CN202440564U - 一种类单晶硅铸锭炉及其所用籽晶 - Google Patents

Abstract

本实用新型实施例提供了一种类单晶硅铸锭炉及其所用籽晶，所述铸锭炉包括：坩埚、位于所述坩埚底部下方的托板和位于所述托板下方的底板；其中，所述坩埚为漏斗式坩埚，该坩埚具有至少4个矩形侧壁，其底部由与侧壁数量相同的梯形斜面及1个多边形底面构成，该多边形底面的边数与侧壁数量相同，且所述坩埚底部的梯形斜面与对应的矩形侧壁的夹角大于90°；所述托板上表面的形状与所述坩埚底部的形状相匹配；所述底板上表面的形状与所述托板下表面的形状相匹配且相互接触。本实用新型所述类单晶硅铸锭炉降低了晶体的缺陷度，节约了籽晶的用量，进而保证了产品质量，降低了生产成本。

Description

一种类单晶硅铸锭炉及其所用籽晶

技术领域

本实用新型涉及半导体材料制作工艺技术领域，更具体地说，涉及一种类单晶硅铸锭炉及其所用籽晶。

背景技术

硅片是太阳能电池的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池转换效率的高低，而硅片是由晶体硅锭切割而成的，晶体硅锭质量的好坏直接决定了所制备硅片的质量的好坏，因此，为了使得太阳能电池具有较高的转换效率，首先需要保证晶体硅锭的质量。

晶体硅锭的铸锭工艺包括：加热、熔化、长晶、退火和冷却五个阶段，是在真空铸锭炉里进行的，铸锭炉设置有热场控制装置，所述热场控制装置主要包括坩埚、底板等组成部分。生产时，在坩埚底部敷设好籽晶，再向坩埚内放置一定量的硅料，对炉体抽真空后进行铸锭生产。

参考图1，图1为现有技术中一种用于单晶硅铸锭工艺的热场控制装置的切面结构示意图，包括：长方体结构的坩埚11，一般为石英坩埚；敷设在所述坩埚11侧壁上的侧板12，一般为石墨侧板；敷设在所述石英坩埚底部的籽晶13；敷设在所述石英坩埚下面的底板14，一般为石墨底板。具体的，所述籽晶的分布方式，参考图2，图2为现有的类单晶硅铸锭工艺热场控制装置的坩埚内的籽晶分布结构俯视图。如图2中所示，现有技术在生产时，在石英坩埚底面敷设25块籽晶，以5×5的方阵敷设满整个石英坩埚底部。

通过对现有的单晶铸锭工艺热场控制装置的描述可知，现有的坩埚形状是长方体形，生产时在其底部敷设一层籽晶。但是，由于籽晶之间存在缝隙，导致坩埚底部籽晶层附近的晶体不能均匀生长，进而导致晶体缺陷度高、甚至是产生多晶，从而影响产品的生产质量。

实用新型内容

为解决上述问题，本实用新型提供了一种类单晶硅铸锭炉及籽晶，该技术方案通过设定形状的坩埚，通过1块设定形状的籽晶可实现晶体的均匀生长，降低了晶体缺陷度，保障了产品的质量，同时降低了籽晶的消耗。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种类单晶硅铸锭炉，包括：

坩埚、位于所述坩埚底部下方的托板和位于所述托板下方的底板；

其中，所述坩埚为漏斗式坩埚，该坩埚具有至少4个矩形侧壁，其底部由与侧壁数量相同的梯形斜面及1个多边形底面构成，该多边形底面的边数与侧壁数量相同，且所述坩埚底部的梯形斜面与对应的矩形侧壁的夹角大于90°；

所述托板上表面的形状与所述坩埚底部的形状相匹配，所述托板上表面中心区域的多边形表面与所述坩埚的多边形底面相接触，且所述托板上表面的梯形斜面与所述坩埚底部对应矩形侧壁的夹角大于该侧壁与该侧壁对应的坩埚底部的梯形斜面的夹角；

所述底板上表面的形状与所述托板下表面的形状相匹配且相互接触。

优选的，上述铸锭炉中，所述坩埚为方形漏斗式坩埚，所述方形漏斗式坩埚具有4个矩形侧壁，其底部是由4个相同梯形斜面及1个矩形底面构成。

优选的，上述铸锭炉中，所述托板上表面的梯形斜面与所述坩埚的对应矩形侧壁的夹角大于所述侧壁与该侧壁对应的坩埚底部的梯形斜面的夹角为：所述石英坩埚底部的每个梯形斜面与所述托板对应梯形斜面之间存在有一个楔形缝隙，所述楔形缝隙最大缝隙间距不超过3mm。

优选的，上述铸锭炉中，所述坩埚底部的梯形斜面与对应矩形侧壁的夹角不超过150°。

优选的，上述铸锭炉中，所述托板下表面形状与上表面形状相匹配，包括：1个中心矩形底面和4个矩形斜面，其底部下表面的梯形斜面与对应坩埚侧壁的夹角大于与该梯形斜面对应的托板上表面的梯形斜面与所述对应坩埚侧壁的夹角。

优选的，上述铸锭炉中，所述托板下表面形状为矩形平面。

优选的，上述铸锭炉中，所述托板是由石墨材料经过高温压制所制备的具有设定结构的石墨托板。

优选的，上述铸锭炉中，所述底板是由石墨材料经过高温压制所制备的具有设定结构的石墨底板。

本实用新型还提供了一种用于上述类单晶硅铸锭炉的籽晶，其特征在于，所述籽晶的形状为正多棱棱台；

所述棱台的形状与上述铸锭炉中的坩埚底部形状相匹配，具体为：具有与所述坩埚底部的梯形斜面数量相同的梯形侧面；具有与所述坩埚底部多边形底面全等的第一多边形底面；所述棱台的梯形侧面与所述第一底面之间的夹角等于所述坩埚底部的梯形斜面与所述坩埚底部的多边形底面之间的夹角。

优选的，上述籽晶中，所述籽晶的形状具体为正四棱台；

所述棱台的形状与上述铸锭炉中的坩埚底部形状相匹配，具体为：具有与所述坩埚底部矩形底面全等的四边形底面；所述棱台的梯形侧面与所述四边形底面之间的夹角等于所述坩埚底部的梯形斜面与所述坩埚底部的矩形底面之间的夹角。

从上述技术方案可以看出，本实用新型所提供的一种类单晶硅铸锭炉及其所用籽晶，所述铸锭炉包括：坩埚、位于所述坩埚底部下方的托板和位于所述托板下方的底板；其中，所述坩埚为漏斗式坩埚，该坩埚具有至少4个矩形侧壁，其底部由与侧壁数量相同的梯形斜面及1个多边形底面构成，该多边形底面的边数与侧壁数量相同，且所述坩埚底部的梯形斜面与对应矩形侧壁的夹角大于90°；所述托板上表面的形状与所述坩埚底部的形状相匹配，所述托板上表面中心区域的多边形与所述坩埚的多边形底面相接触，且所述托板上表面的梯形斜面与所述坩埚对应矩形侧壁的夹角大于所述侧壁与该侧壁对应的坩埚底部的梯形斜面的夹角；所述底板上表面的形状与所述托板下表面的形状相匹配且相互接触。

本技术方案通过特定形状的坩埚，在进行铸锭生产时只需在所述坩埚底部中央敷设一块与其形状相匹配的籽晶即可，避免了采用多块籽晶时由于籽晶间缝隙而导致的晶体缺陷度的增加，同时降低了籽晶的消耗；长晶时，坩埚内硅材料以所述籽晶为母晶在其周围均匀生长，通过控制坩埚底部梯形斜面的倾斜度可以控制晶体的横向和纵向生长速度，使得晶体均匀的扩展到坩埚的侧壁，降低了坩埚底部晶体的缺陷度。因此，本实用新型所述类单晶硅铸锭炉，可以保证坩埚底部晶体的均匀生长；降低了坩埚底部晶体的缺陷度；节约了籽晶的用量，降低了生产成本。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中一种类单晶硅铸锭工艺的热场控制装置的切面结构示意图；

图2为现有的类单晶硅铸锭工艺热场控制装置的坩埚内的籽晶分布结构俯视图；

图3为本实用新型实施例所提供的一种类单晶硅铸锭炉的切面结构示意图；

图4为图3中铸锭炉的热场控制装置的结构示意图；

图5为本实用新型实施例所提供的一种类单晶硅铸锭炉中的坩埚的俯视图；

图6为本实用新型实施所提供的一种类单晶硅铸锭炉中的托板的俯视图；

图7为本实用新型实施例中所提供的一种类单晶硅铸锭炉中的底板的俯视图；

图8为现有技术中一种用于类单晶硅铸锭工艺的籽晶的形状示意图；

图9为本实用新型实施例所提供的一种籽晶的形状示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

正如背景技术部分所述，现有的类单晶硅铸锭炉中的热场控制装置的坩埚为长方体结构，在石英坩埚底面敷设25块籽晶，以5×5的方阵敷设满整个石英坩埚底部。然而，由于籽晶块之间存在缝隙，导致在长晶过程中石英坩埚底部晶体缺陷严重，甚至形成多晶，从而导致铸锭工艺的失败；同时，由于温度的分布不均或籽晶层表面不平整等原因，导致坩埚底部晶体生长速度不均匀；而且，生产时，籽晶消耗大，生产成本高；对于籽晶，虽然可以回收利用，但是，由于在铸锭过程的高温环境下发生了形变，使得籽晶表面缺陷密度较高，再次利用铸锭时会导致坩埚底部的晶体缺陷密度大，无法保障坩埚底部晶体的完整性。

针对于上述问题，本实用新型提供了一种用于类单晶硅铸锭工艺的热场控制装置及籽晶，实现了坩埚底部晶体的均匀生长，降低了晶体的缺陷度及事故发生率，保障了晶体的产品质量，同时，节约了籽晶的用量，降低了生产成本。

实施例一

针对上述问题，本实施例提供了一种类单晶硅铸锭炉，包括：

坩埚、位于所述坩埚底部下方的托板和位于所述托板下方的底板；

其中，所述坩埚为漏斗式坩埚，该坩埚具有至少4个矩形侧壁，其底部由与侧壁数量相同的梯形斜面及1个多边形底面构成，该多边形底面的边数与侧壁数量相同，且所述坩埚底部的梯形斜面与对应矩形侧壁之间的夹角大于90°；

所述托板上表面的形状与所述坩埚底部的形状相匹配，所述托板上表面中心区域的多边形与所述坩埚的多边形底面相接触，且所述托板上表面的梯形斜面与所述坩埚对应矩形侧壁的夹角大于所述侧壁与该侧壁对应的坩埚底部的梯形斜面的夹角；

所述底板上表面的形状与所述托板下表面的形状相匹配且相互接触。

通过上述对本实用新型技术方案的描述，可知，相对于现有技术为长方体形的坩埚，本实施例中所述坩埚为漏斗式坩埚，在进行铸锭生产时，只需在所述坩埚底部多边形平面内敷设一块与所述坩埚底部形状相匹配的籽晶即可，避免了采用多块籽晶时由于籽晶间缝隙而导致的晶体缺陷度的增加，同时降低了籽晶的消耗；长晶时，坩埚内硅材料以所述籽晶为母晶在其周围均匀生长，通过控制坩埚底部梯形斜面的倾斜度可以控制晶体的横向和纵向生长速度，使得晶体缓慢、均匀的扩展到坩埚的侧壁，降低了坩埚底部晶体的缺陷度；而且，在坩埚和底板之间增加与所述坩埚形状相匹配的托板，用于调节坩埚底部的热场分布，使得坩埚底部温度均匀，且由于所述托板上表面的梯形斜面和所述坩埚底部梯形斜面倾斜度不同，坩埚梯形斜面和托板上表面对应的梯形斜面之间具有设定的缝隙结构，用于缓冲坩埚和/或石墨底板因受热膨胀产生较大应力，避免因所述应力而导致坩埚损坏，进而导致硅液溢流等事故的发生；通过设定的热的控制装置、籽晶的摆放方式，可以保障底部籽晶不被熔化，籽晶可多次利用，减少了籽晶的消耗，降低了生产成本。因此，本实用新型所述类单晶硅铸锭炉，可以保证坩埚底部晶体的均匀生长；降低了坩埚底部晶体的缺陷度；节约了籽晶的用量，降低了生产成本，安全性高。

实施例二

在上述实施例的基础上，本实施例提供了另一种类单晶硅铸锭炉，参考图3，图3为本实用新型所提供的一种类单晶硅铸锭炉的切面结构示意图，包括：

炉体1；

设置在所述炉体1内的隔热笼2；

设置在所述隔热笼2内的热场控制装置；

具体的，所述热场控制装置包括：坩埚4；敷设在所述坩埚4侧壁外的侧板3；敷设在所述坩埚底部下方的托板5；敷设在所述托板5下面的底板6。

在实际生产中，所述坩埚一般为石英坩埚；所述侧板是由石墨材料经过高温压制所制备的具有设定厚度的石墨侧板，耐高温、热传导性好，用于支撑坩埚侧壁，同时通过辐射接收加热器热量并传递给坩埚；所述底板是由石墨材料经过高温压制所制备的具有设定结构的石墨底板，耐高温、热传导性好，用于支撑托板，而且在进行降温结晶时，用于降温缓冲，保证坩埚底部温度的均匀缓慢降低，实现晶体的均匀生长；所述托板是由石墨材料经过高温压制所制备的具有设定结构的石墨托板，耐高温、热传导性好，敷设在坩埚底部下方，接受底板传导的热量，将所述热量传递给坩埚，实现化料。

参考图4，图4为图3中铸锭炉的热场控制装置的结构示意图，包括：方形漏斗式坩埚4；敷设在所述坩埚4侧壁外的侧板3；敷设在所述坩埚底部下方的托板5；敷设在所述托板5下面的底板6。生产时只需在坩埚4底部敷设1块设定形状的籽晶8即可，所述籽晶与所述坩埚底部紧密接触。

其中，所述坩埚为方形漏斗式坩埚，具有4个矩形侧壁，其底部由4个梯形斜面及1个矩形底面构成，且所述坩埚底部的梯形斜面与对应矩形侧壁的夹角大于90°。所述坩埚具体形状参考图4和图5，图5为本实用新型实施例所提供的一种类单晶硅铸锭炉中的坩埚的俯视图，包括4个梯形斜面A以及一个矩形底面B。

在进行生产时，只需在坩埚底部中央敷设一块特定形状的籽晶8即可。现有技术中的单晶硅铸锭工艺的热场控制装置，整个方形坩埚底部敷设一层籽晶，结晶面积大，本实施例在特定坩埚底部中央只敷设1块设定形状的籽晶，初始结晶面积小，初始时晶体沿所述坩埚底部斜面生长，可通过控制坩埚底部斜面的倾斜度来实现晶体的缓慢、均匀生长，进而降低了晶体的缺陷度；同时，相对于现有技术中的5×5的方阵敷设籽晶的方式，所述技术方案，仅通过1以快籽晶便可实现晶体的均匀生长，节约了籽晶的用量，降低了生产成本，并保证了产品的生产质量。

所述托板上表面的形状与所述坩埚底部的形状相匹配，所述托板上表面中心区域的矩形与所述坩埚的矩形底面相接触，且所述托板上表面的梯形斜面与所述坩埚对应矩形侧壁的夹角大于该侧壁与该侧壁对应的坩埚底部的梯形斜面的夹角，即所述石英坩埚底部的每个梯形斜面与所述托板对应梯形斜面之间存在有一个楔形缝隙7(如图4中所示)，所述楔形缝隙7最大缝隙间距不超过3mm；楔形缝隙7用于缓冲坩埚4和/或托板5因受热膨胀而产生的应力，防止因所述应力导致坩埚4破裂而导致的硅液溢流问题的出现，进而保障了生产的安全性。

所述坩埚底部的梯形斜面与对应矩形侧壁的夹角不超过150°，即所述坩埚的底部的梯形斜面的倾斜度不超过60°。实验及生产实践证明，在所述角度范围内，坩埚底部的晶体的生长速度均匀，坩埚底部的晶体缺陷度小，均匀性好，晶体的生长质量最好。而且，可以控制梯形斜面的倾斜度来控制坩埚底部梯形斜面处的晶体的横向和纵向生长速度，进而使晶体缓慢、均匀的扩展到坩埚边缘。需要说明的是本实施例所述坩埚底部的梯形斜面是指坩埚底部的梯形面板(其上下表面是相互平行的)，是一个实物的概念，而非几何上的平面。

所述托板的上表面形状可参考图4和图6，图6为本实用新型实施例所提供的一种类单晶硅铸锭炉中的托板的俯视图，包括4个梯形斜面E和1个矩形底面P。在实际生产时，如图4中所示，所述托板的上表面中心的矩形底面P和所述坩埚的底部的矩形底面B对应接触，对应各梯形斜面之间存在有设定的楔形缝隙7。

所述托板的下表面同样包括1个中心矩形底面和4个矩形斜面，其底部下表面的梯形斜面与对应坩埚侧壁的夹角大于与该梯形斜面对应的托板上表面的梯形斜面与所述对应坩埚侧壁的夹角。

需要说明的是图4和图6中所示托板为本实用新型所提供的一种优选的实施方式，其底部也可设置为平面结构。本实施例优选设置为所述形状，是为了缓冲相邻部件之间由于热膨胀而产生的应力，避免各部件的损坏。

所述底板上表面的形状与所述托板下表面的形状相匹配且相互接触，其下表面为平面。当托板为上述结构时，所述底板上表面形状参考图4和图7，图7为本实用新型实施例所提供的一种类单晶硅铸锭炉中的底板的俯视图，包括4个梯形斜面D和1个中心矩形底面C。当上述托板的下表面设置为平面结构时，与之对应的所述底板的上表面也设置为平面。

通过上述描述可知，本实施例所述技术方案通过特定形状的石英坩埚，在进行铸锭生产时，只需在所述坩埚底部敷设一块具有特定形状的籽晶即可，相比于现有的长方体结构的坩埚，在整个底部敷设一层籽晶，降低了籽晶的消耗，同时也避免了采用多块籽晶，由于籽晶块之间的接触缝隙而导致的晶体缺陷度的增加；长晶时，坩埚内材料以所述籽晶为母晶在其周围均匀生长，通过控制坩埚底部斜面的倾斜度可控制坩埚底部晶体的横向和纵向生长速度，使得晶体缓慢、均匀的扩展到坩埚的边缘，进而降低了坩埚底部晶体的缺陷度；现有技术在进行生产时，所述坩埚底面积较大，结晶面积大，而本实施例所述技术方案只需在其底部中央只敷设1块设定形状的籽晶，初始结晶面积小，可延缓晶体的生长速度，便于坩埚底部晶体缓慢均匀的生长；而且，在坩埚和底板之间增加与所述石英坩埚形状相匹配的托板，用于保护坩埚，同时用于调节坩埚底部温度，使得坩埚底部受热均匀，防止坩埚和/或石墨底板因受热膨胀产生较大应力从而导致坩埚损坏、硅液溢流等事故的发生；同时，通过设定结构的坩埚，托板及底板，配合铸锭工艺中的控制系统，可以保障底部籽晶不被熔化，可多次利用，减少了籽晶的消耗。因此，本实施例所提供的类单晶硅铸锭炉，可以保证坩埚底部晶体的均匀生长，降低坩埚底部晶体的缺陷度，节约籽晶的用量，降低了生产成本；同时，降低了坩埚损坏、硅液溢流等事故的发生的几率，安全性高。

实施例三

针对上述两个实施例所述的铸锭炉，本实施例提供了一种用于上述类单晶硅铸锭炉的籽晶：

所述籽晶的形状为正多棱棱台；

所述棱台的形状与实施例一中所述的铸锭炉中的坩埚底部形状相匹配，所述籽晶可以和实施例一中坩埚底部紧密接触，所述籽晶具体为：具有与所述坩埚底部的梯形斜面数量相同的梯形侧面；具有与所述坩埚底部多边形底面全等的第一多边形底面；所述棱台的梯形侧面与所述第一底面之间的夹角等于所述坩埚底部的梯形斜面与所述坩埚底部的多边形底面之间的夹角。

具体的，所述棱台的形状与实施例二中所述的铸锭炉中的坩埚底部形状相匹配，所述籽晶可与实施例二中的坩埚紧密接触，所述籽晶具体为：所述第一底面是和所述坩埚底部矩形底面全等的四边形底面；所述棱台的梯形侧面与所述四边形底面之间的夹角等于所述坩埚底部的梯形斜面与所述坩埚底部的矩形底面之间的夹角。

需要说明的是，棱台具有两个底面，所述第一多边形底面是指棱台状籽晶的较小的底面，所述棱台结构的籽晶时与上述实施例中所述铸锭炉中的坩埚结构相对应的，可以敷设在上述坩埚中，并与坩埚底部紧密接触。

参考图9，图9为本实用新型所提供的一种籽晶的形状示意图。

在进行单晶硅铸锭生产时，现有的长方体结构的籽晶，参考图8，图8为现有籽晶的形状示意图，需要在坩埚底部敷设一层，籽晶消耗量大，同时在籽晶接触缝隙处晶体缺陷度高；而本实施例所述籽晶配合相匹配的铸锭炉，只需1块籽晶为母晶进行长晶即可，避免了采用多块籽晶长晶时由于籽晶间的缝隙而导致的晶体缺陷度增大，保障了晶体的产品质量，同时降低了籽晶的消耗。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种类单晶硅铸锭炉，其特征在于，包括：

坩埚、位于所述坩埚底部下方的托板和位于所述托板下方的底板；

其中，所述坩埚为漏斗式坩埚，该坩埚具有至少4个矩形侧壁，其底部由与侧壁数量相同的梯形斜面及1个多边形底面构成，该多边形底面的边数与侧壁数量相同，且所述坩埚底部的梯形斜面与对应的矩形侧壁的夹角大于90°；

所述托板上表面的形状与所述坩埚底部的形状相匹配，所述托板上表面中心区域的多边形表面与所述坩埚的多边形底面相接触，且所述托板上表面的梯形斜面与所述坩埚底部对应矩形侧壁的夹角大于该侧壁与该侧壁对应的坩埚底部的梯形斜面的夹角；

所述底板上表面的形状与所述托板下表面的形状相匹配且相互接触。

2.根据权利要求1所述的铸锭炉，其特征在于，所述坩埚为方形漏斗式坩埚，所述方形漏斗式坩埚具有4个矩形侧壁，其底部是由4个相同梯形斜面及1个矩形底面构成。

3.根据权利要求2所述的铸锭炉，其特征在于，所述托板上表面的梯形斜面与所述坩埚的对应矩形侧壁的夹角大于所述侧壁与该侧壁对应的坩埚底部的梯形斜面的夹角为：所述石英坩埚底部的每个梯形斜面与所述托板对应梯形斜面之间存在有一个楔形缝隙，所述楔形缝隙最大缝隙间距不超过3mm。

4.根据权利要求3所述的铸锭炉，其特征在于，所述坩埚底部的梯形斜面与对应矩形侧壁的夹角不超过150°。

5.根据权利要求2所述的铸锭炉，其特征在于，所述托板下表面形状与上表面形状相匹配，包括：1个中心矩形底面和4个矩形斜面，其底部下表面的梯形斜面与对应坩埚侧壁的夹角大于与该梯形斜面对应的托板上表面的梯形斜面与所述对应坩埚侧壁的夹角。

6.根据权利要求2所述的铸锭炉，其特征在于，所述托板下表面形状为矩形平面。

7.根据权利要求2所述的铸锭炉，其特征在于，所述托板是由石墨材料经过高温压制所制备的具有设定结构的石墨托板。

8.根据权利要求2所述的铸锭炉，其特征在于，所述底板是由石墨材料经过高温压制所制备的具有设定结构的石墨底板。

9.一种用于上述类单晶硅铸锭炉的籽晶，其特征在于，所述籽晶的形状为正多棱棱台；

所述棱台的形状与权利要求1中所述的铸锭炉中的坩埚底部形状相匹配，具体为：具有与所述坩埚底部的梯形斜面数量相同的梯形侧面；具有与所述坩埚底部多边形底面全等的第一多边形底面；所述棱台的梯形侧面与所述第一底面之间的夹角等于所述坩埚底部的梯形斜面与所述坩埚底部的多边形底面之间的夹角。

10.根据权利要求9所述的籽晶，其特征在于，所述籽晶的形状具体为正四棱台；

所述棱台的形状与权利要求2中所述的铸锭炉中的坩埚底部形状相匹配，具体为：具有与所述坩埚底部矩形底面全等的四边形底面；所述棱台的梯形侧面与所述四边形底面之间的夹角等于所述坩埚底部的梯形斜面与所述坩埚底部的矩形底面之间的夹角。

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