KR101238009B1 - 플렉서블 표시장치의 제조 방법 - Google Patents

플렉서블 표시장치의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 플렉서블 표시장치의 제조 방법에 관한 것이다. 특히 본 발명은 구동 소자의 신뢰성을 개선할 수 있는 플렉서블 표시장치의 제조 방법에 관한 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치의 제조 방법은 점착제를 사이에 두고 플렉서블 기판 및 비가요성의 지지 기판을 점착하는 단계와; 상기 플렉서블 기판 상에 박막 패턴들을 형성하는 단계와; 상기 플렉서블 기판으로부터 상기 점착제 및 지지 기판을 박리하는 단계와; 상기 플렉서블 기판 및 상기 박막 패턴들을 열처리 하는 단계를 포함한다.

Description

플렉서블 표시장치의 제조 방법{Fabricating Method of Flexible Display}
도 1은 종래 플렉서블 표시장치의 제조 방법을 나타내는 흐름도.
도 2는 플렉서블 표시장치의 구동 소자인 박막 트랜지스터를 나타내는 도면.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 제조방법을 나타내는 흐름도.
도 4는 구동 소자의 문턱 전압 변동값(ΔVth)과 열처리 공정 온도의 관계를 나타낸 그래프.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 제조 방법을 나타내는 흐름도.
도 6 및 도 7은 배면 박막 증착 공정의 효과를 설명하기 위한 도면.
도 8 및 도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 도면.
도 10은 스테인레스 스틸 기판의 배면에 금 또는 크롬 박막을 증착하고 열처리 한 경우 전계 효과 이동도의 변화를 나타낸 그래프.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110 : 플렉서블 기판 120 : 박막 패턴들
130 : 배면 박막 140 : 점착제
150 : 지지 기판
본 발명은 플렉서블 표시장치의 제조 방법에 관한 것이다. 특히 본 발명은 구동 소자의 신뢰성을 개선할 수 있는 플렉서블 표시장치의 제조 방법에 관한 것이다.
표시장치 시장은 CRT(Cathode-Ray Tube)를 대신해 평판 디스플레이(Flat Panel Display:이하 "FPD"라 함) 위주로 급속히 변화해 왔다. FPD에는 액정표시장치(LCD:Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP:Plasma Display Panel), 유기 발광 표시장치(OLED:Organic Electro Luminescence Display)등이 있다. 이러한 FPD는 CRT에 비해 경량 박형이고 대형화에 유리한 장점이 있다. 반면 FPD는 제조 공정 중 발생하는 높은 열을 견딜 수 있도록 유리 기판을 사용하므로 경량 박형화 및 유연성을 부여하는데 한계가 있다. 따라서 최근 기존의 유연성이 없는 유리기판 대신에 플라스틱등과 같이 유연성 있는 재료를 사용하여 구부러질 수 있게 제조된 플렉서블(flexible) 표시장치가 차세대 표시장치로 급부상중이다.
도 1은 종래 플렉서블 표시장치의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다. 도 1 을 참조하면, 종래 플렉서블 표시장치의 제조 방법은 크게 점착공정(S1), 패턴 형성 공정(S3) 및 박리 공정(S5)으로 나뉜다.
점착 공정(S1)은 공정상 취급이 용이하도록 플렉서블 표시장치의 기판인 플렉서블 기판의 배면에 비가요성(non-flexible)의 지지 기판(rigid substrate)을 점착하는 공정이다. 지지 기판은 플렉서블 기판의 배면에 점착되어, 플렉서블 기판이 공정 중에 쉽게 휘거나 뒤틀리지 않고 고정되도록 한다. 이와 같이 점착 공정(S1)을 통해 형태가 고정된 플렉서블 기판 상에서는 이어지는 패턴 형성 공정(S3)이 보다 정밀하고 안정적으로 진행될 수 있다.
패턴 형성 공정(S3)은 플렉서블 표시장치를 구성하는 각종 패턴을 형성하는 공정이다. 예를 들어, 플렉서블 표시장치가 박막 트랜지스터 어레이를 포함하여 구동되는 경우, 플렉서블 기판 상에는 패턴 형성 공정(S3)을 통해 박막 트랜지스터 어레이가 형성된다.
박리 공정(S5)은 패턴 형성 공정(S3) 후 플렉서블 기판으로부터 점착제 및 지지 기판을 박리하는 공정이다. 플렉서블 표시장치가 유연성을 가지도록 하기 위해서는 패턴 형성 공정(S3) 완료 후, 점착 공정(S1)을 통해 플렉서블 기판에 점착된 지지 기판을 박리하는 공정(S5)이 필수적이다.
이와 같이 플렉서블 표시장치의 제조 공정은 박리 공정(S5)을 포함하고 있으므로 박리가 용이하도록 하기 위해 제조 공정 도중에 점착제가 완전히 경화되지 않아야 한다. 일반적으로 점착제는 150℃보다 높은 온도에서 완전히 경화되므로 점착제가 완전히 경화되지 않도록 하기 위해 패턴 형성 공정(S3)의 최대 공정온도는 150℃ 이하로 제한된다. 그러나, 박막 트랜지스터와 같은 표시장치의 구동 소자는 150℃ 이하의 낮은 온도에서 제조되면 구동 소자의 성능이 저하되는 문제가 있다. 이에 대한 상세한 설명은 도 2를 참조하여 하기로 한다.
도 2는 플렉서블 표시장치의 구동 소자인 박막 트랜지스터를 나타내는 도면이다. 도 2를 참조하면, 플렉서블 표시장치의 박막 트랜지스터는 플렉서블 기판(12)상에 형성된다. 상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극(14), 게이트 전극(14)과 절연막(16)을 사이에 두고 중첩되는 활성층(2), 활성층(2)과 오믹 접촉층(4)에 의의해 접촉되는 소스 전극(8) 및 드레인 전극(10)을 구비한다. 이러한 박막 트랜지스터는 게이트 전극(14)에 문턱 전압(Threshold Voltage : Vth) 이상의 전압이 인가될 때 턴-온됨으로써 소스 전극(8)과 드레인 전극(10) 사이에 전류가 흐를 수 있다. 반면, 박막 트랜지스터는 게이트 전극(14)에 문턱전압 이하의 전압이 인가될 때 오프 상태를 유지하게 된다. 이러한 박막 트랜지스터가 150℃ 이하의 낮은 온도에서 제조되면, 문턱 전압 변동값(ΔVth)이 증가하는 문제점이 있다. 문턱 전압 변동값(ΔVth)의 증가는 크게 두가지 메카니즘에 의하여 발생되는 것으로 알려져 있다. 첫째는 활성층(2)인 아몰포스 실리콘(amorphous silicon ; 이하 "a-Si"라 함)의 약한 결합에 전자가 포획(trap)되어 문턱 전압이 증가하는 것이며, 둘째는 절연막(16)인 질화실리콘(SiNx)에 전자가 포획되어 문턱 전압이 증가하게 된다. 150℃이하의 낮은 온도에서 증착된 a-Si 박막은 이보다 높은 온도에서 증착된 a-Si 박막보다 실리콘(Si) 원자들이 약한 결합을 하기 때문에 전자가 포획되기 쉽다. 또한, 150℃이하의 낮은 온도에서 증착된 질화실리콘막에도 포획 사이트(Site)가 많아 전자 포획이 용이하다. 따라서 150℃이하의 낮은 온도에서 제작된 박막 트랜지스터의 문턱 전압 변동이 이보다 높은 온도에서 제작된 박막 트랜지스터의 경우보다 크게 된다.
상술한 바와 같이 문턱전압 변동값(ΔVth)이 증가하면 동일한 전압에서 초기 상태에 비하여 시간이 갈수록 박막 트랜지스터에 흐르는 전류가 작아지게 된다. 결과적으로 박막 트랜지스터의 구동이 안정적이지 못하게 되어 플렉서블 표시장치의 신뢰성이 저하된다.
본 발명의 목적은 구동 소자의 신뢰성을 개선할 수 있는 플렉서블 표시장치의 제조 방법에 관한 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 제조 방법은 점착제를 사이에 두고 플렉서블 기판 및 비가요성의 지지 기판을 점착하는 단계와; 상기 플렉서블 기판 상에 박막 패턴들을 형성하는 단계와; 상기 플렉서블 기판으로부터 상기 점착제 및 지지 기판을 박리하는 단계와; 상기 플렉서블 기판 및 상기 박막 패턴들을 열처리 하는 단계를 포함한다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 제조 방법은 점착제를 사이에 두고 플렉서블 기판 및 비가요성의 지지 기판을 점착하는 단계와; 상기 플렉 서블 기판 상에 박막 패턴들을 형성하는 단계와; 상기 플렉서블 기판으로부터 상기 점착제 및 지지 기판을 박리하는 단계와; 상기 플렉서블 기판의 배면에 배면 박막을 증착하는 단계와; 상기 플렉서블 기판, 상기 배면 박막 및 상기 박막 패턴들을 열처리 하는 단계를 포함한다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 제조 방법은 플렉서블 기판의 배면에 배면 박막을 증착하는 단계와; 점착제를 사이에 두고 상기 배면 박막 및 비가요성의 지지 기판을 점착하는 단계와; 상기 플렉서블 기판 상에 박막 패턴들을 형성하는 단계와; 상기 배면 박막으로부터 상기 점착제 및 지지 기판을 박리하는 단계와; 상기 플렉서블 기판, 상기 배면 박막 및 상기 박막 패턴들을 열처리 하는 단계를 포함한다.
상기 배면 박막의 열팽창 계수는 상기 플렉서블 기판의 열팽창 계수보다 작다.
상기 플렉서블 기판, 상기 배면 박막 및 상기 박막 패턴들을 열처리 하는 단계의 열처리 온도는 상기 플렉서블 기판 상에 박막 패턴들을 형성하는 단계의 최대 공정 온도보다 높다.
상기 박막 패턴들은 박막 트랜지스터 어레이를 포함하고, 상기 플렉서블 기판 상에 박막 패턴들을 형성하는 단계의 최대 공정온도는 150℃이하이다.
상기 플렉서블 기판, 상기 배면 박막 및 상기 박막 패턴들을 열처리 하는 단계의 열처리 온도는 230℃이상 350℃이하이다.
상기 플렉서블 기판은 스테인레스 스틸을 포함한다. 그리고 상기 배면 박막 은 크롬을 포함한다.
상기 목적외에 본 발명의 다른 목적 및 이점들은 첨부 도면을 참조한 본 발명의 바람직한 실시 예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하 본 발명의 바람직한 실시 예들을 도 3 내지 도 10을 참조하여 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 제조방법을 나타내는 흐름도이다. 도 3을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 제조방법은 크게 점착공정(SS1), 패턴 형성 공정(SS3), 박리 공정(SS5) 및 열처리 공정(SS7)으로 나뉜다.
점착 공정(SS1)은 공정상 취급이 용이하도록 플렉서블 표시장치의 기판인 플렉서블 기판의 배면에 비가요성(rigid)의 지지 기판을 점착하는 공정이다. 지지 기판은 플렉서블 기판의 배면에 점착되어 형태가 고정되지 않는 플렉서블 기판이 고정되도록 한다. 이와 같이 점착 공정(S1)을 통해 형태가 고정된 플렉서블 기판 상에서는 이어지는 패턴 형성 공정(S3)이 보다 정밀하고 안정적으로 진행될 수 있다. 플렉서블 기판으로는 주로 폴리 에테르 술폰(polyethersulfone ; PES) 등의 플라스틱, SUS(Stainless Steel) 등의 메탈 호일 및 박막 유리 중 어느 하나를 사용하고, 지지 기판으로는 주로 유리 기판을 사용한다.
패턴 형성 공정(SS3)은 플렉서블 표시장치를 구성하는 각종 패턴을 형성하는 공정이다. 이러한 패턴 형성 공정(SS3)을 통해 플렉서블 표시장치의 구동 소자인 박막 트랜지스터들이 플렉서블 기판 상에 형성된다. 박막 트랜지스터를 구성하는 박막 패턴들은 패턴 형성 공정(SS3) 중의 박막 증착 및 패터닝 공정등을 통해 형성된다.
박리 공정(SS5)은 패턴 형성 공정(SS3) 후 플렉서블 기판으로부터 점착제 및 지지 기판을 박리하는 공정이다. 플렉서블 표시장치가 유연성을 가지도록 하기 위해서는 패턴 형성 공정(SS3) 완료 후, 점착 공정(SS1)을 통해 플렉서블 기판에 점착된 지지 기판을 박리하는 공정(SS5)이 필수적이다.
이와 같이 플렉서블 표시장치의 제조 공정은 박리 공정(SS5)을 포함하고 있으므로 박리가 용이하도록 하기 위해 제조 공정 도중에 점착제가 완전히 경화되지 않아야 한다. 점착제가 완전히 경화되는 온도는 점착제의 종류에 따라 다르지만, 일반적으로 150℃보다 높은 온도에서 완전히 경화된다. 따라서 점착제가 완전히 경화되지 않도록 하기 위해 패턴 형성 공정(SS3)의 최대 공정온도는 150℃ 이하로 제한된다.
열처리 공정(SS7)은 표시장치의 구동 소자인 박막 트랜지스터가 150℃ 이하의 낮은 온도에서 제조됨에 따라 구동 소자의 문턱 전압 변동값(ΔVth)이 증가하는 문제를 개선하기 위한 공정이다. 열처리 공정(SS7)은 패턴 형성 공정(SS3)의 최대 공정 온도보다 높은 온도로 이루어진다. 보다 상세히 하면 열처리 공정(SS7)은 패턴 형성 공정(SS3)의 최대 박막 증착 온도보다 높은 온도로 이루어지는 것이 바람직하다. 그리고 열처리 공정(SS7)은 점착제의 경화를 방지하기 위해 박리 공정(SS5) 후 이루어지는 것이 바람직하다.
도 4는 구동 소자의 문턱 전압 변동값(ΔVth)과 열처리 공정(SS7) 온도의 관 계를 나타낸 그래프이다. 도 4에서의 구동 소자는 150℃로 제작된 아몰포스 실리콘(amorphous-silicon : 이하 "a-Si"라 함.) 박막 트랜지스터를 대상으로 실험한 것이다. 도 4를 참조하여 실험 결과를 살펴보면, a-Si 박막 트랜지스터를 최대 공정 온도인 150℃ 보다 높은 온도로 열처리 하면 문턱 전압 변동값(ΔVth)이 작아지는 것을 알 수 있다. 특히, 열처리 온도가 높을 수록 문턱 전압 변동값(ΔVth)이 작은 것을 알 수 있다. 다시 말해서, 열처리 온도가 높을 수록 활성층(즉, a-Si박막) 및 절연막(즉, 질화 실리콘박막)의 전자 포획 사이트(electron trap site)가 감소한다. 이와 같이 박막 트랜지스터 형성 후 박막 트랜지스터 형성 온도보다 높은 온도에서 열처리 하면 박막 트랜지스터는 문턱 전압 변동값(ΔVth)이 작아지므로 안정된 특성을 가진다. 이 때 열처리 공정(SS4)의 온도는 230℃ 내지 350℃로 제한하는 것이 바람직하다. 박막 트랜지스터의 박막 패턴들을 형성되는 조건에 따라 다르지만, 일반적으로 박막 트랜지스터가 350℃를 초과하는 온도에서 열처리 되면, 박막 트랜지스터를 구성하는 a-Si박막 또는 질화 실리콘박막에 함유되어 있는 수소가 빠져 나오게 된다. 수소가 빠져 나오면서 a-Si의 무질서도를 증가시켜 전계효과 이동도(Field effect mobility)가 감소하게 되므로 열처리 온도를 제한하는 것이 바람직하다.
도 3 및 도 4에서 상술한 바와 같이 본 발명의 제1 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 제조 방법은 열처리 공정(SS7)을 포함함으로써 박막 트랜지스터의 문턱 전압 변동값(ΔVth) 증가를 억제할 수 있으므로 박막 트랜지스터의 신뢰성이 개선된다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다. 도 5를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 제조 방법은, 본 발명의 제1 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 제조 방법과 비교하면 박리 공정(SS5) 후 배면 박막 증착 공정(SS6)을 추가로 포함한다. 그리고 본 발명의 제2 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 제조 방법은 상기 배면 박막 증착 공정(SS6) 이후에 열처리 공정(SS7)을 실시한다.
본 발명의 제2 실시예는 배면 박막 증착 공정(SS6)을 추가로 포함하는 것 외에 본 발명의 제1 실시예와 동일하므로 이하 본 발명의 제2 실시예에 대한 설명에서는 제1 실시예와 동일한 공정에 대한 상세한 설명을 생략한다.
도 6 및 도 7은 배면 박막 증착 공정(SS6)의 효과를 설명하기 위한 도면이다. 배면 박막 증착 공정(SS6)을 실시하지 않고 열처리 하는 경우, 도 6에 도시한 바와 같이 플렉서블 기판(110)이 F1방향으로 휘어질 수 있다. 이는 플렉서블 기판(110)의 열팽창 계수가 박막 트랜지스터를 구성하는 박막 패턴들(120)의 열팽창 계수와 다르기 때문에 발생하는 현상이다. 더욱 상세히 하면 플렉서블 기판(110)의 열팽창 계수는 일반적으로 박막 트랜지스터를 구성하는 박막 패턴들(120)의 열팽창계수보다 크다. 이에 따라 플렉서블 기판(110)은 온도에 의한 스트레스로 위로 볼록한 F1방향으로 휘어지려 한다.
배면 박막 증착 공정(SS6)은 도 6에서 상술한 바와 같은 플렉서블 기판(110)의 스트레스를 보상하기 위한 공정이다. 이러한 배면 박막 증착 공정(SS6)은 상술한 박리 공정(SS5) 후 실시되는 것으로서 플렉서블 기판(110)의 배면에 배면 박 막(130)을 형성하는 공정이다. 배면 박막(130)은 스퍼터링(sputtering), 증기상 증착(evaporation) 등의 방법으로 플렉서블 기판(110)의 열팽창 계수보다 작은 열팽창 계수를 가지는 물질을 증착함으로써 형성된다. 이와 같은 배면 박막 증착 공정(SS6)을 통해 플렉서블 기판(110)의 열팽창 계수보다 작은 열팽창 계수를 가지는 물질을 증착한 후 열처리 공정(SS7)을 실시하면 플렉서블 기판(110)의 온도에 의한 스트레스를 보상할 수 있다. 이를 상세히 하면, 플렉서블 기판(110)은 배면 박막(130)보다 열팽창 계수가 크기 때문에 아래로 볼록한 F2 방향으로 휘어지려 한다. 이 F2 방향은 도 6에서 상술한 F1 방향과 서로 반대이므로 F1 방향 및 F2 방향으로 휘어지려는 힘은 상쇄된다. 이와 같이 본 발명의 제2 실시예에 따른 배면 박막 증착 공정(SS6)은 열처리 공정(SS7)에 의해 플렉서블 기판(110)에 가해질 수 있는 스트레스를 억제할 수 있다. 결과적으로 본 발명의 제2 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 제조방법은 열처리 공정(SS7)을 포함하는 플렉서블 표시장치의 제조 방법의 안정성을 더욱 향상시킬 수 있다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 8을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에서의 배면 박막 증착 공정(SS6)은 점착 공정(SS1) 이전 단계에서 실시될 수 있다. 점착 공정(SS1) 이전 단계에서 배면 박막(130)이 형성되면 도 9에 도시된 바와 같이 점착 공정(SS1)에서 지지 기판(150)은 점착제(140)를 사이에 두고 배면 박막(130)에 점착된다. 그리고 패턴 형성 공정(SS3)을 통해 플렉서블 기판(110) 상에는 박막 트랜지스터를 구성하는 박막들(120)이 형성된다. 이 후 박리 공정(SS5)에서는 점착 제(140) 및 지지 기판(150)이 배면 박막(130)으로부터 박리된다. 이 후 열처리 공정(SS7)에 대한 설명은 본 발명의 제2 실시예에서와 동일하므로 생략한다. 이와 같이 본 발명의 제3 실시예에서도 본 발명의 제2 실시예에서와 마찬가지로 열처리 공정(SS7) 이전에 플렉서블 기판(110)의 배면에 배면 박막(130)이 형성된 상태이다. 따라서 본 발명의 제3 실시예는 열처리 공정(SS7)에 의해 플렉서블 기판(110)에 가해질 수 있는 스트레스를 배면 박막(130)이 억제할 수 있다.
도 10은 본 발명의 제2 및 제3 실시예에서와 같이 플렉서블 기판의 배면에 배면 박막을 증착하고 열처리 한 경우, 박막 트랜지스터의 전계 효과 이동도 변화를 나타낸 그래프이다. 더욱 상세하게 설명하면, 도 10은 플렉서블 기판으로 스테인레스 스틸 기판을 이용하고, 그 배면에 금(Au) 또는 크롬(Cr) 박막을 증착한 후 열처리 한 경우 전계 효과 이동도의 변화를 나타낸 그래프이다. 도 10에서 a는 크롬 박막 증착 후 열처리 한 경우이고, b는 금 박막 증착 후 열처리 한 경우이며, c는 배면 박막 증착 없이 열처리 한 것이다. 또한 도 10에서 U0는 배면 박막 증착 및 열처리 실시 이전에 박막 트랜지스터의 전계 효과 이동도이다. 그리고 U는 배면 박막 증착 및 열처리 실시 후 박막 트랜지스터의 전계 효과 이동도이다. 도 10을 참조하면, 배면 박막을 증착한 후 열처리 한 경우가 배면 박막을 증착하지 않고 열처리 한 경우보다 박막 트랜지스터의 전기적 특성이 좋은 것을 알 수 있다. 이는 배면 박막이 플렉서블 기판이 휘어지는 것을 방지하고, 결과적으로 플렉서블 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터가 변형되는 것을 방지하기 때문이다. 박막 트랜 지스터의 변형이 방지되면 박막 트랜지스터를 구성하는 a-Si의 무질서도 증가가 방지된다. a-Si의 부질서도가 증가하면 전계효과 이동도값이 작아지게 되는데, 배면 박막에 의하여 열처리 후에도 a-Si의 무질서도가 증가하지 않으므로 전계효과 이동도 값의 감소를 막을 수 있다. 이와 같은 배면 박막의 재료로는 열팽창 계수 및 탄성계수를 고려하여 선택되어야 한다. 도 10에서와 같이 SUS기판 상에 박막트랜지스터를 형성한 경우 그 배면에는 금 박막보다 크롬 박막을 증착하는 것이 더 효과적이다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치의 제조방법은 박막 트랜지스터가 형성된 플렉서블 기판을 점착제 및 지지 기판으로부터 박리한 후 열처리 공정을 실시함으로써 박막 트랜지스터의 문턱전압 변화값을 개선할 수 있다. 이에 따라 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치의 제조 방법은 박막 트랜지스터의 구동 특성이 안정화되므로 박막 트랜지스터의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치의 제조 방법은 배면 박막 증착 공정을 추가로 포함함으로써 플렉서블 표시장치의 제조 공정의 안정성을 증가시키고, 박막 트랜지스터의 전기적 특성을 더욱 향상시킬 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니 라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

Claims (18)

  1. 점착제를 사이에 두고 플렉서블 기판 및 비가요성의 지지 기판을 점착하는 단계와;
    상기 플렉서블 기판 상에 박막 패턴들을 형성하는 단계와;
    상기 플렉서블 기판으로부터 상기 점착제 및 지지 기판을 박리하는 단계와;
    상기 플렉서블 기판 및 상기 박막 패턴들을 열처리 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 플렉서블 기판 및 상기 박막 패턴들을 열처리 하는 단계의 열처리 온도는 상기 플렉서블 기판 상에 박막 패턴들을 형성하는 단계의 최대 공정 온도보다 높은 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 박막 패턴들은 박막 트랜지스터 어레이를 포함하고,
    상기 플렉서블 기판 상에 박막 패턴들을 형성하는 단계의 최대 공정온도는 150℃이하인 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 플렉서블 기판 및 상기 박막 패턴들을 열처리 하는 단계의 열처리 온도는 230℃이상 350℃이하인 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조 방법.
  5. 점착제를 사이에 두고 플렉서블 기판 및 비가요성의 지지 기판을 점착하는 단계와;
    상기 플렉서블 기판 상에 박막 패턴들을 형성하는 단계와;
    상기 플렉서블 기판으로부터 상기 점착제 및 지지 기판을 박리하는 단계와;
    상기 플렉서블 기판의 배면에 배면 박막을 증착하는 단계와;
    상기 플렉서블 기판, 상기 배면 박막 및 상기 박막 패턴들을 열처리 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 배면 박막의 열팽창 계수는 상기 플렉서블 기판의 열팽창 계수보다 작은 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 플렉서블 기판은 스테인레스 스틸을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 배면 박막은 크롬을 포함하는 것을 특징으로하는 플렉서블 표시장치의 제조 방법.
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 플렉서블 기판, 상기 배면 박막 및 상기 박막 패턴들을 열처리 하는 단계의 열처리 온도는 상기 플렉서블 기판 상에 박막 패턴들을 형성하는 단계의 최대 공정 온도보다 높은 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 박막 패턴들은 박막 트랜지스터 어레이를 포함하고,
    상기 플렉서블 기판 상에 박막 패턴들을 형성하는 단계의 최대 공정온도는 150℃이하인 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 플렉서블 기판, 상기 배면 박막 및 상기 박막 패턴들을 열처리 하는 단계의 열처리 온도는 230℃이상 350℃이하인 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조 방법.
  12. 플렉서블 기판의 배면에 배면 박막을 증착하는 단계와;
    점착제를 사이에 두고 상기 배면 박막 및 비가요성의 지지 기판을 점착하는 단계와;
    상기 플렉서블 기판 상에 박막 패턴들을 형성하는 단계와;
    상기 배면 박막으로부터 상기 점착제 및 지지 기판을 박리하는 단계와;
    상기 플렉서블 기판, 상기 배면 박막 및 상기 박막 패턴들을 열처리 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 배면 박막의 열팽창 계수는 상기 플렉서블 기판의 열팽창 계수보다 작은 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 플렉서블 기판은 스테인레스 스틸을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 배면 박막은 크롬을 포함하는 것을 특징으로하는 플렉서블 표시장치의 제조 방법.
  16. 제 12 항에 있어서,
    상기 플렉서블 기판, 상기 배면 박막 및 상기 박막 패턴들을 열처리 하는 단 계의 열처리 온도는 상기 플렉서블 기판 상에 박막 패턴들을 형성하는 단계의 최대 공정 온도보다 높은 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 박막 패턴들은 박막 트랜지스터 어레이를 포함하고,
    상기 플렉서블 기판 상에 박막 패턴들을 형성하는 단계의 최대 공정온도는 150℃이하인 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 플렉서블 기판, 상기 배면 박막 및 상기 박막 패턴들을 열처리 하는 단계의 열처리 온도는 230℃이상 350℃이하인 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조 방법.
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