CN107507930A - Oled显示面板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种OLED显示面板制备方法，包括：步骤S10，提供一衬底基板，在衬底基板表面制备薄膜晶体管阵列；步骤S20，在衬底基板表面制备阳极金属层，对阳极金属层进行图形化处理以形成阳极金属板阵列；步骤S30，在衬底基板表面制备阵列分布的像素界定层堤部，并使得像素界定层堤部覆盖相邻两阳极金属板之间的缝隙；步骤S40，在阳极金属板表面制备有机发光层，有机发光层的膜层厚度小于像素界定层堤部高度；步骤S50，在有机发光层表面制备第一阴极金属层，第一阴极金属层的上侧与像素界定层堤部顶部平齐；步骤S60，在第一阴极金属层表面和像素界定层堤部表面制备第二阴极金属层；将阴极金属分两步制备，以形成坚固的阴极膜层。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示面板及其制备方法。
背景技术
OLED即有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode)，具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性，因此受到广泛的关注，并作为新一代的显示方式，已开始逐渐取代传统液晶显示器，被广泛应用在手机屏幕、电脑显示器、全彩电视等。OLED显示技术与传统的液晶显示技术不同，无需背光，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光。OLED显示器有诸多优点，其中包括可实现柔性显示，如以可绕曲的塑料基板等为载体，再配合薄膜封装制程，即可实现可绕曲的OLED面板。薄膜晶体管的亚阈值摆幅取决于栅极电容的大小，栅极电容的大小取决于栅极绝缘层的厚度，因此可通过增加栅极绝缘层的厚度，提高驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅，以提升显示面板的灰阶切换性能。
有机发光显示器件包括阳极层、发光层以及阴极层，OLED器件中阴极层目前都是通过Commom Meatal Mask(普通金属掩膜)来制作，另外由于像素界定层高度的影响，故阴极膜层呈现出连续起伏的状态；在压合以及实际应用过程中可能出现断裂、磨损等不良现象。如图1所示：OLED显示面板包括TFT阵列基板101，阳极层102，像素界定层堤部103，有机功能层104和阴极层105，所述阴极膜层起伏坡度较高，且像素界定层堤部两边坡道处的阴极膜层较薄，由于像素界定层堤部上的阴极膜层与像素界定层堤部下部的阴极膜层受到的压力大小不同，因此在压合以及实际应用过程中可能出现阴极膜层断裂、磨损等不良现象。虽然通过工艺适当调整像素界定层的坡度角，使得阴极膜层的起伏度降低，但是改善空间较小，效果也不理想。
综上所述，现有的OLED显示面板的膜层结构，阴极膜层制备在凹凸不平的表面，导致整个阴极膜层的厚度分布不均匀，进而导致在压合或实际应用过程中出现极薄区域的阴极膜层断裂、磨损等不良现象，影响OLED显示面板的品质。
发明内容
本发明提供一种OLED显示面板的制备方法，能够改善阴极膜层厚度分布不均匀的现象，以解决现有的OLED显示面板，阴极膜层制备在凹凸不平的表面，导致整个阴极膜层的厚度分布不均匀，进而导致在压合或实际应用过程中出现极薄区域的阴极膜层断裂、磨损等不良现象，影响OLED显示面板的品质进而影响显示的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明提供一种OLED显示面板制备方法，所述方法包括以下步骤：
步骤S10，提供一衬底基板，在所述衬底基板表面制备薄膜晶体管阵列；
步骤S20，在所述衬底基板表面制备阳极金属层，对所述阳极金属层进行图形化处理以形成阳极金属板阵列；
步骤S30，在所述衬底基板表面制备阵列分布的像素界定层堤部，并使得所述像素界定层堤部覆盖相邻两阳极金属板之间的缝隙；
步骤S40，在所述阳极金属板表面制备有机发光层，所述有机发光层的膜层厚度小于所述像素界定层堤部高度；以及，
步骤S50，在所述有机发光层表面制备第一阴极金属层，所述第一阴极金属层的上侧与所述像素界定层堤部顶部平齐；
步骤S60，在所述第一阴极金属层表面和所述像素界定层堤部表面制备第二阴极金属层。
根据本发明一优选实施例，在所述步骤S50中，所述第一阴极金属层采用精密金属掩膜版蒸镀制备。
根据本发明一优选实施例，在所述步骤S40、步骤S50中，所述有机发光层的膜层厚度为所述像素界定层堤部的高度的1/2，所述第一阴极金属层的膜层厚度同样为所述像素界定层堤部的高度的1/2。
根据本发明一优选实施例，在所述步骤S40、步骤S50中，所述有机发光层的膜层厚度与所述第一阴极金属层的膜层厚度之和与所述像素界定层堤部的高度相比，允许有5％的高度误差。
根据本发明一优选实施例，在所述步骤S60中，所述第二阴极金属层为采用一次蒸镀工艺制备的完整膜层。
根据本发明一优选实施例，在所述步骤S60中，所述第二阴极金属层采用金属氧化物ITO、IZO、ZnO的一种。
依据本发明的上述目的，提出一种OLED显示面板，所述OLED显示面板包括：
衬底基板，所述衬底基板表面制备有薄膜晶体管阵列；
阳极金属层，制备于所述衬底基板表面，所述阳极金属层经图形化处理形成阳极金属板阵列；
像素界定层堤部，制备于所述衬底基板表面，所述像素界定层堤部覆盖相邻两阳极金属板之间的缝隙；
有机发光层，制备于所述阳极金属板表面，所述有机发光层的膜层厚度小于所述像素界定层堤部高度；以及，
第一阴极金属层，制备于所述有机发光层表面，所述第一阴极金属层的上侧与所述像素界定层堤部顶部平齐；
第二阴极金属层，制备于所述第一阴极金属层表面和所述像素界定层堤部表面。
根据本发明一优选实施例，所述有机发光层的膜层厚度为所述像素界定层堤部的高度的1/2，所述第一阴极金属层的膜层厚度同样为所述像素界定层堤部的高度的1/2。
根据本发明一优选实施例，所述有机发光层的膜层厚度与所述第一阴极金属层的膜层厚度之和，允许高于或低于所述像素界定层堤部的高度的5％。
根据本发明一优选实施例，所述第二阴极金属层采用金属氧化物ITO、IZO、ZnO的一种。
本发明的有益效果为：相较于现有的OLED显示面板制备方法，本发明的OLED显示面板制备方法，将阴极金属分两步制备，第一步制备用以将凹凸表面填平，第二步再在平面上制备阴极膜层，以形成坚固的阴极膜层，解决了现有的OLED显示面板的膜层结构，阴极膜层制备在凹凸不平的表面，导致整个阴极膜层的厚度分布不均匀，进而导致在压合或实际应用过程中出现极薄区域的阴极膜层断裂、磨损等不良现象，影响OLED显示面板的品质的技术问题。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一种现有的OLED显示面板结构示意图；
图2为本发明OLED显示面板制备方法流程图；
图3为本发明OLED显示面板结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本发明针对现有的OLED显示面板的膜层结构，阴极膜层制备在凹凸不平的表面，导致整个阴极膜层的厚度分布不均匀，进而导致在压合或实际应用过程中出现极薄区域的阴极膜层断裂、磨损等不良现象，影响OLED显示面板的品质的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。
如图2所示，本发明提供的OLED显示面板制备方法，包括以下步骤：
步骤S10，提供一衬底基板，在所述衬底基板表面制备薄膜晶体管阵列。
步骤S20，在所述衬底基板表面制备阳极金属层，对所述阳极金属层进行图形化处理以形成阳极金属板阵列；每一阳极金属板对应于一薄膜晶体管。
步骤S30，在所述衬底基板表面制备阵列分布的像素界定层堤部，并使得所述像素界定层堤部覆盖相邻两阳极金属板之间的缝隙。所述像素界定层堤部用作相邻显示像素之间的间隔。
步骤S40，在所述阳极金属板表面制备有机发光层，所述有机发光层的膜层厚度小于所述像素界定层堤部高度。其中，所述有机发光层通过精密金属掩膜版蒸镀形成，所述有机发光层位于两所述像素界定层堤部之间的区域。
步骤S50，在所述有机发光层表面制备第一阴极金属层，所述第一阴极金属层的上侧与所述像素界定层堤部顶部平齐。所述有机发光层与所述第一阴极金属层通过同一精密金属掩膜版先后制备。
步骤S60，在所述第一阴极金属层表面和所述像素界定层堤部表面制备第二阴极金属层。
在所述步骤S40、步骤S50中，所述有机发光层的膜层厚度为所述像素界定层堤部的高度的1/2，所述第一阴极金属层的膜层厚度同样为所述像素界定层堤部的高度的1/2，使得所述第一阴极金属层的上侧与所述像素界定层堤部顶部平齐，以将相邻两所述像素界定层堤部之间的区域填平，便于制备所述第二阴极金属层，所述第二阴极金属层与所述第一金属层紧密结合，与所述阳极金属层共同作用致所述有机发光层发光。又如，所述有机发光层的膜层厚度为所述像素界定层堤部的高度的2/3，则所述第一阴极金属层为所述像素界定层堤部的高度的1/3。
在所述步骤S40、步骤S50中，所述有机发光层的膜层厚度与所述第一阴极金属层的膜层厚度之和与所述像素界定层堤部的高度相比，允许有5％的高度误差。
所述第一阴极金属层的材质为低功函数的金属或者合金，例如Mg，Ag，Al或者Al/LiF、AlLi合金等等；所述第二阴极金属层采用金属氧化物ITO、IZO、ZnO的一种。
如图3所示，依据本发明的上述目的，提出一种OLED显示面板，所述OLED显示面板包括：衬底基板201，所述衬底基板201表面制备有薄膜晶体管阵列；阳极金属层202，制备于所述衬底基板201表面，所述阳极金属层202经图形化处理形成阳极金属板阵列；像素界定层堤部203，制备于所述衬底基板201表面，所述像素界定层堤部203覆盖相邻两阳极金属板之间的缝隙；有机发光层204，制备于所述阳极金属板表面，所述有机发光层204的膜层厚度小于所述像素界定层堤部203高度；以及，第一阴极金属层205，制备于所述有机发光层204表面，所述第一阴极金属层205的上侧与所述像素界定层堤部203顶部平齐；第二阴极金属层206，制备于所述第一阴极金属层205表面和所述像素界定层堤部203表面。
所述有机发光层204的膜层厚度为所述像素界定层堤部203的高度的1/2，所述第一阴极金属层205的膜层厚度同样为所述像素界定层堤部203的高度的1/2。
所述有机发光层204的膜层厚度与所述第一阴极金属层205的膜层厚度之和，允许高于或低于所述像素界定层堤部203的高度的5％。
所述第二阴极金属层206采用金属氧化物ITO、IZO、ZnO的一种。
本优选实施例的OLED显示面板根据上述优选实施例的OLED显示面板制备方法制得，具体可参考上述优选实施例的OLED显示面板制备方法相关描述，此处不再做赘述。
本发明的有益效果为：相较于现有的OLED显示面板制备方法，本发明的OLED显示面板制备方法，将阴极金属分两步制备，第一步制备用以将凹凸表面填平，第二步再在平面上制备阴极膜层，以形成坚固的阴极膜层，解决了现有的OLED显示面板的膜层结构，阴极膜层制备在凹凸不平的表面，导致整个阴极膜层的厚度分布不均匀，进而导致在压合或实际应用过程中出现极薄区域的阴极膜层断裂、磨损等不良现象，影响OLED显示面板的品质的技术问题。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种OLED显示面板制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
步骤S10，提供一衬底基板，在所述衬底基板表面制备薄膜晶体管阵列；
步骤S20，在所述衬底基板表面制备阳极金属层，对所述阳极金属层进行图形化处理以形成阳极金属板阵列；
步骤S30，在所述衬底基板表面制备阵列分布的像素界定层堤部，并使得所述像素界定层堤部覆盖相邻两阳极金属板之间的缝隙；
步骤S40，在所述阳极金属板表面制备有机发光层，所述有机发光层的膜层厚度小于所述像素界定层堤部高度；以及，
步骤S50，在所述有机发光层表面制备第一阴极金属层，所述第一阴极金属层的上侧与所述像素界定层堤部顶部平齐；
步骤S60，在所述第一阴极金属层表面和所述像素界定层堤部表面制备第二阴极金属层。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S50中，所述第一阴极金属层采用精密金属掩膜版蒸镀制备。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S40、步骤S50中，所述有机发光层的膜层厚度为所述像素界定层堤部的高度的1/2，所述第一阴极金属层的膜层厚度同样为所述像素界定层堤部的高度的1/2。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S40、步骤S50中，所述有机发光层的膜层厚度与所述第一阴极金属层的膜层厚度之和与所述像素界定层堤部的高度相比，允许有5％的高度误差。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S60中，所述第二阴极金属层为采用一次蒸镀工艺制备的完整膜层。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S60中，所述第二阴极金属层采用金属氧化物ITO、IZO、ZnO的一种。
7.一种使用权利要求1-6所述的制备方法制成的OLED显示面板，其特征在于，包括：
衬底基板，所述衬底基板表面制备有薄膜晶体管阵列；
阳极金属层，制备于所述衬底基板表面，所述阳极金属层经图形化处理形成阳极金属板阵列；
像素界定层堤部，制备于所述衬底基板表面，所述像素界定层堤部覆盖相邻两阳极金属板之间的缝隙；
有机发光层，制备于所述阳极金属板表面，所述有机发光层的膜层厚度小于所述像素界定层堤部高度；以及，
第一阴极金属层，制备于所述有机发光层表面，所述第一阴极金属层的上侧与所述像素界定层堤部顶部平齐；
第二阴极金属层，制备于所述第一阴极金属层表面和所述像素界定层堤部表面。
8.根据权利要求7所述的OLED显示面板，其特征在于，所述有机发光层的膜层厚度为所述像素界定层堤部的高度的1/2，所述第一阴极金属层的膜层厚度同样为所述像素界定层堤部的高度的1/2。
9.根据权利要求8所述的OLED显示面板，其特征在于，所述有机发光层的膜层厚度与所述第一阴极金属层的膜层厚度之和，允许高于或低于所述像素界定层堤部的高度的5％。
10.根据权利要求7所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第二阴极金属层采用金属氧化物ITO、IZO、ZnO的一种。
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |