JP2010508237A - 指向性凝固による金属シリコンの精製方法 - Google Patents
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Abstract
本方法は、ソーラーまたは光起電力グレードシリコン(6)を得るために指向性凝固によって金属シリコン(3)が精製されることを可能にする。結晶化ステップは、好ましくは、実質的にソーラーグレードシリコン(6)の所定の純度以上である純度を有するソーラーグレード(6)またはさらにマイクロエレクトロニクスグレードの少なくとも1個のシリコンシード(2)を使用する。坩堝の底を覆うシリコンシード(2)は事前の結晶化によってもたらされることがあり、または、シリコンウェハーにより形成されることがある。単結晶またはテクスチャ化多結晶シード(2)の使用は、ソーラーグレードシリコン(6)の結晶配向を可能にさせる。固体金属シリコンの中間層がシリコンシード(2)に配置されることがあり、金属シリコン供給原料(3)が中間層に配置される。
Description
−金属シリコンは、0.01%を超える金属不純物含有量をもち、
−ソーラーグレードシリコンは、0.01%から0.000001%の金属不純物含有量をもち、
−マイクロエレクトロニックシリコンは、0.000001%未満の金属不純物含有量をもつ。
Claims (15)
- ソーラーまたは光起電力グレードシリコン(6)を得るために指向性凝固によって金属シリコン(3)を精製する方法であって、
坩堝の底を覆う少なくとも1個のシリコンシード(2)を使用する結晶化ステップを備えることを特徴とする方法。 - 前記シリコンシード(2)が少なくともソーラーグレードの純度を有していることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記シリコンシード(2)がマイクロエレクトロニクスグレード純度を有していることを特徴とする、請求項2に記載の方法。
- 前記シリコンシード(2)がソーラーまたは光起電力グレード純度を有していることを特徴とする、請求項2に記載の方法。
- 前記ソーラーまたは光起電力グレードシリコン(6)が所定の純度を有し、前記シリコンシード(2)が前記ソーラーまたは光起電力グレードシリコン(6)の前記所定の純度に等しいかそれ以上の純度を有していることを特徴とする、請求項1から4のうちのいずれか一項に記載の方法。
- 前記シリコンシード(2)が前記ソーラーまたは光起電力グレードシリコン(6)の前記所定の純度に実質的に等しい純度を有していることを特徴とする、請求項5に記載の方法。
- 前記シリコンシード(2)が事前の結晶化に由来することを特徴とする、請求項1から6のうちのいずれか一項に記載の方法。
- 前記シリコンシード(2)がシリコンウェハーにより形成されることを特徴とする、請求項1から7のうちのいずれか一項に記載の方法。
- 単結晶またはテクスチャ化多結晶シード(2)を使用するステップを備えることを特徴とする、請求項1から8のうちのいずれか一項に記載の方法。
- 数個の長方形シード(2)が並列に配置されることを特徴とする、請求項1から9のうちのいずれか一項に記載の方法。
- 少なくとも金属グレードの固体シリコンの中間層(4)が前記シードシリコン(2)に配置され、金属シリコンロード(3)が前記中間層(4)に配置されていることを特徴とする、請求項1から10のうちのいずれか一項に記載の方法。
- 前記中間層(4)および前記シード(2)が所定のギャップによって分離されることを特徴とする、請求項11に記載の方法。
- 前記所定のギャップが前記シード(2)に対向して配置された前記中間層(4)の表面の粗さが大きいことを用いて得られることを特徴とする、請求項12に記載の方法。
- 前記シード(2)のレベルの温度測定ステップと、前記シード(2)のレベルで温度上昇が検出されるときに結晶化を開始するために冷却能を増大させるステップとを備えることを特徴とする、請求項1から13のうちのいずれか一項に記載の方法。
- 前記シード(2)の底面が熱伝導性ソールと直接的に接触していることを特徴とする、請求項1から14のうちのいずれか一項に記載の方法。
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