CN108728790A - Amoled用金属掩膜板的制造方法 - Google Patents

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浦东林
周小红
张瑾
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Abstract

一种AMOLED用金属掩膜板的制造方法，包括步骤：选取导电基板；在导电基板的表面涂布一层光刻胶；使光刻胶光刻出与金属掩膜板的蒸镀孔相对应的光刻胶图形，但光刻出的光刻胶图形的尺寸大于金属掩膜板的蒸镀孔的设计尺寸；在带有光刻胶图形的导电基板上进行电铸过生长，使金属材料的生长厚度大于光刻胶图形的厚度，金属材料同时将光刻胶图形的四周边缘覆盖，直至光刻胶图形未被金属材料覆盖的开口区域的尺寸与金属掩膜板的蒸镀孔的设计尺寸一致；去除导电基板上残留的光刻胶。上述金属掩膜板的制造方法只需要一次图形光刻和电铸工艺便可加工成型，工艺简单，成本低廉，而且是通过在带有光刻胶图形的导电基板上电铸过生长出金属掩膜板，因此精度更高。

Description

AMOLED用金属掩膜板的制造方法
技术领域
本发明涉及AMOLED显示技术领域，且特别涉及一种AMOLED用金属掩膜板的制造方法。
背景技术
AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极体)显示器以其低功耗、高亮度、高对比度、广视角、响应速度快、工作温度范围广、易于做成柔性面板等优势而被业界公认为是继液晶显示器之后的第三代显示技术，可以广泛用于智能手机、平板电脑、电视等终端产品。
AMOLED器件的发光层制备通常采用真空蒸镀法，将有机发光材料蒸镀到衬底基板上。常用的方法为掩膜蒸镀法，在衬底基板的前面设置一层金属掩膜板作为遮挡层，在金属掩膜板的开口处将红、绿、蓝有机发光材料分别蒸镀到显示面板像素单元内。高像素密度(PPI,Pixels Per Inch)是AMOLED的发展趋势，目前主流AMOLED器件的PPI在300～400之间，提高PPI的基本方法是提高金属掩膜板的图形精度。因此，制备出高精度金属掩膜板成为生产高像素密度AMOLED器件的关键因素。
大开口尺寸的金属掩膜板一般采用机械加工法，根据开口的图形尺寸进行钻、剪、锉、磨的加工方法；小开口尺寸(开口尺寸在30um-200um)的金属掩膜板通常采用化学腐蚀法，通过紫外曝光、光刻胶显影等工序形成掩膜板图形，再利用化学溶液腐蚀金属层获得所需的金属掩膜板。但是，化学腐蚀过程中无法避免地会产生侧向腐蚀，导致在腐蚀穿金属基板的同时无法保证掩膜板开口图形的精度，或者，在保证掩膜板开口图形精度的同时无法将金属基板腐蚀穿，因此，化学腐蚀方法很难制备高精度(开口尺寸小于30um)的金属掩膜板。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种成本较低，工艺简单且制作精度更高的AMOLED用金属掩膜板的制造方法。
本发明实施例提供一种AMOLED用金属掩膜板的制造方法，包括步骤：
选取导电基板；
在导电基板的表面涂布一层光刻胶；
使光刻胶光刻出与金属掩膜板的蒸镀孔相对应的光刻胶图形，但光刻出的光刻胶图形的尺寸大于金属掩膜板的蒸镀孔的设计尺寸；
在带有光刻胶图形的导电基板上进行电铸过生长，使金属材料的生长厚度大于光刻胶图形的厚度，金属材料同时将光刻胶图形的四周边缘覆盖，直至光刻胶图形未被金属材料覆盖的开口区域的尺寸与金属掩膜板的蒸镀孔的设计尺寸一致；
去除导电基板上残留的光刻胶。
进一步地，金属材料在靠近金属掩膜板的蒸镀孔一侧形成为锥角。
进一步地，锥角为45°。
进一步地，位于金属掩膜板的两个相邻蒸镀孔之间的金属材料，其截面呈伞形。
进一步地，每个蒸镀孔在远离导电基板的上方敞口形成喇叭状。
进一步地，每个蒸镀孔在靠近导电基板的下方镂空形成扩大空腔。
进一步地，导电基板为ITO导电玻璃、金属铬板或不锈钢基板。
进一步地，在导电基板的表面涂布光刻胶之前，还包括对导电基板的表面进行清洗处理。
本发明实施例提供的AMOLED用金属掩膜板的制造方法，只需要一次图形光刻和电铸工艺便可加工成型，工艺简单，成本低廉，而且是通过在带有光刻胶图形的导电基板上电铸过生长出金属掩膜板，因此精度更高。
此外，由于金属掩膜板的蒸镀孔的远离导电基板的上方敞口形成呈喇叭状，避免了蒸镀过程中小开口易闭合导致有机材料蒸镀不均匀等问题，且金属掩膜板的蒸镀孔的靠近导电基板的下方镂空形成扩大空腔，解决了蒸镀过程中由于掩膜板开口和基板紧密贴合导致有机材料粘黏的问题。
附图说明
图1a至图1e为本发明实施例中AMOLED用金属掩膜板的制造方法各个步骤的剖面示意图。
图2a至图2e为本发明实施例中AMOLED用金属掩膜板的制造方法各个步骤的平面示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术方式及功效，以下结合附图及实施例，对本发明的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。
本发明实施例提供的AMOLED用金属掩膜板的制造方法，包括如下步骤：
首先，如图1a和2a所示，选取导电基板1，导电基板1例如为ITO(氧化铟锡)导电玻璃、金属铬板或不锈钢基板，并对导电基板1的表面进行去油污、颗粒等清洗处理。
接着，如图1b和2b所示，在清洗干净的导电基板1的表面涂布一层厚度均匀的光刻胶2。
然后，如图1c和2c所示，使光刻胶2光刻出与金属掩膜板的蒸镀孔3相对应的光刻胶图形2a，但光刻出的光刻胶图形2a的尺寸A大于金属掩膜板的蒸镀孔3的设计尺寸B。具体地，可在光刻胶2上用具有预定图形的掩膜板对光刻胶2进行曝光，再对其显影而获得所需的光刻胶图形2a。
之后，如图1d和2d所示，在带有光刻胶图形2a的导电基板1上进行电铸过生长，金属材料4的生长厚度大于光刻胶图形2a的厚度，这时金属材料4同时将光刻胶图形2a的四周边缘覆盖，通过控制电铸时间，由于金属材料4的生长，光刻胶图形2a未被金属材料4覆盖的开口区域的尺寸逐渐减小，直至与金属掩膜板的蒸镀孔3的设计尺寸B一致，这时电铸结束。
在本实施例中，过生长是指在金属材料4的电铸生长厚度超过光刻胶2厚度后延长电铸时间，使得沿导电基板1垂直方向和水平方向同时生长金属材料4，在电铸生长各向同性的作用下，此时两个方向的生长速度基本一致，使得金属材料4在靠近金属掩膜板的蒸镀孔3的一侧形成为45°的锥角，而位于金属掩膜板的两个相邻蒸镀孔3之间的金属材料4的截面会呈伞形。并且，每个蒸镀孔3在远离导电基板1的上方敞口形成一喇叭状。
最后，如图1e和2e所示，电铸完成后去除导电基板1上残留的光刻胶2，并进行金属材料4的脱模，即将金属材料4从导电基板1上脱离。在去除光刻胶2之后，每个蒸镀孔3在靠近导电基板1的下方镂空形成扩大空腔5。
本发明实施例提供的AMOLED用的金属掩膜板的制造方法，只需要一次图形光刻和电铸工艺便可加工成型，工艺简单，成本低廉，而且是通过在带有光刻胶图形的导电基板上电铸过生长出金属掩膜板，因此精度更高。
此外，由于金属掩膜板的蒸镀孔的远离导电基板的上方敞口形成呈喇叭状，避免了蒸镀过程中小开口易闭合导致有机材料蒸镀不均匀等问题，且金属掩膜板的蒸镀孔的靠近导电基板的下方镂空形成扩大空腔，解决了蒸镀过程中由于掩膜板开口和基板紧密贴合导致有机材料粘黏的问题。
以上仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (8)

1.一种AMOLED用金属掩膜板的制造方法，其特征在于，包括步骤：
选取导电基板(1)；
在所述导电基板(1)的表面涂布一层光刻胶(2)；
使所述光刻胶(2)光刻出与所述金属掩膜板的蒸镀孔(3)相对应的光刻胶图形，但光刻出的所述光刻胶图形的尺寸(A)大于所述金属掩膜板的蒸镀孔(3)的设计尺寸(B)；
在带有所述光刻胶图形的导电基板(1)上进行电铸过生长，使金属材料(4)的生长厚度大于所述光刻胶图形的厚度，所述金属材料(4)同时将所述光刻胶图形的四周边缘覆盖，直至所述光刻胶图形未被所述金属材料(4)覆盖的开口区域的尺寸与所述金属掩膜板的蒸镀孔的设计尺寸一致；
去除所述导电基板(1)上残留的光刻胶(2)。
2.如权利要求1所述的AMOLED用金属掩膜板的制造方法，其特征在于，所述金属材料(4)在靠近所述金属掩膜板的蒸镀孔(3)一侧形成为锥角。
3.如权利要求2所述的AMOLED用金属掩膜板的制造方法，其特征在于，所述锥角为45°。
4.如权利要求2所述的AMOLED用金属掩膜板的制造方法，其特征在于，位于所述金属掩膜板的两个相邻蒸镀孔(3)之间的金属材料(4)，其截面呈伞形。
5.如权利要求2所述的AMOLED用金属掩膜板的制造方法，其特征在于，每个蒸镀孔(3)在远离所述导电基板(1)的上方敞口形成喇叭状。
6.如权利要求5所述的AMOLED用金属掩膜板的制造方法，其特征在于，每个蒸镀孔(3)在靠近所述导电基板(1)的下方镂空形成扩大空腔(5)。
7.如权利要求6所述的AMOLED用金属掩膜板的制造方法，其特征在于，所述导电基板(1)为ITO导电玻璃、金属铬板或不锈钢基板。
8.如权利要求6所述的AMOLED用金属掩膜板的制造方法，其特征在于，在所述导电基板(1)的表面涂布光刻胶之前，还包括对所述导电基板(1)的表面进行清洗处理。
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