JP2005093441A - 積層型透明導電膜 - Google Patents
積層型透明導電膜 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005093441A JP2005093441A JP2004279680A JP2004279680A JP2005093441A JP 2005093441 A JP2005093441 A JP 2005093441A JP 2004279680 A JP2004279680 A JP 2004279680A JP 2004279680 A JP2004279680 A JP 2004279680A JP 2005093441 A JP2005093441 A JP 2005093441A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- thin film
- film
- metal thin
- laminated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
【解決手段】 酸化物透明導電薄膜27,28,37と、それよりシート抵抗の小さい金属薄膜26,36とで積層型透明導電膜22,32を構成させる。前記金属薄膜26,36によって積層型透明導電膜全体のシート抵抗が小さくなり、酸化物透明導電薄膜の干渉により反射が低減されるので透過率が高くなる。酸化物透明導電薄膜27,28の間に金属薄膜26が位置する3層構造としてもよいし、酸化物透明導電薄膜37裏面に金属薄膜36が位置する2層構造としてもよい。前記金属薄膜26,36に銀薄膜を用いる場合は、特に特性がよく、その銀薄膜に金等の腐食防止剤を添加すれば耐食性も向上する。
【選択図】 図2
Description
請求項2記載の発明は、金属薄膜と酸化物透明導電薄膜とを有する積層型透明導電膜であって、前記酸化物透明導電薄膜の中間に前記金属薄膜が成膜され、前記金属薄膜の反射が前記酸化物透明導電薄膜の干渉効果で低減されたことを特徴とする積層型透明導電膜である。
請求項3記載の発明は、前記酸化物透明導電薄膜のシート抵抗よりも前記金属薄膜のシート抵抗の方が低くなるように形成されたことを特徴とする請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の積層型透明導電膜である。
請求項4記載の発明は、前記酸化物透明導電薄膜の最大透過率が可視領域にあることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載の積層型透明導電膜である。
請求項5記載の発明は、前記金属薄膜には腐食防止剤が添加されたことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載の積層型透明導電膜である。
請求項6記載の発明は、前記金属薄膜は銀を主成分とする薄膜で構成されたことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項記載の積層型透明導電膜である。
請求項7記載の発明は、前記金属薄膜は銀を主成分とする薄膜で構成され、前記腐食防止剤として金が用いられたことを特徴とする請求項5記載の積層型透明導電膜である。
請求項8記載の発明は、前記金の添加量が3重量%以上、30重量%以下であることを特徴とする請求項7記載の積層型透明導電膜である。
請求項9記載の発明は、銀を主成分とし、腐食防止剤として金が添加された透明性を有する金属薄膜と、前記金属薄膜表面に配置された第1の酸化物透明導電薄膜とを有し、前記金の添加量が3重量%以上にされ、前記第1の酸化物透明導電薄膜と前記金属薄膜とは200℃以上の温度でアニールされ、前記金属薄膜の反射が前記酸化物透明導電薄膜の干渉効果で低減されたことを特徴とする積層型透明導電膜である。
請求項10記載の発明は、前記第1の酸化物透明導電薄膜はITO膜で構成された請求項9記載の積層型透明導電膜である。
請求項11記載の発明は、前記金属薄膜の裏面に配置された第2の酸化物透明導電膜を有することを特徴とする請求項9記載の積層型透明導電膜である。
請求項12記載の発明は、前記第2の酸化物透明導電薄膜はITO膜で構成された請求項11記載の積層型透明導電膜である。
請求項13記載の発明は、前記酸化物透明導電薄膜のシート抵抗よりも前記金属薄膜のシート抵抗の方が低くされたことを特徴とする請求項9乃至請求項12のいずれか1項記載の積層型透明導電膜である。
請求項14記載の発明は、前記酸化物透明導電薄膜の最大透過率が可視領域にあることを特徴とする請求項9乃至請求項13のいずれか1項記載の積層型透明導電膜である。
請求項15記載の発明は、前記金の添加量が30重量%以下であることを特徴とする請求項9乃至請求項14のいずれか1項記載の積層型透明導電膜である。
請求項16記載の発明は、銀を主成分とし、腐食防止剤として金を含有する透明な金属薄膜を基板上に形成し、前記金属薄膜上に第1の酸化物透明導電薄膜を形成した後、前記第1の酸化物透明導電薄膜と前記金属薄膜とを200℃以上の温度でアニールする積層型透明導電膜の製造方法である。
請求項17記載の発明は、前記金属薄膜には、前記金を3重量%以上含有させる請求項16記載の積層型透明導電膜の製造方法である。
請求項18記載の発明は、前記金属薄膜には、前記金を30重量%以下含有させる請求項16又は請求項17のいずれか1項記載の積層型透明導電膜の製造方法である。
請求項19記載の発明は、前記第1の酸化物透明導電薄膜としてITO膜を形成する請求項16乃至請求項18のいずれか1項記載の積層型透明導電膜の製造方法である。
請求項20記載の発明は、前記第1の酸化物透明導電薄膜は、ITOターゲットをスパッタリングして形成する請求項19記載の積層型透明導電膜の製造方法である。
請求項21記載の発明は、前記基板上に第2の酸化物透明導電膜を形成した後、該第2の酸化物透明導電膜上に前記金属薄膜を形成する請求項16乃至請求項20のいずれか1項記載の積層型透明導電膜である。
請求項22記載の発明は、前記第2の酸化物透明導電薄膜としてITO膜を形成する請求項21記載の積層型透明導電膜の製造方法である。
請求項23記載の発明は、前記第2の酸化物透明導電薄膜は、ITOターゲットをスパッタリングして形成する請求項22記載の積層型透明導電膜の製造方法である。
パターン性も良好であるので、高密度の表示装置に用いることができる。
透過率ピークが可視領域に位置するようにできるので、効率の良い表示装置を作成することができる。
耐腐食性に優れているので透明導電膜の信頼性が向上し、ひいては本発明の積層型透明導電膜が用いられる製品の信頼性も向上する。
最初に、本発明の積層型透明導電膜の製造方法について説明する。
図1を参照し、符号10はスパッタ装置であり、本発明の積層型透明導電膜を製造できる装置の一例を示したものである。
前記キャリアー13に透明な基板12を取り付け、前記スパッタ室1を真空排気して高真空状態とした後、スパッタ室1に設けられたノズル8から、マスフローコントローラーで流量制御されたArガスとO2ガスとを0.67Paの圧力まで導入し、前記マグネトロンカソード6に接続された直流電源71(RF電圧が重畳できるように構成してもよい)を起動すると前記ITO焼結体ターゲットのスパッタリングが開始される。
このとき、前記基板12を金属ターゲット上で等速度で通過させると、ITO膜上に所定膜厚の金属薄膜を形成することができる。
上記スパッタ装置10の金属ターゲットに金ターゲットを使用し、基板としてコーニング(株)製の製品番号#7059の透明基板(以下、この透明基板を用いる)を用い、その表面にITO膜/金薄膜/ITO膜をこの順で形成し、前述の図2(a)に示したような、3層構造の積層型透明導電膜を作製した。このとき、ITO膜一層当たりについては300Åの一定膜厚とし、金薄膜については、80、100、150Åの膜厚の3種類の積層型透明導電膜を作製した。それらについて、2波長型分光光時計を用いて大気リファレンスで透明基板を含めた透過率スペクトルを測定した。
前記スパッタ装置10と透明基板を用い、基板加熱を行わずに、ITO膜/金薄膜/ITO膜の3層構造と、ITO膜/銀薄膜/ITO膜の3層構造と、ITO膜/銅薄膜/ITO膜の3層構造と、及び銀薄膜/ITO膜の2層構造との積層型透明導電膜を形成した。各積層型透明導電膜について、成膜直後のシート抵抗値と、200℃で1時間の大気アニールを行った後のシート抵抗の値とを測定した。各層の膜厚とシート抵抗の関係を下記表1に示す。
前記図5〜図7の透過率の測定に使用した積層型透明導電膜を、長時間(1〜2週間)大気中で放置したところ、銀薄膜を用いたものと銅薄膜を用いたものとに腐食が発生していることが観察された。これはITO膜の中間に位置する金属層が酸化したためと考えられる。
一方、金薄膜を用いたものは、耐食性の点では優れているが、シート抵抗が高く、透過率も低いため、特性的には不充分である。
上述のスパッタ装置10の金属ターゲットに、金が添加された銀ターゲットを使用し、透明基板の表面にITO膜/金添加銀薄膜/ITO膜(450/130/450Å)から成る積層型透明導電膜を形成した。このとき、銀薄膜中の金添加割合が6、11、30、35重量%である4種類の積層型透明導電膜を作製した。
これらの結果を下記表2に示す。
エッチング液に40℃のHCl:HNO3:H2O(1:1:8)を用い、他の金添加割合についてもエッチング特性とともに、シート抵抗値と透過率とを測定した。成膜直後、200℃アニール、250℃アニールの場合の測定結果について、下記表3に示す(一部の値は上記表2と重複する)。
以上説明したように、ITO膜/金属薄膜/ITO膜の積層型透明導電膜では、特に、ITO膜/銀薄膜/ITO膜の構造で、ITO膜単層に匹敵する高透過率と、ITO膜単層に比べて大幅に低いシート抵抗値を有する積層型透明導電膜が得られた。
その積層型透明導電膜中の銀薄膜に金を添加すると腐食が防止できた。また、HCl/HNO3系のエッチング液を用いてパターンニングできることも分かった。
上記積層型透明導電膜ではITO膜(インジウム錫酸化物)を酸化物透明導電薄膜として使用したが、インジウム酸化物に添加する物質は、錫に限定されるものではない。
26、36……金属薄膜 27及び28、37……酸化物透明導電薄膜
Claims (23)
- 金属薄膜と酸化物透明導電薄膜とを有する積層型透明導電膜であって、前記酸化物透明導電薄膜の裏面に前記金属薄膜が成膜され、前記金属薄膜の反射が前記酸化物透明導電薄膜の干渉効果で低減されたことを特徴とする積層型透明導電膜。
- 金属薄膜と酸化物透明導電薄膜とを有する積層型透明導電膜であって、前記酸化物透明導電薄膜の中間に前記金属薄膜が成膜され、前記金属薄膜の反射が前記酸化物透明導電薄膜の干渉効果で低減されたことを特徴とする積層型透明導電膜。
- 前記酸化物透明導電薄膜のシート抵抗よりも前記金属薄膜のシート抵抗の方が低くなるように形成されたことを特徴とする請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の積層型透明導電膜。
- 前記酸化物透明導電薄膜の最大透過率が可視領域にあることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載の積層型透明導電膜。
- 前記金属薄膜には腐食防止剤が添加されたことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載の積層型透明導電膜。
- 前記金属薄膜は銀を主成分とする薄膜で構成されたことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項記載の積層型透明導電膜。
- 前記金属薄膜は銀を主成分とする薄膜で構成され、前記腐食防止剤として金が用いられたことを特徴とする請求項5記載の積層型透明導電膜。
- 前記金の添加量が3重量%以上、30重量%以下であることを特徴とする請求項7記載の積層型透明導電膜。
- 銀を主成分とし、腐食防止剤として金が添加された透明性を有する金属薄膜と、
前記金属薄膜表面に配置された第1の酸化物透明導電薄膜とを有し、
前記金の添加量が3重量%以上にされ、
前記第1の酸化物透明導電薄膜と前記金属薄膜とは200℃以上の温度でアニールされ、
前記金属薄膜の反射が前記酸化物透明導電薄膜の干渉効果で低減されたことを特徴とする積層型透明導電膜。 - 前記第1の酸化物透明導電薄膜はITO膜で構成された請求項9記載の積層型透明導電膜。
- 前記金属薄膜の裏面に配置された第2の酸化物透明導電膜を有することを特徴とする請求項9記載の積層型透明導電膜。
- 前記第2の酸化物透明導電薄膜はITO膜で構成された請求項11記載の積層型透明導電膜。
- 前記酸化物透明導電薄膜のシート抵抗よりも前記金属薄膜のシート抵抗の方が低くされたことを特徴とする請求項9乃至請求項12のいずれか1項記載の積層型透明導電膜。
- 前記酸化物透明導電薄膜の最大透過率が可視領域にあることを特徴とする請求項9乃至請求項13のいずれか1項記載の積層型透明導電膜。
- 前記金の添加量が30重量%以下であることを特徴とする請求項9乃至請求項14のいずれか1項記載の積層型透明導電膜。
- 銀を主成分とし、腐食防止剤として金を含有する透明な金属薄膜を基板上に形成し、
前記金属薄膜上に第1の酸化物透明導電薄膜を形成した後、
前記第1の酸化物透明導電薄膜と前記金属薄膜とを200℃以上の温度でアニールする積層型透明導電膜の製造方法。 - 前記金属薄膜には、前記金を3重量%以上含有させる請求項16記載の積層型透明導電膜の製造方法。
- 前記金属薄膜には、前記金を30重量%以下含有させる請求項16又は請求項17のいずれか1項記載の積層型透明導電膜の製造方法。
- 前記第1の酸化物透明導電薄膜としてITO膜を形成する請求項16乃至請求項18のいずれか1項記載の積層型透明導電膜の製造方法。
- 前記第1の酸化物透明導電薄膜は、ITOターゲットをスパッタリングして形成する請求項19記載の積層型透明導電膜の製造方法。
- 前記基板上に第2の酸化物透明導電膜を形成した後、該第2の酸化物透明導電膜上に前記金属薄膜を形成する請求項16乃至請求項20のいずれか1項記載の積層型透明導電膜。
- 前記第2の酸化物透明導電薄膜としてITO膜を形成する請求項21記載の積層型透明導電膜の製造方法。
- 前記第2の酸化物透明導電薄膜は、ITOターゲットをスパッタリングして形成する請求項22記載の積層型透明導電膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004279680A JP3928970B2 (ja) | 2004-09-27 | 2004-09-27 | 積層型透明導電膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004279680A JP3928970B2 (ja) | 2004-09-27 | 2004-09-27 | 積層型透明導電膜の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34841095A Division JPH09171188A (ja) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | 積層型透明導電膜 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005093441A true JP2005093441A (ja) | 2005-04-07 |
JP3928970B2 JP3928970B2 (ja) | 2007-06-13 |
Family
ID=34464109
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004279680A Expired - Lifetime JP3928970B2 (ja) | 2004-09-27 | 2004-09-27 | 積層型透明導電膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3928970B2 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007101622A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Geomatec Co Ltd | 表示用電極膜および表示用電極パターン製造方法 |
WO2008013238A1 (fr) * | 2006-07-28 | 2008-01-31 | Ulvac, Inc. | Procédé de formation de film conducteur transparent |
JP2012054006A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Gunze Ltd | 透明導電性ガスバリヤフィルム及びその製造方法 |
WO2013080995A1 (ja) * | 2011-11-28 | 2013-06-06 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルムの製造方法 |
KR101407877B1 (ko) * | 2011-12-28 | 2014-06-17 | (주)엘지하우시스 | 전기적 특성이 우수한 투명 도전성 필름 및 이를 이용한 터치 패널 |
WO2017170767A1 (ja) * | 2016-04-01 | 2017-10-05 | 日東電工株式会社 | 液晶調光部材、光透過性導電フィルム、および液晶調光素子 |
US9817499B2 (en) | 2011-10-03 | 2017-11-14 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Conductive pattern formation method, conductive pattern-bearing substrate, and touch panel sensor |
JP2018041059A (ja) * | 2016-09-02 | 2018-03-15 | 日東電工株式会社 | 液晶調光部材、光透過性導電フィルム、および液晶調光素子 |
KR20180124872A (ko) * | 2016-04-01 | 2018-11-21 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 액정 조광 부재, 광 투과성 도전 필름, 및 액정 조광 소자 |
TWI724149B (zh) * | 2016-04-01 | 2021-04-11 | 日商日東電工股份有限公司 | 透光性膜 |
-
2004
- 2004-09-27 JP JP2004279680A patent/JP3928970B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007101622A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Geomatec Co Ltd | 表示用電極膜および表示用電極パターン製造方法 |
WO2008013238A1 (fr) * | 2006-07-28 | 2008-01-31 | Ulvac, Inc. | Procédé de formation de film conducteur transparent |
JP2012054006A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Gunze Ltd | 透明導電性ガスバリヤフィルム及びその製造方法 |
US9817499B2 (en) | 2011-10-03 | 2017-11-14 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Conductive pattern formation method, conductive pattern-bearing substrate, and touch panel sensor |
WO2013080995A1 (ja) * | 2011-11-28 | 2013-06-06 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルムの製造方法 |
KR101407877B1 (ko) * | 2011-12-28 | 2014-06-17 | (주)엘지하우시스 | 전기적 특성이 우수한 투명 도전성 필름 및 이를 이용한 터치 패널 |
CN104040643A (zh) * | 2011-12-28 | 2014-09-10 | 乐金华奥斯有限公司 | 电特性优秀的透明导电性膜及利用该透明导电性膜的触控面板 |
KR102328764B1 (ko) * | 2016-04-01 | 2021-11-18 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 액정 조광 부재, 광 투과성 도전 필름, 및 액정 조광 소자 |
KR20180124872A (ko) * | 2016-04-01 | 2018-11-21 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 액정 조광 부재, 광 투과성 도전 필름, 및 액정 조광 소자 |
CN109073940A (zh) * | 2016-04-01 | 2018-12-21 | 日东电工株式会社 | 液晶调光构件、透光性导电薄膜、及液晶调光元件 |
TWI724149B (zh) * | 2016-04-01 | 2021-04-11 | 日商日東電工股份有限公司 | 透光性膜 |
WO2017170767A1 (ja) * | 2016-04-01 | 2017-10-05 | 日東電工株式会社 | 液晶調光部材、光透過性導電フィルム、および液晶調光素子 |
TWI755384B (zh) * | 2016-04-01 | 2022-02-21 | 日商日東電工股份有限公司 | 液晶調光構件、透光性導電膜及液晶調光元件 |
CN109073940B (zh) * | 2016-04-01 | 2022-03-08 | 日东电工株式会社 | 液晶调光构件、透光性导电薄膜、及液晶调光元件 |
JP2018041059A (ja) * | 2016-09-02 | 2018-03-15 | 日東電工株式会社 | 液晶調光部材、光透過性導電フィルム、および液晶調光素子 |
JP7046497B2 (ja) | 2016-09-02 | 2022-04-04 | 日東電工株式会社 | 液晶調光部材、光透過性導電フィルム、および液晶調光素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3928970B2 (ja) | 2007-06-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7858194B2 (en) | Extreme low resistivity light attenuation anti-reflection coating structure in order to increase transmittance of blue light and method for manufacturing the same | |
JP2010034577A (ja) | 電磁波遮蔽積層体およびこれを用いたディスプレイ装置 | |
KR101745290B1 (ko) | 반사 전극용 Ag 합금막 및 반사 전극 | |
JP3928970B2 (ja) | 積層型透明導電膜の製造方法 | |
KR20180076316A (ko) | 적층 배선막 및 그 제조 방법 그리고 Mo 합금 스퍼터링 타깃재 | |
KR20130020569A (ko) | 전자부품용 적층 배선막 및 피복층 형성용 스퍼터링 타겟재 | |
KR20080100358A (ko) | 전자 장치, 이의 제조방법 및 스퍼터링 타겟 | |
US20160224151A1 (en) | Electrode to be used in input device and method for producing same | |
EP2148240B1 (en) | Transparent electrode | |
TW201342684A (zh) | 用於有機發光裝置的反射陽極電極及其製造方法 | |
JPH09171188A (ja) | 積層型透明導電膜 | |
CN104212997B (zh) | Cu‑Mn合金膜和Cu‑Mn合金溅射靶材以及Cu‑Mn合金膜的成膜方法 | |
KR20160064235A (ko) | 표시 장치용 배선 구조 | |
JP4168689B2 (ja) | 薄膜積層体 | |
JP2008211230A (ja) | 銀合金材料、回路基板、電子装置、液晶表示装置及び表示装置 | |
JP6361957B2 (ja) | 電子部品用積層配線膜および被覆層形成用スパッタリングターゲット材 | |
US20090297878A1 (en) | Extreme low resistivity light attenuation anti-reflection coating structure in order to increase transmittance of blue light and method for maufacturing the same | |
JP6292466B2 (ja) | 金属薄膜および金属薄膜形成用Mo合金スパッタリングターゲット材 | |
JP4421394B2 (ja) | 銀合金材料、回路基板、電子装置、及び回路基板の製造方法 | |
KR101350648B1 (ko) | 전자부품용 적층 배선막 및 피복층 형성용 스퍼터링 타겟재 | |
KR102544426B1 (ko) | 적층체 기판, 도전성 기판, 적층체 기판 제조방법 및 도전성 기판 제조방법 | |
JPH10239697A (ja) | 透明導電膜付き基板およびその製造方法 | |
JP4820738B2 (ja) | 電磁波遮蔽積層体およびこれを用いたディスプレイ装置 | |
KR20100096255A (ko) | 액정 표시 장치의 제조방법 | |
TWI618808B (zh) | 透明導電性基板及透明導電性基板之製造方法、以及觸控面板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060606 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20060807 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060807 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060905 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20061106 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061205 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070129 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20070129 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20070201 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070228 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070302 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100316 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130316 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130316 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150316 Year of fee payment: 8 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |