(114)에 기준 타겟재(120)보다 더 두꺼운 보강 타겟재(130)를 부착한다. 이는 대면적 표면을 스퍼터링으로 처리하는 경우, 타겟의 표면에서 침식 불균일로 인해 발생하는 프로파일을 고려한 것이다. 따라서 기준 타겟재(120)보다 보강 타겟재(130)를 더 두껍게 하며, 보강 타겟재(130)의 돌출되는 높이가 기준 타겟재(120)의 표면 높이보다 현저하게 증가하는 것을 예방하기 위해, 단차 표면(114)의 높이를 중앙 표면(112)보다 낮게 유지한다.
본 실시예에서는, 타겟 장치에 기준 타겟재(120)와 보강 타겟재(130)가 장착될 때, 외부로 노출되는 타겟재들의 표면은 거의 동일한 평면에 위치한다고 할 수 있다. 따라서 타겟재로부터 방출되는 입자의 진행이 방해를 받지 않으며, 파티클 등이 발생하지 않는 등 기판의 품질을 떨어뜨리는 요소를 배제할 수가 있다.
스퍼터링 타겟 장치에서 기준 타겟재(120) 및 보강 타겟재(130)의 디스플 레이 패널 또는 디스플레이 기판보다 큰 것이 바람직하다. 따라서 본 실시예에서 기준 타겟재(120) 및 보강 타겟재(130)로 정의되는 타겟재 전체의 길이가 기판 크기보다 어느 정도 크게 하는 것이 필요하며, 예를 들어 타겟재 전체 길이가 기판의 폭보다 약 200~300㎜가 넘도록 되어 있다.
ITO 로 이루어진 기준 타겟재(120) 및 보강 타겟재(130)의 형성은, 성형 및 소결의 과정에 수행될 수 있다. ITO 분말을 이용하는 경우, 기판의 크기가 증가함에 따라 성형성이 악화될 수 있으며, 이익률이 극단적으로 저하될 수 있고, 결과적으로 타겟의 제조코스트 및 생산성이 악화될 수 있다. 하지만, 본 실시예에서는 복수의 타겟재를 이용한 다분할 타겟을 사용하기 때문에 이러한 문제점을 극복할 수 있으며, 타겟재를 경사진 모양으로 가공해야 하는 등의 부담이 없어 제조코스트 및 생산성을 향상시킬 수가 있다.
ITO의 소결체인 타겟재를 백킹 플레이트(110)에 접합하는 본딩(bonding)공정은, 타겟재와 백킹 플레이트(110)를 솔더(solder)재의 융점 이상까지 가열한 후, 솔더재를 이용하여 접합한 후, 냉각함으로써 행하여질 수 있다. 이 냉각과정에서 소결체와 백킹 플레이트의 열팽창률의 차이로부터 휨과 깨어짐이 발생한다고 하는 문제가 생길 수 있지만, 이 역시 다분할 타겟을 이용함으로써 해결할 수 있을 것이다.
즉, 단차 표면(114)은 중앙 표면(112)보다 소정의 단차를 두고 낮게 형성되며, 중앙 표면(112)과 단차 표면(114) 간의 높이 차이를 보상할 수 있도록, 기준 타겟재(120)보다 보강 타겟재(130)가 두꺼우며, 장착시 기준 타겟재(120) 및 보강 타겟재(130)의 표면이 일치하도록 한다.
통상적으로 백킹 플레이트(110)는 중앙 표면(112)을 중심으로 좌우 대칭을 이루며, 장착되는 기준 타겟재(120) 및 보강 타겟재(130)도 역시 좌우 대칭을 이룬다. 하지만, 타겟재의 침칙은 코팅설비, 설비 부자재 등의 여러 가지 변수에 의해 달라지게 됨으로 설비 특성 및 사용 특성에 맞는 타겟재의 비대칭 설계가 필요한 경우도 있다.
마그네트론 스퍼터링에서 타겟재의 침식은 백킹 플레이트(110)의 배면에서 이동하는 마그네트(10)의 이동에 의해 큰 영향을 받으며, 대면적 디스플레이 장치 등에 스퍼터링을 하는 경우, 디스플레이 패널의 중앙보다는 단부에 대응하는 영역에서 상대적으로 큰 침식이 경험되고 있다. 따라서 보강 타겟재(130)는 중앙보다는 양단부에 인접하게 위치한다.
도 3은 도 2의 타겟 장치를 이용할 경우 침식 프로파일을 표시한 단면도이다.
도 3을 참조하면, 기준 타겟재(120) 및 보강 타겟재(130)의 단면으로부터 타겟재의 프로파일의 양상을 알 수 있다. 상술한 바와 같이, 타겟재의 침식은 중앙보다는 양 단부 중 그 안쪽에서 활발히 일어난다. 하지만, 본 실시예에 따르면 보강 타겟재(130)가 상대적으로 두껍기 때문에 급한 침식이 있어도 바닥이 쉽게 드러나지 않는다는 장점이 있다.
하지만, 도 3에 나타난 바와 같이, 기준 타겟재(120) 및 보강 타겟재(130)의 침식에 의해서 중앙 표면(112) 및 단차 표면(114)이 노출되기 전에, 중앙 표 면(112)과 단차 표면(114)의 경계가 먼저 노출될 수가 있다.
즉, 기준 타겟재(120)의 사용 효율을 증가하기 위해서 보강 타겟재(130)의 급한 침식이 방해가 될 수 있으며, 2단 구조의 백킹 플레이트(110)에서도 바닥이 드러나 불량이 발생할 수가 있다. 공정 도중 모든 타겟재가 소모되기 전에 백킹 플레이트의 바닥이 드러나지 않도록 하는 것이 바람직하며, 이를 위해 복수개의 다른 보강 타겟을 사용하는 방안이 제시될 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 스퍼터링 타겟 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 스퍼터링용 타겟 장치는 3단 구조를 갖는 백킹 플레이트(210), 기준 타겟재(120), 보강 타겟재(130) 및 중간 타겟재(132)를 포함한다. 기준 타겟재(120), 보강 타겟재(130) 및 중간 타겟재(132)는 Si, Ta, Al, ZnO 및 ITO 등과 같이 박막을 위한 재질로 형성되어 있다.
백킹 플레이트(210)는 중앙 표면(212), 그 양 주변에 형성된 제1 단차 표면(214) 및 제1 단차 표면(214)의 양 주변에 형성된 제2 단차 표면(216)을 포함한다. 제1 단차 표면(214)에는 기준 타겟재(120)보다 두꺼운 중간 타겟재(132)가 부착되며, 제2 단차 표면(216)에는 보강 타겟재(130)가 부착된다. 즉, 중간 타겟재(132)는 기준 타겟재(120)와 보강 타겟재(130) 사이의 두께로 형성된다. 이때 기준 타겟재(120), 중간 타겟재(132) 및 보강 타겟재(130)는 동일 재질로 형성되며, 각각의 폭(W0~W4)은 약 5mm 이상인 것이 바람직하다.
도 4에서 일점쇄선으로 표시된 프로파일 라인을 참조하면, 도 3과 동일한 침식이 진행되어도 백킹 플레이트(210)의 바닥이 노출되지 않는 것을 알 수 있다. 즉, 본 실시예에 따르면, 종래의 침식이 진행되어도 타겟 양단부의 바닥이 먼저 드러나는 것을 방지할 수 있으며, 도 3에 도시된 경우보다도 타겟의 사용 효율을 높일 수 있다는 장점이 있다.
즉, 기준 타겟재(120)보다 보강 타겟재(130)를 더 두껍게 하며, 기준 타겟재(120)와 보강 타겟재(130) 사이에 중간 두께는 중간 타겟재(132)를 적절히 배치하여 타겟의 사용 효율을 더 개선할 수가 있다.
또한, 기준 타겟재(120), 중간 타겟재(132) 및 보강 타겟재(130)의 최초 표면을 동일하게 함으로써, 균일한 박막 형성을 가능하게 할 수 있다. 따라서 타겟재로부터 방출되는 입자의 진행이 방해를 받지 않으며, 파티클 등이 발생하지 않는 등 기판의 품질을 떨어뜨리는 요소를 배제할 수가 있다.
제1 단차 표면(214)은 중앙 표면(212)보다 소정의 단차를 두고 낮게 형성되며, 제2 단차 표면(216)은 제1 단차 표면(214)보다 소정의 단차를 두고 더 낮게 형성된다. 또한, 제1 단차 표면(214) 및 제2 단차 표면(216)은 중앙 표면(212)을 중심으로 좌우 대칭을 이루며, 장착되는 기준 타겟재(120) 및 보강 타겟재(130)도 역시 좌우 대칭을 이룬다. 하지만, 타겟재의 침식은 코팅설비, 설비 부자재 등의 여러 가지 변수에 의해 달라지게 됨으로 설비 특성 및 사용 특성에 맞는 타겟재의 비대칭 설계가 필요한 경우도 있다.
중간 타겟재(132) 및 제1 단차 표면(214)를 더 포함함으로써, 기준 타겟 재(120) 및 보강 타겟재(130)의 사용 효율을 증가시킬 수 있으며, 3단 이상의 구조의 백킹 플레이트(210)에서도 바닥이 드러나는 것을 더 효율적으로 대비할 수 있다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 스퍼터링 타겟 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 5를 참조하면, 도 2의 구조에서 중간 부분의 침식을 대비하여 기준 타겟재(120)보다 두꺼운 중간 타겟재(122)가 중앙 표면의 양단부에 배치된다. 이는 도 2의 구조를 개선하기 위한 것으로 고려될 수 있다. 상술한 문제점이 중앙 표면과 단차 표면의 경계가 일찍 드러나는 문제점을 다소 해결할 수가 있다. 또한, 기준 타겟재(120)의 사용 효율을 증가하면서 보강 타겟재(130)의 완전 소모를 방지할 수가 있다.
도 6은 도 4의 스퍼터링 타겟 장치와 유사한 본 발명의 다른 실시예들에 따른 스퍼터링 타겟장치를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 6의 (a)를 참조하면, 스퍼터링용 타겟 장치는 3단 구조를 갖는 백킹 플레이트(210), 기준 타겟재(120a), 보강 타겟재(130a) 및 중간 타겟재(132a)를 포함한다.
기준 타겟재(120a), 보강 타겟재(130a) 및 중간 타겟재(132a)는 Si, Ta, Al, ZnO 및 ITO 등과 같이 박막을 위한 재질로 형성되며, 위로 노출된 상면을 거의 동일한 평면을 이룬다. 특히, 이웃하는 기준 타겟재(120a) 및 중간 타겟재(132a) 간의 단차가 1mm 이내로 유지되며, 이웃하는 중간 타겟재(132a) 및 보강 타겟 재(130a) 간의 단차가 1mm 이내로 유지된다. 노출된 상면을 기준으로 기준 타겟재(120a), 보강 타겟재(130a) 및 중간 타겟재(132a)의 상면 높이는 점점 증가하는 경향으로 배치될 수 있다.
도 6의 (b)를 참조하면, 스퍼터링용 타겟 장치 역시 3단 구조를 갖는 백킹 플레이트(210), 기준 타겟재(120b), 보강 타겟재(130b) 및 중간 타겟재(132b)를 포함한다.
기준 타겟재(120b), 보강 타겟재(130b) 및 중간 타겟재(132b)는 Si, Ta, Al, ZnO 및 ITO 등과 같이 박막을 위한 재질로 형성되며, 위로 노출된 상면을 거의 동일한 평면을 이룬다. 특히, 이웃하는 기준 타겟재(120b) 및 중간 타겟재(132b) 간의 단차가 1mm 이내로 유지되며, 이웃하는 중간 타겟재(132b) 및 보강 타겟재(130b) 간의 단차가 1mm 이내로 유지된다. 노출된 상면을 기준으로 기준 타겟재(120b), 보강 타겟재(130b) 및 중간 타겟재(132b)의 상면 높이는 점점 낮아지는 경향으로 배치될 수 있다.
도 6의 (c)를 참조하면, 스퍼터링용 타겟 장치 역시 3단 구조를 갖는 백킹 플레이트(210), 기준 타겟재(120c), 보강 타겟재(130c) 및 중간 타겟재(132c)를 포함한다.
기준 타겟재(120c), 보강 타겟재(130c) 및 중간 타겟재(132c)는 Si, Ta, Al, ZnO 및 ITO 등과 같이 박막을 위한 재질로 형성되며, 위로 노출된 상면을 거의 동일한 평면을 이룬다. 특히, 이웃하는 기준 타겟재(120c) 및 중간 타겟재(132c) 간의 단차가 1mm 이내로 유지되며, 이웃하는 중간 타겟재(132c) 및 보강 타겟 재(130c) 간의 단차가 1mm 이내로 유지된다. 노출된 상면을 기준으로 보강 타겟재(132c)의 상면 높이가 가장 낮으며, 그 주변의 기준 타겟재(120c) 및 중간 타겟재(132c)의 상면 높이가 상대적으로 높게 형성되어 있다.
기준 타겟재, 중간 타겟재 및 보강 타겟재의 최초 표면을 1mm이내로 유지할 수 있도록 거의 동일하게 유지함으로써, 균일한 박막 형성을 가능하게 할 수 있다. 따라서 타겟재로부터 방출되는 입자의 진행이 방해를 받지 않으며, 파티클 등이 발생하지 않는 등 기판의 품질을 떨어뜨리는 요소를 배제할 수가 있다.
본 발명의 스퍼터링 타겟 장치는 디스플레이 패널과 같이 대면적에 균일한 품질의 스퍼터링을 수행할 수 있으며, 타겟 전체의 사용 효율을 증가시킬 수가 있다.
또한, 타겟 장치는 타겟을 장착한 후, 타겟의 사용 시간을 증가시킬 수 있으며, 기준 타겟재와 보강 타겟재를 선택적으로 교체하는 것이 가능하여 타겟의 교체에 필요한 비용을 절감할 수가 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (8)

  1. 대면적 대상물의 진행 방향에 대해 폭 방향으로 배치되는 스퍼터링용 타겟 장치에 있어서,
    중앙 표면 및 상기 중앙 표면의 양단으로부터 단차를 가지고 순차적으로 낮게 형성되는 복수개의 단차 표면을 포함하는 백킹 플레이트;
    상기 백킹 플레이트의 중앙 표면에 장착되는 기준 타겟재; 및
    상기 백킹 플레이트의 단차 표면에 장착되는 복수개의 보강 타겟재;를 구비하고,
    상기 기준 타겟재 및 상기 보강 타겟재들의 노출되는 표면 중 상호 이웃하는 표면들 간은 1mm 이내의 단차를 유지하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 타겟 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기준 타겟재 및 상기 보강 타겟재는 동일 재질로 형성되며, 상기 백킹 플레이트의 중앙을 중심으로 좌우 대칭을 이루며 장착되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 타겟 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기준 타겟재 및 상기 보강 타겟재는 동일 재질로 형성되며, 각각의 폭(Wn)이 적어도 5mm인 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 타겟 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 기준 타겟재 및 상기 보강 타겟재의 노출되는 표면은 동일한 평면을 형성하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 타겟 장치.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 대면적 대상물의 진행 방향에 대해 폭 방향으로 배치되는 스퍼터링용 타겟 장치에 있어서,
    중앙 표면, 상기 중앙 표면의 양단에서 상기 중앙 표면보다 낮게 형성되는 제1 단차 표면 및 상기 제1 단차 표면의 양단에서 상기 제1 단차 표면보다 낮게 형성되는 제2 단차 표면을 포함하는 백킹 플레이트;
    상기 중앙 표면에 장착되는 기준 타겟재;
    상기 제1 단차 표면에 장착되는 제1 보강 타겟재; 및
    상기 제2 단차 표면에 장착되는 제2 보강 타겟재;를 구비하며,
    상기 기준 타겟재, 상기 제1 및 제2 보강 타겟재의 노출되는 표면은 동일한 평면을 형성하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 타겟 장치.
  8. 대면적 대상물의 진행 방향에 대해 폭 방향으로 배치되는 스퍼터링용 타겟 장치에 있어서,
    중앙 표면, 상기 중앙 표면의 양단에서 상기 중앙 표면보다 낮게 형성되는 제1 단차 표면 및 상기 제1 단차 표면의 양단에서 상기 제1 단차 표면보다 낮게 형성되는 제2 단차 표면을 포함하는 백킹 플레이트;
    상기 중앙 표면에 장착되는 기준 타겟재;
    상기 제1 단차 표면에 장착되는 제1 보강 타겟재; 및
    상기 제2 단차 표면에 장착되는 제2 보강 타겟재;를 구비하며,
    상기 기준 타겟재, 상기 제1 및 제2 보강 타겟재의 노출되는 표면은 1mm 이내의 단차를 유지하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 타겟 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160123463A (ko) 2015-04-15 2016-10-26 (주)태광테크 스퍼터링용 타겟 및 그 제조 방법

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102251221B (zh) * 2010-05-17 2013-02-27 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种靶材及应用该靶材的半导体器件加工设备
TWI544099B (zh) 2010-05-21 2016-08-01 烏明克公司 濺鍍標靶對支撐材料的非連續性接合
JP5410545B2 (ja) * 2010-11-19 2014-02-05 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 Ｉｔｏスパッタリングターゲット
CN202322993U (zh) * 2011-11-21 2012-07-11 深圳市华星光电技术有限公司 透明导电层的溅射靶材构造
US20130126343A1 (en) * 2011-11-21 2013-05-23 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Sputter target structure of transparent conductive layer
AT14346U1 (de) 2014-07-08 2015-09-15 Plansee Se Target und Verfahren zur Herstellung eines Targets
JP6291122B1 (ja) * 2017-03-29 2018-03-14 住友化学株式会社 スパッタリングターゲット

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000204468A (ja) * 1999-01-08 2000-07-25 Tosoh Corp 多分割スパッタリングタ―ゲット

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03287763A (ja) * 1990-04-04 1991-12-18 Sumitomo Metal Ind Ltd マグネトロン・スパッタリング用ターゲット
CN2104222U (zh) * 1991-07-04 1992-05-13 北京钢铁学院分院 冷阴极弧光离子镀台阶型靶
JPH0953174A (ja) * 1995-08-18 1997-02-25 Chodendo Hatsuden Kanren Kiki Zairyo Gijutsu Kenkyu Kumiai スパッタリングターゲット
JP2006233243A (ja) * 2005-02-22 2006-09-07 Shin Meiwa Ind Co Ltd 成膜装置用ターゲットの支持構造
CN2828061Y (zh) * 2005-07-15 2006-10-18 中国人民解放军国防科学技术大学 一种磁控溅射铁磁材料的靶材结构

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000204468A (ja) * 1999-01-08 2000-07-25 Tosoh Corp 多分割スパッタリングタ―ゲット

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160123463A (ko) 2015-04-15 2016-10-26 (주)태광테크 스퍼터링용 타겟 및 그 제조 방법

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