CN106591937B - 一种凹陷式类单晶籽晶铸锭熔化结晶工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种凹陷式块状类单晶籽晶铸锭熔化结晶工艺，包括如下步骤：(1)单晶硅籽晶的制备及装料阶段；(2)单晶硅籽晶铸锭熔化阶段；(3)类单晶长晶阶段。本发明的特点在于当硅料熔液从顶部向底部流动经过阻挡层时，会沿着晶砖的凹陷角度向坩埚中心流动。这样就可以避免因为铸锭炉的加热器位于坩埚顶部和四壁，坩埚壁处的温度较高，导致坩埚壁处的硅溶液沿着坩埚壁向下流动，接触籽晶层造成边侧籽晶层熔穿的现象。同时，缓冲层向中心流动的硅熔液可以提高坩埚中心的温度，避免了在中心处的籽晶层未熔化的现象，采用了降温速率控制工艺，实现了铸锭工艺的优化。
Description
技术领域
本发明属于铸造单晶领域，具体涉及一种凹陷式类单晶籽晶铸锭熔化结晶工艺。
背景技术
类单晶硅定向凝铸技术是近年来发展起来的一种铸造单晶技术。类单晶硅片的性能介于多晶和直拉单晶硅片之间，具有硅片生产效率高，对原料质量要求低，生产成本低等优点。但是，目前的类单晶技术制备的硅锭还不能满足工业生产的需要，主要表现为类单晶硅锭的单晶比例低及类单晶硅片的缺陷密度高。
2011年，东海晶澳太阳能科技有限公司的“类单晶铸锭量产一号锭”的类单晶硅锭产品的单晶比例仅有40％-50％，单晶硅片收率低，性价比低于多晶硅。同时由于类单晶硅片的缺陷密度高、制绒困难、硅片中易形成十字花纹等缺陷，导致类单晶太阳能电池的转换效率仅为17.8％-18.2％，类单晶产品的市场竞争力不强。
类单晶硅片要获得广泛的应用，必须降低类单晶硅片的缺陷密度，提高类单晶电池的转换效率；提高类单晶硅锭中单晶的比例，降低硅锭的生产成本。据保利协鑫核算，当类单晶硅锭中单晶硅的比例达到80％以上，类单晶硅锭的性价比就超过多晶硅锭。
要获得低缺陷大单晶比例的类单晶硅锭，其关键技术在于：1)单晶籽晶必须非常平整，为类单晶硅锭外延生长提供一个良好的基础。通常不仅仅需要籽晶层的晶向严格按照(100)晶向，而且对于籽晶的摆放平整度都有极严格的要求，M.G.Tsoutsouva等报道了关于籽晶的角度偏差对于类单晶硅锭质量的影响。籽晶只要大约1°左右的偏差就会在硅锭的生长过程中形成大量的亚晶界，这必然在硅锭中产生大量的缺陷，从而降低了硅锭的少子寿命。2)低成本大单晶比例类单晶硅锭(100)晶向择优取向生长技术。3)籽晶过熔或未熔化都不能获得单晶，因此，必须在铸锭工艺的硅料熔化阶段严格控制籽晶层的熔化量。
发明内容
发明目的：为了解决现有技术的不足，本发明提供了一种凹陷式类单晶籽晶铸锭熔化结晶工艺。
技术方案：一种凹陷式类单晶籽晶铸锭熔化结晶工艺，包括如下步骤：
(1)单晶硅籽晶的装料阶段：
步骤a、在石英坩埚(6)内表面喷涂氮化硅粉末冷却，作为保护层(5)；
步骤b、在石英坩埚(6)底部铺设一层菜籽料；
步骤c、在菜籽料上铺设籽晶板或者籽晶块，作为定向凝铸半熔工艺的籽晶层(1)；
步骤d、使用小颗粒原生多晶硅料将上述步骤中铺设的籽晶板或者籽晶块之间的缝隙填满；
步骤e、在籽晶层(1)上铺设50mm-100mm菜籽料，作为缓冲层(2)；
步骤f、在缓冲层(2)上铺设36块由头尾料构成的晶砖，作为阻挡层(3),所述阻挡层(3)的晶砖从坩埚壁向坩埚中心渐次降低，形成一个凹陷的结构；
步骤g、在阻挡层(3)上逐层码放如下硅料(4)：交替铺设头尾多晶废料、多晶碎片、原生硅料、多晶颗粒料，直至达到所需的硅料要求；
(2)单晶硅籽晶铸锭熔化阶段：
装料完成后，首先将炉腔抽真空到腔体压力降至0.008mbar以下，然后开始加热熔化硅料，熔料过程采取功率控制的方式，快速将炉内的温度升至1150℃-1250℃，去除附着在硅料内的水分及油脂后，继续将硅料熔化温度提升至1500℃-1600℃，进行硅料熔化，熔料过程的时间为1200-1300分钟，使用石英棒测量熔化高度，直至籽晶呈现半熔状态；熔化结束后，缓慢向上提升隔热笼，进入长晶阶段；
(3)类单晶长晶阶段：
设定所用铸锭炉的硅锭底部最终长晶温度为930℃-1050℃，降温速率α为0.134-0.174，即可开始进入长晶阶段，随着温度的下降，晶体硅自下而上地生长成柱状晶，直至柱状晶体完成生长。
作为优化：所述步骤c中籽晶块的制备过程如下：从单晶硅锭中去除边皮形成单晶硅棒，将硅棒切割成籽晶块，所得籽晶块的尺寸为：156*156*15mm。
作为优化：所述步骤c中籽晶板的制备过程如下：采用直拉法制备的8英寸晶棒，沿着直拉方向进行板状切割，所得籽晶板的尺寸为156*980mm2。
作为优化：所述步骤e中的缓冲层(2)的填充高度为100-150mm。
作为优化：所述步骤f中多晶硅晶砖的长、宽、高分别为156mm、156mm、30-40mm。
有益效果：本发明设计了一种凹陷式类单晶缓冲籽晶熔化控制技术。与多晶硅缓冲式籽晶熔化控制技术相类似的在籽晶板上铺设50mm-100mm菜籽料，作为缓冲层。然后在其上铺设36块由头尾料构成的晶砖，构成阻挡层。由于类单晶需要均匀熔化籽晶层，阻挡层的晶砖从坩埚壁向坩埚中心渐次降低，形成一个凹陷的结构。该结构的特点在于当硅料熔液从顶部向底部流动经过阻挡层时，会沿着晶砖的凹陷角度向坩埚中心流动。这样就可以避免因为铸锭炉的加热器位于坩埚顶部和四壁，坩埚壁处的温度较高，导致坩埚壁处的硅溶液沿着坩埚壁向下流动，接触籽晶层造成边侧籽晶层熔穿的现象。同时，缓冲层向中心流动的硅熔液可以提高坩埚中心的温度，避免了在中心处的籽晶层未熔化的现象，采用了降温速率控制工艺，实现了铸锭工艺的优化。
附图说明
图1是本发明的结构示意图；其中：1籽晶层，2缓冲层，3阻挡层，4硅料，5保护层，6坩埚；
图2为本发明中凹陷式类单晶缓冲籽晶熔化控制技术硅锭剖面红外扫描图；
图3为本发明中凹陷式类单晶缓冲籽晶熔化控制技术硅锭少子分布图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步说明。
具体实施例
一种凹陷式类单晶籽晶铸锭熔化结晶工艺，包括如下步骤：
(1)单晶硅籽晶的装料阶段：
步骤a、在石英坩埚6内表面喷涂氮化硅粉末冷却，作为保护层5；
步骤b、在石英坩埚6底部铺设一层菜籽料；
步骤c、在菜籽料上铺设籽晶板或者籽晶块，作为定向凝铸半熔工艺的籽晶层1；
步骤d、使用小颗粒原生多晶硅料将上述步骤中铺设的籽晶板或者籽晶块之间的缝隙填满；
步骤e、在籽晶层1上铺设50mm-100mm菜籽料，作为缓冲层2；
步骤f、在缓冲层2上铺设36块由头尾料构成的晶砖，作为阻挡层3,所述阻挡层3的晶砖从坩埚壁向坩埚中心渐次降低，形成一个凹陷的结构；
步骤g、在阻挡层3上逐层码放如下硅料4：交替铺设头尾多晶废料、多晶碎片、原生硅料、多晶颗粒料，直至达到所需的硅料要求；
(2)单晶硅籽晶铸锭熔化阶段：
装料完成后，首先将炉腔抽真空到腔体压力降至0.008mbar以下，然后开始加热熔化硅料，熔料过程采取功率控制的方式，快速将炉内的温度升至1150℃-1250℃，去除附着在硅料内的水分及油脂后，继续将硅料熔化温度提升至1500℃-1600℃，进行硅料熔化，熔料过程的时间为1200-1300分钟，使用石英棒测量熔化高度，直至籽晶呈现半熔状态；熔化结束后，缓慢向上提升隔热笼，进入长晶阶段；
(3)类单晶长晶阶段：
设定所用铸锭炉的硅锭底部最终长晶温度为930℃-1050℃，降温速率α为0.134-0.174，即可开始进入长晶阶段，随着温度的下降，晶体硅自下而上地生长成柱状晶，直至柱状晶体完成生长。
所述步骤c中籽晶块的制备过程如下：从单晶硅锭中去除边皮形成单晶硅棒，将硅棒切割成籽晶块，所得籽晶块的尺寸为：156*156*15mm。
所述步骤c中籽晶板的制备过程如下：采用直拉法制备的8英寸晶棒，沿着直拉方向进行板状切割，所得籽晶板的尺寸为156*980mm2。
所述步骤e中的缓冲层2的填充高度为100-150mm。
所述步骤f中多晶硅晶砖的长、宽、高分别为156mm、156mm、30-40mm。
图2为凹陷式类单晶缓冲籽晶熔化控制技术硅锭剖面红外扫描图。从图中可以看出，该硅锭除了在两个侧壁处形成了多晶外，其他部分均为单晶构成。根据单晶体积/硅锭体积计算得到单晶比例达到87.5％左右，完全达到了产业化的要求。从图2中可以看出该锭的底部籽晶层熔化均匀，在坩埚壁处未出现籽晶熔穿的现象。
图3所示为凹陷式类单晶缓冲籽晶熔化控制技术硅锭少子分布图。从图3中可以看出，红区分布比较平直，说明熔液接触硅锭表面时的固液面是比较平直的，这表明凹陷式的装料方式有利于形成融化时的平直固液面，避免了籽晶的过熔或者未熔及籽晶现象。
综上所述，本发明设计了一种凹陷式类单晶缓冲籽晶熔化控制技术。与多晶硅缓冲式籽晶熔化控制技术相类似的在籽晶板上铺设50mm-100mm菜籽料，作为缓冲层。然后在其上铺设36块由头尾料构成的晶砖，构成阻挡层。由于类单晶需要均匀熔化籽晶层，阻挡层的晶砖从坩埚壁向坩埚中心渐次降低，形成一个凹陷的结构。该结构的特点在于当硅料熔液从顶部向底部流动经过阻挡层时，会沿着晶砖的凹陷角度向坩埚中心流动。这样就可以避免因为铸锭炉的加热器位于坩埚顶部和四壁，坩埚壁处的温度较高，导致坩埚壁处的硅溶液沿着坩埚壁向下流动，接触籽晶层造成边侧籽晶层熔穿的现象。同时，缓冲层向中心流动的硅熔液可以提高坩埚中心的温度，避免了在中心处的籽晶层未熔化的现象，采用了降温速率控制工艺，实现了铸锭工艺的优化。
本发明不局限于上述最佳实施方式，任何人在本发明的启示下都可得出其他各种形式的产品，但不论在其形状或结构上作任何变化，凡是具有与本申请相同或相近似的技术方案，均落在本发明的保护范围之内。
Claims (1)
1.一种凹陷式类单晶籽晶铸锭熔化结晶工艺，其特征在于：包括如下步骤：
(1)单晶硅籽晶的装料阶段：
步骤a、在石英坩埚(6)内表面喷涂氮化硅粉末冷却，作为保护层(5)；
步骤b、在石英坩埚(6)底部铺设一层菜籽料；
步骤c、在菜籽料上铺设籽晶板或者籽晶块，作为定向凝铸半熔工艺的籽晶层(1)；
步骤d、使用小颗粒原生多晶硅料将上述步骤中铺设的籽晶板或者籽晶块之间的缝隙填满；
步骤e、在籽晶层(1)上铺设50mm-100mm菜籽料，作为缓冲层(2)；
步骤f、在缓冲层(2)上铺设36块由头尾料构成的晶砖，作为阻挡层(3),所述阻挡层(3)的晶砖从坩埚壁向坩埚中心渐次降低，形成一个凹陷的结构；
步骤g、在阻挡层(3)上逐层码放如下硅料(4)：交替铺设头尾多晶废料、多晶碎片、原生硅料、多晶颗粒料，直至达到所需的硅料要求；
(2)单晶硅籽晶铸锭熔化阶段：
装料完成后，首先将炉腔抽真空到腔体压力降至0.008mbar以下，然后开始加热熔化硅料，熔料过程采取功率控制的方式，快速将炉内的温度升至1150℃-1250℃，去除附着在硅料内的水分及油脂后，继续将硅料熔化温度提升至1500℃-1600℃，进行硅料熔化，熔料过程的时间为1200-1300分钟，使用石英棒测量熔化高度，直至籽晶呈现半熔状态；熔化结束后，缓慢向上提升隔热笼，进入长晶阶段；
(3)类单晶长晶阶段：
设定所用铸锭炉的硅锭底部最终长晶温度为930℃-1050℃，降温速率α为0.134-0.174，即可开始进入长晶阶段，随着温度的下降，晶体硅自下而上地生长成柱状晶，直至柱状晶体完成生长；
所述步骤c中籽晶块的制备过程如下：从单晶硅锭中去除边皮形成单晶硅棒，将硅棒切割成籽晶块，所得籽晶块的尺寸为：156 mm *156 mm *15mm；
所述步骤c中籽晶板的制备过程如下：采用直拉法制备的8英寸晶棒，沿着直拉方向进行板状切割，所得籽晶板的尺寸为156 mm *980mm；
所述步骤e中的缓冲层(2)的填充高度为100-150mm；
所述步骤f中多晶硅晶砖的长、宽、高分别为156mm、156mm、30-40mm。
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| CN102758242B (zh) * | 2011-04-25 | 2015-04-08 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种单晶硅铸锭的装料方法及单晶硅铸锭方法 |
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