CN104465708A - 一种阵列基板及其制作方法和显示装置 - Google Patents
一种阵列基板及其制作方法和显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104465708A CN104465708A CN201410818516.7A CN201410818516A CN104465708A CN 104465708 A CN104465708 A CN 104465708A CN 201410818516 A CN201410818516 A CN 201410818516A CN 104465708 A CN104465708 A CN 104465708A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode layer
- arcuate structure
- area
- layer
- underlay substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 105
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 99
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 379
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 80
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 66
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 64
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 15
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/813—Anodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法和显示装置，涉及显示技术领域，解决了显示器中有机材料功能层的各个膜层中，每个膜层各自的膜层厚度在靠近像素界定层处不均一的问题，避免显示器的亮度不均匀，提高了画面的显示质量。包括：衬底基板；形成在衬底基板上的第一电极层，形成在第一电极层上的像素界定层，像素界定层具有使第一电极层暴露的开口，形成在第一电极层上与开口对应的有机材料功能层，第一电极层与开口对应的区域包括：第一区域和第二区域，第一区域为与像素界定层连接的区域，第二区域为除第一区域以外的区域，第一电极层的第一区域为第一弧形结构，第一弧形结构朝向衬底基板突出。本发明的显示装置包括该阵列基板。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法和显示装置。
背景技术
有机电致发光器件(organic electroluminescent device，简称OLED)相对于液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点，是下一代显示技术。OLED的成膜方式主要有蒸镀制程和溶液制程，蒸镀制程在小尺寸应用较为成熟，目前该技术已经应用于量产中。而溶液制程的成膜方式主要有喷墨打印、喷嘴涂覆、旋涂、丝网印刷等，由于喷墨打印技术的材料利用率较高，可以实现大尺寸化，是目前大尺寸OLED实现量产的重要方式。现有的制作OLED的工艺中需要预先在基板的电极上制作像素界定层(pixel defining layer，简称PDL)，以便于墨滴可以精确的流入相应的RGB亚像素区中。
现有技术中的OLED的PDL的截面形状以正梯形为主，同时为了保证墨滴在氧化铟锡(Indium tin oxide，简称ITO)像素内铺展不溢出到像素外的PDL区域，PDL多采用表面能较小的疏液型材料。但是由于墨滴与PDL接触处两者之间的表面能差异和PDL的坡角，靠近PDL边缘的墨滴中的溶剂挥发的较快，这样墨滴最终干燥后会形成边缘厚，中间薄的不均匀薄膜，即出现咖啡环效应。由于咖啡环效应的存在，最终形成的显示器件中的有机材料功能层的各个膜层中，每个膜层各自的膜层厚度在靠近PDL处会出现不均一的问题。具体如图1中所示，有机材料功能层5中的区域51处会出现膜层厚度不均一的问题，从而使得显示器件的亮度不均匀，影像显示器的画面的显示质量。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法和显示装置，解决了现有的显示器结构中的有机材料功能层的各个膜层中，每个膜层各自的膜层厚度在靠近像素界定层处会出现不均一的问题，避免出现显示器的亮度不均匀，提高了显示器的画面的显示质量。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
第一方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：衬底基板；形成在所述衬底基板上的第一电极层，形成在所述第一电极层上的像素界定层，所述像素界定层具有使所述第一电极层暴露的开口，形成在所述第一电极层上与所述开口区域对应的有机材料功能层，所述第一电极层与所述开口对应的区域包括：第一区域和第二区域，所述第一区域为与所述像素界定层连接的区域，所述第二区域为所述第一电极层与所述开口对应区域中除所述第一区域以外的区域，其中：
所述第一电极层的所述第一区域为第一弧形结构，所述第一弧形结构朝向所述衬底基板突出。
可选的，所述第一电极层的所述第二区域为第二弧形结构，所述第二弧形结构朝向所述衬底基板突出；
所述第二弧形结构与所述第一弧形结构平滑连接。
可选的，所述第一电极层的所述第二区域为平坦结构；
所述平坦结构与所述第一弧形结构平滑连接。
可选的，所述第一电极层与所述像素界定层对应的区域为平坦结构。
可选的，所述有机材料功能层上与所述第一电极层的第一区域对应的区域为第三弧形结构，所述第三弧形结构朝向所述衬底基板突出。
可选的，所述有机材料功能层上与所述第一电极层的第二区域对应的区域为第四弧形结构，所述第四弧形结构朝向所述衬底基板突出；
所述第四弧形结构与所述第三弧形结构平滑连接。
可选的，所述有机材料功能层上与所述第一电极层的第二区域对应的区域为平坦结构；
所述平坦结构与所述第三弧形结构平滑连接。
可选的，所述阵列基板还包括设置在所述第一电极层下，且紧邻所述第一电极层的缓冲层，其中：
所述缓冲层与所述第一电极层的第一区域对应的区域为第五弧形结构，所述第五弧形结构朝向所述衬底基板突出。
可选的，所述缓冲层与所述第一电极层的第二区域对应的区域为第六弧形结构，所述第六弧形结构朝向所述衬底基板突出；
所述第六弧形结构与所述第五弧形结构平滑连接。
可选的，所述缓冲层与所述第一电极层的第二区域对应的区域为平坦结构；
所述平坦结构与所述第五弧形结构平滑连接。
可选的，所述缓冲层上与所述像素界定层对应的区域为平坦结构。
可选的，所述像素界定层的上表面与所述第一电极层的最底部的上表面之间的距离小于或者等于1.5um。
可选的，所述第一电极层的厚度为30-200nm。
可选的，所述像素界定层的材料为疏液性的材料。
第二方面，提供一种阵列基板的制作方法，所述方法包括：
在衬底基板上形成具有第一弧形结构的第一电极层；
在所述第一电极层上形成像素界定层，所述像素界定层具有使所述第一电极层暴露的开口；所述第一电极层与所述开口对应的区域包括第一区域和第二区域，所述第一区域为与所述像素界定层连接的区域，所述第二区域为所述第一电极层与所述开口对应区域中除所述第一区域以外的区域；
在所述第一电极层上与所述开口区域对应的位置形成有机材料功能层；
其中，所述第一电极层的所述第一区域为第一弧形结构，所述第一弧形结构朝向所述衬底基板突出。
可选的，所述在衬底基板上形成具有第一弧形结构的第一电极层，包括：
在所述衬底基板上形成缓冲层；
通过构图工艺，使所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧形成第五弧形结构，其中，所述第五弧形结构对应所述第一电极层的第一区域且朝向所述衬底基板突出；
在所述缓冲层上形成所述第一区域为所述第一弧形结构的第一电极层。
可选的，所述在衬底基板上形成具有第一弧形结构的第一电极层，包括：
在所述衬底基板上形成缓冲层；
通过构图工艺，使所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧对应所述第一电极层的第一区域处形成第五弧形结构，且所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧对应所述第一电极层的第二区域处形成第六弧形结构；其中，所述第五弧形结构和所述第六弧形结构均朝向所述衬底基板突出，所述第五弧形结构和所述第六弧形结构平滑连接；
在所述缓冲层上形成第一区域为所述第一弧形结构，第二区域为第二弧形结构的第一电极层；所述第二弧形结构朝向所述衬底基板突出，所述第二弧形结构和所述第一弧形结构平滑连接。
可选的，所述在衬底基板上形成具有第一弧形结构的第一电极层，包括：
在所述衬底基板上形成缓冲层；
通过构图工艺，使所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧对应所述第一电极层的第一区域处形成第五弧形结构，且所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧对应所述第一电极层的第二区域处形成平坦结构；其中，所述第五弧形结构朝向所述衬底基板突出；
在所述缓冲层上形成所述第一区域为所述第一弧形结构，所述第二区域为平坦结构的第一电极层；
所述第一弧形结构与所述平坦结构平滑连接。
可选的，所述在所述第一电极层上与所述开口区域对应的位置形成有机材料功能层，包括：
在所述第一电极层上与所述开口区域对应的位置，形成与所述第一电极层的第一区域对应的区域为第三弧形结构的所述有机材料功能层，所述第三弧形结构朝向所述衬底基板突出。
可选的，所述在所述第一电极层上与所述开口区域对应的位置，形成与所述第一电极层的第一区域对应的区域为第三弧形结构的所述有机材料功能层，包括：
在所述第一电极层上与所述开口区域对应的位置，形成与所述第一电极层的第一区域对应的区域为所述第三弧形结构、且与所述第一电极层的第二区域对应的区域为第四弧形结构的所述有机材料功能层；
所述第四弧形结构朝向所述衬底基板突出，且所述第四弧形结构与所述第三弧形结构平滑连接。
可选的，所述在所述第一电极层上与所述开口区域对应的位置，形成与所述第一电极层的第一区域对应的区域为第三弧形结构的所述有机材料功能层，包括：
在所述第一电极层上与所述开口区域对应的位置，形成与所述第一电极层的第一区域对应的区域为所述第三弧形结构，且与所述第一电极层的第二区域对应的区域为平坦结构的所述有机材料功能层；
所述第三弧形结构与所述平坦结构平滑连接。
可选的，所述第一电极层与所述像素界定层对应的区域为平坦结构。
可选的，所述缓冲层与所述像素界定层对应的区域为平坦结构。
第三方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括第一方面所述的任一阵列基板。
本发明的实施例提供的阵列基板及其制作方法和显示装置，通过将形成在阵列基板的衬底基板上的第一电极层制作成具有第一弧形结构，并在该第一电极层上形成具有使第一电极层暴露的开口的像素界定层，且第一电极层与开口对应的区域中与像素界定层连接的区域为第一弧形结构，这样在第一电极层上与该开口区域对应位置形成有机材料功能层时，有机材料功能层中的各个膜层与像素界定层的连接处更加平缓，减小了有机材料功能层中不能均匀发光的面积，从而增大了有机材料功能层中可以均匀发光的面积，解决了现有的显示器结构中的有机材料功能层的各个膜层中每个膜层各自的膜层厚度在靠近像素界定层处会出现不均一的问题，避免出现显示器的亮度不均匀，提高了显示器的画面的显示质量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术方案中提供的一种阵列基板的结构示意图；
图2为本发明的实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图3为本发明的实施例提供的一种阵列基板的部分结构示意图；
图4为本发明的实施例提供的另一种阵列基板的部分结构示意图；
图5为本发明的实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图6为本发明的实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图7为本发明的实施例提供的又一种阵列基板的部分结构示意图；
图8为本发明的实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程示意图；
图9为发明的实施例提供的另一种阵列基板的制作方法的流程示意图；
图10为发明的实施例提供的又一种阵列基板的制作方法的流程示意图；
图11为发明的另一实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程示意图。
附图标记：1-衬底基板；2-薄膜晶体管；3-第一电极层；4-像素界定层；5-有机材料功能层；6-缓冲层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的实施例提供一种阵列基板，参照图3所示，该阵列基板包括：衬底基板1(图中未示出)、形成在衬底基板1上的第一电极层3，形成在第一电极层3上的像素界定层4，像素界定层4具有使第一电极层3暴露的开口，形成在第一电极层4上与开口区域对应的有机材料功能层5；第一电极层3与开口对应的区域包括：第一区域和第二区域，第一区域为与像素界定层连接的区域，第二区域为第一电极层与开口对应区域中除第一区域以外的区域，第一电极层3与开口对应的区域的第一区域为第一弧形结构，第一弧形结构朝向衬底基板1突出。
其中，本发明实施例中示例性的适用于有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)中，第一电极层3可以是阳极或者阴极。具体的，以主动式有机电致发光二极管(Activematrix Organic Light-Emitting Diode，简称AMOLED)为例进行说明，如图2中所示，衬底基板1上还设置有薄膜晶体管2。当然，本发明实施例还适用于被动式有机电致发光二极管(Passive matrix OrganicLight-Emitting Diode，简称PMOLED)，此时阵列基板上可以不设置薄膜晶体管。
具体的，其中，薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、半导体有源层、源极和漏极；其可以是顶栅型，也可以是底栅型，在此不作限定。其中，顶栅、底栅是相对栅极和栅绝缘层的位置而定的，即：相对基底，当栅极靠近基底，栅绝缘层远离基底时，为底栅型薄膜晶体管；当栅极远离基底，栅绝缘层靠近基底时，为顶栅型薄膜晶体管。第一电极层的材料可以是氧化铟锡(Indium Tin Oxides，简称ITO)。
需要说明的是，本发明所有实施例的附图均示意性的绘示出与发明点有关的图案层，对于与发明点无关的图案层不进行绘示或仅绘示出部分，且只是示例性的说明一种阵列基板的结构，其它任何可以适用本发明中的阵列基板的结构均是可行的。
本发明的实施例提供的阵列基板，通过将形成在阵列基板的衬底基板上的第一电极层制作成具有第一弧形结构，并在该第一电极层上形成具有使第一电极层暴露的开口的像素界定层，且第一电极层与开口对应的区域中与像素界定层连接的区域为第一弧形结构，这样在第一电极层上与该开口区域对应位置形成有机材料功能层时，有机材料功能层中的各个膜层与像素界定层的连接处更加平缓，减小了有机材料功能层中不能均匀发光的面积，从而增大了有机材料功能层中可以均匀发光的面积，解决了现有的显示器结构中的有机材料功能层的各个膜层中每个膜层各自的膜层厚度在靠近像素界定层处会出现不均一的问题，避免出现显示器的亮度不均匀，提高了显示器的画面的显示质量。
进一步，如图2或3中所示，第一电极层3的第二区域为第二弧形结构，第二弧形结构朝向衬底基板突出，第二弧形结构与第一弧形结构平滑连接。
进一步可选的，如图4或5中所示，第一电极层3的第二区域为平坦结构。
第一电极层3上的平坦结构与第一弧形结构平滑连接。
其中，如图3中所示，有机材料功能层5上与第一电极层3的第一区域对应的区域为第三弧形结构，第三弧形结构朝向衬底基板1突出。
具体的，本实施例中优选的第一电极层3为阳极，有机材料功能层5至少包括电子传输层、发光层和空穴传输层；为了能够提高电子和空穴注入发光层的效率，有机材料功能层还可以包括设置在阴极与电子传输层之间的电子注入层，以及在阳极与空穴传输层之间的空穴注入层。此处并不特别限定有机材料功能层的弧形结构的弯曲程度，具体的应用中可以根据第一电极层的弧形结构和有机材料功能层的厚度等实际的因素确定有机材料功能层的弧形结构的弯曲程度。
进一步，如图3中所示，有机材料功能层5上与第一电极层3的第二区域对应的区域为第四弧形结构，第四弧形结构朝向衬底基板突出。
其中，第四弧形结构与第三弧形结构平滑连接。
进一步，可选的如图5中所示，有机材料功能层5上与第一电极层3的第二区域对应的区域为平坦结构。
有机材料功能层5上的平坦结构与第三弧形结构平滑连接。
在实际的显示器件的制作中，由于有机材料功能层的各膜层的材料的特殊性，一般采用蒸镀制程和溶液制程来形成。为了保证形成的膜层材料分子可以准确的流入相应的位置，需要在形成第一电极层之后，预先在第一电极层上制作像素界定层。本发明实施例在制作第一电极层时，将第一电极层制作为具有第一弧形结构的结构，这样在第一电极层上形成像素界定层时不需要特别的选用性能优良的PDL材料，形成有机材料功能层时也不需要精细调节溶液的溶剂组成，同时也不用特别的控制溶液干燥的温度、压强等成膜条件，极大的降低了研发的难度，减小了生产成本。
具体的，如图6和图7中所示，第一电极层3上与像素界定层4对应的区域可以为平坦结构。
其中，本实施例中并不特别限定第一弧形结构、第二弧形结构、第三弧形结构、第四弧形结构的弯曲程度，具体的设计中可以根据实际的需求、第一电极层的厚度、像素界定层的厚度、有机材料功能层的厚度和第一电极层与像素界定层之间的高度关系等因素来决定。
在具体的制作中，优选的第一电极层3与像素界定层4的连接处为平滑连接。
进一步的，如图2中所示，该阵列基板还包括：设置在第一电极层3下，且紧邻第一电极层3的缓冲层6，其中：
如图2和6中所示，缓冲层6与第一电极层3的第一区域对应的区域为第五弧形结构，第五弧形结构朝向衬底基板突出。
可选的，缓冲层与第一电极层的第二区域对应的区域为第六弧形结构，第六弧形结构朝向衬底基板突出；第六弧形结构与第五弧形结构平滑连接。
进一步可选的，如图5中所示，缓冲层6与第一电极层的第二区域对应的区域为平坦结构。
其中，缓冲层6上的第五弧形结构与平坦结构平滑连接。
需要说明的是，本实施例中优选的将缓冲层与第一电极层中的第二区域对应的区域设置为平坦结构，将第一电极层的第二区域设置为平坦结构，同时将有机材料功能层的与第一电极层中的第二区域对应的区域设置为平坦结构，这样在具体的制作中更有利于有机材料功能层的形成，且形成的有机材料功能层的膜层的均一性更高，可以进一步增大有机材料功能层中可以均匀发光的面积。同时，可以保证制作工艺更容易实现。
具体的，如图6中所示，示例性的将第一电极层的与像素界定层对应的位置处设置为平坦结构，缓冲层与像素界定层对应的位置处同样设置为平坦结构，将与有机材料功能层对应的位置处设置为弧形结构，形成的有机材料功能层在靠近像素界定层处，每个膜层各自的膜层厚度比图3中所示的结构的膜层厚度的均一性更高，可以更进一步的增大有机材料功能层中可以均匀发光的面积。优选的使第一电极层与像素界定层在相接处平滑连接，可以确保与像素界定层邻近处的有机材料功能层的成膜的均一性，使得有机材料功能层发光更均匀，从而提高显示器件的发光寿命。
第一电极层3的厚度为30-200nm。
具体的，像素界定层4的上表面与第一电极层3最底部的上表面之间的距离小于或者等于1.5um。
具体的，采用第一电极层的厚度为30-200nm，像素界定层4的上表面与第一电极层3的弧形结构的最底部的上表面之间的距离小于或者等于1.5um，可以在制作中限定最终形成的第一电极层的第一弧形结构的弯曲程度和有机材料功能层的弯曲程度，如此设计可以避免第一电极层和有机材料功能层的弯曲程度过大使得最终形成的显示器件的厚度过大的问题，同时，如果有机材料功能层的弯曲程度过大在形成过程中会增加工艺难度，增加生产成本。
优选的，第一电极层中对应开口区域的第一弧形结构弯曲程度较大，第二弧形结构弯曲程度较小。其中弯曲程度较大的部分的水平长度分别约占第一电极层的总长度的10％左右。需要说明的是，本实施例中并不特别限定像素界定层的厚度，在实际的设计中只要保证像素界定层的上表面与第一电极层的弧形结构的最底部的上表面之间的距离小于或者等于1.5um即可，在此基础上可以根据实际的第一电极层的厚度、第一电极层的弯曲程度和实际的需求设置像素界定层的厚度。
像素界定层2的材料为疏液性的材料。
优选的，像素界定层的材料选用疏液性较好，表面能相对较低的材料，例如：氮化硅，氮氧化硅，氧化硅，亚克力，聚酰亚胺等。
其中，本发明实施例中可以采用先在阵列基板中的缓冲层上通过曝光、显影、刻蚀工艺形成具有一定弯曲程度的弧形结构，然后在具有弧形结构的缓冲层上溅射一层ITO膜层，之后经过一定的工艺处理形成第一电极层。当然，本实施例中只是举例说明可以采用上述方法形成第一电极层，并没有限定只能采用此种方法来形成。在具体的应用中，可以根据实际的需求和条件选择适合的方法。
本发明的实施例提供的阵列基板，通过将形成在阵列基板的衬底基板上的第一电极层制作成具有第一弧形结构，并在该第一电极层上形成具有使第一电极层暴露的开口的像素界定层，且第一电极层与开口对应的区域中与像素界定层连接的区域为第一弧形结构，这样在第一电极层上与该开口区域对应位置形成有机材料功能层时，有机材料功能层中的各个膜层与像素界定层的连接处更加平缓，减小了有机材料功能层中不能均匀发光的面积，从而增大了有机材料功能层中可以均匀发光的面积，解决了现有的显示器结构中的有机材料功能层的各个膜层中每个膜层各自的膜层厚度在靠近像素界定层处会出现不均一的问题，避免出现显示器的亮度不均匀，提高了显示器的画面的显示质量。
本发明的实施例提供一种阵列基板的制作方法，参照图8所示，该方法包括以下步骤：
101、在衬底基板上形成具有第一弧形结构的第一电极层。
具体的，可以采用溅射的工艺形成一层厚度在30-200nm之间的，材料为ITO的膜层，之后经过光刻胶涂覆、多色调曝光、显影、刻蚀等构图工艺处理形成第一电极层；
多色调曝光利用具有梯度透光率的多色调掩膜版对光刻胶进行曝光，配合显影和刻蚀技术，使第一电极层形成第一弧形结构。
其中，第一弧形结构朝向衬底基板突出。
102、在第一电极层上形成具有使得第一电极层暴露的开口的像素界定层。
其中，第一电极层与开口对应的区域包括第一区域和第二区域，第一区域为与像素界定层连接的区域，第二区域为第一电极层与开口对应区域中除第一区域以外的区域。
103、在第一电极层上与开口区域对应的位置形成有机材料功能层。
其中，第一电极层可以是阳极或者阴极，第一电极层的第一区域为第一弧形结构。
具体的使用溶液制成的方法，在开口区域形成有机材料功能层。
本发明的实施例提供的阵列基板的制作方法，通过将形成在阵列基板的衬底基板上的第一电极层制作成具有第一弧形结构，并在该第一电极层上形成具有使第一电极层暴露的开口的像素界定层，且第一电极层与开口对应的区域中与像素界定层连接的区域为第一弧形结构，这样在第一电极层上与该开口区域对应位置形成有机材料功能层时，有机材料功能层中的各个膜层与像素界定层的连接处更加平缓，减小了有机材料功能层中不能均匀发光的面积，从而增大了有机材料功能层中可以均匀发光的面积，解决了现有的显示器结构中的有机材料功能层的各个膜层中每个膜层各自的膜层厚度在靠近像素界定层处会出现不均一的问题，避免出现显示器的亮度不均匀，提高了显示器的画面的显示质量。
本发明的实施例提供一种阵列基板的制作方法，参照图9所示，该方法包括以下步骤：
201、在衬底基板上形成薄膜晶体管。
202、在薄膜晶体管上形成具有第一弧形结构的第一电极层。
需要说明的是，步骤202在薄膜晶体管上形成具有第一弧形结构的第一电极层可以通过以下方式来实现：
a、在薄膜晶体管上形成缓冲层。
b、通过构图工艺，使缓冲层远离衬底基板的一侧形成第五弧形结构。其中，第五弧形结构对应第一电极层的第一区域且朝向衬底基板突出。
c、在缓冲层上形成第一区域为第一弧形结构的第一电极层。
具体的，可以在缓冲层上涂覆一层正性或者负性光刻胶，然后采用多色调掩膜板对光刻胶进行曝光，再对曝光后的光刻胶进行显影，得到需要的第五弧形结构；然后，刻蚀掉未被光刻胶覆盖区域的缓冲层材料的薄膜，之后将光刻胶剥离得到具有第五弧形结构的缓冲层；
也可以通过干法刻蚀获得第五弧形结构。控制离子束与缓冲层法线形成一定角度，刻蚀出弧形结构。离子束与缓冲层法线的角度可以根据对弧形结构的具体要求做出选作，一般为30°；
形成缓冲层的弧形结构并不限于上述方法。
其中，第一弧形结构朝向衬底基板突出。
203、在第一电极层上形成具有使得第一电极层暴露的开口的像素界定层。
具体的，可以采用疏液性的材料，通过成膜、曝光、显影、干燥等工艺在第一电极层上的一定位置处形成像素界定层。
204、在第一电极层上与开口区域对应的位置，形成与第一电极层的第一区域对应的区域为第三弧形结构的有机材料功能层。
其中，第一弧形结构和第三弧形结构均朝向衬底基板突出，第一电极层的第一区域为第一弧形结构。
需要说明的是，本实施例中与上述实施例中相同步骤的说明可以参照上述实施例中的描述，此处不再赘述。
本发明的实施例提供的阵列基板的制作方法，通过将形成在阵列基板的衬底基板上的第一电极层制作成具有第一弧形结构，并在该第一电极层上形成具有使第一电极层暴露的开口的像素界定层，且第一电极层与开口对应的区域中与像素界定层连接的区域为第一弧形结构，这样在第一电极层上与该开口区域对应位置形成有机材料功能层时，有机材料功能层中的各个膜层与像素界定层的连接处更加平缓，减小了有机材料功能层中不能均匀发光的面积，从而增大了有机材料功能层中可以均匀发光的面积，解决了现有的显示器结构中的有机材料功能层的各个膜层中每个膜层各自的膜层厚度在靠近像素界定层处会出现不均一的问题，避免出现显示器的亮度不均匀，提高了显示器的画面的显示质量。
本发明的实施例提供一种阵列基板的制作方法，参照图10所示，该方法包括以下步骤：
301、在衬底基板上形成薄膜晶体管。
302、在薄膜晶体管上形成缓冲层。
303、通过构图工艺，使缓冲层远离衬底基板的一侧对应第一电极层的第一区域处形成第五弧形结构，且缓冲层远离衬底基板的一侧对应第一电极层的第二区域处形成第六弧形结构。
其中，第五弧形结构和第六弧形结构均朝向衬底基板突出，第五弧形结构和第六弧形结构平滑连接。
具体的，可以在缓冲层上涂覆一层正性或者负性光刻胶，然后采用多色调掩膜板对光刻胶进行曝光，再对曝光后的光刻胶进行显影，得到需要的第五弧形结构和第六弧形结构；然后，刻蚀掉未被光刻胶覆盖区域的缓冲层材料的薄膜，之后将光刻胶剥离得到具有第五弧形结构和第六弧形结构的缓冲层；
也可以通过干法刻蚀获得第五弧形结构和第六弧形结构。控制离子束与缓冲层法线形成一定角度，刻蚀出弧形结构。离子束与缓冲层法线的角度可以根据对弧形结构的具体要求做出选作，一般为30°；
形成缓冲层的弧形结构并不限于上述方法。
304、在缓冲层上形成第一区域为第一弧形结构，且第二区域为第二弧形结构的第一电极层。所述第二弧形结构朝向所述衬底基板突出，所述第二弧形结构和所述第一弧形结构平滑连接。
具体的，可以采用刻蚀工艺在在缓冲层上形成具有一定弯曲程度的第五弧形结构的曲面，然后在该曲面上溅射一层ITO，经过曝光、显影、刻蚀等构图工艺处理后形成第一弧形结构的第一电极层。
305、在第一电极层上形成具有使得第一电极层暴露的开口的像素界定层。
其中，像素界定层的上表面与第一电极层最底部的上表面之间的距离小于或者等于1.5um。
306、在第一电极层上与开口区域对应的位置，形成与第一电极层的第一区域对应的区域为第三弧形结构，且与第一电极层的第二区域对应的区域为第四弧形结构的有机材料功能层。
第三弧形结构和第四弧形结构均朝向衬底基板突出，且第三弧形结构与第四弧形结构平滑连接。
其中，第一电极层上与像素界定层对应的区域可以为平坦结构。
需要说明的是，本实施例中与上述实施例中相同步骤的说明可以参照上述实施例中的描述，此处不再赘述。
本发明的实施例提供的阵列基板的制作方法，通过将形成在阵列基板的衬底基板上的第一电极层制作成具有第一弧形结构，并在该第一电极层上形成具有使第一电极层暴露的开口的像素界定层，且第一电极层与开口对应的区域中与像素界定层连接的区域为第一弧形结构，这样在第一电极层上与该开口区域对应位置形成有机材料功能层时，有机材料功能层中的各个膜层与像素界定层的连接处更加平缓，减小了有机材料功能层中不能均匀发光的面积，从而增大了有机材料功能层中可以均匀发光的面积，解决了现有的显示器结构中的有机材料功能层的各个膜层中每个膜层各自的膜层厚度在靠近像素界定层处会出现不均一的问题，避免出现显示器的亮度不均匀，提高了显示器的画面的显示质量。
本发明的实施例提供一种阵列基板的制作方法，参照图11所示，该方法包括以下步骤：
401、在衬底基板上形成薄膜晶体管。
402、在薄膜晶体管上形成缓冲层。
403、通过构图工艺，使缓冲层远离衬底基板的一侧对应第一电极层的第一区域处形成第五弧形结构，且缓冲层远离衬底基板的一侧对应第一电极层的第二区域处形成平坦结构。
具体的，可以在缓冲层上涂覆一层正性或者负性光刻胶，然后采用多色调掩膜板对光刻胶进行曝光，再对曝光后的光刻胶进行显影，得到需要的第五弧形结构和平坦结构；然后，刻蚀掉未被光刻胶覆盖区域的缓冲层材料的薄膜，之后将光刻胶剥离得到具有五弧形结构和平坦结构的缓冲层；也可以通过干法刻蚀获得第五弧形结构。控制离子束与缓冲层法线形成一定角度，刻蚀出弧形结构。离子束与缓冲层法线的角度可以根据对弧形结构的具体要求做出选作，一般为30°。当然，形成缓冲层的弧形结构并不限于上述方法。
其中，第二弧形结构朝向衬底基板突出。
404、在缓冲层上形成第一区域为第一弧形结构，且第二区域为平坦结构的第一电极层。其中，第一弧形结构与平坦结构光滑连接。
405、在第一电极层上形成具有使得第一电极层暴露的开口的像素界定层。
406、在第一电极层上与开口区域对应的位置，形成与第一电极层的第一区域对应的区域为第三弧形结构，且与第一电极层的第二区域对应的区域为平坦结构的有机材料功能层。
其中，第三弧形结构朝向衬底基板突出，并且第三弧形结构与平坦结构平滑连接。
另外，缓冲层上与像素界定层对应的区域可以为平坦结构。
需要说明的是，本实施例中与上述实施例中相同步骤的说明可以参照上述实施例中的描述，此处不再赘述。
本发明的实施例提供的阵列基板的制作方法，通过将形成在阵列基板的衬底基板上的第一电极层制作成具有第一弧形结构，并在该第一电极层上形成具有使第一电极层暴露的开口的像素界定层，且第一电极层与开口对应的区域中与像素界定层连接的区域为第一弧形结构，这样在第一电极层上与该开口区域对应位置形成有机材料功能层时，有机材料功能层中的各个膜层与像素界定层的连接处更加平缓，减小了有机材料功能层中不能均匀发光的面积，从而增大了有机材料功能层中可以均匀发光的面积，解决了现有的显示器结构中的有机材料功能层的各个膜层中每个膜层各自的膜层厚度在靠近像素界定层处会出现不均一的问题，避免出现显示器的亮度不均匀，提高了显示器的画面的显示质量。
本发明的实施例提供一种显示装置，该显示装置包括上述实施例提供的任一阵列基板。显示装置可以为：OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本发明的实施例提供的显示装置，通过将显示装置中的形成在阵列基板的衬底基板上的第一电极层制作成具有第一弧形结构，并在该第一电极层上形成具有使第一电极层暴露的开口的像素界定层，且第一电极层与开口对应的区域中与像素界定层连接的区域为第一弧形结构，这样在第一电极层上与该开口区域对应位置形成有机材料功能层时，有机材料功能层中的各个膜层与像素界定层的连接处更加平缓，减小了有机材料功能层中不能均匀发光的面积，从而增大了有机材料功能层中可以均匀发光的面积，解决了现有的显示器结构中的有机材料功能层的各个膜层中每个膜层各自的膜层厚度在靠近像素界定层处会出现不均一的问题，避免出现显示器的亮度不均匀，提高了显示器的画面的显示质量。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (24)
1.一种阵列基板，所述阵列基板包括：衬底基板，形成在所述衬底基板上的第一电极层，形成在所述第一电极层上的像素界定层，所述像素界定层具有使所述第一电极层暴露的开口，形成在所述第一电极层上与所述开口区域对应的有机材料功能层，所述第一电极层与所述开口对应的区域包括：第一区域和第二区域，所述第一区域为与所述像素界定层连接的区域，所述第二区域为所述第一电极层与所述开口对应区域中除所述第一区域以外的区域，其特征在于，
所述第一电极层的所述第一区域为第一弧形结构，所述第一弧形结构朝向所述衬底基板突出。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一电极层的所述第二区域为第二弧形结构，所述第二弧形结构朝向所述衬底基板突出；
所述第二弧形结构与所述第一弧形结构平滑连接。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一电极层的所述第二区域为平坦结构；
所述平坦结构与所述第一弧形结构平滑连接。
4.根据权利要求1～3任一所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一电极层上与所述像素界定层对应的区域为平坦结构。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述有机材料功能层上与所述第一电极层的第一区域对应的区域为第三弧形结构，所述第三弧形结构朝向所述衬底基板突出。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，
所述有机材料功能层上与所述第一电极层的第二区域对应的区域为第四弧形结构，所述第四弧形结构朝向所述衬底基板突出；
所述第四弧形结构与所述第三弧形结构平滑连接。
7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，
所述有机材料功能层上与所述第一电极层的第二区域对应的区域为平坦结构；
所述平坦结构与所述第三弧形结构平滑连接。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置在所述第一电极层下，且紧邻所述第一电极层的缓冲层，其中：
所述缓冲层与所述第一电极层的第一区域对应的区域为第五弧形结构，所述第五弧形结构朝向所述衬底基板突出。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，
所述缓冲层与所述第一电极层的第二区域对应的区域为第六弧形结构，所述第六弧形结构朝向所述衬底基板突出；
所述第六弧形结构与所述第五弧形结构平滑连接。
10.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，
所述缓冲层与所述第一电极层的第二区域对应的区域为平坦结构；
所述平坦结构与所述第五弧形结构平滑连接。
11.根据权利要求8～10任一所述的阵列基板，其特征在于，
所述缓冲层上与所述像素界定层对应的区域为平坦结构。
12.根据权利要求1～3任一所述的阵列基板，其特征在于，
所述像素界定层的上表面与所述第一电极层的最底部的上表面之间的距离小于或者等于1.5um。
13.根据权利要求1～3任一所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一电极层的厚度为30-200nm。
14.根据权利要求1～3任一所述的阵列基板，其特征在于，
所述像素界定层的材料为疏液性的材料。
15.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底基板上形成具有第一弧形结构的第一电极层；
在所述第一电极层上形成像素界定层，所述像素界定层具有使所述第一电极层暴露的开口；所述第一电极层与所述开口对应的区域包括第一区域和第二区域，所述第一区域为与所述像素界定层连接的区域，所述第二区域为所述第一电极层与所述开口对应区域中除所述第一区域以外的区域；
在所述第一电极层上与所述开口区域对应的位置形成有机材料功能层；
其中，所述第一电极层的所述第一区域为第一弧形结构，所述第一弧形结构朝向所述衬底基板突出。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成具有第一弧形结构的第一电极层，包括：
在所述衬底基板上形成缓冲层；
通过构图工艺，使所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧形成第五弧形结构；其中，所述第五弧形结构对应所述第一电极层的第一区域且朝向所述衬底基板突出，在所述缓冲层上形成所述第一区域为所述第一弧形结构的第一电极层。
17.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成具有第一弧形结构的第一电极层，包括：
在所述衬底基板上形成缓冲层；
通过构图工艺，使所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧对应所述第一电极层的第一区域处形成第五弧形结构，且所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧对应所述第一电极层的第二区域处形成第六弧形结构；其中，所述第五弧形结构和所述第六弧形结构均朝向所述衬底基板突出，所述第五弧形结构和所述第六弧形结构平滑连接；
在所述缓冲层上形成第一区域为所述第一弧形结构，第二区域为第二弧形结构的第一电极层；所述第二弧形结构朝向所述衬底基板突出，所述第二弧形结构和所述第一弧形结构平滑连接。
18.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成具有第一弧形结构的第一电极层，包括：
在所述衬底基板上形成缓冲层；
通过构图工艺，使所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧对应所述第一电极层的第一区域处形成第五弧形结构，且所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧对应所述第一电极层的第二区域处形成平坦结构；其中，所述第五弧形结构朝向所述衬底基板突出；
在所述缓冲层上形成所述第一区域为所述第一弧形结构，所述第二区域为平坦结构的第一电极层；
所述第一弧形结构与所述平坦结构平滑连接。
19.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述在所述第一电极层上与所述开口区域对应的位置形成有机材料功能层，包括：
在所述第一电极层上与所述开口区域对应的位置，形成与所述第一电极层的第一区域对应的区域为第三弧形结构的所述有机材料功能层，所述第三弧形结构朝向所述衬底基板突出。
20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述在所述第一电极层上与所述开口区域对应的位置，形成与所述第一电极层的第一区域对应的区域为第三弧形结构的所述有机材料功能层，包括：
在所述第一电极层上与所述开口区域对应的位置，形成与所述第一电极层的第一区域对应的区域为所述第三弧形结构，且与所述第一电极层的第二区域对应的区域为第四弧形结构的所述有机材料功能层；
所述第四弧形结构朝向所述衬底基板突出，且所述第四弧形结构与所述第三弧形结构平滑连接。
21.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述在所述第一电极层上与所述开口区域对应的位置，形成与所述第一电极层的第一区域对应的区域为第三弧形结构的所述有机材料功能层，包括：
在所述第一电极层上与所述开口区域对应的位置，形成与所述第一电极层的第一区域对应的区域为所述第三弧形结构，且与所述第一电极层的第二区域对应的区域为平坦结构的所述有机材料功能层；
所述第三弧形结构与所述平坦结构平滑连接。
22.根据权利要求15～18任一所述的方法，其特征在于，
所述第一电极层上与所述像素界定层对应的区域为平坦结构。
23.根据权利要求16～18任一所述的方法，其特征在于，
所述缓冲层上与所述像素界定层对应的区域为平坦结构。
24.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1～14任一所述的阵列基板。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410818516.7A CN104465708B (zh) | 2014-12-24 | 2014-12-24 | 一种阵列基板及其制作方法和显示装置 |
| US15/122,153 US9935287B2 (en) | 2014-12-24 | 2015-06-30 | Array substrate and manufacturing method therefor, and display device |
| PCT/CN2015/082878 WO2016101576A1 (zh) | 2014-12-24 | 2015-06-30 | 阵列基板及其制作方法和显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410818516.7A CN104465708B (zh) | 2014-12-24 | 2014-12-24 | 一种阵列基板及其制作方法和显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104465708A true CN104465708A (zh) | 2015-03-25 |
| CN104465708B CN104465708B (zh) | 2017-10-17 |
Family
ID=52911484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410818516.7A Active CN104465708B (zh) | 2014-12-24 | 2014-12-24 | 一种阵列基板及其制作方法和显示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9935287B2 (zh) |
| CN (1) | CN104465708B (zh) |
| WO (1) | WO2016101576A1 (zh) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016101576A1 (zh) * | 2014-12-24 | 2016-06-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法和显示装置 |
| CN107068722A (zh) * | 2017-04-20 | 2017-08-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及显示装置 |
| CN107731879A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-02-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、制备方法、显示面板及显示装置 |
| CN107819079A (zh) * | 2017-10-18 | 2018-03-20 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光显示面板及其制造方法、有机发光显示装置 |
| CN108231824A (zh) * | 2016-12-16 | 2018-06-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示面板及其制备方法 |
| CN109037485A (zh) * | 2018-08-09 | 2018-12-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN110164931A (zh) * | 2019-05-23 | 2019-08-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件、其制造方法及显示装置 |
| CN110854171A (zh) * | 2019-11-21 | 2020-02-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN111670607A (zh) * | 2017-12-05 | 2020-09-15 | 佳能株式会社 | 顶发射有机el元件及用于制造顶发射有机el元件的方法 |
| CN114551760A (zh) * | 2022-02-15 | 2022-05-27 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018218608A1 (en) * | 2017-06-01 | 2018-12-06 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate, display panel having the same, and method of fabricating array substrate |
| US10297780B2 (en) * | 2017-10-18 | 2019-05-21 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Organic light-emitting display panel, method for fabricating the same, and organic light-emitting display device |
| KR102490978B1 (ko) * | 2017-12-11 | 2023-01-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시장치 |
| WO2019188416A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置及び表示装置の製造方法、並びに、電子機器 |
| TWI677979B (zh) * | 2019-03-21 | 2019-11-21 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板及其製作方法 |
| KR20220019884A (ko) * | 2020-08-10 | 2022-02-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080024402A1 (en) * | 2004-04-30 | 2008-01-31 | Ryuji Nishikawa | Light-Emitting Display |
| CN103928626A (zh) * | 2014-04-17 | 2014-07-16 | 上海和辉光电有限公司 | Oled发光装置及其制造方法 |
| CN103943787A (zh) * | 2014-03-28 | 2014-07-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示器及其制备方法 |
| CN204257646U (zh) * | 2014-12-24 | 2015-04-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板和显示装置 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI258317B (en) * | 2002-01-25 | 2006-07-11 | Semiconductor Energy Lab | A display device and method for manufacturing thereof |
| JP4161956B2 (ja) * | 2004-05-27 | 2008-10-08 | セイコーエプソン株式会社 | カラーフィルタ基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器 |
| US7772763B2 (en) | 2004-12-02 | 2010-08-10 | Lg Display Co., Ltd. | Organic electro-luminescence display device comprising grid shaped auxiliary electrode |
| WO2010137355A1 (ja) * | 2009-05-28 | 2010-12-02 | シャープ株式会社 | 有機エレクトロルミネセンス表示装置、その製造方法、カラーフィルタ基板及びその製造方法 |
| KR20140058745A (ko) * | 2012-11-05 | 2014-05-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| TWI612689B (zh) * | 2013-04-15 | 2018-01-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 發光裝置 |
| KR102078558B1 (ko) * | 2013-04-17 | 2020-02-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP6284346B2 (ja) * | 2013-11-25 | 2018-02-28 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機ｅｌ表示装置 |
| CN103928497B (zh) * | 2014-04-01 | 2016-07-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示器件及其制作方法、显示装置 |
| CN104465708B (zh) | 2014-12-24 | 2017-10-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法和显示装置 |
| KR102612903B1 (ko) * | 2015-07-02 | 2023-12-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
-
2014
- 2014-12-24 CN CN201410818516.7A patent/CN104465708B/zh active Active
-
2015
- 2015-06-30 WO PCT/CN2015/082878 patent/WO2016101576A1/zh active Application Filing
- 2015-06-30 US US15/122,153 patent/US9935287B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080024402A1 (en) * | 2004-04-30 | 2008-01-31 | Ryuji Nishikawa | Light-Emitting Display |
| CN103943787A (zh) * | 2014-03-28 | 2014-07-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示器及其制备方法 |
| CN103928626A (zh) * | 2014-04-17 | 2014-07-16 | 上海和辉光电有限公司 | Oled发光装置及其制造方法 |
| CN204257646U (zh) * | 2014-12-24 | 2015-04-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板和显示装置 |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9935287B2 (en) | 2014-12-24 | 2018-04-03 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate and manufacturing method therefor, and display device |
| WO2016101576A1 (zh) * | 2014-12-24 | 2016-06-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法和显示装置 |
| CN108231824A (zh) * | 2016-12-16 | 2018-06-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示面板及其制备方法 |
| CN108231824B (zh) * | 2016-12-16 | 2024-04-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示面板及其制备方法 |
| CN107068722B (zh) * | 2017-04-20 | 2020-06-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及显示装置 |
| CN107068722A (zh) * | 2017-04-20 | 2017-08-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及显示装置 |
| CN107819079A (zh) * | 2017-10-18 | 2018-03-20 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光显示面板及其制造方法、有机发光显示装置 |
| WO2019075847A1 (zh) * | 2017-10-18 | 2019-04-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光显示面板及其制造方法、有机发光显示装置 |
| CN107731879A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-02-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、制备方法、显示面板及显示装置 |
| US10573707B2 (en) | 2017-10-31 | 2020-02-25 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate, method for preparing array substrate, display panel and display device |
| CN111670607A (zh) * | 2017-12-05 | 2020-09-15 | 佳能株式会社 | 顶发射有机el元件及用于制造顶发射有机el元件的方法 |
| CN111670607B (zh) * | 2017-12-05 | 2023-11-10 | 佳能株式会社 | 顶发射有机el元件及用于制造顶发射有机el元件的方法 |
| CN109037485A (zh) * | 2018-08-09 | 2018-12-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN110164931A (zh) * | 2019-05-23 | 2019-08-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件、其制造方法及显示装置 |
| CN110164931B (zh) * | 2019-05-23 | 2021-03-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件、其制造方法及显示装置 |
| US11825699B2 (en) | 2019-05-23 | 2023-11-21 | Boe Technology Group Co., Ltd. | OLED with a shape memory alloy bottom electrode, method for manufacturing the same, and display apparatus including the OLED |
| CN110854171A (zh) * | 2019-11-21 | 2020-02-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN110854171B (zh) * | 2019-11-21 | 2022-09-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN114551760A (zh) * | 2022-02-15 | 2022-05-27 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2016101576A1 (zh) | 2016-06-30 |
| US20160365531A1 (en) | 2016-12-15 |
| CN104465708B (zh) | 2017-10-17 |
| US9935287B2 (en) | 2018-04-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104465708A (zh) | 一种阵列基板及其制作方法和显示装置 | |
| CN107887423B (zh) | 一种显示面板、其制备方法及显示装置 | |
| CN104022139B (zh) | 一种有机电致发光显示面板及显示装置 | |
| US9825256B2 (en) | Display panel having a top surface of the conductive layer coplanar with a top surface of the pixel define layer | |
| US9722005B2 (en) | Light-emitting device, array substrate, display device and manufacturing method of light-emitting device | |
| CN103700688B (zh) | 彩膜基板及其制作方法、显示装置 | |
| WO2016123965A1 (zh) | 一种显示面板及其制作方法和显示装置 | |
| US9679953B2 (en) | WOLED back panel and method of manufacturing the same | |
| CN107331691A (zh) | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 | |
| WO2019071711A1 (zh) | Oled面板的制作方法及oled面板 | |
| CN103928497A (zh) | Oled显示器件及其制作方法、显示装置 | |
| CN105789246A (zh) | 有机发光显示装置和有机发光显示面板及其制造方法 | |
| CN104022156B (zh) | 薄膜晶体管、阵列基板及相应的制作方法、显示装置 | |
| CN103700692A (zh) | Oled显示面板及其制作方法 | |
| WO2018120362A1 (zh) | Oled基板及其制作方法 | |
| CN106816558B (zh) | 顶发射有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置 | |
| CN203787433U (zh) | Oled显示器件及显示装置 | |
| CN109461838A (zh) | 一种显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置 | |
| CN109119451A (zh) | 显示基板及其制造方法、显示装置 | |
| CN107507930A (zh) | Oled显示面板及其制备方法 | |
| CN101740726B (zh) | 有机电致发光器件及其制造方法 | |
| CN204257646U (zh) | 一种阵列基板和显示装置 | |
| US9508958B2 (en) | Display substrate and manufacturing method thereof and display device | |
| CN106783924B (zh) | 一种oled显示面板及其制作方法 | |
| US11404505B2 (en) | Display substrate, ink-jet printing method thereof, and display apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |