KR20050012480A - 액정표시장치의 크롬 박막 및 그 제조 방법 - Google Patents

액정표시장치의 크롬 박막 및 그 제조 방법

Info

Publication number
KR20050012480A
KR20050012480A KR1020030051458A KR20030051458A KR20050012480A KR 20050012480 A KR20050012480 A KR 20050012480A KR 1020030051458 A KR1020030051458 A KR 1020030051458A KR 20030051458 A KR20030051458 A KR 20030051458A KR 20050012480 A KR20050012480 A KR 20050012480A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin film
chromium thin
glass substrate
crystal display
liquid crystal
Prior art date
Application number
KR1020030051458A
Other languages
English (en)
Inventor
최용원
Original Assignee
삼성코닝 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성코닝 주식회사 filed Critical 삼성코닝 주식회사
Priority to KR1020030051458A priority Critical patent/KR20050012480A/ko
Publication of KR20050012480A publication Critical patent/KR20050012480A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 일반적으로 비저항 특성 및 유리기판의 휨도 특성을 개선할 수 있는 액정 표시장치용 크롬 박막 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 유리기판을 세정하여 이물질을 제거하는 단계; 유리기판 위에 크롬 박막을 형성하는 단계; 크롬 박막을 열처리하여 재결정화하는 단계를 포함하는 액정 표시장치의 크롬 박막 형성 방법을 제공한다.
이러한 본 발명에 따르면, 크롬 박막의 비저항 특성을 20% 정도 개선할 수 있는 동시에 크롬 박막 형성시 발생하는 박막 내부의 인장 스트레스를 열처리 공정을 통해 완화시킴으로써 유리 기판의 휨도를 개선할 수 있는 효과가 있다.

Description

액정 표시장치의 크롬 박막 및 그 제조 방법{CHROME THIN FILM FOR LIQUID-CRYSTAL DISPLAY AND FABRICATING METHOD THEREOF}
본 발명은 액정 표시장치에서 사용되는 크롬(Cr) 박막에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 액정 표시장치의 게이트 전극으로 사용되는 크롬 박막 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
주지하는 바와 같이, 액정 표시장치는 소형화가 용이하고 다른 평판 디스플레이 소자에 비해 상대적으로 전력 소비가 작기 때문에 컴퓨터나 이동통신 단말기를 비롯한 각종 정보처리 장치의 디스플레이수단으로서 널리 이용되고 있다.
이러한 액정 표시장치에서는 고품질의 컬러 표시를 실현하기 위해서 통상적으로 액티브 매트릭스(Active Matrix)구동 방식의 액정 표시장치가 널리 사용되고 있다. 액티브 메트릭스 구동 방식은 액정 표시장치를 구성하는 개개의 화소 전극을 구동하는 방식으로서 각각의 화소 전극을 온/오프 제어하기 위해 각 화소 전극에 대응하는 박막 트랜지스터(TFT: Thin Film Transistor)가 설치되며, 이 각각의 박막 트랜지스터는 액정 패널을 구성하는 유리 기판 위에 형성된다.
한편, 최근에는 이러한 액정 표시장치의 대화면화 및 고화질화 구현을 위한 개발이 활발히 진행되고 있는데, 현재의 기술로는 TFT 액정 표시장치의 화면 크기 및 해상도를 증가시키는 과정에서 게이트 전극 및 데이터 배선에서 발생되는 신호 지연(signal delay) 현상을 극복하기 어려운 문제점을 안고 있다. 따라서, 이를 해결하기 위해서는 각 신호 배선의 RC 지연 상수값을 최소화할 수 있는 배선구조나 재료를 선택하여야만 한다.
다른 한편으로, 액정 표시장치의 대화면화 및 고화질화를 구현하기 위해서는 개구율의 향상이 필수적이며, 개구율을 향상시키기 위해서는 하부 기판의 화소 전극(ITO)의 면적을 넓혀 주어야 한다. 그리고, 화소 전극(ITO)의 면적을 넓히기 위해서는 TFT 어레이(Array) 크기를 작게 형성해야 한다. 따라서, 개구율의 향상을 위해서는 게이트 전극에 대한 극미세 패턴 형성이 가능해야 하는데, 액정 표시장치의 크기를 크게 할 경우 패턴의 길이가 상당히 길어지게 된다.
또한, 충분한 전기적 전도도가 확보되지 않았을 경우에는 선저항 증가에 따라 전압 강하가 발생하게 되어 화면에서 전압강하에 따른 화면의 왜곡 현상이 발생하는 문제점이 있다.
이러한 액정 표시장치의 특성을 만족시키기 위해서는 낮은 저항 배선을 사용해야 하는데, 현재 TFT 액정 표시장치에 주로 사용되는 배선 재료로는 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 타이타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 등을 들 수 있다. 이 중에서 구리는 글라스(Glass)와의 접착력 특성이 떨어지고 대기중에서 산화가 되는 단점이 있으며, 알루미늄은 화소 전극과 접촉시 건전지 효과 (Galvanic Effect)가 발생하여 부식되는 문제점을 가지고 있다. 반면, 크롬은 글라스와의 접착력이나 내산화성이 우수하여 많이 이용되고 있으며, 특히 일반적인 TFT에서의 크롬을 사용하여 게이트 전극을 형성할 경우에 안정성과 수율이 뛰어난 게이트 전극의 형성이 가능하게 된다.
하지만, 크롬은 박막 자체에서의 인장 스트레스를 가지기 때문에 후막화가 어려운 단점이 있고, 후막화시 박리되는 문제점이 있다. 또한, 기판과 크롬 박막의 인장 스트레스의 차이에 의해 기판이 휘는 현상이 발생하여 제조 공정상에서 기판이 깨지는 현상이 발생하기도 한다. 따라서, 액정 표시장치용 크롬 박막을 형성하는 공정에서 이러한 기판의 휨 현상을 최대한 방지하는 것이 무엇 보다 중요한 과제라 할 수 있다.
따라서 본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명은 TFT 액정 표시 소자를 제작할 때 전기적 전도도 및 스트레스에 의한 박막의 박리 및 글라스의 휨(warp)을 해결할 수 있는 액정 표시장치의 크롬 박막 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예는,
액정 표시장치의 크롬 박막을 형성하는 방법에 있어서, 유리기판을 세정하여 이물질을 제거하는 단계; 상기 유리기판 위에 크롬 박막을 형성하는 단계; 상기 크롬 박막을 열처리하여 재결정화하는 단계를 포함하는 액정 표시장치의 크롬 박막 제조 방법을 제공한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예는,
액정 표시장치의 게이트 전극으로 사용되는 크롬 박막에 있어서, 세정 공정을 통해 이물질이 제거된 유리기판 위에 형성되며, 200℃~400℃에서의 열처리 공정을 통해 재결정화되어 30×10-6Ω㎝ 미만의 비저항값을 갖도록 형성된 액정 표시장치의 크롬 박막을 제공한다.
도 1a 및 1b는 본 발명에 따른 크롬 박막 형성 과정을 도시한 공정단면도.
도 2는 본 발명에 따른 크롬 박막 형성 과정에 대한 공정 순서를 도시한 순서도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 유리기판 11 : 크롬 박막
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명한다.
이하에서 설명되는 실시예는 전기적 전도도를 만족하는 동시에 인장 스트레스에 의한 크롬 박막의 박리 및 기판의 휨 현상을 해결하기 위하여 다수의 실험에 의해 산출된 결과이다. 따라서, 이하에서는 다양한 공정 조건 및 각 공정 조건에 의해 형성된 각 크롬 박막의 특성을 중심으로 기술하며, 그에 따른 최적의 공정 조건을 본 발명에 따른 액정 표시장치용 크롬 박막 제조 방법으로 제시한다.
도 1a 및 1b는 본 발명에 따른 크롬 박막 형성 과정을 도시한 공정단면도이고, 도 2는 그에 따른 공정 순서를 도시한 순서도이다. 각각의 도면을 참조하여 설명하면, 먼저 도 1a에 도시된 바와 같은 소정 두께의 유리기판(10)을 사용하는데, 이 유리가판(10)은 소다 석회(Soda Lime) 및 퓨전 글라스(Fusion Glass) 등을 사용할 수 있으며, 본 실시예에서는 퓨전 글라스를 사용하였다. 그리고, 이 유리기판 (10) 표면에 존재하는 이물질을 제거하기 위하여 세정 공정을 수행하는데, 세정기는 초음파식 세정기로서 7조식 세정기를 사용하고 세정제로는 약산성 세제를 사용한다.
이러한 세정 공정이 완료되면, 도 1b에 도시된 바와 같이 유리기판(10) 위에 크롬 박막(11)을 형성하게 되는데, 이때 크롬 박막(11)의 성막 방법으로는 스터퍼링(Sputtering), 이온 플레이팅(Ion Plating), 전자빔 증착(E-Beam Evaporation) 등의 방법을 이용할 수 있다. 본 실시예에서는 직류전원 마그네트론 스퍼터링 방식을 이용하였다. 그리고, 성막 조건으로서 순도 99.99%의 크롬 타겟을 사용하였으며, 파워는 15∼20KW, 아르곤 유량은 180∼400sccm으로 변화를 주어 최적의 조건으로 유지한다.
그리고, 유리기판(10)의 온도, 즉 크롬 박막(11)에 대한 성막 온도를 100℃∼350℃의 범위가 되도록 하는데, 여기서 크롬 박막(11)에 대한 성막 온도라 함은 챔버 내부의 온도를 기준으로 한 것이 아니라 유리기판(10)에 실제적으로 미치는 온도를 기준을 의미한다. 다시 말하면, 챔버 내부의 히터 존(heater zone)에서 가한 온도는 실제적으로 유리기판(10)에 100% 도달되지 못하고 소실되기 때문에 챔버의 온도는 유리기판(10)이 받을 수 있는 온도보다는 더 높게 세팅되어야 한다. 예를 들어, 히팅 챔버(heating chamber)를 갖추고 있는 스퍼터링 머신은 히팅 후 이동시 유리기판(10)이 받은 온도가 소실되기 때문에 실제적으로 스퍼터 존(sputter zone)에서의 온도는 히팅 존(heating zone) 온도보다 상당히 낮아지게 된다. 이를 방지하기 위해서는 유리기판(10)을 기준으로 성막 온도를 세팅하면 희망하는 온도를 얻을 수 있다.
또한, 이러한 크롬 박막(11)을 형성하는 과정에서 자기장의 세기는 300 가우스(Gauss)를 유지하였다. 그리고, 스터퍼링시 챔버 내부를 진공으로 만들기 위해 로타리 펌프 및 터보 분자 펌프를 이용하여 초기 진공도가 1×10-3Pa가 될 때까지 배기하였으며, 타겟의 표면 산화를 제거하기 위하여 프리스퍼터링(pre-sputtering)을 5분간 실시하였고 크롬 박막의 두께는 200∼300㎚ 수준으로 형성하였다.
표 1은 이러한 공정을 통해 형성된 크롬 박막(11)의 비저항, 반사율 및 휨도를 측정한 결과를 도시한 도표로서, 상술한 바와 같은 각각의 조건 내에서 성막 온도 및 파워 등을 변경하여 각기 다른 조건에서 형성된 각각의 크롬 박막(11)에 대한 특성을 구분하여 도시하였다.
성막 조건 특성
성막 온도 아르곤 유랑 파워 비저항 반사율 휨도
1 150℃ 200 18Kw 41.9 56.0 0.27
2 200℃ 200 18Kw 41.1 63.5 0.25
3 200℃ 200 11Kw 38.8 62.5 0.19
4 250℃ 200 20Kw 22.7 64.7 0.15
5 300℃ 200 20Kw 22.1 65.0 0.16
6 350℃ 200 18Kw 26.6 63.6 0.19
7 350℃ 200 20Kw 21.6 64.9 0.13
표 1을 참조하면, 크롬 박막(11)의 성막 온도를 높게 할수록 유리기판(10)의온도가 높아져 타겟에서 스퍼터링된 원자들은 열에너지에 의해 운동에너지를 얻어 더 큰 에너지를 가진 상태로 크롬 박막(11)을 형성하기 때문에 더 치밀한 구조를 형성하게 되어 비저항과 반사율 특성이 좋아짐을 알 수 있다. 하지만, 이 경우에 크롬 박막(11)의 치밀한 구조 때문에 크롬 박막(11) 내의 스트레스는 더욱 증가하게 되고, 그로 인해 유리기판(10)의 휨도는 증가하게 됨을 알 수 있다.
이와 관련하여, 크롬 박막(11)을 형성하는 과정에서 스트레스를 조절하기 위해서는 아르곤 가스의 유량을 적절히 조절하여 스퍼터링 되는 원자의 수를 늘리는 방법을 들 수 있다. 이때, 열에 의해 발생된 에너지는 많은 수의 스퍼터링 되어 나온 원자들이 서로 나누어 가지기 때문에 크롬 박막(11)의 치밀성은 떨어지나 휨도를 개선할 수 있다. 그리고, 크롬 박막(11) 형성시의 파워도 높은 파워에서 스퍼터링 될수록 에너지는 높아지기 때문에 비저항을 개선하는 효과를 나타낼 수 있다.
결국, 크롬 박막(11)의 성막 온도를 높여줌으로써 비저항과 반사율의 특성은 향상시킬 수 있다할지라도 유리기판(10)의 휨 현상은 여전히 문제가 된다. 휨 현상 문제를 개선하지 못하면 후속 공정의 자동 설비를 이용한 유리기판(10)의 반송 과정에서 유리기판(10)의 깨짐 현상이 발생할 수 있다.
따라서, 본 발명에서는 이러한 유리기판(10)의 휨도를 개선하기 위하여 상술한 바와 같은 과정을 거쳐 형성된 크롬 박막(11)에 대해 추가적인 열처리 공정을 수행한다. 이에 대해 상세히 설명하면, 상술한 과정을 통해 크롬 박막(11)의 형성이 완료되면 동일한 챔버 내에서 열처리를 수행하는데, 이 열처리 공정시 챔버의 분위기는 가스를 혼입하지 않은 진공 상태를 유지한다. 그리고, 열처리 온도는 크롬 박막(11)을 형성하는 공정에서의 온도보다 가급적 높은 온도로 수행한다.
표 2는 본 발명에 따라 크롬 박막(11)에 대한 열처리를 수행한 상태에서 크롬 박막(11)의 비저항, 반사율 및 휨도를 측정한 결과를 도시한 도표로서, 크롬 박막(11)의 성막 온도를 각기 다르게 하는 동시에 각각의 크롬 박막(11)의 성막 온도와 동일한 온도에서부터 더 높은 온도로 변화를 가하여 다양한 형태의 열처리를 시도하고 그에 따른 특성 변화를 측정하였다.
성막 조건 열처리 조건 특성
성막 온도 아르곤 유랑 파워 열처리 온도 열처리 시간 비저항 반사율 휨도
1 150℃ 200 18Kw 200℃ 1시간 36.3 58.46 0.12
2 200℃ 200 18Kw 300℃ 1시간 24.8 63.2 0.09
3 200℃ 200 11Kw 400℃ 30분 19.4 65.9 0.04
4 250℃ 200 20Kw 350℃ 1시간 20.2 64.92 0.09
5 300℃ 200 20Kw 350℃ 30분 20.1 65.41 0.04
6 350℃ 200 18Kw 350℃ 30분 20.1 65.8 0.02
7 350℃ 200 20Kw 400℃ 30분 19.8 65.8 0.04
표 2에서 측정된 유리기판(10)의 휨도는 다음과 같은 방법으로 측정하였다. 크롬 박막(11)이 형성된 유리기판(10)을 표준정반 위에 올려놓은 상태에서 정밀도가 검증된 휠라 게이지를 이용하여 유리기판(10)의 4개의 모서리 중에서 휨도가 가장 높게 발생하는 곳을 측정 포인트로 하여 선택 측정을 실시하였다. 그리고, 휠라 게이지의 단위는 0.05㎜ 단위로 측정하였으며, 측정값은 표준정반과 유리기판(10)의 틈새에 휠라 게이지를 두께별로 표준정반 바닥에 붙여 밀어 넣고 간섭호가 움직이는 측정치를 휨도 측정값으로 하였다. 이때, 휠라 게이지로 측정된 값은 측정값을 유리기판의 장변 길이로 나눈 값을 백분율화하는 방법으로 수치화하였다.
표 2에 나타난 바와 같이, 열처리 공정을 수행함으로써 비저항 특성이10∼20% 정도 향상되는 동시에 유리기판(10)의 휨도도 현저히 향상됨을 알 수 있다. 특히. 이러한 열처리 공정에 따른 특성 변화는 열처리 온도 및 열처리 시간에 밀접한 관계가 있음을 알 수 있다. 표 2에 따르면, 열처리 온도는 초기의 성막 온도보다 높은 온도에서 향상된 특성을 나타났으며, 열처리 시간은 30분 정도 시간에서 포화되고 그 이상의 시간으로 열처리 공정을 수행하면 열에 의해 다시 크롬 박막(11) 내부에 스트레스 형성으로 휨도 특성이 다시 저하되는 것으로 나타났다.
이러한 과정을 거쳐 크롬 박막(10)에 대한 열처리 공정이 완료되면 냉각 공정을 수행하는데, 이 냉각 공정은 2단계로 나누어 챔버 및 유리 기판 표면을 냉각시킨다. 즉, 열처리 공정을 통해 고온상태가 유리기판(10) 및 크롬 박막(11)을 바로 상온으로 냉각하게 되면 표면의 깨짐(Crack) 등이 발생할 수 있기 때문에 2단계의 냉각 공정을 수행한다. 먼저, 챔버의 진공도를 높이면서 불활성 가스등을 이용하여 약 200℃까지 1차 냉각시키고, 다시 챔버를 개방하여 상온에서 냉각시키는 2단계 냉각을 수행한다.
결과적으로, 본 발명에 따라 크롬 박막(11)에 대한 열처리 공정을 수행함으로써 크롬 결정의 재성장이 이루어져 결정이 커지고 전기적 전도성이 우수하게 된다. 또한, 크롬 박막(11)이 가지고 있는 인장 스트레스를 열처리를 통해 압축 스트레스로 완화시켜 주게 되므로 유리기판의 휨을 제거할 수 있다. 그리고, 이 때의 열처리 온도는 성막 온도보다 높게 유지하되, 보다 바람직하게는 300℃∼350℃로 유지하고 열처리 시간은 약 30분 정도 진행한다.
상술한 실시예와 도면은 발명의 내용을 상세히 설명하기 위한 목적일 뿐, 발명의 기술적 사상의 범위를 한정하고자 하는 목적이 아니며, 이상에서 설명한 본 발명은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하므로 상기 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것은 아님은 물론이며, 후술하는 청구범위뿐만이 아니라 청구범위와 균등 범위를 포함하여 판단되어야 한다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 액정 표시장치용 게이트 전극으로 사용되는 크롬 박막을 형성하는 과정에서 열처리 공정을 수행함으로써 비저항 및 유리기판의 휨도 특성을 개선할 수 있는 효과가 있다.

Claims (9)

  1. 액정 표시장치의 크롬 박막을 형성하는 방법에 있어서,
    유리기판을 세정하여 이물질을 제거하는 단계;
    상기 유리기판 위에 크롬 박막을 형성하는 단계;
    상기 크롬 박막을 열처리하여 재결정화하는 단계를 포함하는 액정 표시장치의 크롬 박막 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 크롬 박막의 재결정화가 완료된 상태에서 불활성 가스를 챔버 내부로 유입하여 상기 유리기판 및 크롬 박막을 1차 냉각한 후 상기 챔버를 개방하여 상온으로 2차 냉각시키는 단계를 더 포함하는 액정 표시장치의 크롬 박막 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 크롬 박막은, 100℃∼350℃의 온도에서 300sccm 미만의 아르곤 가스를 사용해 스퍼터링하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시장치용 크롬 박막 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 열처리를 수행하여 재결정화하는 단계는, 상기 크롬 박막을 형성하는온도보다 더 높은 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 표시장치의 크롬 박막 제조 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 열처리를 수행하여 재결정화하는 단계는, 상기 유리기판에 전달된 온도를 기준으로 200℃~400℃의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 액정 표시장치의 크롬 박막 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 열처리를 수행하여 재결정화하는 단계는, 2시간 이내로 수행하는 것을 특징으로 하는 액정 표시장치의 크롬 박막 제조 방법.
  7. 액정 표시장치의 게이트 전극으로 사용되는 크롬 박막에 있어서,
    세정 공정을 통해 이물질이 제거된 유리기판 위에 형성되며, 200℃~400℃에서의 열처리 공정을 통해 재결정화되어 30×10-6Ω㎝ 미만의 비저항값을 갖도록 형성된 액정 표시장치의 크롬 박막.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 유리기판은 휨도가 적어도 0.15 이하인 것을 특징으로 하는 액정 표시장치의 크롬 박막.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 크롬 박막은 반사율이 적어도 60% 이상인 것을 특징으로 하는 액정 표시장치의 크롬 박막.
KR1020030051458A 2003-07-25 2003-07-25 액정표시장치의 크롬 박막 및 그 제조 방법 KR20050012480A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030051458A KR20050012480A (ko) 2003-07-25 2003-07-25 액정표시장치의 크롬 박막 및 그 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030051458A KR20050012480A (ko) 2003-07-25 2003-07-25 액정표시장치의 크롬 박막 및 그 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20050012480A true KR20050012480A (ko) 2005-02-02

Family

ID=37224439

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030051458A KR20050012480A (ko) 2003-07-25 2003-07-25 액정표시장치의 크롬 박막 및 그 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20050012480A (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100827314B1 (ko) * 2005-10-10 2008-05-06 삼성전기주식회사 열처리에 의해 평탄면을 가지는 멤스 소자 및 광변조기제조 방법
KR101238009B1 (ko) * 2006-10-26 2013-03-04 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치의 제조 방법
CN108874225A (zh) * 2018-06-27 2018-11-23 信利光电股份有限公司 一种超薄触摸屏功能片的制作方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100827314B1 (ko) * 2005-10-10 2008-05-06 삼성전기주식회사 열처리에 의해 평탄면을 가지는 멤스 소자 및 광변조기제조 방법
KR101238009B1 (ko) * 2006-10-26 2013-03-04 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치의 제조 방법
CN108874225A (zh) * 2018-06-27 2018-11-23 信利光电股份有限公司 一种超薄触摸屏功能片的制作方法
CN108874225B (zh) * 2018-06-27 2021-07-30 信利光电股份有限公司 一种超薄触摸屏功能片的制作方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2717237B2 (ja) 絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法
KR20010015347A (ko) 금속 배선의 제조 방법 및 그 금속 배선을 구비한 배선 기판
KR20050054469A (ko) 평면 패널 디스플레이용 Ａｇ기 합금 배선 전극막, Ａｇ기합금 스퍼터링 타겟 및 평면 패널 디스플레이
KR20080100358A (ko) 전자 장치, 이의 제조방법 및 스퍼터링 타겟
US20110102722A1 (en) Indium tin oxide sputtering target and transparent conductive film fabricated using the same
US5281554A (en) Method for producing a semiconductor device having a tantalum thin film
EP1458029A2 (en) Novel conductive elements for thin film transistors used in a flat panel display
KR20050012480A (ko) 액정표시장치의 크롬 박막 및 그 제조 방법
JP3859119B2 (ja) 電子部品用薄膜配線
JP2005268616A (ja) 透明導電膜およびその製造方法
EP0498663B1 (en) Method for producing a semi conductor device using sputtering
KR100505515B1 (ko) 2단자형비선형소자와그제조방법및액정표시패널
JP5193232B2 (ja) 液晶表示装置の製造方法
JPH0773738A (ja) 透明導電膜およびその製造方法
KR20100011996A (ko) 투명 도전막의 형성 방법
KR100310784B1 (ko) 초고속 펄스-직류 마그네트론 스퍼터 코팅원에 의한 저온다결정 실리콘 및 고기능성 박막의 증착을 위한 스퍼터링장치
JP2011099162A (ja) 薄膜形成装置、薄膜の製造方法及び電子素子の製造方法
KR100710801B1 (ko) 균일한 막질 형성을 위한 스퍼터링 장치
US6844222B2 (en) Method for reducing contact impedance of thin film transistor
JP2841571B2 (ja) アクティブマトリックス型液晶装置
KR102223358B1 (ko) 다공성 텔루르화전이금속 박막 및 이의 제조방법
KR101188967B1 (ko) 표시용 기판 및 그 제조방법과 표시장치
JPH0456136A (ja) 配線用薄膜形成法
KR100717188B1 (ko) 금속막 스퍼터 장비
KR910008116B1 (ko) 박막 트랜지스터와 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application