RU2017115945A - Монокристаллический материал интерметаллического соединения титана и алюминия и методы его получения - Google Patents
Монокристаллический материал интерметаллического соединения титана и алюминия и методы его получения Download PDFInfo
- Publication number
- RU2017115945A RU2017115945A RU2017115945A RU2017115945A RU2017115945A RU 2017115945 A RU2017115945 A RU 2017115945A RU 2017115945 A RU2017115945 A RU 2017115945A RU 2017115945 A RU2017115945 A RU 2017115945A RU 2017115945 A RU2017115945 A RU 2017115945A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- titanium
- alloy
- features
- paragraph
- intermetallic compound
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/02—Making non-ferrous alloys by melting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/02—Making non-ferrous alloys by melting
- C22C1/03—Making non-ferrous alloys by melting using master alloys
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C14/00—Alloys based on titanium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C30/00—Alloys containing less than 50% by weight of each constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C33/00—Making ferrous alloys
- C22C33/04—Making ferrous alloys by melting
- C22C33/06—Making ferrous alloys by melting using master alloys
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/001—Continuous growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/002—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/003—Heating or cooling of the melt or the crystallised material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B21/00—Unidirectional solidification of eutectic materials
- C30B21/04—Unidirectional solidification of eutectic materials by zone-melting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/52—Alloys
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/02—Heat treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B35/007—Apparatus for preparing, pre-treating the source material to be used for crystal growth
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Claims (32)
1. Вид монокристаллического материала интерметаллического соединения титана и алюминия, особенности которого заключаются в расчете атомной процентной концентрации, выражение состава сплава данного материала TiaAlbNbc(C,Si)d, где 43≤b≤49, 2≤c≤10, a+b+c=100, 0≤d≤1.
2. Вид монокристаллического материала интерметаллического соединения титана и алюминия согласно п. 1 формулы изобретения, особенности которого заключаются в том, что 42≤a≤55, 43≤b≤49, 2≤c≤9, d=0.
3. Вид монокристаллического материала интерметаллического соединения титана и алюминия согласно п. 1 формулы изобретения, особенности которого заключаются в том, что 44≤a≤51, 43≤b≤47, 6≤c≤9, d=0.
4. Вид монокристаллического материала интерметаллического соединения титана и алюминия согласно п. 1 формулы изобретения, особенности которого заключаются в том, что 43≤b≤47, 6≤c≤10, a+b+c=100, 0.1≤d≤1.
5. Вид монокристаллического материала интерметаллического соединения титана и алюминия согласно любому из пп. 1-4 формулы изобретения, особенности которого заключаются в том, что способ получения данного материала включает следующие этапы:
(1) Взять каждый исходный материал с чистотой более 99.9%, согласно выражению компонентов сплава выполнить подбор состава; слиток материнского сплава расплавляется в индукционной печи с холодным тиглем для левитационной плавки при вакууме ниже 10-3 Па, затем, применяя метод гравитационного литья или литья вакуумным всасыванием, получают прутковый материнский сплав.
(2) Прутковый материнский сплав разрезается на верхнюю и нижнюю половины, которые будут использоваться соответственно в качестве пруткового исходного сырья и прутков затравочных кристаллов для зоны оптического всплывания печи направленной кристаллизации. Дистанция между прутковым исходным материалом в верхней части и прутков затравочных кристаллов в нижней части контролируется в пределах 1-5 мм. Прутковый исходный материал и прутки затравочных кристаллов соосно и вертикально размещают на горизонтальной поверхности, во время направленной кристаллизации подается защитный инертный газ. Настраивается взаимообратное направление вращения верхнего и нижнего пруткового материала, относительная скорость вращения 10-40 об/мин, включается нагрев таким образом, чтобы первыми расплавились противолежащие стороны верхних и нижних прутков; регулируется положение верхних и нижних прутков таким образом, что противолежащие стороны прутков постепенно соединяются; регулируется мощность оборудования и через 5-10 мин нагревания после того, как зона всплытия стала гладкой и равномерно расплавленной, скорость роста регулируют в пределах 2.5-30 мм/ч, после чего начинается направленная кристаллизация. После завершения затвердевания мощность постепенно снижается, одновременно медленно разделяют затвердевшие образцы и оставшиеся прутки образцов.
(3) Полученные монокристаллические прутки сплава титана и алюминия подвергаются вакуумной тепловой обработке, применяется метод холодной или горячей обработки в печи (1250-1350)°С × (12-24) ч+900°С × 30 мин.
6. Вид монокристаллического материала интерметаллического соединения титана и алюминия согласно п. 5 формулы изобретения, особенности которого заключаются в том, что на этапе (1) для индукционной левитационной плавки применяется медный тигель с водяным охлаждением, количество плавок материнского сплава не менее 3.
7. Вид монокристаллического материала интерметаллического соединения титана и алюминия согласно п. 5 формулы изобретения, особенности которого заключаются в том, что на этапе (1) размеры описываемого пруткового сплава Φ(4-8) мм × 120 мм, для описываемого литья вакуумным всасыванием применяется литье всасыванием с разностью давления, перепад давления поддерживается на уровне 3 МПа; при применении метода гравитационного литья давление защитного газа составляет 2/3 от стандартного атмосферного давления.
8. Вид монокристаллического материала интерметаллического соединения титана и алюминия согласно п. 5 формулы изобретения, особенности которого заключаются в том, что на этапе (2) описываемый инертный газ - аргон или азот, при направленной кристаллизации расход подаваемого газа 3-5 л/мин.
9. Вид монокристаллического материала интерметаллического соединения титана и алюминия согласно п. 5 формулы изобретения, особенности которого заключаются в том, что на этапе (1) чистота описываемого сырья алюминия, титана, углерода или кремния более 99.999%, чистота металлического ниобия более 99.9%.
10. Вид монокристаллического материала интерметаллического соединения титана и алюминия согласно п. 5 формулы изобретения, особенности которого заключаются в том, что на этапе (1) длина прутков затравочных кристаллов в нижней части 20-30 мм, длина пруткового исходного материала в верхней части менее 190 мм.
11. Вид монокристаллического материала интерметаллического соединения титана и алюминия согласно любому из пп. 1-4 формулы изобретения, особенности которого заключаются в том, что способ получения данного материала включает следующие этапы:
Этап 1: Выбрать каждый вид исходного сырья с чистотой более 99.999%, провести подбор состава, исходя из выражения состава сплава; в условиях вакуума менее 10-3 Па в индукционной печи с холодным тиглем для левитационной плавки выполняется плавка материнского сплава, после 3-4 плавок состав сплава выравнивается, далее методом литья вакуумным всасыванием получается прутковый материал с направленной кристаллизацией.
Этап 2: Испытательный образец сплава титана и алюминия помещают в корундовый тигель с покрытием на основе оксида иттрия высокой чистоты, выполняют направленную кристаллизацию, выполняется вакуумирование до 5×10-3 Па, затем в систему подают защитный газ аргон высокой чистоты.
Этап 3: Регулируя мощность индукционного электропитания, выполняют нагрев испытательных образцов, поддерживается температура 1450-1650 К, время нагревания 15-30 мин, после чего начинают выполнять направленную кристаллизацию, скорость вытягивания контролируется в пределах 5-20 мкм/с, рост продолжается до длины образца 50 мм, затем запускается быстрое остужение для выполнения быстрого охлаждения испытательных образцов направленной кристаллизации, оставляется поверхность разделения твердой и жидкой фаз.
12. Вид монокристаллического материала интерметаллического соединения титана и алюминия согласно п. 11 формулы изобретения, особенности которого заключаются в том, что на первом этапе размеры пруткового материала направленной кристаллизации Φ(4-6) мм × 100 мм. На этапе 2 размеры корундового тигля на основе покрытия из оксида иттрия высокой чистоты составляют Ф(7-9) мм × 100 мм, давление защитного газа аргона высокой чистоты 0.04-0.06 МПа.
13. Метод получения монокристаллического материала интерметаллического соединения титана и алюминия согласно любому из пп. 1-4 формулы изобретения, особенности которого заключаются в том, что метод включает следующие этапы:
(1) Взять каждый исходный материал с чистотой более 99.9%, согласно выражению компонентов сплава выполнить подбор состава; слиток материнского сплава расплавляется в индукционной печи с холодным тиглем для левитационной плавки при вакууме ниже 10-3 Па, затем, применяя метод гравитационного литья или литья вакуумным всасыванием, получают прутковый материнский сплав.
(2) Прутковый материнский сплав разрезается на верхнюю и нижнюю половины, которые будут использоваться соответственно в качестве пруткового исходного сырья и прутков затравочных кристаллов для зоны оптического всплывания печи направленной кристаллизации. Расстояние между прутковым исходным материалом в верхней части и прутками затравочных кристаллов в нижней части 1-5 мм. Прутковый исходный материал и прутки затравочных кристаллов соосно и вертикально размещают на горизонтальной поверхности, во время направленной кристаллизации подается защитный инертный газ. Настраивается взаимообратное направление вращения верхнего и нижнего пруткового материала, относительная скорость вращения 10-40 об/мин, включается нагрев таким образом, чтобы первыми расплавились противолежащие стороны верхних и нижних прутков, после чего регулируется положение верхних и нижних прутков таким образом, что противолежащие стороны прутков постепенно соединяются; затем регулируется мощность оборудования и через 5-10 мин нагревания после того, как зона всплытия стала гладкой и равномерно расплавленной, регулируют скорость роста в пределах 2.5-30 мм/ч, после чего начинается направленная кристаллизация. После завершения затвердевания мощность постепенно снижается, одновременно медленно разделяют затвердевшие образцы и оставшиеся прутки образцов.
(3) Полученные монокристаллические прутки сплава титана и алюминия подвергаются вакуумной тепловой обработке, применяется метод холодной или горячей обработки в печи (1250-1350)°С × (12-24) ч+900°С × 30 мин.
14. Метод, описываемый в соответствии с п.13 формулы изобретения, особенности которого заключаются в том, что на этапе (1) для индукционной левитационной плавки применяется медный тигель с водяным охлаждением, количество плавок материнского сплава не менее 3.
15. Метод, описываемый в соответствии с п.13 формулы изобретения, особенности которого заключаются в том, что на этапе (1) размеры описываемого пруткового материнского сплава Φ(4-8) мм × 120 мм; для описываемого литья вакуумным всасыванием применяется литье всасыванием с разностью давления, перепад давления поддерживается на уровне 3 МПа; при применении метода гравитационного литья давление защитного газа составляет 2/3 от стандартного атмосферного давления.
16. Метод, описываемый в соответствии с п.13 формулы изобретения, особенности которого заключаются в том, что на этапе (1) чистота описываемого сырья алюминия, титана, углерода или кремния более 99.999%, чистота металлического ниобия более 99.9%.
17. Метод, описываемый в соответствии с п.13 формулы изобретения, особенности которого заключаются в том, что на этапе (1) длина прутков затравочных кристаллов в нижней части 20-30 мм, длина пруткового исходного материала в верхней части менее 190 мм.
18. Метод, описываемый в соответствии с п.13 формулы изобретения, особенности которого заключаются в том, что на этапе (2) описываемый инертный газ - аргон или азот, при направленной кристаллизации расход подаваемого газа 3-5 л/мин.
19. Метод получения монокристаллического материала интерметаллического соединения титана и алюминия согласно любому из пп. 1-4 формулы изобретения, особенности которого заключаются в том, что метод включает следующие этапы:
Этап 1: Выбрать каждый вид исходного сырья с чистотой более 99.9%, провести подбор состава, исходя из выражения состава сплава; в условиях вакуума менее 10-3 Па в индукционной печи с холодным тиглем для левитационной плавки выполняется плавка материнского сплава, после 3-4 плавок состав сплава выравнивается, методом литья вакуумным всасыванием получается прутковый материал с направленной кристаллизацией.
Этап 2: Испытательный образец сплава титана и алюминия помещают в корундовый тигель с покрытием на основе оксида иттрия высокой чистоты, выполняют направленную кристаллизацию, выполняется вакуумирование до 5×10-3 Па, затем в систему подают защитный газ аргон высокой чистоты.
Этап 3: Регулируя мощность индукционного электропитания, выполняют нагрев испытательных образцов, поддерживается температура 1450-1650 К, время нагревания 15-30 мин, после чего начинают выполнять направленную кристаллизацию, скорость вытягивания контролируется в пределах 5-20 мкм/с, рост продолжается до длины образца 50 мм, затем запускается быстрое остужение для выполнения быстрого охлаждения испытательных образцов направленной кристаллизации, оставляется поверхность разделения твердой и жидкой фаз.
20. Метод, описываемый в соответствии с п.19 формулы изобретения, особенности которого заключаются в том, что на первом этапе размеры пруткового материала направленной кристаллизации Φ(4-6) мм × 100 мм. На этапе 2 размеры корундового тигля на основе покрытия из оксида иттрия высокой чистоты составляют Ф(7-9) мм × 100 мм, давление защитного газа аргона высокой чистоты 0.04-0.06 МПа.
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410528019.3 | 2014-10-09 | ||
CN201410529844.5A CN104278173B (zh) | 2014-10-09 | 2014-10-09 | 一种高强高塑TiAl合金材料及其制备方法 |
CN201410528019.3A CN104328501B (zh) | 2014-10-09 | 2014-10-09 | 一种片层取向完全可控的TiAl单晶合金及其制备方法 |
CN201410529844.5 | 2014-10-09 | ||
CN201510244611.5 | 2015-05-13 | ||
CN201510244611.5A CN104878452A (zh) | 2015-05-13 | 2015-05-13 | 一种高温高强TiAl-Nb单晶及其制备方法 |
PCT/CN2015/091508 WO2016055013A1 (zh) | 2014-10-09 | 2015-10-09 | TiAl金属间化合物单晶材料及其制备方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2017115945A true RU2017115945A (ru) | 2018-11-12 |
RU2017115945A3 RU2017115945A3 (ru) | 2019-04-30 |
RU2701438C2 RU2701438C2 (ru) | 2019-09-26 |
Family
ID=55652598
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2017115945A RU2701438C2 (ru) | 2014-10-09 | 2015-10-09 | Монокристаллический материал интерметаллического соединения титана и алюминия и методы его получения |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10570531B2 (ru) |
EP (1) | EP3205753B1 (ru) |
JP (1) | JP6944874B2 (ru) |
RU (1) | RU2701438C2 (ru) |
WO (1) | WO2016055013A1 (ru) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3326746A1 (en) * | 2016-11-25 | 2018-05-30 | Helmholtz-Zentrum Geesthacht Zentrum für Material- und Küstenforschung GmbH | Method for joining and/or repairing substrates of titanium aluminide alloys |
RU2725229C1 (ru) * | 2019-12-03 | 2020-06-30 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) | Способ получения Ti2MnAl |
CN112746187B (zh) * | 2020-12-21 | 2021-10-01 | 安徽工程大学 | 一种大尺寸的TiAl基合金籽晶的制备方法 |
CN112746329A (zh) * | 2020-12-21 | 2021-05-04 | 安徽工程大学 | 一种用于TiAl基合金定向凝固的籽晶制备方法 |
CN114908422B (zh) * | 2022-06-29 | 2024-06-14 | 合肥工业大学 | 锶掺杂六硼化镧单晶及其制备方法 |
CN115198356B (zh) * | 2022-07-15 | 2023-07-21 | 郑州大学 | 一种特定取向的大规格金属单晶及其制备方法 |
CN115558811B (zh) * | 2022-09-10 | 2023-06-16 | 哈尔滨工业大学 | 利用超声与电磁场制备TiAl半固态材料的装备与方法 |
CN116516213B (zh) * | 2023-03-23 | 2024-06-07 | 北京科技大学 | 一种含Si高Nb-TiAl合金的制备方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4461659A (en) * | 1980-01-17 | 1984-07-24 | Cannon-Muskegon Corporation | High ductility nickel alloy directional casting of parts for high temperature and stress operation |
EP0530968A1 (en) * | 1991-08-29 | 1993-03-10 | General Electric Company | Method for directional solidification casting of a titanium aluminide |
US6059015A (en) * | 1997-06-26 | 2000-05-09 | General Electric Company | Method for directional solidification of a molten material and apparatus therefor |
JP3054697B2 (ja) * | 1998-06-30 | 2000-06-19 | 京都大学長 | Ti−Al系合金の製造方法 |
US7343960B1 (en) * | 1998-11-20 | 2008-03-18 | Rolls-Royce Corporation | Method and apparatus for production of a cast component |
US6436208B1 (en) * | 2001-04-19 | 2002-08-20 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Process for preparing aligned in-situ two phase single crystal composites of titanium-niobium alloys |
US6755239B2 (en) * | 2001-06-11 | 2004-06-29 | Santoku America, Inc. | Centrifugal casting of titanium alloys with improved surface quality, structural integrity and mechanical properties in isotropic graphite molds under vacuum |
TWI265198B (en) * | 2002-12-02 | 2006-11-01 | Univ Nat Taiwan | The method and equipments for controlling the solidification of alloys in induction melting using cold crucible |
KR100644880B1 (ko) * | 2004-11-30 | 2006-11-15 | 한국과학기술원 | 층상조직의 열적안정성 및 기계적 성질이 매우 우수한 일방향응고 TiAlNbSiC계 합금 |
CN100465309C (zh) * | 2006-09-22 | 2009-03-04 | 北京科技大学 | 一种利用放电等离子烧结制备高铌钛铝合金材料的方法 |
CN102011195B (zh) * | 2010-11-23 | 2012-06-06 | 北京科技大学 | 一种定向凝固高铌钛铝合金单晶的制备方法 |
US20120152483A1 (en) * | 2010-12-16 | 2012-06-21 | General Electric Company | Unidirectional solidification process and apparatus and single-crystal seed therefor |
CN102400074A (zh) * | 2011-12-02 | 2012-04-04 | 南京理工大学 | 一种减少定向凝固高铌钛铝合金显微偏析的热处理工艺 |
CN102672150A (zh) * | 2012-05-14 | 2012-09-19 | 北京科技大学 | 一种钛铝铌合金片层组织方向控制方法 |
CN102921929B (zh) * | 2012-11-01 | 2015-05-13 | 哈尔滨工业大学 | 一种高铌钛铝金属间化合物的无污染定向凝固方法 |
CN103789598B (zh) * | 2014-02-28 | 2015-12-02 | 南京理工大学 | 一种定向TiAl基合金及其制备方法 |
CN104878452A (zh) * | 2015-05-13 | 2015-09-02 | 南京理工大学 | 一种高温高强TiAl-Nb单晶及其制备方法 |
CN104278173B (zh) * | 2014-10-09 | 2016-07-06 | 南京理工大学 | 一种高强高塑TiAl合金材料及其制备方法 |
CN104328501B (zh) * | 2014-10-09 | 2017-06-27 | 南京理工大学 | 一种片层取向完全可控的TiAl单晶合金及其制备方法 |
-
2015
- 2015-10-09 WO PCT/CN2015/091508 patent/WO2016055013A1/zh active Application Filing
- 2015-10-09 JP JP2017538285A patent/JP6944874B2/ja active Active
- 2015-10-09 US US15/517,165 patent/US10570531B2/en active Active - Reinstated
- 2015-10-09 EP EP15849516.8A patent/EP3205753B1/en active Active
- 2015-10-09 RU RU2017115945A patent/RU2701438C2/ru active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6944874B2 (ja) | 2021-10-06 |
US10570531B2 (en) | 2020-02-25 |
RU2701438C2 (ru) | 2019-09-26 |
EP3205753A4 (en) | 2018-09-12 |
EP3205753B1 (en) | 2020-04-15 |
WO2016055013A1 (zh) | 2016-04-14 |
JP2017536327A (ja) | 2017-12-07 |
US20170268127A1 (en) | 2017-09-21 |
EP3205753A1 (en) | 2017-08-16 |
RU2017115945A3 (ru) | 2019-04-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2017115945A (ru) | Монокристаллический материал интерметаллического соединения титана и алюминия и методы его получения | |
WO2021008159A1 (zh) | 一种适用于提拉法的线圈可移动式温场结构与单晶生长方法 | |
JP5344919B2 (ja) | 結晶成長のための装置及び方法 | |
US7799306B2 (en) | Method of purifying metallurgical silicon by directional solidification | |
US20140202653A1 (en) | Method for purifying high-purity aluminium by directional solidification and smelting furnace therefor | |
JP2011042560A (ja) | サファイア単結晶の製造方法およびサファイア単結晶の製造装置 | |
CN104278173B (zh) | 一种高强高塑TiAl合金材料及其制备方法 | |
TW201131031A (en) | Apparatus and method for continuous casting of monocrystalline silicon ribbon | |
CN104353795A (zh) | 有温度梯度结晶器的连续定向凝固技术 | |
CN104878452A (zh) | 一种高温高强TiAl-Nb单晶及其制备方法 | |
TW201233854A (en) | Crystal growing system and method thereof | |
US20110253033A1 (en) | Crystal growing system and method thereof | |
CN106319621A (zh) | 一种大尺寸直拉硅单晶生长方法 | |
WO2012054101A1 (en) | Crystal growing system and method thereof | |
CN104878444A (zh) | 一种TiAl基合金单晶的制备方法 | |
JP7072146B2 (ja) | 鉄ガリウム合金の単結晶育成方法 | |
JP2016033102A (ja) | サファイア単結晶およびその製造方法 | |
JP2015182944A (ja) | サファイア単結晶の製造方法 | |
CN105803257A (zh) | 一种提高TiAl-Nb合金液态流动性的方法 | |
TWI570252B (zh) | Cu-Ga alloy sputtering target and its manufacturing method | |
CN104071790A (zh) | 电磁搅拌硅合金熔体硅提纯装置及方法 | |
CN107354331A (zh) | 以高熔点金属为基底籽晶控制TiAl基合金定向凝固组织片层取向的方法 | |
JP2004284892A (ja) | 多結晶シリコンの製造方法 | |
JP5968198B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
TWI625400B (zh) | Copper-gallium alloy sputtering target |